JP2007065035A - 光アッテネータ - Google Patents
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Abstract
【課題】 低コストで高精度に減衰できるようにする。
【解決手段】 入出射光軸を一致させた状態の光ファイバF1、F2の先端の間に遮光板30を進退させて光ファイバ間の光伝達量を可変する光アッテネータであって、遮光板駆動用のアクチュエータ31を、基板21の穴22内に配置され、両光ファイバの先端間方向に延びた一端側に遮光板30が一体的に形成された回動板32と、その回動板32の中間部と基板21の内縁間を連結して回動自在に支持する軸33、34と、回動板32の他端側に回動力を与えて遮光板30を両光ファイバの先端間に進退させる駆動手段とにより構成している。
【選択図】 図2
【解決手段】 入出射光軸を一致させた状態の光ファイバF1、F2の先端の間に遮光板30を進退させて光ファイバ間の光伝達量を可変する光アッテネータであって、遮光板駆動用のアクチュエータ31を、基板21の穴22内に配置され、両光ファイバの先端間方向に延びた一端側に遮光板30が一体的に形成された回動板32と、その回動板32の中間部と基板21の内縁間を連結して回動自在に支持する軸33、34と、回動板32の他端側に回動力を与えて遮光板30を両光ファイバの先端間に進退させる駆動手段とにより構成している。
【選択図】 図2
Description
本発明は、光アッテネータにおいて、低コストで高精度に減衰できるようにするための技術に関する。
各種光学機器では、出射光や入射光をパワーを調整するために光アッテネータが使用されているが、近年では、半導体基板に対するエッチング処理により可動部を小型に構成した所謂MEMS構造のものが実現されている。
図11は、MEMS構造のミラーを用いた従来の光アッテネータ10の構成を示すものであり、平行に配置された2本の光ファイバF1、F2の入出射光軸L1、L2をレンズ11により一点Oで交差するようにし、その交点OにMEMS構造のミラー12を配置し、ミラー12の角度を可変することで、光ファイバF1、F2の間の光伝達量を変化させる。なお、この構造の光アッテネータ10は、例えば特許文献1に開示されている。
しかしながら、上記した従来の光アッテネータ10では、光ファイバF1、F2の光軸L1、L2が、レンズ11を介してミラー12の反射面で一点で交わるように各部を配置する必要があり、レンズ11として極めて高い精度が要求され、コスト高になるという問題があった。
また、ミラー12自身による損失が定常的に含まれるために、例えば高いS/Nが要求される測定等に使用することができないという問題もあった。
本発明は、上記問題を解決し、低コストで高いS/Nが要求される測定等にも使用できる光アッテネータを提供することを目的としている。
前記目的を達成するために、本発明の請求項1の光アッテネータは、
内側に穴(22)が形成された枠状の基板(21)と、
前記基板の一面側で前記穴を挟んで互いの一端側が対向するように支持され、それぞれの一端側の入出射光軸が一致する第1光ファイバ(F1)および第2ファイバ(F2)と、
光を遮断する遮光板(30)と、
前記穴内で前記第1光ファイバの先端と第2光ファイバの先端との間に前記遮光板を進退させ、前記第1光ファイバと前記第2光ファイバとの間の光伝達量を変化させるアクチュエータ(31)とを有する光アッテネータであって、
前記アクチュエータは、
前記基板の穴内に配置され、前記第1光ファイバの先端と第2光ファイバの先端との間に向かって延びた一端側に前記遮光板が一体的に形成された回動板(32)と、
長手方向に捩れ変形自在で前記基板の内縁から前記回動板の中間部外縁まで延びて、前記回動板を回動自在に支持する一対の軸(33、34)と、
前記回動板の他端側に該回動板を回動させる方向の力を与えて、前記一端側の遮光板を前記前記第1光ファイバの先端と第2光ファイバの先端との間に進退させる駆動手段(27、32c、40)とを有していることを特徴としている。
内側に穴(22)が形成された枠状の基板(21)と、
前記基板の一面側で前記穴を挟んで互いの一端側が対向するように支持され、それぞれの一端側の入出射光軸が一致する第1光ファイバ(F1)および第2ファイバ(F2)と、
光を遮断する遮光板(30)と、
前記穴内で前記第1光ファイバの先端と第2光ファイバの先端との間に前記遮光板を進退させ、前記第1光ファイバと前記第2光ファイバとの間の光伝達量を変化させるアクチュエータ(31)とを有する光アッテネータであって、
前記アクチュエータは、
前記基板の穴内に配置され、前記第1光ファイバの先端と第2光ファイバの先端との間に向かって延びた一端側に前記遮光板が一体的に形成された回動板(32)と、
長手方向に捩れ変形自在で前記基板の内縁から前記回動板の中間部外縁まで延びて、前記回動板を回動自在に支持する一対の軸(33、34)と、
前記回動板の他端側に該回動板を回動させる方向の力を与えて、前記一端側の遮光板を前記前記第1光ファイバの先端と第2光ファイバの先端との間に進退させる駆動手段(27、32c、40)とを有していることを特徴としている。
また、本発明の請求項2の光アッテネータは、請求項1記載の光アッテネータにおいて、
前記遮光板は、前記第1光ファイバおよび第2光ファイバの入出射光軸に非直交の面で光を遮光することを特徴としている。
前記遮光板は、前記第1光ファイバおよび第2光ファイバの入出射光軸に非直交の面で光を遮光することを特徴としている。
また、本発明の請求項3の光アッテネータは、請求項1または請求項2記載の光アッテネータにおいて、
前記基板、アクチュエータおよび遮光板は、絶縁層(100a)を導電層(100b、100c)で挟んだ3層構造のSOI基板に対するエッチング処理によって一体的に形成されていることを特徴としている。
前記基板、アクチュエータおよび遮光板は、絶縁層(100a)を導電層(100b、100c)で挟んだ3層構造のSOI基板に対するエッチング処理によって一体的に形成されていることを特徴としている。
また、本発明の請求項4の光アッテネータは、請求項3記載の光アッテネータにおいて、
前記各光ファイバの一端側は、前記SOI基板に対するエッチング処理で一方の導電層を除去することで形成されたガイド溝(23、24)に支持されていることを特徴としている。
前記各光ファイバの一端側は、前記SOI基板に対するエッチング処理で一方の導電層を除去することで形成されたガイド溝(23、24)に支持されていることを特徴としている。
また、本発明の請求項5の光アッテネータは、請求項3または請求項4記載の光アッテネータにおいて、
前記駆動手段は、前記回動板の他端側の一方の導電層と、前記回動板の他端側近傍の前記基板の内縁の他方の導電層との間に印加した電圧によって生じる吸引力で、前記回動板を回動させることを特徴としている。
前記駆動手段は、前記回動板の他端側の一方の導電層と、前記回動板の他端側近傍の前記基板の内縁の他方の導電層との間に印加した電圧によって生じる吸引力で、前記回動板を回動させることを特徴としている。
また、本発明の請求項6の光アッテネータは、請求項5記載の光アッテネータにおいて、
前記駆動手段は、前記回動板の他端側で一方の導電層により櫛歯状に形成された複数の突起(32c)と、前記基板の内縁で他方の導電層により櫛歯状に形成され、前記回動板の他端側の複数の突起の間にそれぞれ隙間を持って入り込むように形成された複数の突起(27)とを有していることを特徴としている。
前記駆動手段は、前記回動板の他端側で一方の導電層により櫛歯状に形成された複数の突起(32c)と、前記基板の内縁で他方の導電層により櫛歯状に形成され、前記回動板の他端側の複数の突起の間にそれぞれ隙間を持って入り込むように形成された複数の突起(27)とを有していることを特徴としている。
このように、本発明の光アッテネータでは、入出射光軸を一致させた状態の第1、第2光ファイバの先端の間に遮光板を進退させて光ファイバ間の光伝達量を可変する光アッテネータであって、遮光板駆動用のアクチュエータを、基板の穴内に配置され、両光ファイバの先端間方向に延びた一端側に遮光板が一体的に形成された回動板と、その回動板の中間部と基板の内縁間を連結して回動自在に支持する軸と、回動板の他端側に回動力を与えて遮光板を両光ファイバの先端間に進退させる駆動手段とにより構成している。
このように、遮光板の位置で両光ファイバ間の光伝達量を可変する構造であるので、高精度のレンズを必要とせず、低コストに製造できる。
また、前記した従来装置のようなミラーによる定常損失は存在せず、ほぼ減衰量ゼロの状態から完全遮光状態(オフ状態)まで光ファイバ間の減衰量を可変することができ、高いS/Nが要求される測定等にも使用することができる。
また、回動板の一端側に要求される回動ストロークは、両光ファイバのビーム幅とほぼ等しくて済み、しかも、他端側の駆動ストロークは軸から一端までの距離に対して軸から他端側までの距離を小さくすることで、さらに小さくできるので、少ない駆動力で前記した広い範囲の減衰量を得ることができる。
また、回動板の一端側に遮蔽板を形成し、他端側を駆動する構造であるので、軸の両端のモーメントをバランスさせておくことで、振動などの外部の力による回動を防止でき、安定な動作が可能となる。
また、基板、遮蔽板およびアクチュエータは、絶縁層を導電層で挟んだ3層構造のSOI基板に対するエッチング処理によって一体的に形成されているので、製造が容易でさらに低コスト化できる。
また、両光ファイバの一端側は、SOI基板に対するエッチング処理で一方の導電層を除去することで形成されたガイド溝に支持されているので、その溝の底の高さ位置が絶縁層の表面位置で規定される。このため、ガイド溝に支持される両光ファイバの基板厚さ方向の位置のバラツキがなく、光ファイバの光軸ずれが少なく光軸合わせが容易である。
さらに、回動板の他端側で一方の導電層により形成された櫛歯状の突起と、基板の内縁で他方の導電層により形成された櫛歯状の突起との間に電圧を印加して回動板を回動させるので、低い電圧で大きな力を回動板に与えることができ、駆動電源が簡単になる。
以下、図面に基づいて本発明の実施の形態を説明する。
図1〜図4は、本発明を適用した光アッテネータ20の構成を示している。
図1〜図4は、本発明を適用した光アッテネータ20の構成を示している。
図1、図2に示しているように、この光アッテネータ20は、後述の光ファイバF1、F2を除いて、例えばSiO2の絶縁層100aを、高い導電性を有するシリコン(Si)の導電層100b、100cで挟んだ3層構造のSOI基板に対するエッチング処理により、枠状の基板21、遮蔽板30およびアクチュエータ31が一体的に形成されている。なお、遮蔽板30の遮蔽機能(非透過性能)を向上させるために、少なくとも遮蔽板30の表面にクロム(Cr)と金(Au)を蒸着する方法も有効である。
基板21は外形がほぼ正方形で、上板21a、下板21b、左板21cおよび右板21dにより矩形枠状に形成され、中央に横長の長方形の穴22が同心に形成されている。
基板21の上板21a、下板21bの上層側(導電層100b側)には、2本の光ファイバF1、F2をそれぞれ受け入れて、その一端側を、基板表面に沿って穴22の右部まで導くガイド溝23、24が穴22を挟んで一直線上に並ぶように形成されている。
ガイド溝23、24は、図4に示しているように、光ファイバF1、F2の径より僅かに広い幅と、導電層100bの層厚に等しい深さを有する矩形溝であり、導電層100bの厚さは、例えば光ファイバF1、F2のコア径より大きく外径とほぼ等しくなるように設定されている。したがって、光ファイバF1、F2の先端側の外周は基板21の絶縁層100aの表面に接し、各入出射光軸はガイド溝23、24の深さのほぼ1/2の位置を通過することになる。
したがって、ガイド溝23、24にガイドされた光ファイバF1、F2の先端側の入出射光軸は一致している。
光ファイバF1、F2の先端間には、後述する遮蔽板30が進退自在に配置されている。
一方、穴22の左側には、光ファイバF1、F2の先端間に遮蔽板30を進退させ、光ファイバF1、F2の間の光伝達量を可変させるアクチュエータ31が形成されている。
アクチュエータ31は、穴22の左部側に配置され、外形が横向きT字型の回動板32と、回動板32の横板部32aの中間部上縁から基板21の上板21aの内縁まで直交するように延び長手方向に捩れ変形自在な軸33と、軸33と一直線上に並び、回動板32の横板部32aの中間部下縁から基板21の下板21bの内縁まで延び長手方向に捩れ変形自在な軸34とを有しており、この1対の軸33、34によって回動板32を穴22の内側で回動自在に支持している。
回動板32の横板部32aの右端側は光ファイバF1、F2の先端間方向に延びており、遮蔽板30は、その遮蔽面30a、30bが回動板32の厚さ方向に平行となる向き(軸33、34と直交する向き)で、横板部32aの右端中央から光ファイバF1、F2の入出射光軸と交差する位置まで延びている。遮蔽板30の幅(導電層100bの厚さ)は光ファイバF1、F2のビーム幅より広く設定されている。
また、回動板32の横板部32aの左端側で横板部32aと直交する縦板部32bの左縁には、櫛歯状に複数の突起32cが所定間隔で形成されている。
また、基板21の左板21cの内縁下層部(導電層100c)には、回動板32の各突起32cと同一間隔で、各突起32cを隙間のある状態で受け入れる櫛歯状の複数の突起27が形成されている。
回動板32側の各突起32cと基板21側の各突起27は、所謂櫛歯電極を形成し、後述する駆動回路40とともに、回動板32に回動力を与えるための駆動手段を構成している。
即ち、図3に示しているように、上記した突起32cを含む回動板32、軸33、34は、基板21の上層部とともに導電層100bで形成され、基板21の下層部に形成された突起27は導電層100cで形成されており、両導電層100b、100cは、絶縁層100aによって絶縁されている。
したがって、図5の(a)に示しているように、基板21の上面側(導電層100b)と下面側(導電層100c)との間に直流電圧を印加できる駆動回路40を設け、その印直流電圧Vを0にした場合には、突起27、32c間に吸引力が発生せず、回動板32は基板21と平行な状態で静止していて、図6の(a)に示すように、右端側の遮蔽板30の中心が光ファイバF1、F2の光軸と交わる位置に進入した状態となる。このため、例えば光ファイバF1から出射された光P1が全て遮蔽板30で遮られて光ファイバF2に伝達されない状態(減衰量最大)となる。
また、図5の(b)に示しているように、駆動回路40から0より高い所定の直流電圧V1を印加すれば、突起27、32a間に静電的な吸引力が生じ、回動板32は軸33、34を中心にしてその左部が下層側に近づく方向に回動することになり、右端側の遮蔽板30が、基板21の上層部から突出する方向に所定距離移動して、例えば図6の(b)のように、遮蔽板30のエッジが光ファイバF1、F2の光軸と交わる位置で停止した状態となる。
このため、例えば光ファイバF1から出射された光P1のほぼ半分の電力の光P1′が光ファイバF2に伝達されることになる。
また、図5の(c)に示しているように、駆動回路40からV1よりさらに高い所定の直流電圧V2を印加すれば、回動板32はより大きく回動して、例えば図6の(c)のように、遮蔽板30がビーム幅と交わらない位置で停止した状態となる。
このため、例えば光ファイバF1から出射された光P1のほぼ全部が光ファイバF2に入射され、減衰量がほぼゼロの状態で光ファイバF2に伝達されることになる。
なお、回動板32の横板部32a、縦板部32bおよび突起32cの幅、長さは、軸33、34の両端の回転モーメントがバランスするように設定されている。
次に、上記構成の光アッテネータの製造方法について簡単に説明する。
始めに、図7の(a)のように、SOI基板100の導電層100bの表面のうち、穴22とガイド溝23、24を除く基板21の上層部、回動板32、軸33、34の各形成部分をマスク101で覆い、図7の(b)のように、ICP−RIEエッチング処理を行う。この処理により前記したガイド溝23、24が形成される。
始めに、図7の(a)のように、SOI基板100の導電層100bの表面のうち、穴22とガイド溝23、24を除く基板21の上層部、回動板32、軸33、34の各形成部分をマスク101で覆い、図7の(b)のように、ICP−RIEエッチング処理を行う。この処理により前記したガイド溝23、24が形成される。
次に、図7の(c)のように、SOI基板100の導電層100cの表面のうち、穴22を除く基板21の下層部、突起27の各形成部分をマスク102で覆い、図7の(d)のように、ICP−RIEエッチング処理を行う。
さらに、図7の(e)のように、表面に漏出している絶縁層100aをエッチング処理により除去して、前記した光アッテネータ20の光ファイバF1、F2を除く主要部を完成させ、最後に、光ファイバF1、F2をガイド溝23、24に固定することで上記光アッテネータ20が完成する。
このように、実施形態の光アッテネータ20は、遮光板30の位置で両光ファイバF1、F2間の光伝達量を可変する構造であるので、高精度のレンズを必要とせず、低コストに製造できる。
また、前記した従来装置のようなミラーによる定常損失は存在せず、ほぼ減衰量ゼロの状態から完全遮光状態(オフ状態)まで光ファイバF1、F2間の減衰量を可変することができ、高いS/Nが要求される測定等にも使用することができる。
また、回動板32の一端側に要求される回動ストロークは、両光ファイバF1、F2のビーム幅とほぼ等しくて済み、しかも、他端側の駆動ストロークは軸33、34から一端までの距離に対して軸から他端側までの距離を小さくすることで、さらに小さくできるので、少ない駆動力で前記した広い範囲の減衰量を得ることができる。
また、回動板32の一端側に遮蔽板30を形成し、他端側を駆動する構造であるので、軸33、34の両端のモーメントをバランスさせておくことで、振動などの外部の力による回動を防止でき、安定な動作が可能となる。
また、基板21、遮蔽板30およびアクチュエータ31は、絶縁層100aを導電層100b、100cで挟んだ3層構造のSOI基板に対するエッチング処理によって一体的に形成されているので、製造が容易でさらに低コスト化できる。
また、両光ファイバF1、F2の一端側は、SOI基板に対するエッチング処理で一方の導電層を除去することで形成されたガイド溝23、24に支持されているので、その溝の底の高さ位置が絶縁層の表面位置で規定される。このため、ガイド溝23、24に支持される両光ファイバF1、F2の基板厚さ方向の位置のバラツキがなく、光ファイバの光軸ずれが少なく光軸合わせが容易である。
さらに、回動板32の他端側で一方の導電層により形成された櫛歯状の突起32cと、基板21の内縁で他方の導電層により形成された櫛歯状の突起27との間に電圧を印加して回動板32を回動させるので、低い電圧で大きな力を回動板に与えることができ、駆動電源が簡単になる。
なお、上記実施形態では、光ファイバF1、F2の共通の光軸に対して、遮蔽板30の遮蔽面30a、30bが直交するように形成していたが、遮蔽面30a、30bの反射率が高い場合、光ファイバから出射されて一方の遮蔽面で反射した光が光ファイバに戻って光ファイバの他端側の光学系に悪影響を与える場合がある。この場合には、光ファイバF1、F2の共通の光軸と遮蔽面30a、30bとを非直交状態にすればよい。
例えば図8に示すように、光ファイバF1、F2(ガイド溝23、24)が軸33、34に対して傾いた状態で支持する構造、あるいは、図9に示すように遮蔽板30自体が傾いた構造にしてもよい。また、遮蔽板30は、遮蔽面30a、30bが平行な平板状である必要はなく、例えば回動板32の一端側から三角状に突出する形状にして、遮蔽面30a、30bが光ファイバF1、F2の共通の光軸に対して非直交で且つそれぞれ異なる角度で交わるようにしてもよい。
また、前記実施形態では、回動板32および遮蔽板30を同一の導電層100bで形成していたが、図10のように、回動板32を一方の導電層(図10では導電層100c)で形成し、基板21側の突起27と遮蔽板30を他方の導電層(図10では100b)で形成してもよい。
また、前記説明では光アッテネータとして説明したが、減衰量最大の状態と最小の状態とを切り換えることで、光スイッチとして機能させることもできる。
20……光アッテネータ、21……基板、22……穴、23、24……ガイド溝、27……突起、30……遮蔽板、31……アクチュエータ、32……回動板、32a……横板部、32b……縦板部、32c……突起、33、34……軸、40……駆動回路、100……SOI基板、100a……絶縁層、100b、100c……導電層、F1、F2……光ファイバ
Claims (6)
- 内側に穴(22)が形成された枠状の基板(21)と、
前記基板の一面側で前記穴を挟んで互いの一端側が対向するように支持され、それぞれの一端側の入出射光軸が一致する第1光ファイバ(F1)および第2ファイバ(F2)と、
光を遮断する遮光板(30)と、
前記穴内で前記第1光ファイバの先端と第2光ファイバの先端との間に前記遮光板を進退させ、前記第1光ファイバと前記第2光ファイバとの間の光伝達量を変化させるアクチュエータ(31)とを有する光アッテネータであって、
前記アクチュエータは、
前記基板の穴内に配置され、前記第1光ファイバの先端と第2光ファイバの先端との間に向かって延びた一端側に前記遮光板が一体的に形成された回動板(32)と、
長手方向に捩れ変形自在で前記基板の内縁から前記回動板の中間部外縁まで延びて、前記回動板を回動自在に支持する一対の軸(33、34)と、
前記回動板の他端側に該回動板を回動させる方向の力を与えて、前記一端側の遮光板を前記前記第1光ファイバの先端と第2光ファイバの先端との間に進退させる駆動手段(27、32c、40)とを有していることを特徴とする光アッテネータ。 - 前記遮光板は、前記第1光ファイバおよび第2光ファイバの入出射光軸に非直交の面で光を遮光することを特徴とする請求項1記載の光アッテネータ。
- 前記基板、アクチュエータおよび遮光板は、絶縁層(100a)を導電層(100b、100c)で挟んだ3層構造のSOI基板に対するエッチング処理によって一体的に形成されていることを特徴とする請求項1または請求項2記載の光アッテネータ。
- 前記各光ファイバの一端側は、前記SOI基板に対するエッチング処理で一方の導電層を除去することで形成されたガイド溝(23、24)に支持されていることを特徴とする請求項3記載の光アッテネータ。
- 前記駆動手段は、前記回動板の他端側の一方の導電層と、前記回動板の他端側近傍の前記基板の内縁の他方の導電層との間に印加した電圧によって生じる吸引力で、前記回動板を回動させることを特徴とする請求項3または請求項4記載の光アッテネータ。
- 前記駆動手段は、前記回動板の他端側で一方の導電層により櫛歯状に形成された複数の突起(32c)と、前記基板の内縁で他方の導電層により櫛歯状に形成され、前記回動板の他端側の複数の突起の間にそれぞれ隙間を持って入り込むように形成された複数の突起(27)とを有していることを特徴とする請求項5記載の光アッテネータ。
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- 2005-08-29 JP JP2005247487A patent/JP2007065035A/ja active Pending
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