JP2007062214A - 色素、光記録材料及び光記録媒体 - Google Patents

Abstract

【課題】 十分に高い変調度を有する光記録媒体が得られる色素、光記録材料及び十分に高い変調度を有する光記録媒体を提供する。
【解決手段】 本実施形態の色素は、光記録ディスク１の記録層３に含有されている。この光記録ディスク１では、４００〜４２０ｎｍの波長域における所定の波長λ_Ｌを有する光を照射することにより情報の記録が可能である。この色素の各波長に対する吸収スペクトルは、所定の波長λ_Ｌよりも短波長側の最も近くに位置する第１のピークＰ_１と、所定の波長λ_Ｌよりも長波長側の最も近くに位置する第２のピークＰ_２とを有する。ピークＰ_１の半値幅ＷのうちピークＰ_１が極大となる波長λ_１よりも長波長側の部分Ｄは、６０ｎｍ以下である。
【選択図】 図１

Description

本発明は、色素、光記録材料及び光記録媒体に関する。

光記録媒体としてはすでに、ＣＤ−Ｒ（追記型ＣＤ）やＤＶＤ−Ｒ（追記型ＤＶＤ）等の光記録ディスクが広く普及しているが、記録密度のさらなる高密度化のため、その記録・再生光の短波長化が進められている。近年特に、波長４０５ｎｍのレーザ光を用いて記録・再生を行う光記録媒体が注目されている。波長４０５ｎｍの短波長レーザ光を用いて記録・再生を行う光記録媒体では、例えば、ナフタロシアニン誘導体又はフタロシアニン誘導体等の色素を含有する光記録材料を使用することが知られている（特許文献１〜３参照）。
特開２０００−２２８０２８号公報 国際公開第０１／７４６００号パンフレット 国際公開第０２／１０２５９８号パンフレット

しかしながら、上述のような色素を用いた光記録媒体では十分に高い変調度が得られず、光記録媒体としての特性が不十分であった。

本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであり、十分に高い変調度を有する光記録媒体が得られる色素、光記録材料及び十分に高い変調度を有する光記録媒体を提供することを目的とする。

上述の課題を解決するため、本発明の色素は、４００〜４２０ｎｍの波長域における所定の波長を有する光を照射することにより情報の記録が可能な光記録媒体の記録層に含有されており、当該色素の各波長に対する吸収スペクトルが、前記所定の波長よりも短波長側の最も近くに位置する第１のピークと、前記所定の波長よりも長波長側の最も近くに位置する第２のピークとを有し、前記第１のピークの半値幅のうち前記第１のピークが極大となる波長よりも長波長側の部分が６０ｎｍ以下である。

ここで、「各波長に対する吸収スペクトル」は、例えば、色素を溶媒（塩化メチレン）に溶解させて得られる溶液の吸光度を、ＵＶ−ＶＩＳ吸収スペクトル測定装置（ＵＶ３１０１ＰＣ＋ＭＰＣ３１００、株式会社島津製作所製）を用いて測定することによって得られる。測定条件としては、スリット幅を２０ｎｍ、スキャンスピードを５ｎｍ／ｓｅｃとする。

また、「ピーク」とは、半値幅が２００ｎｍ以下のものをいう。また、ピークの位置は、ピークが極大となる波長により決定される。

本発明の色素では、吸収スペクトルにおいて第１のピークの半値幅のうち第１のピークが極大となる波長よりも長波長側の部分が６０ｎｍ以下であるため、光記録媒体において十分に高い変調度が得られる。この部分が６０ｎｍを超えると、所定の波長における色素の屈折率が小さくなってしまうため、変調度が低下してしまう。

また、前記第１のピークが極大となる波長が、前記所定の波長から３０ｎｍ以上離れていると好ましい。この波長が所定の波長から３０ｎｍ未満の位置にあると、光記録媒体において反射率が低下する傾向にある。

また、上記色素は、サブフタロシアニン誘導体であることが好ましい。この場合、光記録媒体においてより十分に高い変調度が得られる。

本発明の光記録材料は、本発明の色素を含有する。この光記録材料では、光記録媒体において十分に高い変調度が得られる。

本発明の光記録媒体は、本発明の色素を含有する記録層を備える。この光記録媒体では、十分に高い変調度が得られる。

本発明によれば、十分に高い変調度を有する光記録媒体が得られる色素、光記録材料及び十分に高い変調度を有する光記録媒体が提供される。

以下、添付図面を参照しながら本発明の実施形態を詳細に説明する。なお、図面の説明において、同一又は同等の要素には同一符号を用い、重複する説明を省略する。

（色素）
本実施形態に係る色素は、光記録媒体の記録層に含有されている。この光記録媒体では、４００〜４２０ｎｍの波長域における所定の波長λ_Ｌを有する光を照射することにより情報の記録が可能である。所定の波長λ_Ｌは、例えば４０５ｎｍである。

図１は、本実施形態に係る色素の各波長に対する吸収スペクトルを模式的に示すグラフである。図１に示されるスペクトルは、所定の波長λ_Ｌよりも短波長側の最も近くに位置する第１のピークＰ_１と、所定の波長λ_Ｌよりも長波長側の最も近くに位置する第２のピークＰ_２とを有する。また、ピークＰ_１の半値幅ＷのうちピークＰ_１が極大となる波長λ_１よりも長波長側の部分Ｄが６０ｎｍ以下である。部分Ｄは、特に下限値はないが、通常２０ｎｍ以上であることが実用上好ましい。であることが好ましい。

本実施形態に係る色素では、吸収スペクトルにおいて半値幅Ｗにおける所定の部分Ｄが６０ｎｍ以下であるため、光記録媒体において十分に高い変調度が得られる。この部分Ｄが６０ｎｍを超えると、所定の波長λ_Ｌにおける色素の屈折率が小さくなってしまうため、変調度が低下してしまう。

本実施形態に係る色素が、例えば、ベンゼン環、ナフタレン環等の芳香環を有する化合物、キリノン環、イミダゾール環等の複素環を有する化合物である場合、３５０ｎｍ以下にピークＰ_１を有する。この場合、色素を構成する化合物における芳香環及び複素環の種類及び数等を変えることによって、部分Ｄの長さを制御することができる。例えば、色素を構成する化合物における芳香環及び複素環の種類をなるべく同じにすることにより、部分Ｄを短くすることができる。

また、このような色素では、従来の色素のように色素を構成する分子の共役長を短くする必要がないので、分子自体が低分子化合物にならない。したがって、結晶性の向上を抑制することができるので、光記録媒体に適したアモルファス状態の色素が容易に得られる。このように、本実施形態に係る色素を用いることにより、材料設計の自由度が向上する。

また、ピークＰ_１が極大となる波長λ_１は、所定の波長λ_Ｌから３０ｎｍ以上１００ｎｍ以下離れていることが好ましい。波長λ_１が、所定の波長λ_Ｌから３０ｎｍ未満の位置にあると、光記録媒体において反射率が低下してしまう。波長λ_１が、所定の波長λ_Ｌから１００ｎｍを超えた位置にあると、屈折率の低下が大きくなり、光記録媒体を構成した際に必要な変調度を得ることが困難になる傾向がある。

一方、ピークＰ_２が極大となる波長λ_２は、４５０〜７５０ｎｍの波長域に位置していることが好ましい。

また、上記色素は、サブフタロシアニン誘導体であることが好ましい。この場合、光記録媒体においてより十分に高い変調度が得られる。また、例えば、サブフタロシアニン誘導体における３つの骨格を同一構造にすることにより、部分Ｄを短くすることができる。ピークＰ_１，Ｐ_２の位置は、例えば、サブフタロシアニン誘導体の置換基の種類、位置等を変えることによってシフトする。置換基の種類は特に制限されないが、例えば、ニトロ基、アミノ基、アルキルアミノ基、フェノール基、フェニル基、イミダゾール基等を好適に用いることができる。

上記色素は、サブナフタロシアニン系色素又はシアニン系色素であってもよい。この場合、例えば、サブナフタロシアニン誘導体における３つの骨格を同一構造にすることにより、部分Ｄを短くすることができる。ピークＰ_１，Ｐ_２の位置は、例えば、置換基の導入、置換基の導入位置の変更、メチン鎖の共役長の変更等の方法によって制御され得る。

上記色素は、金属錯体であってもよい。この場合、例えば、構造異性体が少なくなるように配位子を設計することにより、部分Ｄを短くすることができる。ピークＰ_１，Ｐ_２の位置は、例えば、置換基の種類、導入位置等を変更することにより制御することができる。特に、電子吸引基、電子供与基の種類とその導入位置とを調整することにより、効果的に制御することができる。

サブフタロシアニン誘導体としては、下記一般式（１）で表される構造を有するものが挙げられる。

式（１）において、Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３、Ｒ^４、Ｒ^５、Ｒ^６、Ｒ^７、Ｒ^８、Ｒ^９、Ｒ^１０、Ｒ^１１及びＲ^１２は、それぞれ独立に水素原子、ハロゲン原子、置換基を有していてもよいアルキル基、置換基を有していてもよいアルコキシ基、置換基を有していてもよいアルキルチオ基、置換基を有していてもよいアリール基、置換基を有していてもよいアリールオキシ基、置換基を有していてもよいアリールチオ基、置換基を有していてもよいアミノ基若しくはニトロ基、又は隣接する置換基と結合して置換基を有していてもよい環を形成している基を示す。

式（１）のＲ^１〜Ｒ^１２がハロゲン原子である場合、フッ素原子又は塩素原子であることが好ましい。

Ｒ^１〜Ｒ^１２が置換基を有していてもよいアルキル基である場合、その置換基ひとつあたりの炭素数は１〜１５であることが好ましく、１〜１２であることがより好ましく、１〜１０であること更に好ましい。アルキル基は直鎖状であっても分岐状であってもよいが、分岐状であることが好ましい。分岐アルキル基であるとき、その総炭素数は３〜８であることが好ましい。あるいは、Ｒ^１〜Ｒ^１２はシクロアルキル基であってもよい。アルキル基は置換基を有していてもよく、例えば、ハロゲン原子や、メトキシ基及びエトキシ基のようなアルコキシ基で置換されていてもよい。

アルキル基の具体例としては、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｉｓｏ−プロピル基、ｎ−ブチル基、ｉｓｏ−ブチル基、ｓ−ブチル基、ｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｉｓｏ−ペンチル基、ｎｅｏ−ペンチル基、１，２−ジメチルプロピル基、ｎ−ヘキシル基、シクロヘキシル基、１，３−ジメチルブチル基、１−ｉｓｏ−プロピルプロピル基、１，２−ジメチルブチル基、２−エチルブチル基、ｎ−ヘプチル基、１，４−ジメチルペンチル基、２−メチル−１−ｉｓｏ−プロピルプロピル基、１−エチル−３−メチルブチル基、ｎ−オクチル基、２−エチルヘキシル基、３−メチル−１−ｉｓｏ−プロピルブチル基、２−メチル−１−ｉｓｏ−プロピルブチル基、１−ｔ−ブチル−２−メチルプロピル基、ｎ−ノニル基、メトキシメチル基、メトキシエチル基、エトキシエチル基、プロポシキエチル基、ブトキシエチル基、メトキシエトキシエチル基、エトキシエトキシエチル基ｓ、ジメトキシメチル基、ジエトキシメチル基、ジメトキシエチル基、ジエトキエシエチル基、クロロメチル基、２，２，２−トリクロロエチル基、トリフルオロメチル基及び１，１，１，３，３，３−ヘキサフルオロ−２−プロピル基が挙げられる。これらの中でも、メチル基が特に好ましい。

Ｒ^１〜Ｒ^１２が置換基を有していてもよいアルコキシ基である場合、そのアルキル部分の総炭素数は１〜１５であることが好ましく、１〜１２であることがより好ましく、３〜１２であることが更に好ましい。アルキル部分は、総炭素数３〜８の分岐アルキル基、又は、置換基（好ましくは炭素数１〜６の直鎖若しくは分岐アルキル基）を有するシクロアルキル基であることがより好ましい。このシクロアルキル基は、特に、オキシ基と結合する炭素原子と隣接する位置に置換基（好ましくは総炭素数３〜６の分岐アルキル基）を有することが好ましい。また、シクロアルキル基としては、シクロヘキシル基が好ましい。

アルコキシ基の具体例としては、メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、ｉｓｏ−プロポキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｉｓｏ−ブトキシ基、ｓ−ブトキシ基、ｔ−ブトキシ基、１，３−ジメチルブトキシ基、３−メチル−１−ｉｓｏ−プロピルブトキシ基、２−メチル−１−ｉｓｏ−プロピルプロポキシ基、２−エチルブトキシ基、シクロヘキシルオキシ基、２−ｔ−ブチルシクロヘキシルオキシ基、２−ｔ−ブチル−６−メチルシクロヘキシルオキシ基及び２，６−ジメチルシクロヘキシルオキシ基が挙げられる。これらの中でも、メトキシ基が特に好ましい。

Ｒ^１〜Ｒ^１２が置換基を有していてもよいアルキルチオ基である場合、そのアルキル部分としては、上記アルコキシ基のアルキル部分として挙げたものと同様のものが挙げられ、好ましいものも同様である。アルキルチオ基の具体例としては、メチルチオ基、エチルチオ基、プロピルチオ基、ｉｓｏ−プロピルチオ基、ｎ−ブチルチオ基、ｉｓｏ−ブチルチオ基、ｓ−ブチルチオ基、ｔ−ブチルチオ基、シクロヘキシルチオ基及び２−ｔ−ブチルシクロヘキシルチオ基が挙げられる。これらの中でも、ｉｓｏ−プロピルチオ基、ｉｓｏ−ブチルチオ基、ｓ−ブチルチオ基、ｔ−ブチルチオ基及び２−ｔ−ブチルシクロヘキシルチオ基が好ましい。

Ｒ^１〜Ｒ^１２が置換基を有していてもよいアリール基である場合、フェニル基が好ましい。

Ｒ^１〜Ｒ^１２が置換基を有していてもよいアリールオキシ基である場合、そのアリール部分の総炭素数は６〜１４であることが好ましい。アリール部分は単環であっても、縮合多環であっても、環縮合であってもよい。アリール部分の具体例としては、フェニル基、ナフチル基及びビフェニル基が挙げられる。アリールオキシ基は、ハロゲン原子及びアルキル基等の置換基を有していてもよい。特に、オキシ基との結合位に対してオルト位に置換基を有するフェニル基が好ましい。アリール部分が有する置換基としては、総炭素数１〜６の直鎖若しくは分岐アルキル基が好ましい。

アリールオキシ基の具体例としては、フェノキシ基、ｏ−トリルオキシ基、２−エチルフェニルオキシ基、２−ｎ−プロピルフェニルオキシ基、２−ｉｓｏ−プロピルフェニルオキシ基、２−ｎ−ブチルフェニルオキシ基、２−ｉｓｏ−ブチルフェニルオキシ基、２−ｓ−ブチルフェニルオキシ基、２−ｔ−ブチルフェニルオキシ基、２，４−ジ−ｔ−ブチルフェニルオキシ基、２−ｔ−ブチル−６−メチルフェニルオキシ基、２，６−ジ−ｔ−ブチルフェニルオキシ基、２，４，６−トリ−ｔ−ブチルフェニルオキシ基、２−ｔ−ブチル−４−クロロ−５−メチルフェニルオキシ基、２，６−ジメチルフェニルオキシ基、３−ｔ−ブチルフェニルオキシ基、３−ｉｓｏ−プロピルフェニルオキシ基、４−ｔ−ブチルフェニルオキシ基、２−ブロモフェニルオキシ基及び２，３，４，５，６−ペンタフルオロフェニルオキシ基が挙げられる。これらの中でも、２−ｉｓｏ−プロピルフェニルオキシ基、２−ｉｓｏ−ブチルフェニルオキシ基、２−ｉｓｏ−ブチルフェニルオキシ基、２−ｓ−ブチルフェニルオキシ基、２−ｔ−ブチルフェニルオキシ基、２，４−ジ−ｔ−ブチルフェニルオキシ基、２−ｔ−ブチル−６−メチルフェニルオキシ基、２，６−ジ−ｔ−ブチルフェニルオキシ基、２，４，６−トリ−ｔ−ブチルフェニルオキシ基、２−ｔ−ブチル−４−クロロ−５−メチルフェニルオキシ基、２，６−ジメチルフェニルオキシ基、３−ｔ−ブチルフェニルオキシ基、２，６−ジメチルフェニルオキシ基、３−ｔ−ブチルフェニルオキシ基、３−ｉｓｏ−プロピルフェニルオキシ基及び４−ｔ−ブチルフェニルオキシ基が好ましい。

Ｒ^１〜Ｒ^１２が置換基を有していてもよいアリールチオ基である場合、そのアリール部分としては、上記アリールオキシ基のアリール部分として挙げたものと同様のものが挙げられ、好ましいものも同様である。アリールチオ基の具体例としては、フェニルチオ基、ｏ−トリルチオ基、２−エチルフェニルチオ基、２−ｎ−プロピルフェニルチオ基、２−ｉｓｏ−プロピルフェニルチオ基、２−ｎ−ブチルフェニルチオ基、２−ｉｓｏ−ブチルフェニルチオ基、２−ｓ−ブチルフェニルチオ基、２−ｔ−ブチルフェニルチオ基及び２，４−ジ−ｔ−ブチルフェニルチオ基などが挙げられる。これらの中でも、２−ｉｓｏ−プロピルフェニルチオ基、２−ｉｓｏ−ブチルフェニルチオ基、２−ｓ−ブチルフェニルチオ基、２−ｔ−ブチルフェニルチオ基及び２，４−ジ−ｔ−ブチルフェニルチオ基が好ましい。

Ｒ^１〜Ｒ^１２が置換基を有していてもよいアミノ基である場合、アミノ基が有する置換基としてはアルキル基が好ましい。この場合のアルキル基の好適な具体例としては、Ｒ^１〜Ｒ^１２が置換基を有していてもよいアルキル基である場合についての上記説明において挙げたものと同様のもの挙げられる。

Ｒ^１〜Ｒ^１２が、隣接する置換基と結合して置換基を有していてもよい環を形成している基である場合、すなわち、Ｒ^１及びＲ^２、Ｒ^２及びＲ^３、Ｒ^３及びＲ^４、Ｒ^５及びＲ^６、Ｒ^６及びＲ^７、Ｒ^７及びＲ^８、Ｒ^９及びＲ^１０、Ｒ^１０及びＲ^１１、並びにＲ^１１及びＲ^１２から選ばれるいずれかの組み合わせにおける２つの置換基が互いに結合して置換基を有していてもよい環を形成している場合、環としては炭化水素環（好ましくはベンゼン環）又は含窒素複素環（好ましくはイミダゾール環）が好ましい。この環は、サブフタロシアニンの母体骨格中のベンゼン環とともに縮合環を形成していることが好ましい。

Ｒ^１〜Ｒ^１２は互いに同一でも異なっていてもよいが、これらのうちの少なくとも１つは、ハロゲン原子、置換基を有していてもよいアルキル基、置換基を有していてもよいアルコキシ基、置換基を有していてもよいアルキルチオ基、置換基を有していてもよいアリール基、置換基を有していてもよいアリールオキシ基、置換基を有していてもよいアリールチオ基、置換基を有していてもよいアミノ基若しくはニトロ基、又は隣接する置換基と結合して置換基を有していてもよい環を形成している基である。特に、Ｒ^１〜Ｒ^１２が何れも水素原子である無置換体と比較したときの溶解性の向上効果がより大きくなる傾向があることから、Ｒ^１〜Ｒ^１２のうちの少なくとも１つが、置換基を有していてもよいアリール基、置換基を有していてもよいアミノ基又はニトロ基であることが好ましい。Ｒ^１〜Ｒ^１２の好適な組み合わせの具体例を、表１に示す。

式（１）において、Ｘはハロゲン原子、ヒドロキシ基、置換基を有していてもよいアルコキシ基、置換基を有していてもよいフェノキシ基、置換基を有していてもよいフェニル基又は置換基を有していてもよいアミノ基を示す。

Ｘがハロゲン原子である場合、臭素原子が好ましい。Ｘがアルコキシ基である場合、そのアルキル部分は総炭素数１〜８であることが好ましく、直鎖状であっても分岐状であってもよい。具体的には、メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、ｉｓｏ−プロポキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｉｓｏ−ブトキシ基、ｓ−ブトキシ基及びｔ−ブトキシ基が好ましい。Ｘがフェノキシ基である場合、無置換であることが好ましい。

式（１）の色素は、例えば、所定の置換基を有するフタロシアニンを塩化ホウ素と反応させる方法等の従来公知の方法に従って、当業者であれば容易に合成することが可能である。

サブナフタロシアニン系色素としては、サブナフタロシアニン、ニトロサブナフタロシアニン、アミノサブナフタロシアニン、ジエチルアミノサブナフタロシアニン等が挙げられる。

シアニン系色素としては、例えば下記一般式（２）で表される色素が挙げられる。

[式（２）中、Ｑ及びＱ’は置換基を有していてもよいインドレニン環、チアゾール環、オキサゾール環、キノリン環、イミダゾール環を示し、Ｑ及びＱ’は同一であっても異なっていてもよい。Ｙは炭素数１又は３のメチン鎖を示す。Ｚは対イオンを示し、金属錯体を形成していてもよい。アニオンとカチオンは塩形成体であってもよい。]

炭素数１又は３のメチン鎖としては、例えば、−ＣＨ＝、−ＣＨ＝ＣＨ−ＣＨ＝等が挙げられる。

金属錯体としては、例えば、少なくとも１つ以上の活性水素をもつアゾ化合物のキレート等が挙げられる。

（光記録材料）
本実施形態に係る光記録材料は、上述した本実施形態の色素を含有する。この光記録材料では、光記録媒体において十分に高い変調度が得られる。上述の色素は単独で、又はその他の成分と適宜組み合わせて、４００〜４２０ｎｍの光の照射により情報を記録するための光記録材料として好適に用いられる。

（光記録媒体）
図２は本発明の光記録媒体に係る光記録ディスクの好適な一実施形態を示す断面図である。図２に示す光記録ディスク１は、基板２の一面上（図中下側）に、反射層６、記録層３、誘電体層４及び光透過層５（光透過部材）がこの順で積層された積層構造を有する。光記録ディスク１は、追記型光記録ディスクであり、４００〜４２０ｎｍの短波長の光によって情報を記録及び再生するためのものである。光記録ディスク１は、特には、４０５ｎｍの青色レーザ光により記録及び再生が行われる、所謂ブルーレイディスクとして知られる光記録媒体として好適に用いられる。

基板２は、直径が６４〜２００ｍｍ程度、厚さが０．３〜１．６ｍｍ、好ましくは０．５〜１．３ｍｍ程度のディスク状の形状を有する。記録層３の基板２と反対側、すなわち光透過層５側からの光照射により情報の記録及びその再生が行われる。そのため、基板２は必ずしも光学的に透明である必要はない。具体的には、基板２を形成する材料としては、ポリカーボネート樹脂、ポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）等のアクリル系樹脂、ポリオレフィン樹脂等の各種プラスチック材料等が好適に用いられる。あるいは、ガラス、セラミックス、金属等を用いてもよい。

基板２の記録層３側の面には、溝状のグルーブＧと、隣り合うグルーブＧ同士の間で相対的に高くなっている（光透過層５側の光記録媒体表面に近くなっている）部分であるランドＬとを含む微細な凹凸パターンが形成されている。グルーブＧは、通常、スパイラル状に延びた溝として形成されている。グルーブＧの深さＧｄ（ランドＬの光透過層５側に最も突き出た部分からの深さ）は、好ましくは４０〜１５０ｎｍであり、より好ましくは６０〜１２０ｎｍである。グルーブＧの深さＧｄをこのような範囲とすることによって、十分なトラッキング制御が可能となり、クロストークを抑制できる。グルーブＧの深さＧｄが４０ｎｍ未満であると、トラック追従のために必要なトラッキングエラー信号が小さくなる他、クロストークの大きくなったり、ウォブル信号のようなプリフォーマット信号が小さくなったりする傾向がある。一方、深さＧｄが１５０ｎｍを超えると、ランドＬ及びグルーブＧを高精度で形成することが難しくなるために、反射信号の低下や感度の低下を招き得る。

グルーブ幅Ｇｗ（グルーブＧの底から深さＧｄの１／２の高さにおけるグルーブＧの幅）は、好ましくは１１０〜２１０ｎｍであり、より好ましくは１３０〜１９０ｎｍである。グルーブピッチＧｐ（隣り合うグルーブＧ同士の間隔、例えば、隣り合うグルーブＧの幅Ｇｗ方向における中心同士の間隔）は、例えば２９０〜３５０ｎｍであり、好ましくは３１０〜３３０ｎｍである。このような構成とすることによって、クロストークが十分に抑制される。

上記のような凹凸パターンが形成された基板２は、プラスチック材料を用いる場合には、射出成形することにより作製できる。プラスチック材料以外の材料を用いる場合には、例えば、フォトポリマー法（２Ｐ法）によって基板２が成形される。

基板２と記録層３との間に設けられている反射層６は、高反射率の金属又は合金から形成されることが好ましい。反射層６は、具体的には、金（Ａｕ）、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、銀（Ａｇ）、インジウム（Ｉｎ）、スズ（Ｓｎ）、亜鉛（Ｚｎ）及びこれらの少なくとも１種を含む合金から形成されることが好ましい。特に、Ａｇ又はＡｇを含む合金、例えば、ＡＩＳ（Ａｇ−Ｉｎ−Ｓｎ）を用いることが、適切な反射率が得られるため好ましい。反射率を適切な数値とするために、反射層６の厚さは０〜２００ｎｍであることが好ましい。すなわち、基板２と記録層３との組み合わせのみで充分な反射率が得られるならば、反射層を設ける必要はない。反射層６は、例えば、蒸着、スパッタ等の気相成長法を用いて形成することができる。

記録層３は、上述の色素を含有する光記録材料で形成されている。記録層３は、例えば、光記録材料を溶媒に溶解した光記録材料溶液を用いて形成される。光記録材料溶液の溶媒としては、アルコール、脂肪族炭化水素系溶媒、ケトン系溶媒、エステル系溶媒、エーテル系溶媒、芳香族系溶媒、ハロゲン化アルキル系溶媒等が挙げられる。これらの中でも、アルコール又は脂肪族炭化水素系溶媒を含む溶媒が好ましい。

アルコールとしては、フッ素化アルコール、アルコキシアルコール又はケトアルコールが好ましい。特に、ポリカーボネート基板上に記録層を形成する場合、フッ素化アルコールが好適である。

フッ素化アルコールとしては、１又は２以上のフッ素で置換されたアルキルアルコールが好ましく、特に、２，２，３，３−テトラフルオロプロパノール（ＴＦＰ）、２，２，３，３，４，４，５，５−オクタフルオロ−１−ペンタノール（ＯＦＰ）が好ましい。これらフッ素化アルコールは単独で又は複数種組み合わせて用いられる。また、他のアルコールと併用してもよい。

アルコキシアルコールは、アルコキシ部分の炭素数が１〜４であることが好ましく、かつ、アルコール部分の炭素数が１〜５、さらには２〜５であることが好ましい。また、アルコキシアルコールの総炭素数は３〜７であることが好ましい。アルコキシアルコールの具体例としては、エチレングリコールモノメチルエーテル（メチルセロソルブ）やエチレングリコールモノエチルエーテル（エチルセロソルブ、エトキシエタノールともいう）やブチルセロソルブ、２−イソプロポキシ−１−エタノール等のエチレングリコールモノアルキルエーテル（セロソルブ）や１−メトキシ−２−プロパノール、１−メトキシ−２−ブタノール、３−メトキシ−１−ブタノール、４−メトキシ−１−ブタノール、１−エトキシ−２−プロパノール等が挙げられる。ケトアルコールとしてはジアセトンアルコール等が挙げられる。

脂肪族炭化水素系溶媒としては、ｎ−ヘキサン、シクロヘキサン、メチルシクロヘキサン、エチルシクロヘキサン、シクロオクタン、ジメチルシクロヘキサン、ｎ−オクタン、ｉｓｏ−プロピルシクロヘキサン、ｔ−ブチルシクロヘキサンが好ましく、なかでもエチルシクロヘキサン、ジメチルシクロヘキサンが好ましい。また、ケトン系溶媒としてはシクロヘキサノンなどが挙げられる。

光記録材料溶液は、溶媒中に光記録材料を投入し、必要に応じて加熱しながら、超音波処理等してこれを溶解することにより、調製できる。光記録材料溶液における光記録材料の濃度は、光記録材料溶液全体を基準として０．１〜１０質量％であることが好ましい。光記録材料溶液は、光記録材料及び溶媒の他、必要に応じて、バインダー、分散剤、安定剤などを含有していてもよい。

光記録材料溶液を用いて記録層３を形成させる場合、光記録材料溶液からなる溶液層を基板２上に形成する工程の後、溶液層中の溶媒を除去して、光記録材料を含有する記録層３を形成させる。すなわち、光記録ディスク１は、色素を含有する光記録材料を溶媒に溶解した光記録材料溶液からなる溶液層を基板２上に形成させる工程と、溶液層中の溶媒を除去して記録層３を形成させる工程とを備える製造方法によって製造することができる。この製造方法によれば、色素が溶解性に優れるために高い生産効率で光記録媒体を製造できる。溶液層は、スピンコーティング法、グラビア塗布法、スプレーコート法、ディップコート法などの方法で基板２上に塗布することにより形成される。これらの中でも、スピンコート法が好ましい。

そして、溶液層を室温で放置するか又は必要に応じて加熱して乾燥することにより、溶媒の一部が除去される。このとき、記録層３中には、記録層３全体の３質量％以下程度（好ましくは０．０５〜２質量％）のフッ素化アルコール等の溶媒を残存させるように加熱することが好ましい。上記の範囲で、記録層３中にフッ素化アルコール等の溶媒を残存させることにより、記録層３が適度な粘性（流動性）を有するものとなる。これにより、光記録媒体を取り扱う際に生じる微小な曲がりとともに記録層３が変形しても、記録層３は光記録媒体の曲がりが回復した際に粘性によって自己回復し、記録機能が維持される。記録層３全体の３質量％以上の溶媒が残留していた場合、色素の分子が移動しやすくなり、部分的な結晶化が生じやすくなる傾向にある。また、記録層３中からフッ素化アルコール等の溶媒が完全に除去された場合、記録層３の粘性が著しく低くなり、上記の自己回復機能が損なわれる傾向にある。

記録層３の厚さは、５〜１００ｎｍであることが好ましい。特に３０〜７０ｎｍとすると、変調度と反射率とのバランスが良くなるため、より好ましい。この範囲外では、反射率が低下して、再生を行うことが困難となる傾向にある。また、グルーブ２３に隣接する部分における記録層３の膜厚が１００ｎｍを超えると、変調度と反射率とのバランスが悪化する傾向にある。

記録層３の記録光及び再生光に対する消衰係数（複素屈折率の虚部ｋ）は、０〜０．２０であることが好ましい。消衰係数が０．２０を超えると十分な反射率が得られない傾向にある。また、記録層３の屈折率（複素屈折率の実部ｎ）は１．８以上であることが好ましい。屈折率が１．８未満の場合、信号の変調度が小さくなる傾向にある。

記録層３上には、誘電体層４が記録層３に密着して設けられている。誘電体層４は、記録層３を機械的、化学的に保護する保護層としての機能とともに、光学特性を調整する干渉層としての機能を有する。誘電体層４は記録層３の記録光及び再生光が入射する側に位置するため、４００〜４２０ｎｍの波長の記録再生レーザ光を透過させることが必要である。

誘電体層４に用いられる材料としては、例えば、Ｓｉ、Ｚｎ、Ａｌ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｃｏ、Ｚｒ、Ｐｂ、Ａｇ、Ｚｎ、Ｓｎ、Ｃａ、Ｃｅ、Ｖ、Ｃｕ、Ｆｅ及びＭｇからなる群より選ばれる少なくとも１種の金属の酸化物、窒化物、硫化物、フッ化物又はこれらの複合物が好適に用いられる。特に、光透過能の観点から、ＺｎＳ−ＳｉＯ_２、ＡｌＮ、Ｔａ_２Ｏ_３等が好ましい。これら誘電体層４は単層であってもよいし、複数の層を有していてもよい。誘電体層４は、例えば、イオンビームスパッタリング法、リアクティブスパッタリング法、ＲＦスパッタリング法等の気相成長法によって形成することができる。

誘電体層４の厚さは、１〜１００ｎｍ程度が好ましく、２〜１０ｎｍがより好ましい。誘電体層４の厚さが１ｎｍ未満であると、光透過層５中の成分が誘電体層４を透過して記録層３を侵す傾向があり、一方、１００ｎｍを超えると記録感度が低下する傾向がある。

誘電体層４上には、光透過層５が誘電体層４に密着して設けられている。光透過層５は単層であってもよいし、多層構造を有していてもよい。光透過層５は、記録光及び再生光に対して、光学的に透明で、反射が少なく、複屈折が小さい材料から形成されることが好ましい。具体的には、紫外線硬化樹脂、電子線硬化樹脂、熱硬化型樹脂などが好適に用いられる。光透過層５は、例えば、紫外線硬化樹脂などの材料を含む塗布液を反射層４上に塗布してから塗膜を乾燥し、更に必要に応じて樹脂を硬化させることにより形成可能である。塗布の際には、スピンコート法、グラビア塗布法、スプレーコート法、ディップコート法などが適用可能である。このようにして形成される光透過層５の厚さはその材質に応じて適宜選択されるが、光透過能の観点からは、一般に１〜１５０μｍであることが好ましい。

光記録ディスク１の記録層３に対して、４００〜４２０ｎｍの記録光を基板２の光透過層５が形成された面からパルス状に照射することにより、情報を高密度に記録することが可能である。特に、記録層３のグルーブＧに沿った部分に集光して情報の記録及び再生を行う、いわゆるｉｎ−ｇｒｏｏｖｅ方式で情報の記録及び再生を行うことが好ましい。

本発明の光記録媒体は、上記の実施形態に限定されるものではない。例えば、本発明の光記録媒体は、所謂ＨＤ−ＤＶＤとして知られる光記録媒体においても同様に用いることができる。この場合、光記録媒体は従来公知のＤＶＤに相当する構成を適用すればよい。例えば、図２の光透過層５に相当する基板（光透過部材）を用意し、これの一面上に直接記録層３を形成し、更にその上に反射層６及び基板２をこの順で積層した構成とすることができる。このような構成の光記録媒体において、記録及び再生を光透過層５に相当する基板の側から行う場合には、図２の実施形態におけるランドＬがグルーブとして機能し、グルーブＧがランドとして機能することになる。

以上、本発明の好適な実施形態について詳細に説明したが、本発明は上記実施形態に限定されない。

以下、実施例及び比較例に基づいて本発明をより具体的に説明するが、本発明は以下の実施例に限定されるものではない。

（実施例１）
表面にプリグルーブ（深さ１００ｎｍ、幅０．１６μｍ、グルーブピッチ０．３２μｍ）を有するポリカーボネート樹脂基板（直径１２０ｍｍ、厚さ１．１ｍｍの円盤状）を準備した。

一方、色素を、その含有率が光記録材料溶液全体を基準として０．９質量％となるように、２，２，３，３−テトラフルオロプロパノールに加えて、記録層を形成するための光記録材料溶液を調製した。色素としては、ｔ−ブチルサブフタロシアニンを用いた。

続いて、上記ポリカーボネート樹脂基板のプリグルーブが形成された表面上にＡｇからなる反射層（厚さ２０ｎｍ）を形成した。その反射層上に、上記光記録材料溶液を塗布し、乾燥させて記録層（厚さ１００ｎｍ）を形成した。その後、この記録層上に、スパッタ法を用いてＳｉＮからなる誘電体層（厚さ２０ｎｍ）を形成し、さらに、誘電体層上に紫外線硬化型のアクリル樹脂からなる透明な光透過層（厚さ０．１ｍｍ）を形成した。このようにして、光記録ディスクのモデルとなる積層構造体を得た。

（実施例２）
色素として、ニトロサブフタロシアニンを用いたこと以外は実施例１と同様にして積層構造体を得た。

（実施例３）
色素として、サブナフタロシアニンを用いたこと以外は実施例１と同様にして積層構造体を得た。

（実施例４）
色素として、下記式（３）で表されるシアニン系色素を用いたこと以外は実施例１と同様にして積層構造体を得た。

（比較例１）
色素として、メチルナフタロシアニンを用いたこと以外は実施例１と同様にして積層構造体を得た。

［吸収スペクトルの測定］
実施例１〜４及び比較例１において用いた各色素を塩化メチレンに溶解させて、得られた溶液の吸収スペクトルを測定した。測定は、ＵＶ−ＶＩＳ吸収スペクトル測定装置（ＵＶ３１０１ＰＣ＋ＭＰＣ３１００、株式会社島津製作所製）を用いて行った。測定条件としては、スリット幅を２０ｎｍ、スキャンスピードを５ｎｍ／ｓｅｃとした。図３〜図７は、得られた吸収スペクトルを示すグラフである。

得られた各吸収スペクトルにおいて、ピークＰ_１の位置（ピークＰ_１が極大となる波長λ_１）、及びピークＰ_１の半値幅ＷのうちピークＰ_１が極大となる波長λ_１よりも長波長側の部分Ｄを算出した。結果を表２に示す。

［記録・再生特性の評価］
実施例１〜４及び比較例１において得られた各積層構造体に対して、波長４０５ｎｍのレーザ光を用いて線速９．８３ｍ／秒で信号を記録した。その後、波長４０５ｎｍのレーザ光を用いて線速９．８３ｍ／秒で再生したときの信号の反射率（Ｒｔｏｐ）及び変調度（Ｍｏｄ．）を測定し、その測定値を初期値とした。なお、レンズ孔径ＮＡは０．８５であった。また、この初期値は、後述の保存テスト前における値に相当する。結果を表３に示す。

［信頼性の評価］
実施例１〜４及び比較例１において得られた各積層構造体を、８０℃、９０％ＲＨの環境下、１００時間放置する条件で保存テストを行った。保存テスト後の積層構造体について、上記と同様にして反射率（Ｒｔｏｐ）及び変調度（Ｍｏｄ．）を測定した。結果を表３に示す。

表３の結果から、実施例１〜４では、保存テスト前及び保存テスト後のいずれにおいても、比較例１に比べて十分に高い変調度が得られることが分かった。

本実施形態に係る色素の各波長に対する吸収スペクトルを模式的に示すグラフである。 光記録媒体の好適な一実施形態を模式的に示す断面図である。 実施例１の色素の吸収スペクトルを示すグラフである。 実施例２の色素の吸収スペクトルを示すグラフである。 実施例３の色素の吸収スペクトルを示すグラフである。 実施例４の色素の吸収スペクトルを示すグラフである。 比較例１の色素の吸収スペクトルを示すグラフである。

符号の説明

１…光記録ディスク（光記録媒体）、２…基板、３…記録層、４…誘電体層、５…光透過層、６…反射層、Ｇ…グルーブ、Ｌ…ランド、Ｐ_１…第１のピーク、Ｐ_２…第２のピーク、λ_１…第１のピークが極大となる波長、λ_Ｌ…所定の波長、Ｗ…第１のピークの半値幅、Ｄ…部分。

Claims (5)

1. ４００〜４２０ｎｍの波長域における所定の波長を有する光を照射することにより情報の記録が可能な光記録媒体の記録層に含有されており、
   当該色素の各波長に対する吸収スペクトルが、前記所定の波長よりも短波長側の最も近くに位置する第１のピークと、前記所定の波長よりも長波長側の最も近くに位置する第２のピークと、を有し、
   前記第１のピークの半値幅のうち前記第１のピークが極大となる波長よりも長波長側の部分が６０ｎｍ以下である、色素。
2. 前記第１のピークが極大となる波長が、前記所定の波長から３０ｎｍ以上離れている、請求項１に記載の色素。
3. サブフタロシアニン誘導体である、請求項１又は２に記載の色素。
4. 請求項１〜３のいずれか一項に記載の色素を含有する、光記録材料。
5. 請求項１〜３のいずれか一項に記載の色素を含有する記録層を備える、光記録媒体。
   

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