JP2007070295A

JP2007070295A - 末端が水素であるナフタレン誘導体、この誘導体を含有する液晶組成物およびこの液晶組成物を含有する液晶表示素子

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Publication number: JP2007070295A
Application number: JP2005260157A
Authority: JP
Inventors: Tomoyuki Kondo; 智之近藤; Shuichi Matsui; 秋一松井; Keiji Kimura; 敬二木村
Original assignee: Chisso Petrochemical Corp; Chisso Corp
Current assignee: JNC Corp; JNC Petrochemical Corp
Priority date: 2005-09-08
Filing date: 2005-09-08
Publication date: 2007-03-22
Anticipated expiration: 2025-09-08
Also published as: US7790915B2; US20070051919A1; EP1762605B1; DE602006017482D1; JP4961700B2; EP1762605A1

Abstract

【課題】化合物に必要な一般的物性、小さな粘度、適切な光学異方性、適切な誘電率異方性、および他の液晶性化合物との優れた相溶性を有する液晶性化合物、この化合物を含有し、ネマチック相の広い温度範囲、小さな粘度、適切な光学異方性、および低いしきい値電圧を有する液晶組成物、この組成物を含有し、短い応答時間、小さな消費電力、大きなコントラスト、および高い電圧保持率を有する液晶表示素子を提供する。
【解決手段】下記の式（１ａ）で表される化合物。

式（１ａ）において環Ａ^１および環Ａ^２は芳香環又は複素環であり；Ｚ^１、Ｚ^２およびＺ^３は独立して単結合、−（ＣＨ_２）_２−、−ＣＯＯ−等であり；Ｘ^ａ〜Ｘ^ｆは独立して水素またはフッ素であり；Ｙは−ＯＣＨ_２Ｆ、−ＯＣＨＦ_２、−ＯＣＦ_３、Ｆ、Ｃｌ等であり；Ｌ^ａおよびＬ^ｂは独立して水素またはフッ素であり；ｌおよびｍは独立して０または１である。
【選択図】なし

Description

本発明は液晶性化合物、液晶組成物および液晶表示素子に関する。さらに詳しくは末端が水素で置換されたナフタレン化合物、この化合物を含有する液晶組成物およびこの液晶組成物を含有する液晶表示素子に関する。

液晶表示素子において、液晶の動作モードに基づいた分類は、ＰＣ（phase change）、ＴＮ（twisted nematic）、ＩＰＳ（in-plane switching）、ＳＴＮ（super twisted nematic）、ＯＣＢ（optically compensated bend）、ＥＣＢ（electrically controlled birefringence）、ＶＡ（vertical alignment）などである。素子の駆動方式に基づいた分類は、ＰＭ（passive matrix）とＡＭ（active matrix）である。ＰＭ（passive matrix）はスタティック（static）とマルチプレックス（multiplex）などに分類され、ＡＭはＴＦＴ（thin film transistor）、ＭＩＭ（metal insulator metal）などに分類される。
これらの素子は適切な特性を有する液晶組成物を含有する。素子の一般的な特性を向上させるため、この組成物には次の一般的な特性が必要である。
Ｎｏ．組成物の一般的な特性素子の一般的な特性
１．熱に安定である寿命が長い
２．紫外線に安定である^１）寿命が長い
３．ネマチック相の範囲が広い使用できる温度範囲が広い
４．粘度が低い^２）応答時間が短い
５．しきい値電圧が低い消費電力が小さい
６．比抵抗が高い電圧保持率が高い
１）製造工程で紫外線を使用できる。
２）液晶セルに組成物を注入する時間が短い。

ＡＭ素子に使う組成物ではＮｏ．１から６の特性が重要である。ＰＭ素子に使う組成物ではＮｏ．１から５の特性が重要である。これらの特性のほかに、光学異方性（Δｎ）、誘電率異方性（Δε）、弾性定数などの特性も重要である。単一の化合物ではこのような特性を満たさないので、複数の化合物を混合した組成物を使用する。したがって、化合物には良好な相溶性が必要である。特に低温における良好な相溶性が望まれる。
近年では素子が小型化し、素子の駆動電圧が低いので、しきい値電圧の低い組成物が要求される。しきい値電圧（Ｖｔｈ）は、下式により示される。
（H. J. Deuling, et al., Mol. Cryst. Liq. Cryst., 27 (1975) 81）
Ｖｔｈ＝π（Ｋ／ε₀△ε）^1/2
この式においてＫは組成物の弾性定数、ε₀は真空の誘電率である。式から判るように、しきい値電圧を低下させるには、誘電率異方性（△ε）を大きくするかまたは弾性定数を小さくするかの二通りの方法がある。しかし、組成物の弾性定数を制御することは困難であるため、通常は誘電率異方性の大きな組成物を用いる。このような事情から誘電率異方性の大きな化合物の開発が盛んに行われてきた。

また最近では素子に使われる基板を作る技術が発達したので、セルギャップ（cell gap）は小さくなる傾向にある。ＴＮモード、ＯＣＢモードなどのＡＭ素子においては、セルギャップを特に小さくする傾向にある。セルギャップは二枚の基板における間隔であり、液晶組成物の層の厚さと同じである。ＴＮモードの素子において、セルギャップを小さくすると応答時間が短くなり、そしてリバースドメインが生じにくい。ＯＣＢモードにおいて、セルギャップを小さくするとスプレー配向からベンド配向に転移する時間（転移時間）が短くなり、そして印加電圧の変化によって液晶分子が配向を変えるのに要する時間（応答時間）が短くなる。

これらのモードでは光学異方性（Δｎ）とセルギャップ（ｄ）の積（Δｎ×ｄ）は一定である。この場合、セルギャップを小さくすれば、光学異方性は大きくなる。そこで、光学異方性の大きな組成物が必要になる。このような事情から光学異方性の大きな化合物の開発も盛んに行われてきた。（例えば特許文献１〜６参照）
特表平４−５０４５７１号公報特開２００１−２６５６０号公報ＧＢ２２２７０１９Ａ公報ＧＢ２２７１７７１Ａ公報ＤＥ１０２５１０１７Ａ公報ＷＯ２００４／０２９０１５号パンフレット

本発明の目的の１つは、化合物に必要な一般的物性、小さな粘度、適切な光学異方性、適切な誘電率異方性、および他の液晶性化合物との優れた相溶性を有する液晶性化合物である。別の目的は、この化合物を含有し、ネマチック相の広い温度範囲、小さな粘度、適切な光学異方性、および低いしきい値電圧を有する液晶組成物である。別の目的は、この組成物を含有し、短い応答時間、小さな消費電力、大きなコントラスト、および高い電圧保持率を有する液晶表示素子を提供することにある。

本発明は下記の項のとおりである。

１．下記の式（１ａ）で表される化合物。

式（１ａ）において環Ａ^１および環Ａ^２は独立して１，４−フェニレン、ピリジン−２，５−ジイル、ピリミジン−２，５−ジイルまたはナフタレン−２，６−ジイルであり、これらの環において任意の水素はハロゲンで置き換えられていてもよく；Ｚ^１、Ｚ^２およびＺ^３は独立して単結合、−（ＣＨ_２）_２−、−（ＣＨ_２）_４−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ≡Ｃ−、−ＣＦ_２Ｏ−、−ＯＣＦ_２−、−ＣＯＯ−または−ＯＣＯ−であり；Ｘ^ａ、Ｘ^ｂ、Ｘ^ｃ、Ｘ^ｄ、Ｘ^ｅおよびＸ^ｆは独立して水素またはフッ素であり；Ｙは−ＯＣＨ_２Ｆ、−ＯＣＨＦ_２、−ＯＣＦ_３、−ＳＣＨ_２Ｆ、−ＳＣＨＦ_２、−ＳＣＦ_３、−ＣＨ_２Ｆ、−ＣＨＦ_２、−ＣＦ_３、フッ素または塩素であり；Ｌ^ａおよびＬ^ｂは独立して水素またはフッ素であり；ｌおよびｍは独立して０または１である。

２．下記の式（１ｂ）で表される化合物。

式（１ｂ）において環Ａ^１および環Ａ^２は独立して（ａ）から（ｌ）より選択される環構造であり；Ｚ^１、Ｚ^２およびＺ^３は独立して単結合、−（ＣＨ_２）_２−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ≡Ｃ−、−ＣＦ_２Ｏ−、−ＯＣＦ_２−、−ＣＯＯ−または−ＯＣＯ−であり；Ｘ^ｂ、Ｘ^ｃおよびＸ^ｆは独立して水素またはフッ素であり；Ｙは−ＯＣＨ_２Ｆ、−ＯＣＨＦ_２、−ＯＣＦ_３、−ＣＨ_２Ｆ、−ＣＨＦ_２、−ＣＦ_３、フッ素または塩素であり；Ｌ^ａおよびＬ^ｂは独立して水素またはフッ素であり；ｌおよびｍは独立して０または１である。

３．一般式（１ｂ）において、環Ａ^１および環Ａ^２が独立して（ａ）から（ｄ）より選択される環構造であり；Ｚ^１、Ｚ^２およびＺ^３が独立して単結合、−（ＣＨ_２）_２−、−ＣＦ_２Ｏ−または−ＣＯＯ−であり；Ｘ^ｂおよびＸ^ｆが水素であり、Ｘ^ｃが水素またはフッ素であり；Ｙは−ＯＣＦ_３、フッ素または塩素であり；Ｌ^ａおよびＬ^ｂが独立して水素またはフッ素であり；ｌおよびｍが独立して０または１である項２に記載の化合物。

４．下記の式（１ｃ−１）から（１ｃ−３）のいずれか１つで表される化合物。

これらの式において、環Ａ^１および環Ａ^２は独立して（ａ）から（ｃ）より選択される環構造であり；Ｚ^１、Ｚ^２およびＺ^３は独立して単結合、−（ＣＨ_２）_２−、−ＣＦ_２Ｏ−または−ＣＯＯ−であり；Ｘ^ｃは水素またはフッ素であり；Ｙは−ＯＣＦ_３、フッ素または塩素であり；Ｌ^ａおよびＬ^ｂは独立して水素またはフッ素である。

５．式（１ｃ−１）から（１ｃ−３）において、Ｚ^１が単結合または−（ＣＨ_２）_２−である項４に記載の化合物。

６．式（１ｃ−１）から（１ｃ−３）において、Ｚ^１、Ｚ^２、Ｚ^３が共に単結合である項４に記載の化合物。

７．式（１ｃ−１）から（１ｃ−３）において、Ｚ^１が−（ＣＨ_２）_２−であり、Ｚ^２、Ｚ^３が共に単結合である項４に記載の化合物。

８．式（１ｃ−２）および式（１ｃ−３）において、Ｚ^１およびＺ^３が共に単結合であり、Ｚ^２が−（ＣＨ_２）_２−である項４に記載の化合物。

９．式（１ｃ−３）において、Ｚ^１およびＺ^２が共に単結合であり、Ｚ^３が−（ＣＨ_２）_２−である項４に記載の化合物。

１０．式（１ｃ−１）から（１ｃ−３）において、Ｚ^１、Ｚ^２、Ｚ^３のうち必ず１つが−ＣＦ_２Ｏ−であり、残りが単結合である項４に記載の化合物。

１１．式（１ｃ−１）から（１ｃ−３）において、Ｚ^１、Ｚ^２、Ｚ^３のうち必ず１つが−ＣＯＯ−であり、残りが単結合である項４に記載の化合物。

１２．下記の式（１ｃ−１−１）から（１ｃ−１−４）および式（１ｃ−２−１）から（１ｃ−２−１２）のいずれか１つで表される化合物。

これらの式において、Ｙは−ＯＣＦ_３、フッ素または塩素であり；Ｌ^ａおよびＬ^ｂは独立して水素またはフッ素である。

１３．式（１ｃ−１−１）から（１ｃ−１−４）および式（１ｃ−２−１）から（１ｃ−２−１２）のいずれか１つにおいてＹが−ＯＣＦ_３、Ｌ^aおよびＬ^ｂが水素である項１２に記載の化合物。

１４．式（１ｃ−１−１）から（１ｃ−１−４）および式（１ｃ−２−１）から（１ｃ−２−１２）のいずれか１つにおいてＹが−ＯＣＦ_３、Ｌ^ａがフッ素、Ｌ^ｂが水素である項１２に記載の化合物。

１５．式（１ｃ−１−１）から（１ｃ−１−４）および式（１ｃ−２−１）から（１ｃ−２−１２）のいずれか１つにおいてＹが−ＯＣＦ_３、Ｌ^ａおよびＬ^ｂがフッ素である項１２に記載の化合物。

１６．式（１ｃ−１−１）から（１ｃ−１−４）および式（１ｃ−２−１）から（１ｃ−２−１２）のいずれか１つにおいてＹがフッ素、Ｌ^ａおよびＬ^ｂが水素である項１２に記載の化合物。

１７．式（１ｃ−１−１）から（１ｃ−１−４）および式（１ｃ−２−１）から（１ｃ−２−１２）のいずれか１つにおいてＹがフッ素、Ｌ^ａがフッ素、Ｌ^ｂが水素である項１２に記載の化合物。

１８．式（１ｃ−１−１）から（１ｃ−１−４）および式（１ｃ−２−１）から（１ｃ−２−１２）のいずれか１つにおいてＹがフッ素、Ｌ^ａおよびＬ^ｂがフッ素である項１２に記載の化合物。

１９．式（１ｃ−１−１）から（１ｃ−１−４）および式（１ｃ−２−１）から（１ｃ−２−１２）のいずれか１つにおいてＹが塩素、Ｌ^ａおよびＬ^ｂが水素である項１２に記載の化合物。

２０．式（１ｃ−１−１）から（１ｃ−１−４）および式（１ｃ−２−１）から（１ｃ−２−１２）のいずれか１つにおいてＹが塩素、Ｌ^ａがフッ素、Ｌ^ｂが水素である項１２に記載の化合物。

２１．式（１ｃ−１−１）から（１ｃ−１−４）および式（１ｃ−２−１）から（１ｃ−２−１２）のいずれか１つにおいてＹが塩素、Ｌ^ａおよびＬ^ｂがフッ素である項１２に記載の化合物。

２２．項１から２１のいずれか１項に記載の化合物を少なくとも一つ含有し、少なくとも２つ以上の化合物からなる液晶組成物。

２３．式（２）、式（３）および式（４）のそれぞれで表される化合物の群から選択される少なくとも１つの化合物をさらに含有する、項２２に記載の液晶組成物：

ここに、Ｒ^１は炭素数１から１０のアルキルであり、このアルキルにおいて任意の−ＣＨ_２−は−Ｏ−または−ＣＨ＝ＣＨ−で置き換えられてもよく、そして任意の水素はフッ素で置き換えられてもよく；Ｘ^１はフッ素、塩素、−ＯＣＦ_３、−ＯＣＨＦ_２、−ＣＦ_３、−ＣＨＦ_２、−ＣＨ_２Ｆ、−ＯＣＦ_２ＣＨＦ_２、または−ＯＣＦ_２ＣＨＦＣＦ_３であり；環Ｂおよび環Ｄは独立して１，４−シクロヘキシレン、１，３−ジオキサン−２，５−ジイルまたは任意の水素がフッ素で置き換えられてもよい１，４−フェニレンであり、環Ｅは１，４−シクロヘキシレンまたは任意の水素がフッ素で置き換えられてもよい１，４−フェニレンであり；Ｚ^４およびＺ^５は独立して−（ＣＨ_２）_２−、−（ＣＨ_２）_４−、−ＣＯＯ−、−ＣＦ_２Ｏ−、−ＯＣＦ_２−、−ＣＨ＝ＣＨ−、または単結合であり；そしてＬ^１およびＬ^２は独立して水素またはフッ素である。
２４．式（５）および（６）のそれぞれで表される化合物の群から選択される少なくとも１つの化合物をさらに含有する、項２２に記載の液晶組成物：

ここに、Ｒ^２およびＲ^３は独立して炭素数１から１０のアルキルであり、このアルキルにおいて任意の−ＣＨ_２−は−Ｏ−または−ＣＨ＝ＣＨ−で置き換えられてもよく、そして任意の水素はフッ素で置き換えられてもよく；Ｘ^２は−ＣＮまたは−Ｃ≡Ｃ−ＣＮであり；環Ｇは１，４−シクロヘキシレン、１，４−フェニレン、１，３−ジオキサン−２，５−ジイル、またはピリミジン−２，５−ジイルであり；環Ｊは１，４−シクロヘキシレン、ピリミジン−２,５−ジイルまたは任意の水素がフッ素で置き換えられてもよい１，４−フェニレンであり；環Ｋは１，４−シクロヘキシレンまたは１，４−フェニレンであり；Ｚ^６は−（ＣＨ_２）_２−、−ＣＯＯ−、−ＣＦ_２Ｏ−、−ＯＣＦ_２−、または単結合であり；Ｌ^３、Ｌ^４およびＬ^５は独立して水素またはフッ素であり；そしてｂ、ｃおよびｄは独立して０または１である。

２５．式（７）、式（８）、式（９）、式（１０）および式（１１）のそれぞれで表される化合物の群から選択される少なくとも１つの化合物をさらに含有する項２２に記載の液晶組成物：

ここに、Ｒ^４は炭素数１から１０のアルキルであり、このアルキルにおいて任意の−ＣＨ_２−は−Ｏ−または−ＣＨ＝ＣＨ−で置き換えられてもよく、そして任意の水素はフッ素で置き換えられてもよく；Ｒ^５はフッ素または炭素数１から１０のアルキルであり、このアルキルにおいて任意の−ＣＨ_２−は−Ｏ−または−ＣＨ＝ＣＨ−で置き換えられてもよく、そして任意の水素はフッ素で置き換えられてもよく；環Ｍおよび環Ｐは独立して１，４−シクロヘキシレン、１，４−フェニレンまたはデカヒドロ−２，６−ナフチレンであり；Ｚ^７およびＺ^８は独立して−（ＣＨ_２）_２−、−ＣＯＯ−または単結合であり；そして、Ｌ^６およびＬ^７は独立して水素またはフッ素であって、Ｌ^６とＬ^７の少なくとも１つはフッ素である。

２６．式（１２）、式（１３）および式（１４）のそれぞれで表される化合物の群から選択される少なくとも１つの化合物をさらに含有する項２２に記載の液晶組成物：

ここに、Ｒ^６およびＲ^７は独立して炭素数１から１０のアルキルであり、このアルキルにおいて任意の−ＣＨ_２−は−Ｏ−または−ＣＨ＝ＣＨ−で置き換えられてもよく、そして任意の水素はフッ素で置き換えられてもよく；環Ｑ、環Ｔおよび環Ｕは独立して１，４−シクロヘキシレン、ピリミジン−２、５−ジイル、または任意の水素がフッ素で置き換えられてもよい１，４−フェニレンであり；そしてＺ^９およびＺ^１０は独立して−Ｃ≡Ｃ−、−ＣＯＯ−、−（ＣＨ_２）_２−、−ＣＨ＝ＣＨ−、または単結合である。

２７．項２４に記載の式（５）および式（６）のそれぞれで表される化合物の群から選択される少なくとも１つの化合物をさらに含有する、項２３に記載の液晶組成物。

２８．項２６に記載の式（１２）、式（１３）および式（１４）のそれぞれで表される化合物の群から選択される少なくとも１つの化合物をさらに含有する、項２３に記載の液晶組成物。

２９．項２６に記載の式（１２）、式（１３）および式（１４）のそれぞれで表される化合物の群から選択される少なくとも１つの化合物をさらに含有する、項２４に記載の液晶組成物。

３０．項２６に記載の式（１２）、式（１３）および式（１４）のそれぞれで表される化合物の群から選択される少なくとも１つの化合物をさらに含有する、項２５に記載の液晶組成物。

３１．少なくとも１つの光学活性化合物をさらに含有する、項２２から３０のいずれか１項に記載の液晶組成物。

３２．項２２から３１のいずれか１項に記載の液晶組成物を含有する液晶表示素子。

３３．一般式（１ａ）においてＹがフッ素または塩素である項１に記載の化合物。
３４．一般式（１ａ）においてＬ^ａおよびＬ^ｂが水素である項３３に記載の化合物。
３５．一般式（１ａ）においてＬ^ａがフッ素、Ｌ^ｂが水素である項３３に記載の化合物。
３６．一般式（１ａ）においてＬ^ａおよびＬ^ｂがフッ素である項３３に記載の化合物。

本発明の液晶性化合物は、誘電率異方性が正に大きく、大きな光学異方性を有し、液晶組成物に必要とされる一般的な特性にも優れる。この液晶化合物を有する液晶組成物は、液晶組成物に必要な一般的な特性、大きな誘電率異方性および大きな光学異方性を有する。この液晶組成物は液晶表示素子の駆動電圧を下げるために特に有用である。また、この液晶組成物は高速応答のための小さいセルギャップを有する液晶表示素子にも特に有用である

この明細書における用語の使い方は次のとおりである。液晶性化合物は、ネマチック相、スメクチック相などの液晶相を有する化合物および液晶相を有しないが液晶組成物の成分として有用な化合物の総称である。液晶性化合物、液晶組成物、液晶表示素子をそれぞれ化合物、組成物、素子と略すことがある。液晶表示素子は液晶表示パネルおよび液晶表示モジュールの総称である。ネマチック相の上限温度はネマチック相−等方相の相転移温度であり、そして単に上限温度と略すことがある。ネマチック相の下限温度を単に下限温度と略すことがある。式（１ａ）、式（１ｂ）、式（１ｃ−１）、式（１ｃ−２）および式（１ｃ−３）で表わされる化合物を、それぞれ化合物（１ａ）、化合物（１ｂ）、化合物（１ｃ−１）、化合物（１ｃ−２）および化合物（１ｃ−３）と略すことがある。この略記は式（１ｃ−１−１）から式（１ｃ−１−４）および式（１ｃ−２−１）から式（１ｃ−２−１２）のいずれか１つ、式（２）などで表される化合物にも適用することがある。また化合物（１ａ）、化合物（１ｂ）、化合物（１ｃ−１）から（１ｃ−３）および化合物（１ｃ−１−１）から（１ｃ−１−４）および化合物（１ｃ−２−１）から（１ｃ−２−１２）を総称して化合物（１）と呼ぶことがある。式（２）から式（１４）において、六角形で囲んだＢ、Ｄ、Ｅなどの記号はそれぞれ環Ｂ、環Ｄ、環Ｅなどに対応する。百分率で表した化合物の量は組成物の全重量に基づいた重量百分率（重量％）である。

式（１ａ）で表される本発明の化合物について説明する。

式（１ａ）において環Ａ^１および環Ａ^２は独立して１，４−フェニレン、ピリジン−２，５−ジイル、ピリミジン−２，５−ジイルまたはナフタレン−２，６−ジイルであり、これらの環において任意の水素はハロゲンで置き換えられていてもよい。

「これらの環において任意の水素はハロゲンで置き換えられていてもよく」の好ましい例は、下記の環（１５−１）から（１５−２１）である。さらに好ましい例は、環（１５−２）、（１５−３）、（１５−４）、（１５−１２）、（１５−１３）、（１５−１４）、（１５−１５）、（１５−１６）および（１５−１７）である。

好ましい環Ａ^１および環Ａ^２は独立して環（１５−２）、（１５−３）、（１５−４）、（１５−１２）、（１５−１３）、（１５−１４）、（１５−１５）、（１５−１６）、（１５−１７）、（１５−２２）、（１５−２３）および（１５−２４）である。さらに好ましい環Ａ^１および環Ａ^２は独立して環（１５−２）、（１５−３）、（１５−４）および（１５−２２）である。特に好ましい環Ａ^１および環Ａ^２は独立して環（１５−２）、（１５−３）および（１５−２２）である。

式（１ａ）においてＺ^１、Ｚ^２およびＺ^３は独立して単結合、−（ＣＨ_２）_２−、−（ＣＨ_２）_４−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ≡Ｃ−、−ＣＦ_２Ｏ−、−ＯＣＦ_２−、−ＣＯＯ−または−ＯＣＯ−である。好ましいＺ^１、Ｚ^２およびＺ^３は独立して単結合、−（ＣＨ_２）_２−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ≡Ｃ−、−ＣＦ_２Ｏ−、−ＯＣＦ_２−、−ＣＯＯ−または−ＯＣＯ−である。さらに好ましいＺ^１、Ｚ^２およびＺ^３は独立して単結合、−（ＣＨ_２）_２−、−ＣＦ_２Ｏ−または−ＣＯＯ−である。特に好ましいＺ^１、Ｚ^２およびＺ^３は独立して単結合または−（ＣＨ_２）_２−である。式（１ａ）においてＸ^ａ、Ｘ^ｂ、Ｘ^ｃ、Ｘ^ｄ、Ｘ^ｅおよびＸ^ｆは独立して水素またはフッ素である。Ｘ^ａ、Ｘ^ｄおよびＸ^ｅが水素であり、Ｘ^ｂ、Ｘ^ｃおよびＸ^ｆが独立して水素またはフッ素である場合が好ましく、Ｘ^ａ、Ｘ^ｂ、Ｘ^ｄ、Ｘ^ｅおよびＸ^ｆが水素であり、Ｘ^ｃが水素またはフッ素である場合がさらに好ましい。式（１ａ）においてＹは−ＯＣＨ_２Ｆ、−ＯＣＨＦ_２、−ＯＣＦ_３、−ＳＣＨ_２Ｆ、−ＳＣＨＦ_２、−ＳＣＦ_３、−ＣＨ_２Ｆ、−ＣＨＦ_２、−ＣＦ_３、フッ素または塩素である。好ましいＹは−ＯＣＨ_２Ｆ、−ＯＣＨＦ_２、−ＯＣＦ_３、−ＣＨ_２Ｆ、−ＣＨＦ_２、−ＣＦ_３、フッ素または塩素である。さらに好ましいＹは−ＯＣＦ_３、フッ素または塩素である。式（１ａ）においてｌおよびｍは独立して０または１である。ここではナフタレン−２，６−ジイルおよびその類縁の２価基を１つの環として考える。ｌおよびｍが０である化合物は二つの環を有し、二環の化合物ということがある。ｌが１であり、ｍが０である化合物、またはｌが０であり、ｍが１である化合物は三つの環を有し、三環の化合物ということがある。ｌおよびｍが１である化合物は四つの環を有し、四環の化合物ということがある。このことは後述の式（１ｂ）、式（１ｃ−１）から（１ｃ−３）および式（１ｃ−１−１）から（１ｃ−１−４）および式（１ｃ−２−１）から（１ｃ−２−１２）のいずれか１つについても同様である。

化合物（１ａ）の好ましい例である式（１ｂ）で表される本発明の化合物について説明する。

式（１ｂ）において環Ａ^１および環Ａ^２は独立して（ａ）から（ｌ）より選択される環構造である。好ましい環Ａ^１および環Ａ^２は独立して（ａ）、（ｂ）、（ｃ）および（ｄ）の環構造である。さらに好ましい環Ａ^１および環Ａ^２は独立して（ａ）、（ｂ）および（ｃ）の環構造である。式（１ｂ）においてＺ^１、Ｚ^２およびＺ^３は独立して単結合、−（ＣＨ_２）_２−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ≡Ｃ−、−ＣＦ_２Ｏ−、−ＯＣＦ_２−、−ＣＯＯ−または−ＯＣＯ−である。好ましいＺ^１、Ｚ^２およびＺ^３は独立して単結合、−（ＣＨ_２）_２−、−ＣＦ_２Ｏ−または−ＣＯＯ−である。さらに好ましいＺ^１、Ｚ^２およびＺ^３は独立して単結合または−（ＣＨ_２）_２−である。式（１ｂ）においてＸ^ｂ、Ｘ^ｃおよびＸ^ｆは独立して水素またはフッ素である。Ｘ^ｂおよびＸ^ｆが水素であり、Ｘ^ｃが水素またはフッ素である場合が好ましい。式（１ｂ）においてＹは−ＯＣＨ_２Ｆ、−ＯＣＨＦ_２、−ＯＣＦ_３、−ＣＨ_２Ｆ、−ＣＨＦ_２、−ＣＦ_３、フッ素または塩素である。好ましいＹは−ＯＣＦ_３、フッ素および塩素である。式（１ｂ）においてｌおよびｍは独立して０または１である。

化合物（１ｂ）の好ましい例である式（１ｃ−１）から（１ｃ−３）で表される本発明の化合物について説明する。

これらの式において、環Ａ^１および環Ａ^２は独立して（ａ）から（ｃ）より選択される環構造であり、Ｚ^１、Ｚ^２およびＺ^３は独立して単結合、−（ＣＨ_２）_２−、−ＣＦ_２Ｏ−または−ＣＯＯ−であり、Ｘ^ｃは水素またはフッ素であり、Ｙは−ＯＣＦ_３、フッ素または塩素であり、Ｌ^ａおよびＬ^ｂは独立して水素またはフッ素である。好ましいＺ^１、Ｚ^２およびＺ^３は独立して単結合または−（ＣＨ_２）_２−である。

化合物（１ｃ−１）から（１ｃ−３）の例は本発明の項１２に記載した（１ｃ−１−１）から（１ｃ−２−１２）で表される化合物である。

本発明の化合物（１ａ）、化合物（１ｂ）、化合物（１ｃ−１）から（１ｃ−３）および化合物（１ｃ−１−１）から（１ｃ−１−４）および化合物（１ｃ−２−１）から（１ｃ−２−１２）をさらに説明する。化合物（１ａ）、化合物（１ｂ）、化合物（１ｃ−１）から（１ｃ−３）および化合物（１ｃ−１−１）から（１ｃ−１−４）および化合物（１ｃ−２−１）から（１ｃ−２−１２）は６位が水素であり、他の位置がフッ素で置換されてよいナフタレンを有する二環、三環および四環の化合物である。この化合物は、素子が通常使用される条件下において物理的および化学的に極めて安定であり、そして他の液晶性化合物との相溶性がよい。この化合物を含有する組成物は素子が通常使用される条件下で安定である。この組成物を低い温度で保管しても、この化合物が結晶（またはスメクチック相）として析出することがない。この化合物は、化合物に必要な一般的物性、適切な光学異方性、そして適切な誘電率異方性を有する。

化合物（１ａ）、化合物（１ｂ）、化合物（１ｃ−１）から（１ｃ−３）および化合物（１ｃ−１−１）から（１ｃ−１−４）および化合物（１ｃ−２−１）から（１ｃ−２−１２）の環、結合基および末端基を適切に選択することによって、光学異方性、誘電率異方性などの物性を任意に調整することが可能である。環Ａ^１および環Ａ^２、結合基Ｚ^１、Ｚ^２およびＺ^３、末端基Ｙ、Ｌ^ａおよびＬ^ｂの種類が、化合物（１ａ）、化合物（１ｂ）、化合物（１ｃ−１）から（１ｃ−３）および化合物（１ｃ−１−１）から（１ｃ−１−４）および化合物（１ｃ−２−１）から（１ｃ−２−１２）の物性に与える効果を以下に説明する。

化合物（１ａ）、化合物（１ｂ）、化合物（１ｃ−１）から（１ｃ−３）および化合物（１ｃ−１−１）から（１ｃ−１−４）および化合物（１ｃ−２−１）から（１ｃ−２−１２）は誘電率異方性が正に大きく、大きな光学異方性を有する。大きな誘電率異方性を有する化合物は、組成物のしきい値電圧を下げるための成分として有用である。また大きな光学異方性を有する化合物は、セルギャップの小さな素子に用いられる高速応答用の組成物の成分として有用である。

環Ａ^１および環Ａ^２が、任意の水素はハロゲンで置き換えられた１，４−フェニレン、ピリジン−２，５−ジイル、ピリミジン−２，５−ジイルまたはナフタレン−２，６−ジイルであるときは誘電率異方性が大きい。環Ａ^１および環Ａ^２が、任意の水素がハロゲンで置き換えられてもよい１，４−フェニレン、ピリジン−２，５−ジイル、ピリミジン−２，５−ジイルまたはナフタレン−２，６−ジイルであるときは光学異方性が大きい。

結合基Ｚ^１、Ｚ^２、およびＺ^３が単結合、−（ＣＨ₂）₂−、−ＣＦ_２Ｏ−、−ＯＣＦ_２−、−ＣＨ＝ＣＨ−または−（ＣＨ₂）_４−であるときは粘度が小さい。結合基が単結合、−（ＣＨ₂）₂−、−ＯＣＦ_２−、−ＣＦ_２Ｏ−または−ＣＨ＝ＣＨ−であるときは粘度がより小さい。結合基が−ＣＨ＝ＣＨ−であるときは液晶相の温度範囲が広く、そして弾性定数比Ｋ₃₃／Ｋ₁₁（Ｋ₃₃：ベンド弾性定数、Ｋ₁₁：スプレイ弾性定数）が大きい。結合基が−Ｃ≡Ｃ−のときは光学異方性が大きい。

末端基Ｙが−ＯＣＦ_３であるときは誘電率異方性と粘度のバランスが良好である。末端基がフッ素であるときは誘電率異方性が大きい。末端基が塩素であるときは光学異方性が大きい。

末端基Ｌ^ａおよびＬ^ｂがともに水素であるときは、誘電率異方性は大きい。Ｌ^ａおよびＬ^ｂのどちらか一方が水素であり、他方がフッ素であるときは、誘電率異方性はより大きい。Ｌ^ａおよびＬ^ｂがともにフッ素であるときは、誘電率異方性はさらに大きい。

化合物構造が二環または三環の化合物（１ａ）、化合物（１ｂ）、化合物（１ｃ−１）、化合物（１ｃ−２）および化合物（１ｃ−１−１）から（１ｃ−１−４）および化合物（１ｃ−２−１）から（１ｃ−２−１２）は粘度が小さい。化合物構造が三環または四環の化合物（１ａ）、化合物（１ｂ）、化合物（１ｃ−２）、化合物（１ｃ−３）および化合物（１ｃ−２−１）から（１ｃ−１−４）および化合物（１ｃ−２−１）から（１ｃ−２−１２）は上限温度が高い。以上のように、環、結合基および末端基の種類、環の数を適当に選択することにより目的の物性を有する化合物を得ることができる。したがって、化合物（１）はＰＣ、ＴＮ、ＳＴＮ、ＥＣＢ、ＯＣＢ、ＩＰＳ、ＶＡなどの素子に用いられる組成物の成分として有用である。

化合物（１ａ）、化合物（１ｂ）、化合物（１ｃ−１）から（１ｃ−３）および化合物（１ｃ−１−１）から（１ｃ−１−４）および化合物（１ｃ−２−１）から（１ｃ−２−１２）は有機合成化学における手法を適切に組み合わせることにより合成する。出発物に目的の末端基、環および結合基を導入する方法は、オーガニックシンセシス（Organic Syntheses, John Wiley & Sons, Inc）、オーガニック・リアクションズ（Organic Reactions, John Wiley & Sons, Inc）、コンプリヘンシブ・オーガニック・シンセシス（Comprehensive Organic Synthesis, Pergamon Press）、新実験化学講座（丸善）などに記載されている。

結合基Ｚ^１、Ｚ^２またはＺ^３を生成する方法の一例に関して、最初にスキームを示し、次に項（Ｉ）から項（ＶＩＩ）でスキームを説明する。このスキームにおいて、ＭＳＧ^１またはＭＳＧ^２は少なくとも１つの環を有する１価の有機基である。スキームで用いた複数のＭＳＧ^１（またはＭＳＧ^２）は、同一であってもよいし、または異なってもよい。化合物（１Ａ）から（１Ｇ）は化合物（１ａ）、化合物（１ｂ）、化合物（１ｃ−１）から（１ｃ−３）および化合物（１ｃ−１−１）から（１ｃ−１−４）および化合物（１ｃ−２−１）から（１ｃ−２−１２）に相当する。

（Ｉ）単結合の生成
アリールホウ酸（２１）と公知の方法で合成される化合物（２２）とを、炭酸塩水溶液とテトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウムのような触媒の存在下で反応させて化合物（１Ａ）を合成する。この化合物（１Ａ）は、公知の方法で合成される化合物（２３）にｎ−ブチルリチウムを、次いで塩化亜鉛を反応させ、ジクロロビス（トリフェニルホスフィン）パラジウムのような触媒の存在下で化合物（２２）を反応させることによっても合成される。

（ＩＩ）−ＣＯＯ−と−ＯＣＯ−の生成
化合物（２３）にｎ−ブチルリチウムを、続いて二酸化炭素を反応させてカルボン酸（２４）を得る。化合物（２４）と、公知の方法で合成されるフェノール（２５）とをＤＤＣ（１，３−ジシクロヘキシルカルボジイミド）とＤＭＡＰ（４−ジメチルアミノピリジン）の存在下で脱水させて−ＣＯＯ−を有する化合物（１Ｂ）を合成する。この方法によって−ＯＣＯ−を有する化合物も合成する。

（ＩＩＩ）−ＣＦ_２Ｏ−と−ＯＣＦ_２−の生成
化合物（１Ｂ）をローソン試薬のような硫黄化剤で処理して化合物（２６）を得る。化合物（２６）をフッ化水素ピリジン錯体とＮＢＳ（Ｎ−ブロモスクシンイミド）でフッ素化し、−ＣＦ_２Ｏ−を有する化合物（１Ｃ）を合成する。M. Kuroboshi et al., Chem. Lett., 1992，827.を参照。化合物（１Ｃ）は化合物（２６）を（ジエチルアミノ）サルファートリフルオリド（ＤＡＳＴ）でフッ素化しても合成される。W. H. Bunnelle et al., J. Org. Chem. 1990, 55, 768.を参照。この方法によって−ＯＣＦ_２−を有する化合物も合成する。Peer. Kirsch et al., Anbew. Chem. Int. Ed. 2001, 40, 1480.に記載の方法によってこれらの結合基を生成させることも可能である。

（ＩＶ）−ＣＨ＝ＣＨ−の生成
化合物（２３）をｎ−ブチルリチウムで処理した後、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）などのホルムアミドと反応させてアルデヒド（２８）を得る。公知の方法で合成されるホスホニウム塩（２７）をカリウム−ｔ−ブトキシドのような塩基で処理して発生させたリンイリドを、アルデヒド（２８）に反応させて化合物（１Ｄ）を合成する。反応条件によってはシス体が生成するので、必要に応じて公知の方法によりシス体をトランス体に異性化する。

（Ｖ）−（ＣＨ_２）_２−の生成
化合物（１Ｄ）をパラジウム炭素のような触媒の存在下で水素化することにより、化合物（１Ｅ）を合成する。

（ＶＩ）−（ＣＨ_２）_４−の生成
ホスホニウム塩（２７）の代わりにホスホニウム塩（２９）を用い、項（ＩＶ）の方法に従って−（ＣＨ_２）_２−ＣＨ＝ＣＨ−を有する化合物を得る。これを接触水素化して化合物（１Ｆ）を合成する。

（ＶＩＩ）−Ｃ≡Ｃ−の生成
ジクロロパラジウムとハロゲン化銅との触媒存在下で、化合物（２３）に２−メチル−３−ブチン−２−オールを反応させたのち、塩基性条件下で脱保護して化合物（３０）を得る。ジクロロパラジウムとハロゲン化銅との触媒存在下、化合物（３０）を化合物（２２）と反応させて、化合物（１Ｇ）を合成する。

次に式（１ａ）、式（１ｂ）および式（１ｃ−１）から（１ｃ−３）で表されるナフタレン誘導体を合成する方法の一例を示す。

Ｉ．ｌが０、ｍが０でＺ^１が単結合；ｌが１、ｍが０でＺ^２が単結合；ｌが１、ｍが１でＺ^３が単結合である化合物（３５）

これらの化合物における環Ａ^１、環Ａ^２、Ｚ^１、Ｚ^２、Ｘ^ａ、Ｘ^ｂ、Ｘ^ｃ、Ｘ^ｄ、Ｘ^ｅ、Ｘ^ｆ、Ｙ、Ｌ^ａ、Ｌ^ｂ、ｌおよびｍの記号の意味は、項１に記載した記号の意味と同一である。Ｒ^ａ、Ｒ^ｂおよびＱ^１の意味はスキーム中に示した。

Ｒ^ａがハロゲンである化合物（３３）は、化合物（３１）を直接臭素または酸化剤存在下にヨウ素と反応させることによって合成する。これらの反応は、好ましくは無溶媒または塩化メチレン、またはクロロホルムなどの溶媒中、−７５℃から溶媒の沸点までの間の温度で行う。Ｒ^ａがトリフルオロメタンスルホニル、またはトルエンスルホニルである化合物（３３）は、化合物（３２）をトリフルオロメタンスルホニルクロリド、無水トリフルオロメタンスルホン酸またはトルエンスルホニルクロリド等のスルホニル化剤と反応させることによって合成する。これらの反応は、好ましくは無溶媒または塩化メチレン、またはクロロホルムなどの溶媒中、−７５℃から溶媒の沸点までの間の温度で行う。化合物（３５）は、化合物（３３）をホウ酸エステル化合物（３４）と反応させることによって合成する。これらの反応は、好ましくはトルエン等の芳香族系炭化水素、エタノール等のアルコール系炭化水素、またはエチレングリコールジメチルエーテル等のエーテル系炭化水素、またはこれらと水との混合液などの溶媒中、炭酸カリウム、炭酸ナトリウムなどの塩基の存在下、金属触媒を用いて室温から溶媒の沸点までの間の温度で行う。金属触媒としては、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム、ジクロロビス（トリフェニルホスフィン）パラジウム、パラジウム−カーボンなどが用いられる。

上記スキームは式（１ａ）で表されるナフタレン誘導体について示してあるが、式（１ｂ）および式（１ｃ−１）から（１ｃ−３）で表されるナフタレン誘導体についても上記同様の方法で合成する。以下の各スキームにおいても同様である。

ＩＩ．ｌが１、ｍが０でＺ^１が単結合；ｌが１、ｍが１でＺ^１が単結合である化合物（３８）

これらの化合物における環Ａ^１、環Ａ^２、Ｚ^２、Ｚ^３、Ｘ^ａ、Ｘ^ｂ、Ｘ^ｃ、Ｘ^ｄ、Ｘ^ｅ、Ｘ^ｆ、Ｙ、Ｌ^ａ、Ｌ^ｂ、ｌおよびｍの記号の意味は、項１に記載した記号の意味と同一である。Ｒ^ａ、Ｒ^ｂおよびＱ^２の意味はスキーム中に示した。

Ｒ^ａがハロゲンである化合物（３６）、Ｒ^ａがトリフルオロメタンスルホニル、またはトルエンスルホニルである化合物（３６）は、前述と同様の方法で合成する。化合物（３８）は、前述の化合物（３３）から化合物（３５）を合成する反応ルートの代わりに化合物（３６）および化合物（３７）を使用し、同一の反応操作を適用することで合成する。

ＩＩＩ．ｌが０、ｍが０でＺ^１が−（ＣＨ_２）_２−；ｌが１、ｍが０でＺ^２が−（ＣＨ_２）_２−；ｌが１、ｍが１でＺ^３が−（ＣＨ_２）_２−である化合物（４２）

これらの化合物における環Ａ^１、環Ａ^２、Ｚ^１、Ｚ^２、Ｘ^ａ、Ｘ^ｂ、Ｘ^ｃ、Ｘ^ｄ、Ｘ^ｅ、Ｘ^ｆ、Ｙ、Ｌ^ａ、Ｌ^ｂ、ｌおよびｍの記号の意味は、項１に記載した記号の意味と同一である。ＧおよびＱ^３の意味はスキーム中に示した。

既述のいずれかの方法で合成される化合物（３９）を、公知の方法で合成されるホスホニウム塩（４０）とカリウム−ｔ−ブトキシド、水素化ナトリウム、ブチルリチウム等の塩基で処理して発生させたリンイリドと反応させて化合物（４１）を合成する。これらの反応は、好ましくはテトラヒドロフランなどの溶媒中、−７５℃から室温までの間の温度で行う。化合物（４２）は、化合物（４１）を、パラジウム−カーボン、ラネーニッケル等の触媒を用いて水素添加することによって合成する。これらの反応は、好ましくはメタノール、エタノールなどのアルコール系炭化水素、トルエンなどの芳香族系炭化水素、ヘプタンなどの脂肪族系炭化水素またはこれらの混合液などの溶媒中、室温から溶媒の沸点までの間の温度で行う。水素圧は常圧から１０気圧が好ましい。

ＩＶ．ｌが１、ｍが０でＺ^１が−（ＣＨ_２）_２−；ｌが１、ｍが１でＺ^１が−（ＣＨ_２）_２−である化合物（４６）

これらの化合物における環Ａ^１、環Ａ^２、Ｚ^２、Ｚ^３、Ｘ^ａ、Ｘ^ｂ、Ｘ^ｃ、Ｘ^ｄ、Ｘ^ｅ、Ｘ^ｆ、Ｙ、Ｌ^ａ、Ｌ^ｂ、ｌおよびｍの記号の意味は、項１に記載した記号の意味と同一である。ＧおよびＱ^４の意味はスキーム中に示した。

化合物（４６）は、前述の化合物（３９）から化合物（４２）を合成する反応ルートの代わりに化合物（４３）および化合物（４４）を使用し、同一の反応操作を適用することで合成する。

Ｖ．ｌが０、ｍが０でＺ^１が−ＣＯＯ−；ｌが１、ｍが０でＺ^１が−ＣＯＯ−；ｌが１、ｍが１でＺ^１が−ＣＯＯ−である化合物（４８）およびｌが０、ｍが０でＺ^１が−ＣＦ_２Ｏ−；ｌが１、ｍが０でＺ^１が−ＣＦ_２Ｏ−；ｌが１、ｍが１でＺ^１が−ＣＦ_２Ｏ−である化合物（４９）

これらの化合物における環Ａ^１、環Ａ^２、Ｚ^２、Ｚ^３、Ｘ^ａ、Ｘ^ｂ、Ｘ^ｃ、Ｘ^ｄ、Ｘ^ｅ、Ｘ^ｆ、Ｙ、Ｌ^ａ、Ｌ^ｂ、ｌおよびｍの記号の意味は、項１に記載した記号の意味と同一である。Ｑ^５の意味はスキーム中に示した。

化合物（４８）および化合物（４９）はそれぞれ結合基Ｚ^１、Ｚ^２またはＺ^３を生成する方法として前記した方法（ＩＩ）および（ＩＩＩ）においてフェノール中間体の代わりに既述のいずれかの方法で合成される化合物（４７）を使用することで合成される。

本発明の組成物をさらに説明する。この組成物の成分は化合物（１ａ）、化合物（１ｂ）、化合物（１ｃ−１）から（１ｃ−３）および化合物（１ｃ−１−１）から（１ｃ−１−４）および化合物（１ｃ−２−１）から（１ｃ−２−１２）より選ばれた複数の化合物のみであってもよい。好ましい組成物は化合物（１ａ）、化合物（１ｂ）、化合物（１ｃ−１）から（１ｃ−３）および化合物（１ｃ−１−１）から（１ｃ−１−４）および化合物（１ｃ−２−１）から（１ｃ−２−１２）より選択された少なくとも１つの化合物を１から９９％の割合で含有する。この組成物は化合物（２）から（１４）の群から選択された成分を主として含有する。組成物を調製するときには、化合物（１）の誘電率異方性を考慮して成分を選択する。

化合物（１ａ）、化合物（１ｂ）、化合物（１ｃ−１）から（１ｃ−３）および化合物（１ｃ−１−１）から（１ｃ−１−４）および化合物（１ｃ−２−１）から（１ｃ−２−１２）を含有する好ましい組成物は次のとおりである。この好ましい組成物は化合物（２）、化合物（３）および化合物（４）の群から選択された少なくとも１つの化合物を含有する。別の好ましい組成物は、化合物（５）および化合物（６）の群から選択された少なくとも１つの化合物を含有する。別の好ましい組成物は、このような２つの群のそれぞれから選択された少なくとも２つの化合物を含有する。これらの組成物は、液晶相の温度範囲、粘度、光学異方性、誘電率異方性、しきい値電圧などを調整する目的で、化合物（１２）、化合物（１３）および化合物（１４）の群から選択された少なくとも１つの化合物をさらに含有してもよい。これらの組成物は、物性をさらに調整する目的で、化合物（７）から化合物（１１）の群から選択された少なくとも１つの化合物をさらに含有してもよい。これらの組成物は、ＡＭ−ＴＮ素子、ＳＴＮ素子などに適合させる目的で、その他の液晶性化合物、添加物などの化合物をさらに含有してもよい。

別の好ましい組成物は化合物（１２）から化合物（１４）の群から選択された少なくとも１つの化合物を含有する。この組成物は、物性をさらに調整する目的で、化合物（７）から化合物（１１）の群から選択された少なくとも１つの化合物をさらに含有してもよい。この組成物は、ＡＭ−ＴＮ素子、ＳＴＮ素子などに適合させる目的で、その他の液晶性化合物、添加物などの化合物をさらに含有してもよい。

化合物（２）から化合物（４）は、誘電率異方性が正で大きいので、ＡＭ−ＴＮ素子用の組成物に主として用いられる。この組成物において、これらの化合物の量は１から９９％である。好ましい量は１０から９７％である。より好ましい量は４０から９５％である。この組成物に化合物（１２）、化合物（１３）または化合物（１４）をさらに添加する場合、この化合物の好ましい量は６０％以下である。より好ましい量は４０％以下である。

化合物（５）および化合物（６）は、誘電率異方性が正で非常に大きいので、ＳＴＮ素子用の組成物に主として用いられる。この組成物において、これらの化合物の量は１から９９％である。好ましい量は１０から９７％である。より好ましい量は４０から９５％である。この組成物に化合物（１２）、化合物（１３）または化合物（１４）をさらに添加する場合、この化合物の好ましい量は６０％以下である。より好ましい量は４０％以下である。

化合物（７）から化合物（１１）は、誘電率異方性が負であるので、ＶＡ素子用の組成物に主として用いられる。これらの化合物の好ましい量は８０％以下である。より好ましい量は４０から８０％である。この組成物に化合物（１２）、化合物（１３）または化合物（１４）をさらに添加する場合、この化合物の好ましい量は６０％以下である。より好ましい量は４０％以下である。

化合物（１２）から化合物（１４）の誘電率異方性は小さい。化合物（１２）は粘度または光学異方性を調整する目的で主に使用される。化合物（１３）および化合物（１４）は上限温度を上げて液晶相の温度範囲を広げる、または光学異方性を調整する目的で使用される。化合物（１２）から化合物（１４）の量を増加させると組成物のしきい値電圧が高くなり、粘度が小さくなる。したがって、組成物のしきい値電圧の要求値を満たすかぎり多量に使用してもよい。

化合物（２）から化合物（１４）の好ましい例は、それぞれ化合物（２−１）から化合物（２−９）、化合物（３−１）から化合物（３−９７）、化合物（４−１）から化合物（４−３３）、化合物（５−１）から化合物（５−５６）、化合物（６−１）から化合物（６−３）、化合物（７−１）から化合物（７−４）、化合物（８−１）から化合物（８−６）、化合物（９−１）から化合物（９−４）、化合物（１０−１）、化合物（１１−１）、化合物（１２−１）から化合物（１２−１１）、化合物（１３−１）から化合物（１３−２１）、および化合物（１４−１）から化合物（１４−６）である。これらの化合物において、Ｒ¹、Ｒ^２、Ｒ^３、Ｒ⁴、Ｒ^５、Ｒ⁶、Ｒ^７、Ｘ¹、およびＸ^２の記号の意味は、式（２）から式（１４）におけるこれらの記号と同一の意味を有する。

本発明の組成物は公知の方法によって調製される。例えば、成分である化合物を混合し、加熱によって互いに溶解させる。組成物に適当な添加物を加えて組成物の物性を調整してもよい。このような添加物は当業者によく知られている。メロシアニン、スチリル、アゾ、アゾメチン、アゾキシ、キノフタロン、アントラキノン、テトラジンなどの化合物である二色性色素を添加してＧＨ素子用の組成物を調製してもよい。一方、液晶のらせん構造を誘起して必要なねじれ角を与える目的でキラルドーパントが添加される。キラルドーパントの例は上記の光学活性化合物（Ｏｐ−１）から（Ｏｐ−１３）である。

キラルドーパントを組成物に添加してねじれのピッチを調整する。ＴＮ素子およびＴＮ−ＴＦＴ素子用の好ましいピッチは４０から２００μｍの範囲である。ＳＴＮ素子用の好ましいピッチは６から２０μｍの範囲である。ＢＴＮ素子用の好ましいピッチは１．５から４μｍの範囲である。ＰＣ素子用の組成物にはキラルドーパントを比較的多量に添加する。ピッチの温度依存性を調整する目的で、少なくとも２つのキラルドーパントを添加してもよい。

本発明の組成物は、ＰＣ、ＴＮ、ＳＴＮ、ＢＴＮ，ＥＣＢ、ＯＣＢ、ＩＰＳ、ＶＡなどの素子に使用できる。これらの素子は駆動方式がＰＭであってもよいし、またはＡＭであってもよい。この組成物をマイクロカプセル化して作製したＮＣＡＰ（nematic curvilinear aligned phase）素子や、組成物中に三次元の網目状高分子を形成させたＰＤ（polymer dispersed）素子、例えばＰＮ（polymer network）素子にも使用できる。

実施例により本発明をさらに詳しく説明する。本発明はこれらの実施例によって制限されない。Ｎｏ．１などの化合物番号は、後の表で示した化合物のそれと対応する。得られた化合物は核磁気共鳴スペクトル、質量スペクトルなどで構造を同定した。

化合物の相転移温度において、記号Ｃ、Ｓｍ、ＮおよびＩは、結晶、スメクチック相、ネマチック相および等方相である。スメクチック相にはスメクチックＡ相（ＳｍＡ）やスメクチックＢ相（ＳｍＢ）など多くの種類がある。まず化合物をスライドグラスとカーバーグラスの間にはさみ、薄膜化して試料を作成した。偏光顕微鏡を備えた融点測定装置のホットプレートに試料を置き、１℃／分の速度で加熱して、顕微鏡組織（texture）の変化を観察した。まず化合物を冷却して結晶化させた後、加熱する。結晶中にスメクチック相またはネマチック相が出現した後、さらに加熱して結晶が完全になくなる温度をＣＳｍ点またはＣＮ点とする。さらに加熱してスメクチック相中にネマチック相が出現する温度をＳｍＮ点とし、ネマチック相中に等方相が出現する温度をＮＩ点とする。結晶から液晶相を経ないで等方相が出現する場合はＣＩ点とする。相転移温度は、関係する２つ相を示す記号の間に温度を記入することにより表す。温度の単位は℃である。かっこ内の相転移はそれがモノトロピックであることを示す。たとえばＣ１２０．０ＩはＣＩ点が１２０．０℃であることを示す。Ｃ６０．０Ｓｍ８０．０Ｎ１００．０ＩはＣＳｍ点が６０．０℃、ＳｍＮ点が８０．０℃、ＮＩ点が１００．０℃であることを示す。Ｃ１２０．０（Ｎ１００．０）ＩはＣＩ点が１２０．０℃、モノトロピックのＮＩ点が１００．０℃であることを示す。モノトロピックの相転移温度は１℃／分の速度で冷却して観察する。

組成物の物性値の測定は、日本電子機械工業規格（Standard of Electronic Industries Association of Japan）、ＥＩＡＪ・ＥＤ−２５２１Ａに記載された方法、またはこれを修飾した方法に従った。

ネマチック相の上限温度（ＮＩ；℃）：偏光顕微鏡を備えた融点測定装置のホットプレートに試料を置き、１℃／分の速度で加熱した。試料の一部がネマチック相から等方性液体に変化したときの温度を測定した。ネマチック相の上限温度を「上限温度」と略すことがある。

ネマチック相の下限温度（Ｔ_Ｃ；℃）：ネマチック相を有する試料を０℃、−１０℃、−２０℃、−３０℃、および−４０℃のフリーザー中に１０日間保管したあと、液晶相を観察した。例えば、試料が−２０℃ではネマチック相のままであり、−３０℃では結晶（またはスメクチック相）に変化したとき、Ｔ_Ｃ≦−２０℃と記載する。ネマチック相の下限温度を「下限温度」と略すことがある。

化合物の相溶性：類似の構造を有する幾つかの化合物を混合してネマチック相を有する母液晶を調製した。測定する化合物とこの母液晶とを混合した組成物を得た。混合する割合の一例は、１５％の化合物と８５％の母液晶である。この組成物を−２０℃、−３０℃のような低い温度で３０日間保管した。この組成物の一部が結晶（またはスメクチック相）に変化したか否かを観察した。必要に応じて混合する割合と保管温度とを変更した。このようにして測定した結果から、結晶（またはスメクチック相）が析出する条件および結晶（またはスメクチック相）が析出しない条件を求めた。これらの条件が相溶性の尺度である。

粘度（η；２０℃で測定；ｍＰａ・ｓ）：粘度の測定にはＥ型粘度計を用いた。

光学異方性（屈折率異方性；Δｎ；２５℃で測定）：測定は、波長５８９ｎｍの光を用い、接眼鏡に偏光板を取り付けたアッベ屈折計により行なった。主プリズムの表面を一方向にラビング（rubbing）したあと、試料を主プリズムに滴下した。屈折率ｎ‖は偏光の方向がラビングの方向と平行であるときに測定した。屈折率ｎ⊥は偏光の方向がラビングの方向と垂直であるときに測定した。光学異方性の値は、Δｎ＝ｎ‖−ｎ⊥、の式から計算した。試料が組成物のときはこの方法によって光学異方性を測定した。試料が化合物のときは、化合物を適切な組成物に混合したあと光学異方性を測定した。化合物の光学異方性は外挿値である。

誘電率異方性（Δε；２５℃で測定）：試料が化合物のときは、化合物を適切な組成物に混合したあと誘電率異方性を測定した。化合物の誘電率異方性は外挿値である。
１）誘電率異方性が正である組成物：２枚のガラス基板の間隔（ギャップ）が約９μｍ、ツイスト角が８０度の液晶セルに試料を入れた。このセルに２０ボルトを印加して、液晶分子の長軸方向における誘電率（ε‖）を測定した。０．５ボルトを印加して、液晶分子の短軸方向における誘電率（ε⊥）を測定した。誘電率異方性の値は、Δε＝ε‖−ε⊥、の式から計算した。
２）誘電率異方性が負である組成物：ホメオトロピック配向に処理した液晶セルに試料を入れ、０．５ボルトを印加して誘電率（ε‖）を測定した。ホモジニアス配向に処理した液晶セルに試料を入れ、０．５ボルトを印加して誘電率（ε⊥）を測定した。誘電率異方性の値は、Δε＝ε‖−ε⊥、の式から計算した。

しきい値電圧（Ｖｔｈ；２５℃で測定；Ｖ）：試料が化合物のときは、化合物を適切な組成物に混合したあとしきい値電圧を測定した。化合物のしきい値電圧は外挿値である。
１）誘電率異方性が正である組成物：２枚のガラス基板の間隔（ギャップ）が（０．５／Δｎ）μｍであり、ツイスト角が８０度である、ノーマリーホワイトモード（normally white mode）の液晶表示素子に試料を入れた。Δｎは上記の方法で測定した光学異方性の値である。この素子に周波数が３２Ｈｚである矩形波を印加した。矩形波の電圧を上昇させ、素子を通過する光の透過率が９０％になったときの電圧の値を測定した。
２）誘電率異方性が負である組成物：２枚のガラス基板の間隔（ギャップ）が約９μｍであり、ホメオトロピック配向に処理したノーマリーブラックモード（normally black mode）の液晶表示素子に試料を入れた。この素子に周波数が３２Ｈｚである矩形波を印加した。矩形波の電圧を上昇させ、素子を通過する光の透過率１０％になったときの電圧の値を測定した。

［実施例１］
＜２−（４’−クロロ−２，３’−ジフルオロビフェニル−４−イル）ナフタレン（Ｎｏ．５３）の合成＞
第１工程：
２−ブロモナフタレン（１０．００ｇ、４７．３３ｍｍｏｌ）、３−フルオロフェニルボロン酸（７．９５ｇ、５６．８２ｍｍｏｌ）、炭酸カリウム（９．８１ｇ、７０．９８ｍｍｏｌ）、テトラブチルアンモニウムブロミド（３．８１ｇ、１１．８２ｍｍｏｌ）、ジクロロビス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（ＩＩ）（１．００ｇ、１．４２ｍｍｏｌ）、トリフェニルホスフィン（０．７６ｇ、２．８４ｍｍｏｌ）、および混合溶媒（トルエン／水／エタノール＝１／１／１、１００ｍｌ）の混合物を７時間撹拌しながら還流した。得られた反応混合物をトルエンで２回抽出した。抽出液を水で３回洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。減圧下で溶媒を留去し、得られた黒色固体（１５．４０ｇ）をシリカゲルクロマトグラフィー（展開溶媒；ヘプタン／トルエン＝５／１）で精製し、白色固体（１０．９８ｇ）を得た。さらに混合溶媒（ソルミックス／ヘプタン＝１／１）から再結晶して、２−（３−フルオロフェニル）ナフタレンの白色結晶（８．９０ｇ）を得た。

第２工程：
上述の２−（３−フルオロフェニル）ナフタレン（４．９０ｇ、２２．０５ｍｍｏｌ）のＴＨＦ溶液（２００ｍｌ）に−７０℃でｓ−ブチルリチウムのシクロヘキサン溶液（５０．２１ｍｌ、1．０１Ｍ）を滴下した。滴下終了後、反応液を同温度で1時間撹拌した後、ヨウ素（１２．８７ｇ、５０．７１ｍｍｏｌ）のＴＨＦ溶液（２００ｍｌ）を滴下し、その後徐々に室温まで昇温した。１８時間撹拌した後、反応液をチオ硫酸ナトリウム五水和物の氷水に投じ、反応混合物をトルエンで２回抽出した。抽出液を水で３回洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。減圧下で溶媒を留去し、得られた橙色固体（８．６１ｇ）をシリカゲルクロマトグラフィー（展開溶媒；ヘプタン／トルエン＝５／１）で精製し、淡桃色固体（７．８６ｇ）を得た。さらに混合溶媒（ソルミックス／ヘプタン／トルエン＝５／５／１）から再結晶して、２−（３−フルオロ−４−ヨードフェニル）ナフタレンの淡黄色結晶（６．００ｇ）を得た。

第３工程：
上述の２−（３−フルオロ−４−ヨードフェニル）ナフタレン（６．６６ｇ、１９．１３ｍｍｏｌ）、４−クロロ−３−フルオロフェニルボロン酸（４．００ｇ、２２．９４ｍｍｏｌ）、炭酸カリウム（３．９７ｇ、２８．７２ｍｍｏｌ）、テトラブチルアンモニウムブロミド（１．５４ｇ、４．７８ｍｍｏｌ）、ジクロロビス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（ＩＩ）（０．４０ｇ、０．５７ｍｍｏｌ）、トリフェニルホスフィン（０．３１ｇ、１．１６ｍｍｏｌ）、および混合溶媒（トルエン／水／エタノール＝１／１／１、６０ｍｌ）の混合物を４４時間撹拌しながら還流した。得られた反応混合物をトルエンで２回抽出した。抽出液を水で３回洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。減圧下で溶媒を留去し、得られた淡黄色固体（９．６６ｇ）をシリカゲルクロマトグラフィー（展開溶媒；ヘプタン／トルエン＝５／１）で精製し、白色固体（７．１１ｇ）を得た。さらに混合溶媒（ヘプタン／トルエン＝８／１）から再結晶して、表題化合物（４．７９ｇ）を得た。このものは種々機器分析の結果、表題化合物であることを確認した。Ｃ１２１．９Ｎ１２８．７Ｉ。

［実施例２］
＜２−［２−（２，４’−ジフルオロビフェニル−４−イル）エチル］ナフタレン（Ｎｏ．１０３）の合成＞
第１工程：
（３−フルオロベンジル）トリフェニルホスホニウムブロミド（３５．００ｇ、７７．５５ｍｍｏｌ）をＴＨＦ（１５０ｍｌ）に懸濁し、−３０℃に冷却して撹拌しながらカリウム−ｔ−ブトキシド（１０．２５ｇ、８８．６１ｍｍｏｌ）を添加した。添加終了後、反応液を同温で1時間撹拌した後、２−ナフトアルデヒド（８．６５ｇ、５５．３８ｍｍｏｌ）のＴＨＦ溶液（５０ｍｌ）を滴下し、その後徐々に室温まで昇温した。１８時間撹拌した後、氷水に投じ、反応混合物をトルエンで３回抽出した。抽出液を水で３回洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。減圧下で溶媒を留去し、得られた黄色固体（４３．３４ｇ）をシリカゲルクロマトグラフィー（展開溶媒；ヘプタン）で精製し、２−［２−（３−フルオロフェニル）ビニル］ナフタレンの白色固体（１１．５４ｇ）を得た。

第２工程：
上述の２−［２−（３−フルオロフェニル）ビニル］ナフタレン（１１．５４ｇ、４６．４８ｍｍｏｌ）のソルミックス／トルエン溶液（１／１、６０ｍｌ）に５％パラジウム炭素（０．５８ｇ）を加え、水素雰囲気下で２０時間撹拌した。反応液から５％パラジウム炭素を濾過により除去し、得られた濾液を減圧下で濃縮し、得られた灰色固体（１１．１８ｇ）をシリカゲルクロマトグラフィー（展開溶媒；トルエン）で精製し、白色固体（１１．０５ｇ）を得た。さらに混合溶媒（ソルミックス／ヘプタン＝２／１）から再結晶して、２−［２−（３−フルオロフェニル）エチル］ナフタレンの白色結晶（１０．４３ｇ）を得た。

第３工程：
上述の２−［２−（３−フルオロフェニル）エチル］ナフタレン（８．４３ｇ、３３．６８ｍｍｏｌ）のＴＨＦ溶液（２００ｍｌ）に−７０℃でｓ−ブチルリチウムのシクロヘキサン溶液（５３．３５ｍｌ、1．０１Ｍ）を滴下した。滴下終了後、反応液を同温度で1時間撹拌した後、ヨウ素（１３．６８ｇ、５３．９０ｍｍｏｌ）のＴＨＦ溶液（２００ｍｌ）を滴下し、その後徐々に室温まで昇温した。１８時間撹拌した後、反応液をチオ硫酸ナトリウム五水和物の氷水に投じ、反応混合物をトルエンで２回抽出した。抽出液を水で３回洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。減圧下で溶媒を留去し、得られた橙色固体（１３．０５ｇ）をシリカゲルクロマトグラフィー（展開溶媒；ヘプタン／トルエン＝５／１）で精製し、淡黄色固体（１１．６６ｇ）を得た。さらに混合溶媒（ソルミックス／ヘプタン＝５／１）から再結晶して、２−［２−（３−フルオロ−４−ヨードフェニル）エチル］ナフタレンの淡黄色結晶（１０．６０ｇ）を得た。

第４工程：
上述の２−［２−（３−フルオロ−４−ヨードフェニル）エチル］ナフタレン（７．００ｇ、１８．６１ｍｍｏｌ）、４−フルオロフェニルボロン酸（３．１２ｇ、２２．３０ｍｍｏｌ）、炭酸カリウム（３．８６ｇ、２７．９３ｍｍｏｌ）、テトラブチルアンモニウムブロミド（１．５０ｇ、４．６５ｍｍｏｌ）、ジクロロビス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（ＩＩ）（０．３９ｇ、０．５６ｍｍｏｌ）、トリフェニルホスフィン（０．３０ｇ、１．１２ｍｍｏｌ）、および混合溶媒（トルエン／水／エタノール＝１／１／１、６０ｍｌ）の混合物を４時間撹拌しながら還流した。得られた反応混合物をトルエンで３回抽出した。抽出液を水で３回洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。減圧下で溶媒を留去し、得られた橙色固体（８．４８ｇ）をシリカゲルクロマトグラフィー（展開溶媒；ヘプタン／トルエン＝５／１）で精製し、白色固体（７．３７ｇ）を得た。さらに混合溶媒（ソルミックス／ヘプタン＝１／１）から再結晶して、表題化合物（５．０２ｇ）を得た。このものは種々機器分析の結果、表題化合物であることを確認した。Ｃ１０８．１Ｉ。

［実施例３］
＜２−｛３−フルオロ−４−［２−（４−フルオロフェニル）エチル］フェニル｝ナフタレン（Ｎｏ．１４５）の合成＞
第１工程：
２−（３−フルオロフェニル）ナフタレン（１５．００ｇ、６７．４９ｍｍｏｌ）のＴＨＦ溶液（３００ｍｌ）に−７０℃でｓ−ブチルリチウムのシクロヘキサン溶液（８６．８６ｍｌ、1．０１Ｍ）を滴下した。滴下終了後、反応液を同温度で1時間撹拌した後、４−ホルミルモルホリン（１０．８８ｇ、９４．４９ｍｍｏｌ）のＴＨＦ溶液（１５０ｍｌ）を滴下し、その後徐々に室温まで昇温した。１８時間撹拌した後、反応液に塩酸（２５ｍｌ、６Ｎ）を滴下し、反応混合物をトルエンで３回抽出した。抽出液を水、炭酸水素ナトリウム水溶液で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。減圧下で溶媒を留去し、得られた黄色固体（１６．８３ｇ）をシリカゲルクロマトグラフィー（展開溶媒；トルエン）で精製し、淡黄色固体（１３．２６ｇ）を得た。さらにトルエンから再結晶して、２−フルオロ−４−ナフタレン−２−イル−ベンズアルデヒドの淡黄色結晶（１０．０９ｇ）を得た。

第２工程：
（４−フルオロベンジル）トリフェニルホスホニウムクロリド（６．３０ｇ、１５．４８ｍｍｏｌ）をＴＨＦ（５０ｍｌ）に懸濁し、−３０℃に冷却して撹拌しながらカリウム−ｔ−ブトキシド（１．７４ｇ、１５．４８ｍｍｏｌ）を添加した。添加終了後、反応液を同温で1時間撹拌した後、上述の２−フルオロ−４−ナフタレン−２−イル−ベンズアルデヒド（３．００ｇ、１１．９９ｍｍｏｌ）のＴＨＦ溶液（２５ｍｌ）を滴下し、その後徐々に室温まで昇温した。１８時間撹拌した後、氷水に投じ、反応混合物をトルエンで３回抽出した。抽出液を水で３回洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。減圧下で溶媒を留去し、得られた黄色固体（１２．７３ｇ）をシリカゲルクロマトグラフィー（展開溶媒；ヘプタン）で精製し、２−｛３−フルオロ−４−［２−（４−フルオロフェニル）ビニル］フェニル｝ナフタレンの白色固体（３．４４ｇ）を得た。

第３工程：
上述の２−｛３−フルオロ−４−［２−（４−フルオロフェニル）ビニル］フェニル｝ナフタレン（３．４４ｇ、１０．０５ｍｍｏｌ）のソルミックス／トルエン溶液（１／１、３０ｍｌ）に５％パラジウム炭素（０．１７ｇ）を加え、水素雰囲気下で２０時間撹拌した。反応液から５％パラジウム炭素を濾過により除去し、得られた濾液を減圧下で濃縮し、得られた灰色固体（３．６６ｇ）をシリカゲルクロマトグラフィー（展開溶媒；トルエン）で精製し、白色固体（３．２９ｇ）を得た。さらに混合溶媒（ヘプタン／トルエン＝５／４）から再結晶して、表題化合物（３．１５ｇ）を得た。このものは種々機器分析の結果、表題化合物であることを確認した。Ｃ１５４．３Ｉ。

［実施例４］
＜ナフタレン−２−カルボン酸＝２，３’，４’，５’−テトラフルオロビフェニル−４−イル＝エステル（Ｎｏ．１４７）の合成＞
ナフタレン−２−カルボン酸（２８．４０ｍｍｏｌ）、２，３’，４’，５’−テトラフルオロビフェニル−４−オール（２８．４０ｍｍｏｌ）、およびジクロロメタン（１００ｍｌ）の混合物に４−ジメチルアミノピリジン（３４．１０ｍｍｏｌ）を滴下する。続いて１，３−ジシクロヘキシルカルボジイミド（３４．１０ｍｍｏｌ）のジクロロメタン（１００ｍｌ）溶液を滴下する。滴下終了後、室温下で１８時間撹拌する。生成した固体を濾別し、濾液に飽和塩化ナトリウム水溶液を滴下する。有機層を塩酸、水、飽和炭酸水素ナトリウム水溶液の順で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥する。減圧下で濃縮した後、シリカゲルクロマトグラフィーで精製し、さらに再結晶して表題化合物を得る。

［実施例５］
＜２−［ジフルオロ−（２，３’，４’，５’−テトラフルオロビフェニル−４−イルオキシ）メチル］ナフタレン（Ｎｏ．１４９）の合成＞
第１工程：
ナフタレン−２−カルボン酸＝２，３’，４’，５’−テトラフルオロビフェニル−４−イル＝エステル（７７．６０ｍｍｏｌ）、２，４−ビス（メトキシフェニル）−１，３−ジチア−２，４−ジフォスフェタン−２，４−ジスルフィド（１５５．２０ｍｍｏｌ）およびトルエン（４００ｍｌ）の混合物を６０時間撹拌しながら還流する。得られる反応混合物を水、飽和炭酸水素ナトリウム水溶液、１０％亜硫酸水素ナトリウム水溶液、水の順で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥する。減圧下で濃縮した後、シリカゲルクロマトグラフィーで精製し、さらに再結晶してナフタレン−２−カルボチオ酸−Ｏ−（２，３’，４’，５’−テトラフルオロビフェニル−４−イル）エステルを得る。

第２工程：
上述のナフタレン−２−カルボチオ酸−Ｏ−（２，３’，４’，５’−テトラフルオロビフェニル−４−イル）エステル（３０．６０ｍｍｏｌ）のジクロロメタン（１００ｍｌ）溶液に（ジエチルアミノ）サルファートリフルオリド（７６．５０ｍｍｏｌ）を滴下する。滴下終了後、室温で２０時間撹拌する。得られた反応混合物を飽和炭酸水素ナトリウム水溶液に注ぎ、ジクロロメタンで抽出する。抽出液を水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥する。減圧下で濃縮した後、シリカゲルクロマトグラフィーで精製し、さらに再結晶して表題化合物を得る。

［実施例６］
実施例１から実施例５、さらに記載した合成法をもとに、下記の化合物Ｎｏ．１からＮｏ．１６２を合成する。相転移点を測定した化合物については、表中に付記した。

［実施例７］
４つの化合物を混合して、ネマチック相を有する組成物Ａ（母液晶）を調製した。４つの化合物は、４−（４−プロピルシクロヘキシル）ベンゾニトリル、（２４％）、４−（４−ペンチルシクロヘキシル）ベンゾニトリル（３６％）、４−（４−ヘプチルシクロヘキシル）ベンゾニトリル（２５％）、４−（４−ペンチルシクロヘキシル）−４’−シアノビフェニル（１５％）である。組成物Ａの物性値は次のとおりであった。上限温度（ＮＩ）＝７１．７℃；粘度（η_２０）＝２７．０ｍＰａ・ｓ；誘電率異方性（Δε）＝１１．０；光学異方性（Δｎ）＝０．１３７。この組成物Ａの９５％と実施例６に記載の２−（３，４−ジフルオロフェニル）ナフタレン（化合物Ｎｏ．５）の５％とからなる組成物Ｂを調製した。組成物Ｂの物性値は次のとおりであった。
誘電率異方性（Δε）＝１１．６；光学異方性（Δｎ）＝０．１３９。
化合物の混合比と２つの物性値とから、外挿法により算出した上記化合物Ｎｏ．５の物性値は次のとおりであった。誘電率異方性（Δε）＝１１．６；光学異方性（Δｎ）＝０．１７７。

［比較例１］
実施例７に記載した組成物Ａの８５％と特表平４−５０４５７１号公報の請求項６に記載の右式においてＲ_１がプロピル基である２−（３，４−ジフルオロフェニル）−６−プロピルナフタレンの１５％とからなる組成物Ｃを調製した。組成物Ｃの物性値は次のとおりであった。誘電率異方性（Δε）＝１１．３；光学異方性（Δｎ）＝０．１４１。
化合物の混合比と２つの物性値とから、外挿法により算出した２−（３，４−ジフルオロフェニル）−６−プロピルナフタレンの物性値は次のとおりであった。
誘電率異方性（Δε）＝９．６；光学異方性（Δｎ）＝０．１６４。

本発明の化合物２−（３，４−ジフルオロフェニル）ナフタレン（化合物Ｎｏ．５）は誘電率異方性が正に大きく、大きな光学異方性を有する。またその値は公知化合物２−（３，４−ジフルオロフェニル）−６−プロピルナフタレンよりも大きい。

本発明の代表的な組成物を使用例１から１４にまとめた。最初に、組成物の成分である化合物とその量（重量％）を示した。化合物は表１の取り決めに従い、左末端基、結合基、環構造および右末端基の記号によって表示した。１，４−シクロヘキシレンおよび１，３−ジオキサン−２，５−ジイルの立体配置はトランスである。末端基の記号がない場合は、末端基が水素であることを意味する。次に組成物の物性値を示した。

［使用例１］
ＮｐＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ）−ＣＬ５％
Ｎｐ２Ｂ（Ｆ）Ｂ−Ｆ５％

２−ＢＥＢ（Ｆ）−Ｃ５％
３−ＢＥＢ（Ｆ）−Ｃ４％
４−ＢＥＢ（Ｆ）−Ｃ１２％
１Ｖ２−ＢＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｃ１５％
３−ＨＢ−Ｏ２５％
３−ＨＨ−４３％
３−ＨＨＢ−Ｆ３％
３−ＨＨＢ−１４％
３−ＨＨＢ−Ｏ１４％
３−ＨＢＥＢ−Ｆ４％
３−ＨＨＥＢ−Ｆ７％
５−ＨＨＥＢ−Ｆ７％
３−Ｈ２ＢＴＢ−２４％
３−Ｈ２ＢＴＢ−３４％
３−Ｈ２ＢＴＢ−４４％
３−ＨＢ（Ｆ）ＴＢ−２５％
ＮＩ＝８５．８℃；Δｎ＝０．１４５；Δε＝２７．９；Ｖｔｈ＝１．１０Ｖ．

［使用例２］
Ｎｐ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ４％
ＮｐＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ３％

２−ＨＢ−Ｃ５％
３−ＨＢ−Ｃ１２％
３−ＨＢ−Ｏ２１４％
２−ＢＴＢ−１３％
３−ＨＨＢ−Ｆ４％
３−ＨＨＢ−１８％
３−ＨＨＢ−Ｏ１５％
３−ＨＨＢ−３１４％
３−ＨＨＥＢ−Ｆ４％
５−ＨＨＥＢ−Ｆ４％
２−ＨＨＢ（Ｆ）−Ｆ５％
３−ＨＨＢ（Ｆ）−Ｆ５％
５−ＨＨＢ（Ｆ）−Ｆ５％
３−ＨＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ５％

［使用例３］
ＮｐＢ−ＣＬ３％
ＮｐＢ（Ｆ，Ｆ）Ｂ（Ｆ）−ＣＬ３％
Ｎｐ（Ｆ）２Ｂ（Ｆ）−Ｆ３％

３−ＢＥＢ（Ｆ）−Ｃ８％
３−ＨＢ−Ｃ８％
Ｖ−ＨＢ−Ｃ８％
１Ｖ−ＨＢ−Ｃ８％
３−ＨＢ−Ｏ２３％
３−ＨＨ−２Ｖ１０％
３−ＨＨ−２Ｖ１７％
Ｖ２−ＨＨＢ−１１０％
３−ＨＨＢ−１５％
３−ＨＨＥＢ−Ｆ７％
３−Ｈ２ＢＴＢ−２６％
３−Ｈ２ＢＴＢ−３６％
３−Ｈ２ＢＴＢ−４５％

［使用例４］
Ｎｐ２Ｂ（Ｆ，Ｆ）Ｂ−Ｆ４％
Ｎｐ２Ｂ（Ｆ，Ｆ）Ｂ（Ｆ）−Ｆ５％

５−ＢＥＢ（Ｆ）−Ｃ５％
Ｖ−ＨＢ−Ｃ１１％
５−ＰｙＢ−Ｃ６％
４−ＢＢ−３８％
３−ＨＨ−２Ｖ１０％
５−ＨＨ−Ｖ１１％
Ｖ−ＨＨＢ−１７％
Ｖ２−ＨＨＢ−１９％
３−ＨＨＢ−１９％
１Ｖ２−ＨＢＢ−２１０％
３−ＨＨＥＢＨ−３５％

［使用例５］
Ｎｐ２Ｂ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ４％
Ｎｐ２Ｂ（Ｆ）Ｂ（Ｆ）−ＣＬ４％

１Ｖ２−ＢＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｃ６％
３−ＨＢ−Ｃ１８％
２−ＢＴＢ−１１０％
５−ＨＨ−ＶＦＦ２２％
３−ＨＨＢ−１４％
ＶＦＦ−ＨＨＢ−１８％
ＶＦＦ２−ＨＨＢ−１１１％
３−Ｈ２ＢＴＢ−２５％
３−Ｈ２ＢＴＢ−３４％
３−Ｈ２ＢＴＢ−４４％

［使用例６］
ＮｐＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ）−ＣＬ４％
Ｎｐ２Ｂ（Ｆ）Ｂ−Ｆ４％

５−ＨＢ−ＣＬ１６％
３−ＨＨ−４１２％
３−ＨＨ−５４％
３−ＨＨＢ−Ｆ４％
３−ＨＨＢ−ＣＬ３％
４−ＨＨＢ−ＣＬ４％
３−ＨＨＢ（Ｆ）−Ｆ７％
４−ＨＨＢ（Ｆ）−Ｆ７％
５−ＨＨＢ（Ｆ）−Ｆ７％
７−ＨＨＢ（Ｆ）−Ｆ６％
５−ＨＢＢ（Ｆ）−Ｆ５％
１Ｏ１−ＨＢＢＨ−５３％
３−ＨＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ２％
４−ＨＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ３％
５−ＨＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ３％
３−ＨＨ２ＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ３％
４−ＨＨ２ＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ３％
ＮＩ＝１０９．８℃；Δｎ＝０．０９４；Δε＝３．８；Ｖｔｈ＝２．６１Ｖ．
上記組成物１００部にＯｐ−０５を０．２５部添加したときのピッチは５９．５μｍであった。

［使用例７］
ＮｐＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）−ＯＣＦ３３％
ＮｐＸＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ３％
ＮｐＸＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ）−ＣＬ３％

３−ＨＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ９％
３−Ｈ２ＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ８％
４−Ｈ２ＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ８％
５−Ｈ２ＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ８％
３−ＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ２２％
５−ＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ１０％
３−Ｈ２ＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ１０％
５−ＨＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ３％
５−ＨＨＥＢＢ−Ｆ３％
３−ＨＨ２ＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ２％
１Ｏ１−ＨＢＢＨ−４４％
１Ｏ１−ＨＢＢＨ−５４％

［使用例８］
ＮｐＥＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ３％
ＮｐＥＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ）−ＣＬ４％

５−ＨＢ−Ｆ１２％
６−ＨＢ−Ｆ９％
７−ＨＢ−Ｆ７％
２−ＨＨＢ−ＯＣＦ３７％
３−ＨＨＢ−ＯＣＦ３７％
４−ＨＨＢ−ＯＣＦ３７％
５−ＨＨＢ−ＯＣＦ３５％
３−ＨＨ２Ｂ−ＯＣＦ３４％
５−ＨＨ２Ｂ−ＯＣＦ３４％
３−ＨＨＢ（Ｆ，Ｆ）−ＯＣＦ２Ｈ４％
３−ＨＨＢ（Ｆ，Ｆ）−ＯＣＦ３４％
３−ＨＨ２Ｂ（Ｆ）−Ｆ３％
３−ＨＢＢ（Ｆ）−Ｆ７％
５−ＨＢＢ（Ｆ）−Ｆ７％
５−ＨＢＢＨ−３３％
３−ＨＢ（Ｆ）ＢＨ−３３％

［使用例９］
Ｎｐ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ５％
Ｎｐ（Ｆ）２Ｂ（Ｆ）−Ｆ５％

５−ＨＢ−ＣＬ１１％
３−ＨＨ−４８％
３−ＨＨＢ−１５％
３−ＨＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ８％
３−ＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ２０％
５−ＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ５％
３−ＨＨＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ１０％
４−ＨＨＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ３％
５−ＨＨＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ３％
２−ＨＢＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ３％
３−ＨＢＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ５％
５−ＨＢＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ３％
３−ＨＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ６％

［使用例１０］
Ｎｐ２Ｂ（Ｆ，Ｆ）Ｂ（Ｆ）−Ｆ４％
Ｎｐ２Ｂ（Ｆ）Ｂ（Ｆ）−ＣＬ４％

３−ＨＢ−ＣＬ６％
５−ＨＢ−ＣＬ４％
３−ＨＨＢ−ＯＣＦ３５％
３−Ｈ２ＨＢ−ＯＣＦ３５％
５−Ｈ４ＨＢ−ＯＣＦ３１１％
Ｖ−ＨＨＢ（Ｆ）−Ｆ５％
３−ＨＨＢ（Ｆ）−Ｆ４％
５−ＨＨＢ（Ｆ）−Ｆ４％
３−Ｈ４ＨＢ（Ｆ，Ｆ）−ＣＦ３８％
５−Ｈ４ＨＢ（Ｆ，Ｆ）−ＣＦ３１０％
５−Ｈ２ＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ５％
５−Ｈ４ＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ７％
２−Ｈ２ＢＢ（Ｆ）−Ｆ５％
３−Ｈ２ＢＢ（Ｆ）−Ｆ８％
３−ＨＢＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ５％

［使用例１１］
Ｎｐ２Ｂ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ５％
ＮｐＸＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ５％

５−ＨＢ−ＣＬ１７％
７−ＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ３％
３−ＨＨ−４１０％
３−ＨＨ−５５％
３−ＨＢ−Ｏ２１１％
３−ＨＨＢ−１８％
３−ＨＨＢ−Ｏ１５％
２−ＨＨＢ（Ｆ）−Ｆ５％
３−ＨＨＢ（Ｆ）−Ｆ５％
５−ＨＨＢ（Ｆ）−Ｆ５％
３−ＨＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ６％
３−Ｈ２ＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ５％
４−Ｈ２ＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ５％

［使用例１２］
ＮｐＸＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ）−ＣＬ４％
ＮｐＥＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ）−ＣＬ４％

５−ＨＢ−ＣＬ３％
７−ＨＢ（Ｆ）−Ｆ７％
３−ＨＨ−４９％
３−ＨＨ−ＥＭｅ１５％
３−ＨＨＥＢ−Ｆ８％
５−ＨＨＥＢ−Ｆ８％
３−ＨＨＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ１０％
４−ＨＨＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ５％
４−ＨＧＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ５％
５−ＨＧＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ６％
２−Ｈ２ＧＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ４％
３−Ｈ２ＧＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ５％
５−ＧＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ７％

［使用例１３］
ＮｐＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）−ＯＣＦ３３％
Ｎｐ２Ｂ（Ｆ，Ｆ）Ｂ（Ｆ）−Ｆ４％

３−ＨＨ−４８％
３−ＨＨＢ−１６％
３−ＨＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ１０％
３−Ｈ２ＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ９％
３−ＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ１５％
３−ＢＢ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ２８％
１Ｏ１−ＨＢＢＨ−５７％
２−ＨＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ３％
３−ＨＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ３％
３−ＨＨ２ＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ４％

［使用例１４］
Ｎｐ２Ｂ（Ｆ）Ｂ−ＣＬ５％

３−ＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ３３％
５−ＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ５％
２−ＢＢ（２Ｆ，５Ｆ）Ｂ−２８％
３−ＢＢ（２Ｆ，５Ｆ）Ｂ−３１０％
３−ＢＢ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ２０％
２−ＨＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ３％
５−ＨＢＢ（Ｆ）Ｂ−２９％
５−ＨＢＢ（Ｆ）Ｂ−３７％
ＮＩ＝９７．０℃；Δｎ＝０．１８０；Δε＝９．８；Ｖｔｈ＝１．５９Ｖ．

Claims

下記の式（１ａ）で表される化合物。

式（１ａ）において環Ａ^１および環Ａ^２は独立して１，４−フェニレン、ピリジン−２，５−ジイル、ピリミジン−２，５−ジイルまたはナフタレン−２，６−ジイルであり、これらの環において任意の水素はハロゲンで置き換えられていてもよく；Ｚ^１、Ｚ^２およびＺ^３は独立して単結合、−（ＣＨ_２）_２−、−（ＣＨ_２）_４−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ≡Ｃ−、−ＣＦ_２Ｏ−、−ＯＣＦ_２−、−ＣＯＯ−または−ＯＣＯ−であり；Ｘ^ａ、Ｘ^ｂ、Ｘ^ｃ、Ｘ^ｄ、Ｘ^ｅおよびＸ^ｆは独立して水素またはフッ素であり；Ｙは−ＯＣＨ_２Ｆ、−ＯＣＨＦ_２、−ＯＣＦ_３、−ＳＣＨ_２Ｆ、−ＳＣＨＦ_２、−ＳＣＦ_３、−ＣＨ_２Ｆ、−ＣＨＦ_２、−ＣＦ_３、フッ素または塩素であり；Ｌ^ａおよびＬ^ｂは独立して水素またはフッ素であり；ｌおよびｍは独立して０または１である。
下記の式（１ｂ）で表される化合物。

式（１ｂ）において環Ａ^１および環Ａ^２は独立して（ａ）から（ｌ）より選択される環構造であり；Ｚ^１、Ｚ^２およびＺ^３は独立して単結合、−（ＣＨ_２）_２−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ≡Ｃ−、−ＣＦ_２Ｏ−、−ＯＣＦ_２−、−ＣＯＯ−または−ＯＣＯ−であり；Ｘ^ｂ、Ｘ^ｃおよびＸ^ｆは独立して水素またはフッ素であり；Ｙは−ＯＣＨ_２Ｆ、−ＯＣＨＦ_２、−ＯＣＦ_３、−ＣＨ_２Ｆ、−ＣＨＦ_２、−ＣＦ_３、フッ素または塩素であり；Ｌ^ａおよびＬ^ｂは独立して水素またはフッ素であり；ｌおよびｍは独立して０または１である。
一般式（１ｂ）において、環Ａ^１および環Ａ^２が独立して（ａ）から（ｄ）より選択される環構造であり；Ｚ^１、Ｚ^２およびＺ^３が独立して単結合、−（ＣＨ_２）_２−、−ＣＦ_２Ｏ−または−ＣＯＯ−であり；Ｘ^ｂおよびＸ^ｆが水素であり、Ｘ^ｃが水素またはフッ素であり；Ｙは−ＯＣＦ_３、フッ素または塩素であり；Ｌ^ａおよびＬ^ｂが独立して水素またはフッ素であり；ｌおよびｍが独立して０または１である請求項２に記載の化合物。
下記の式（１ｃ−１）から（１ｃ−３）のいずれか１つで表される化合物。

これらの式において、環Ａ^１および環Ａ^２は独立して（ａ）から（ｃ）より選択される環構造であり；Ｚ^１、Ｚ^２およびＺ^３は独立して単結合、−（ＣＨ_２）_２−、−ＣＦ_２Ｏ−または−ＣＯＯ−であり；Ｘ^ｃは水素またはフッ素であり；Ｙは−ＯＣＦ_３、フッ素または塩素であり；Ｌ^ａおよびＬ^ｂは独立して水素またはフッ素である。
式（１ｃ−１）から（１ｃ−３）において、Ｚ^１が単結合または−（ＣＨ_２）_２−である請求項４に記載の化合物。
式（１ｃ−１）から（１ｃ−３）において、Ｚ^１、Ｚ^２、Ｚ^３が共に単結合である請求項４に記載の化合物。
式（１ｃ−１）から（１ｃ−３）において、Ｚ^１が−（ＣＨ_２）_２−であり、Ｚ^２、Ｚ^３が共に単結合である請求項４に記載の化合物。
式（１ｃ−２）および式（１ｃ−３）において、Ｚ^１およびＺ^３が共に単結合であり、Ｚ^２が−（ＣＨ_２）_２−である請求項４に記載の化合物。
式（１ｃ−３）において、Ｚ^１およびＺ^２が共に単結合であり、Ｚ^３が−（ＣＨ_２）_２−である請求項４に記載の化合物。
式（１ｃ−１）から（１ｃ−３）において、Ｚ^１、Ｚ^２、Ｚ^３のうち必ず１つが−ＣＦ_２Ｏ−であり、残りが単結合である請求項４に記載の化合物。
式（１ｃ−１）から（１ｃ−３）において、Ｚ^１、Ｚ^２、Ｚ^３のうち必ず１つが−ＣＯＯ−であり、残りが単結合である請求項４に記載の化合物。
下記の式（１ｃ−１−１）から（１ｃ−１−４）および式（１ｃ−２−１）から（１ｃ−２−１２）のいずれか１つで表される化合物。

これらの式において、Ｙは−ＯＣＦ_３、フッ素または塩素であり；Ｌ^ａおよびＬ^ｂは独立して水素またはフッ素である。
式（１ｃ−１−１）から（１ｃ−１−４）および式（１ｃ−２−１）から（１ｃ−２−１２）のいずれか１つにおいてＹが−ＯＣＦ_３、Ｌ^aおよびＬ^ｂが水素である請求項１２に記載の化合物。
式（１ｃ−１−１）から（１ｃ−１−４）および式（１ｃ−２−１）から（１ｃ−２−１２）のいずれか１つにおいてＹが−ＯＣＦ_３、Ｌ^ａがフッ素、Ｌ^ｂが水素である請求項１２に記載の化合物。
式（１ｃ−１−１）から（１ｃ−１−４）および式（１ｃ−２−１）から（１ｃ−２−１２）のいずれか１つにおいてＹが−ＯＣＦ_３、Ｌ^ａおよびＬ^ｂがフッ素である請求項１２に記載の化合物。
式（１ｃ−１−１）から（１ｃ−１−４）および式（１ｃ−２−１）から（１ｃ−２−１２）のいずれか１つにおいてＹがフッ素、Ｌ^ａおよびＬ^ｂが水素である請求項１２に記載の化合物。
式（１ｃ−１−１）から（１ｃ−１−４）および式（１ｃ−２−１）から（１ｃ−２−１２）のいずれか１つにおいてＹがフッ素、Ｌ^ａがフッ素、Ｌ^ｂが水素である請求項１２に記載の化合物。
式（１ｃ−１−１）から（１ｃ−１−４）および式（１ｃ−２−１）から（１ｃ−２−１２）のいずれか１つにおいてＹがフッ素、Ｌ^ａおよびＬ^ｂがフッ素である請求項１２に記載の化合物。
式（１ｃ−１−１）から（１ｃ−１−４）および式（１ｃ−２−１）から（１ｃ−２−１２）のいずれか１つにおいてＹが塩素、Ｌ^ａおよびＬ^ｂが水素である請求項１２に記載の化合物。
式（１ｃ−１−１）から（１ｃ−１−４）および式（１ｃ−２−１）から（１ｃ−２−１２）のいずれか１つにおいてＹが塩素、Ｌ^ａがフッ素、Ｌ^ｂが水素である請求項１２に記載の化合物。
式（１ｃ−１−１）から（１ｃ−１−４）および式（１ｃ−２−１）から（１ｃ−２−１２）のいずれか１つにおいてＹが塩素、Ｌ^ａおよびＬ^ｂがフッ素である請求項１２に記載の化合物。
請求項１から２１のいずれか１項に記載の化合物を少なくとも一つ含有し、少なくとも２つ以上の化合物からなる液晶組成物。
式（２）、式（３）および式（４）のそれぞれで表される化合物の群から選択される少なくとも１つの化合物をさらに含有する、請求項２２に記載の液晶組成物：

ここに、Ｒ^１は炭素数１から１０のアルキルであり、このアルキルにおいて任意の−ＣＨ_２−は−Ｏ−または−ＣＨ＝ＣＨ−で置き換えられてもよく、そして任意の水素はフッ素で置き換えられてもよく；Ｘ^１はフッ素、塩素、−ＯＣＦ_３、−ＯＣＨＦ_２、−ＣＦ_３、−ＣＨＦ_２、−ＣＨ_２Ｆ、−ＯＣＦ_２ＣＨＦ_２、または−ＯＣＦ_２ＣＨＦＣＦ_３であり；環Ｂおよび環Ｄは独立して１，４−シクロヘキシレン、１，３−ジオキサン−２，５−ジイルまたは任意の水素がフッ素で置き換えられてもよい１，４−フェニレンであり、環Ｅは１，４−シクロヘキシレンまたは任意の水素がフッ素で置き換えられてもよい１，４−フェニレンであり；Ｚ^４およびＺ^５は独立して−（ＣＨ_２）_２−、−（ＣＨ_２）_４−、−ＣＯＯ−、−ＣＦ_２Ｏ−、−ＯＣＦ_２−、−ＣＨ＝ＣＨ−、または単結合であり；そしてＬ^１およびＬ^２は独立して水素またはフッ素である。
式（５）および（６）のそれぞれで表される化合物の群から選択される少なくとも１つの化合物をさらに含有する、請求項２２に記載の液晶組成物：

ここに、Ｒ^２およびＲ^３は独立して炭素数１から１０のアルキルであり、このアルキルにおいて任意の−ＣＨ_２−は−Ｏ−または−ＣＨ＝ＣＨ−で置き換えられてもよく、そして任意の水素はフッ素で置き換えられてもよく；Ｘ^２は−ＣＮまたは−Ｃ≡Ｃ−ＣＮであり；環Ｇは１，４−シクロヘキシレン、１，４−フェニレン、１，３−ジオキサン−２，５−ジイル、またはピリミジン−２，５−ジイルであり；環Ｊは１，４−シクロヘキシレン、ピリミジン−２,５−ジイルまたは任意の水素がフッ素で置き換えられてもよい１，４−フェニレンであり；環Ｋは１，４−シクロヘキシレンまたは１，４−フェニレンであり；Ｚ^６は−（ＣＨ_２）_２−、−ＣＯＯ−、−ＣＦ_２Ｏ−、−ＯＣＦ_２−、または単結合であり；Ｌ^３、Ｌ^４およびＬ^５は独立して水素またはフッ素であり；そしてｂ、ｃおよびｄは独立して０または１である。
式（７）、式（８）、式（９）、式（１０）および式（１１）のそれぞれで表される化合物の群から選択される少なくとも１つの化合物をさらに含有する請求項２２に記載の液晶組成物：

ここに、Ｒ^４は炭素数１から１０のアルキルであり、このアルキルにおいて任意の−ＣＨ_２−は−Ｏ−または−ＣＨ＝ＣＨ−で置き換えられてもよく、そして任意の水素はフッ素で置き換えられてもよく；Ｒ^５はフッ素または炭素数１から１０のアルキルであり、このアルキルにおいて任意の−ＣＨ_２−は−Ｏ−または−ＣＨ＝ＣＨ−で置き換えられてもよく、そして任意の水素はフッ素で置き換えられてもよく；環Ｍおよび環Ｐは独立して１，４−シクロヘキシレン、１，４−フェニレンまたはデカヒドロ−２，６−ナフチレンであり；Ｚ^７およびＺ^８は独立して−（ＣＨ_２）_２−、−ＣＯＯ−または単結合であり；そして、Ｌ^６およびＬ^７は独立して水素またはフッ素であって、Ｌ^６とＬ^７の少なくとも１つはフッ素である。
式（１２）、式（１３）および式（１４）のそれぞれで表される化合物の群から選択される少なくとも１つの化合物をさらに含有する請求項２２に記載の液晶組成物：

ここに、Ｒ^６およびＲ^７は独立して炭素数１から１０のアルキルであり、このアルキルにおいて任意の−ＣＨ_２−は−Ｏ−または−ＣＨ＝ＣＨ−で置き換えられてもよく、そして任意の水素はフッ素で置き換えられてもよく；環Ｑ、環Ｔおよび環Ｕは独立して１，４−シクロヘキシレン、ピリミジン−２、５−ジイル、または任意の水素がフッ素で置き換えられてもよい１，４−フェニレンであり；そしてＺ^９およびＺ^１０は独立して−Ｃ≡Ｃ−、−ＣＯＯ−、−（ＣＨ_２）_２−、−ＣＨ＝ＣＨ−、または単結合である。
請求項２４に記載の式（５）および式（６）のそれぞれで表される化合物の群から選択される少なくとも１つの化合物をさらに含有する、請求項２３に記載の液晶組成物。
請求項２６に記載の式（１２）、式（１３）および式（１４）のそれぞれで表される化合物の群から選択される少なくとも１つの化合物をさらに含有する、請求項２３に記載の液晶組成物。
請求項２６に記載の式（１２）、式（１３）および式（１４）のそれぞれで表される化合物の群から選択される少なくとも１つの化合物をさらに含有する、請求項２４に記載の液晶組成物。
請求項２６に記載の式（１２）、式（１３）および式（１４）のそれぞれで表される化合物の群から選択される少なくとも１つの化合物をさらに含有する、請求項２５に記載の液晶組成物。
少なくとも１つの光学活性化合物をさらに含有する、請求項２２から３０のいずれか１項に記載の液晶組成物。
請求項２２から３１のいずれか１項に記載の液晶組成物を含有する液晶表示素子。