JP2007067266A - 半導体装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 半導体基板2上に設けられた酸素を含む高誘電体からなるゲート絶縁膜4と、ゲート絶縁膜上に設けられ、酸素を含む電気伝導体からなる電気伝導体膜6と、電気伝導体膜上に設けられたゲート電極8と、を備えている。
【選択図】 図2
Description
本発明の第1実施形態による半導体装置を図2に示す。本実施形態の半導体装置は、単結晶シリコン(Si)からなる半導体基板2上にHf0.6Si0.4O2からなるゲート絶縁膜4が設けられ、ゲート絶縁膜4上に酸素を含む電気伝導体膜6が設けられ、電気伝導体膜6上にシリコンを主成分とするゲート電極8が設けられた構成となっている。本実施形態においては、電気伝導体膜6は、ゲート絶縁膜4から酸素が脱離するのを防止するとともにゲート絶縁膜4へ酸素を補う機能を有している。図2は本発明の第1実施形態の本質を説明するための概念図であり、各部分の大きさや膜厚などは実際の比率とは必ずしも一致していない。通常の半導体装置においては側壁や層間絶縁膜やコンタクトメタルやソース・ドレインのエクステンションなどを有するが、本発明の第1実施形態の本質と直接関係がない部分は図2から省略してある。以下の実施形態においても同様に本発明の各実施形態の本質とは直接関係が無いが同業者であれば周知の工程を省略し、または簡略に書いてある。
次に、本発明の第2実施形態による半導体装置を図3に示す。本実施形態の半導体装置は、図2に示す第1実施形態の半導体装置において、電気伝導体膜6とゲート電極8との間に拡散防止膜7を設けた構成となっている。この拡散防止膜7は、電気伝導体膜6を構成する元素がゲート電極に拡散するのを防止する機能、すなわち、電気伝導体膜中の酸素を効率的にゲート絶縁膜に補填するのを促進する機能を有している。また、この拡散防止膜7は、ゲート電極の一部となるために電気伝導性を有している。本実施形態においては拡散防止膜7の材料としてHfNを用いた。
次に、本発明の第3実施形態による半導体装置を図4に示す。本実施形態の半導体装置は、図2に示す第1実施形態の半導体装置において、ゲート絶縁膜4と半導体基板2との間に、酸素の拡散を防止する酸素拡散防止膜3を設けた構成となっている。酸素拡散防止膜3は、Si3N4、AlN、BN、SiON,SiO2、AlON,Al2O3などの材料からなる膜を0.5nmの膜厚で作製することによって得られる。この酸素拡散防止膜3は、ゲート絶縁膜4から酸素が基板2へ拡散して酸素欠損を発生させことを防止する機能、すなわち電気伝導体膜6中の酸素が効率的にゲート絶縁膜に補填されるのを促進する機能を有しており、これによりフラットバンド電圧Vfbがシフトしてしまうことをさらに抑制する。この酸素拡散防止膜3は電気絶縁体である必要がある。
次に、本発明の第4実施形態による半導体装置を図5に示す。本実施形態の半導体装置は、図2に示す第1実施形態の半導体装置において、シリコンからなるゲート電極8を酸素を含まないメタルからなるゲート電極10に置き換えた構成となっている。このゲート電極10は、HfAlNをスパッタ法にて200nmの膜厚で作製する。
次に、本発明の第5実施形態による半導体装置を図6に示す。本実施形態の半導体装置は、図2に示す第1実施形態の半導体装置において、ゲート絶縁膜4と電気伝導体膜6との間に金属の拡散を防止する金属拡散防止膜5を設けた構成となっている。この金属拡散防止膜5として、HfO2を0.5nm成膜することによって得る。この金属拡散防止膜5は、酸素は拡散しやすいものの金属元素の拡散程度が低いものであればHfO2以外にもZrO2、TiO2、SiO2、La2O3などを用いることが可能である。なお、Hf、Zrのような4価の金属元素は、酸素との格子エネルギーが比較的に低く、酸素を手放しやすい。特に、4価の金属元素の酸化物の場合、La、Y、Sc、ランタノイド元素などの3価の金属元素や、Mg、Caなどの2価の金属元素を3%から15%程度の範囲で添加することは、HfO2やZrO2の酸素原子サイトに適度な空孔を形成し、酸素原子の流動性を高める効果があるため、好ましい。
次に、本発明の第6実施形態による半導体装置を図7に示す。本実施形態の半導体装置は、図6に示す第6実施形態の半導体装置において、半導体基板2とゲート絶縁膜4との間に酸素拡散防止膜3を設けるとともに、電気伝導体膜6とゲート電極8との間に電気伝導体膜6を構成する元素の拡散を防止する拡散防止膜7を設けた構成となっている。
4 ゲート絶縁膜
5 金属拡散防止膜
6 電気伝導体膜
7 拡散防止膜
8 シリコンを主成分とするゲート電極
10 酸素を含まないメタルからなるゲート電極
20 ソース・ドレイン領域
Claims (6)
- 半導体基板上に設けられた酸素を含む高誘電体からなるゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上に設けられ、酸素を含む電気伝導体からなる電気伝導体膜と、
前記電気伝導体膜上に設けられたゲート電極と、
を備えたことを特徴とする半導体装置。 - 前記ゲート絶縁膜と前記電気伝導体膜との間に、酸素を拡散するが金属の拡散を防止する金属拡散防止膜を設けたことを特徴とする請求項1記載の半導体装置。
- 前記電気伝導体膜と前記ゲート電極との間に、前記電気伝導体膜を構成する元素の拡散を防止し、電気伝導性を有する拡散防止膜を設けたことを特徴とする請求項1または2記載の半導体装置。
- 前記半導体基板と前記ゲート絶縁膜との間に、酸素の拡散を防止する酸素拡散防止膜を設けたことを特徴とする請求項1乃至3のいずれかに記載の半導体装置。
- 前記電気伝導体膜の膜厚が、前記電気伝導体膜を構成する酸素原子と酸素以外の原子間の最近接距離以上であって、かつ2nm以下であることを特徴とする請求項1乃至4のいずれかに記載の半導体装置。
- 前記ゲート電極は酸素を含まないメタルからなっていることを特徴とする請求項1乃至6のいずれかに記載の半導体装置。
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