JP2007048347A - 情報記録装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】本発明の例に関わるメモリカードは、メモリチップ12内のメモリセルアレイ16と、メモリセルアレイ16に対してリフレッシュを実行するためのリフレッシュ回路19と、メモリセルアレイ16のデータ保持時間よりも短い間隔でリフレッシュを実行し、データ保持状態を管理するリフレッシュ制御回路20と、本体機器から離脱している状態でリフレッシュ回路19及びリフレッシュ制御回路20に電源電位Vdd,Vssを供給する内部電源13とを備える。
【選択図】図4
Description
情報記録装置としてのメモリカードにはリムーバブル性が要求される。このリムーバブル性を維持すべく、本発明の例では、より低消費電力でファイルメモリをリフレッシュする技術について提案する。
図1は、本発明の例のメモリカードの構成1を示している。
構成1では、メモリカード内に、リフレッシュ動作のための内部電源、リフレッシュ回路及びリフレッシュ制御回路が搭載される。
構成2は、構成1の特徴を含んでいる。さらに、構成2では、指示メモリが新たな構成として追加されている。
次に、最良と思われるいくつかの実施の形態について説明する。
第1実施の形態は、構成1の実施の形態に関する。
第2実施の形態は、構成1の実施の形態に関する。
第3実施の形態は、構成2の実施の形態に関する。
図8は、本発明の例に関わるメモリカードの改良例を示している。
本発明の例に関わるメモリカードの特徴の一つは、メモリカード11に内部電源が搭載される点にある。
図9は、リフレッシュ制御回路の第1例を示している。
第1例(CASE 1)では、リフレッシュ制御回路20は、クロック発生回路23とタイマ24とから構成される。
第2例(CASE 2)では、リフレッシュ制御回路20は、エージングデバイス25から構成される。
まず、内部電源を積層キャパシタから構成する場合の例について説明する。内部電源を積層キャパシタから構成する場合には、リフレッシュ制御回路を低消費電力のエージングデバイスから構成することが好ましい。
シリコン基板(Si-sub)の一面側に、エージングデバイス、メモリセルアレイ及び周辺回路が形成される。そして、シリコン基板の他面側に、絶縁層(oxide or insulator)−浮遊電極(metal or poly-Si)−絶縁層(oxide or insulator)構造からなる積層キャパシタ28が形成される。
既に述べたように、本発明の例の適用に当たっては、ファイルメモリとしての半導体メモリの種類には特に限定されない。
本発明の例に関わるメモリカードに好適なエージングデバイスの例について説明する。メモリカードに搭載されるメモリチップとしては、フラッシュメモリチップを前提とする。
エージングデバイスは、例えば、図19に示すように、フラッシュメモリのメモリセルのゲート絶縁膜(厚さtox2)よりも薄いゲート絶縁膜(厚さtox1)を持つ点を除いて、フラッシュメモリのメモリセルと全く同じ構造を有する。
図22は、本発明の例に関わるメモリカードに好適なエージングデバイスの具体例1を示している。
具体例1では、直列接続されたN(Nは、複数)個のノーマリオンタイプエージングデバイスと、並列接続されたM(Mは、複数)個のノーマリオフタイプエージングデバイスとを使用する。
図23は、本発明の例に関わるメモリカードに好適なエージングデバイスの具体例2を示している。
具体例2は、具体例1と比べると、直列接続されたN(Nは、複数)個のノーマリオンタイプエージングデバイスを1ユニットとし、さらに、複数のユニット、例えば、M個のユニットを並列接続した点に特徴を有する。
図25は、本発明の例に関わるメモリカードに好適なエージングデバイスの具体例3を示している。
具体例3では、N個の直列接続されたノーマリオンタイプエージングデバイス(直列鎖)を、さらにM個並列接続し、リフレッシュ信号φrefresh のレベルの立ち上がりによりリフレッシュの開始又は終了を指示する。
図32は、本発明の例に関わるメモリカードに好適なエージングデバイスの具体例4を示している。
具体例4では、リフレッシュ制御回路を、並列接続されたM(Mは、複数)個のノーマリオフタイプエージングデバイスにより構成し、リフレッシュ信号φrefresh のレベルの立ち下がりによりリフレッシュの開始又は終了を指示する。
具体例3では、リフレッシュ信号φrefresh のレベルの立ち上がりによりリフレッシュの開始又は終了を指示し、具体例4では、リフレッシュ信号φrefresh のレベルの立ち下がりによりリフレッシュの開始又は終了を指示する。
現在、様々な種類のメモリカードが市販されているが、メモリカード内のメモリチップの大容量化が進むなか、今後、半導体メモリのデータ保持時間の短縮が大きな問題となる。本発明の例は、この問題を解決するに当たって非常に有効な手段である。
以上、説明したように、本発明の例によれば、メモリカードに搭載されるファイルメモリのデータ保持時間を僅かな消費電力で管理し、リフレッシュを行うことで、データ保持時間の実質的延長とバッテリーの小型化とを図り、メモリカードのリムーバブル性を維持できる。
Claims (13)
- 半導体メモリと、前記半導体メモリをリフレッシュするためのリフレッシュ回路と、前記半導体メモリのデータ保持時間を管理し、前記データ保持時間よりも短い間隔で前記リフレッシュを実行するためのリフレッシュ制御回路と、本体機器から離脱している状態で前記リフレッシュを実行するための電力を供給する内部電源とを具備することを特徴とする情報記録装置。
- 半導体メモリと、前記半導体メモリを構成する複数のブロック又は複数のページに対してブロック単位又はページ単位でリフレッシュを実行するためのリフレッシュ回路と、前記半導体メモリのデータ保持時間をブロック単位又はページ単位で管理し、前記データ保持時間よりも短い間隔で前記リフレッシュを実行するためのリフレッシュ制御回路と、前記複数のブロック又は前記複数のページの書き込み/消去履歴をブロック単位又はページ単位で記憶する指示メモリと、本体機器から離脱している状態で前記書き込み/消去履歴に応じて前記リフレッシュを実行するための電力を供給する内部電源とを具備することを特徴とする情報記録装置。
- 前記リフレッシュ回路、前記リフレッシュ制御回路及び前記半導体メモリは、同一のチップ内に混載され、前記内部電源は、前記チップと共に前記メモリカードに内包されることを特徴とする請求項1又は2に記載の情報記録装置。
- 前記リフレッシュ回路、前記リフレッシュ制御回路、前記内部電源及び前記半導体メモリは、同一のチップ内に混載されることを特徴とする請求項1又は2に記載の情報記録装置。
- 前記メモリカードが前記本体機器内に挿入されているときに前記内部電源を充電するための充電回路をさらに具備することを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1項に記載の情報記録装置。
- 前記内部電源は、バッテリー又はキャパシタであることを特徴とする請求項1乃至5のいずれか1項に記載の情報記録装置。
- 前記データ保持時間の管理は、タイマにより行うことを特徴とする請求項1乃至6のいずれか1項に記載の情報記録装置。
- 前記データ保持時間の管理は、ゲート絶縁膜の厚さを除き、前記半導体メモリと同じ構造を持つエージングデバイスにより行うことを特徴とする請求項1乃至6のいずれか1項に記載の情報記録装置。
- 前記指示メモリは、前記半導体メモリと同じ構造を持つメモリセルにより構成されることを特徴とする請求項2に記載の情報記録装置。
- 前記指示メモリについてもリフレッシュが実行されることを特徴とする請求項9に記載の情報記録装置。
- 前記データ保持時間は、1秒以上、6ヶ月以下であることを特徴とする請求項1乃至10のいずれか1項に記載の情報記録装置。
- 前記半導体メモリは、EPROM、フラッシュメモリ、強誘電体メモリ、MRAM及びOUMのうちから選択されることを特徴とする請求項1乃至11のいずれか1項に記載の情報記録装置。
- 前記キャパシタは、前記リフレッシュ回路、前記リフレッシュ制御回路及び前記半導体メモリを混載したチップの裏面に配置されることを特徴とする請求項1、2、4乃至12のいずれか1項に記載の情報記録装置。
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