JP2007073633A - 半導体素子の形成方法、半導体素子の濃度評価方法、および半導体素子の濃度評価装置 - Google Patents
半導体素子の形成方法、半導体素子の濃度評価方法、および半導体素子の濃度評価装置 Download PDFInfo
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Abstract
【解決手段】半導体素子の濃度評価方法は、まず、測定対象となる試料の測定面に平行な平行面を形成する。つぎに、形成された平行面を所定の角度の傾斜面を有する試料台の傾斜面に接するように固定する。そして、固定された試料の測定面101を研磨して試料内部の半導体接合面を露出させ、研磨された研磨面に対して広がり抵抗測定装置の端針703を接触させて濃度評価する。
【選択図】図7
Description
図1〜図5は、本発明の実施の形態1による形成中の試料の概略を示す説明図である。図1において、半導体チップ100の側壁(測定面)101は、図示しない裏面に対して角度θ傾斜している。まず、半導体チップ100を点線102に沿って、たとえば、図2に示す試料201の形状となるように切断する。上述した例では、切断するとしたが、研磨あるいは劈開によって試料201の形状を形成してもよい。また、図2では切断面は90°になっているが、切断面の角度は90°でなくても同様の目的、効果を達成することができる。
つぎに、実施の形態2にかかる半導体素子の濃度評価方法について説明する。実施の形態1は、測定面が半導体チップの側壁の場合の濃度評価方法であったが、実施の形態2は、たとえば、トレンチゲートのように測定面が半導体チップの内部にある場合の半導体素子の濃度評価方法について説明する。
101 測定面
102 点線
201 試料
202 点線
301 試料
302 p型領域
303 n型領域
401 試料台
402 点線
501 平行面
601 試料
602 試料台
603 点線
701 n型基板
702 pn接合
703 端針
Claims (5)
- 測定対象となる試料の測定面に平行な平行面を形成する平行面形成工程と、
前記平行面形成工程によって形成された前記平行面を所定の角度の傾斜面を有する試料台の当該傾斜面に接するように固定する固定工程と、
前記固定工程によって固定された前記試料の前記測定面を研磨して当該試料内部の半導体接合面を露出させる研磨工程と、
を含むことを特徴とする半導体素子の形成方法。 - 測定対象となる試料の測定面に平行な平行面を形成する平行面形成工程と、
前記平行面形成工程によって形成された前記平行面を所定の角度の傾斜面を有する試料台の当該傾斜面に接するように固定する固定工程と、
前記固定工程によって固定された前記試料の前記測定面を研磨して当該試料内部の半導体接合面を露出させる研磨工程と、
前記研磨工程によって研磨された研磨面に対して広がり抵抗測定装置の端針を接触させて濃度評価する濃度評価工程と、
を含むことを特徴とする半導体素子の濃度評価方法。 - 前記濃度評価工程は、前記測定面から前記半導体接合面までの深さをdとし、前記測定面と前記研磨面とのなす角度をαとし、前記測定面と前記平行面とのなす角度をβとし、前記広がり抵抗測定装置を用いて値を測定する間隔をSとするとき、d>sin(|α±β|)×S×10を満たすことを特徴とする請求項2に記載の半導体素子の濃度評価方法。
- 測定対象となる試料の測定面に平行な平行面を形成する平行面形成手段と、
前記平行面形成手段によって形成された前記平行面を前記試料内部の半導体接合面が露出するように前記測定面を斜めに研磨する研磨手段と、
前記研磨手段によって研磨された研磨面に対して広がり抵抗測定装置の端針を接触させて濃度評価する濃度評価手段と、
を備えることを特徴とする半導体素子の濃度評価装置。 - 前記濃度評価手段は、前記測定面から前記半導体接合面までの深さをdとし、前記測定面と前記研磨面とのなす角度をαとし、前記測定面と前記平行面とのなす角度をβとし、前記広がり抵抗測定装置を用いて値を測定する間隔をSとするとき、d>sin(|α±β|)×S×10を満たすことを特徴とする請求項4に記載の半導体素子の濃度評価装置。
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JP2005256846A JP2007073633A (ja) | 2005-09-05 | 2005-09-05 | 半導体素子の形成方法、半導体素子の濃度評価方法、および半導体素子の濃度評価装置 |
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Citations (3)
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---|---|---|---|---|
JPS60220944A (ja) * | 1984-04-18 | 1985-11-05 | Rohm Co Ltd | 半導体装置の評価方法 |
JPH02238646A (ja) * | 1989-03-10 | 1990-09-20 | Aisin Seiki Co Ltd | 半導体不純物の測定方法 |
JPH08181177A (ja) * | 1994-12-20 | 1996-07-12 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | パターンシフトの測定方法 |
-
2005
- 2005-09-05 JP JP2005256846A patent/JP2007073633A/ja active Pending
Patent Citations (3)
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