JP2008146814A - 半導体装置、半導体装置のデータ書き込み方法、及び半導体装置のデータ読み出し方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】メモリ部103において、直前のアドレスの記憶データが第1の負荷状態の場合には、前記入力データと同じデータを記憶データとして書き込み、直前のアドレスの記憶データが前記第1の負荷状態より高い電圧をかける第2の負荷状態の場合には、前記入力データを反転して記憶データとして書き込むよう制御する。
【選択図】図1
Description
以下、本発明の半導体装置について図を用いて説明する。ここではメモリ素子については初期値が「0」の値を持ち(第1の負荷状態)、負荷として高電圧を与えることにより「1」が書き込まれる(第2の負荷状態)メモリ素子について説明する。
本実施の形態は、実施の形態1のロジック部101、電源部102及びメモリ部103の回路を形成することのできるトランジスタの構成について例示する。
本実施の形態は、実施の形態1のロジック部101、電源部102及びメモリ部103の回路を形成することのできるトランジスタの構成について例示する。なお、実施の形態2と同じ機能を示す要素には同じ符号を用いている。
本実施の形態は、本発明の半導体装置の一例である不揮発性半導体記憶装置を電子機器に応用した具体例を説明する。メモリを具備したあらゆる分野の電子機器に用いることが可能である。例えば、本発明の半導体装置による不揮発性半導体記憶装置を適用した電子機器として、ビデオカメラ、デジタルカメラ、ゴーグル型ディスプレイ(ヘッドマウントディスプレイ)、ナビゲーションシステム、音響再生装置(カーオーディオ、オーディオコンポ等)、コンピュータ、ゲーム機器、携帯情報端末(モバイルコンピュータ、携帯電話、携帯型ゲーム機または電子書籍等)、記録媒体を備えた画像再生装置(具体的にはDVD(digital versatile disc)等の記録媒体を再生し、その画像を表示しうるディスプレイを備えた装置)などが挙げられる。それら電子機器の具体例を図9に示す。
102 電源部
103 メモリ部
104 動作制御信号
105 アドレス信号
106 クロック信号
107 入力データ
108 出力データ
109 動作電圧
110 昇圧回路制御信号
111 昇圧電圧
Claims (7)
- メモリ素子のアドレスを指定するアドレス信号と、入力データとをメモリ部に出力するロジック部と、
メモリセルアレイと書き込みデータ変換部とを有する前記メモリ部とを有し、
前記メモリセルアレイは、第1の負荷状態又は前記第1の負荷状態より高い負荷をかけることで第2の負荷状態をとることにより2値のデータを書き込むメモリ素子を、アドレスごとに複数有し、
前記書き込みデータ変換部は、前記ロジック部から出力された前記入力データを受けて、直前のアドレスの書き込み記憶データが前記第1の負荷状態の場合には、前記入力データと同じデータを書き込み記憶データとし、直前のアドレスの書き込み記憶データが前記第2の負荷状態の場合には、前記入力データを反転して書き込み記憶データとする半導体装置。 - 請求項1において、
前記メモリ部は、ビット線により前記メモリセルアレイと接続されるカラムデコーダと、ワード線により前記メモリセルアレイと接続されるローデコーダと、電源切り換え部を有し、
前記電源切り換え部は、前記ロジック部から前記アドレス信号を、前記書き込みデータ変換部から前記書き込み記憶データを受けて、列アドレス信号と書き込み制御信号を前記カラムデコーダに出力し、行アドレス信号と前記書き込み制御信号を前記ローデコーダに出力する半導体装置。 - 請求項1又は請求項2において、
前記メモリ部は、読み出しデータ変換部を有し、
前記読み出しデータ変換部は、前記メモリ素子から読み出し記憶データを読み出し、前記読み出し記憶データが直前のアドレスで出力した読み出し記憶データと同じデータの場合には、前記第1の負荷状態の出力データを出力し、前記読み出し記憶データが直前のアドレスで出力した読み出し記憶データと異なる場合には、前記第2の負荷状態の出力データを出力する半導体装置。 - 請求項1乃至請求項3のいずれか一において、
前記負荷が、前記メモリ素子に電圧を印加することである半導体装置。 - 請求項1乃至請求項3のいずれか一において、
前記負荷が、前記メモリ素子を加熱することである半導体装置。 - 複数のメモリ素子に2値の入力データを書き込み記憶データとして順次書き込むデータ書き込み方法であって、直前のアドレスの書き込み記憶データが第1の負荷状態の場合には、前記入力データと同じデータを書き込み記憶データとして書き込み、前記直前のアドレスの書き込み記憶データが前記第1の負荷状態より高い電圧をかける第2の負荷状態の場合には、前記入力データを反転して書き込み記憶データとして書き込む半導体装置のデータ書き込み方法。
- 第1の負荷状態又は前記第1の負荷状態より高い負荷をかける第2の負荷状態で2値のデータが書き込まれている複数のメモリ素子から2値の読み出し記憶データを順次読み出し、出力データとして出力するデータ読み出し方法であって、前記読み出し記憶データが直前のアドレスの読み出し記憶データと同じデータの場合には、前記第1の負荷状態の出力データを出力し、前記読み出し記憶データが直前のアドレスの読み出し記憶データと異なる場合には、前記第2の負荷状態の出力データを出力する半導体装置のデータ読み出し方法。
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JP2011003235A (ja) * | 2009-06-18 | 2011-01-06 | Toshiba Corp | 不揮発性半導体記憶装置 |
JP2021082821A (ja) * | 2009-10-29 | 2021-05-27 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
Citations (2)
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---|---|---|---|---|
JPH05298894A (ja) * | 1992-04-16 | 1993-11-12 | Sharp Corp | 不揮発性メモリのデータ書込読出制御装置 |
JPH09167118A (ja) * | 1995-12-14 | 1997-06-24 | Toshiba Microelectron Corp | マイクロコントローラ |
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