JP2007042619A - 発光装置の作製方法 - Google Patents

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Abstract

【課題】金属酸化物と有機化合物との混合層を有する発光装置において生産性を低下させることなく、信頼性向上を図ることを目的とする。
【解決手段】有機化合物と金属酸化物とを有する混合層を形成した後に酸素を含むガス雰囲気に曝すことなく、前記混合層を窒素ガス雰囲気に曝し、次に酸素に曝すことなくその後の積層膜を真空中にて形成することによって上記課題を解決する。そして発光装置を作製する際には、例えば陽極を形成し、前記陽極上に有機化合物と金属酸化物とを有する混合層を形成し、前記混合層を酸素に曝さず、窒素ガス雰囲気に曝し、次に酸素に曝すことなく正孔輸送層を形成し、前記正孔輸送層上に発光層を形成し、前記発光層上に陰極を形成する。
【選択図】なし

Description

本発明は、平面光源や表示素子に利用されるエレクトロルミネッセンス型発光装置(エレクトロルミネッセンス発光装置、以下、「発光装置」と略記することがある。)の作製方法に関する。
エレクトロルミネッセンス発光装置は、発光層が有機化合物等から構成される。そして低電圧駆動で大面積表示素子を実現できるとして注目されている。
Tangらは素子の高効率化のため、キャリア輸送性の異なる有機化合物を積層し、正孔と電子がそれぞれ陽極電極層、陰極電極層よりバランスよく注入される構造を提案した。そして有機層の膜厚を200nm以下として、10V以下の印加電圧で発光輝度1000cd/mと外部量子効率1%を実現した(例えば非特許文献1)。
このような高効率素子を開発する上で、陰極電極層からの電子注入や陽極電極層からの正孔注入をエネルギー障壁なく有機層に注入する技術は重要な要素として認識されている。
城戸等は、正孔注入層を金属酸化物と有機化合物との混合膜で形成している。これにより素子の駆動電圧を低下させると共に、正孔注入層の膜厚を調整して、駆動電圧を上昇させずに陰極電極層と陽極電極層間での電気的短絡の危険性を大幅に低減することができるとしている(特許文献1)。
しかしながら前記構成では輝度半減寿命が短くなるという問題がある(特許文献2)。そこで本発明では、金属酸化物と有機化合物との混合層を有する発光装置において、生産性を低下させることなく信頼性向上を図ることを目的とする。
Appl.Phys.Lett.,51,913(1987). 特開2005−123095号公報 特開2005−166641号公報 特開2000−68068号公報 特開平11−8065号公報
本発明では有機化合物と金属酸化物とを有する混合層を形成した後に酸素を含むガス雰囲気に曝すことなく、前記混合層を窒素(N)ガス雰囲気に曝し、次に酸素を含むガス雰囲気に曝すことなくその後の積層膜を真空中又は減圧下にて形成することによって上記課題を解決する。ここで酸素を含むガス雰囲気とは酸素ガス、NOガス、NOガスなどのように酸素原子を含むガス雰囲気をいう。有機化合物と金属酸化物とを有する混合層を形成後に窒素ガス雰囲気に曝すことで、生産性を低下させることなく、膜質が向上し、信頼性が高くなる。
本発明は陽極を形成し、前記陽極上に有機化合物と金属酸化物とを有する混合層を形成し、前記混合層を酸素を含むガス雰囲気に曝さず、窒素ガス雰囲気に曝し、次に前記混合層を酸素を含むガス雰囲気に曝すことなく正孔輸送層を形成し、前記正孔輸送層上に発光層を形成し、前記発光層上に陰極を形成する。
また本発明は、陽極を形成し、前記陽極上に有機化合物と金属酸化物とを有する第1の混合層を形成し、前記第1の混合層を酸素を含むガス雰囲気に曝さず、窒素ガス雰囲気に曝し、次に前記第1の混合層を酸素を含むガス雰囲気に曝すことなく有機化合物と金属酸化物とを有する第2の混合層を形成し、前記第2の混合層を酸素を含むガス雰囲気に曝さず、窒素ガス雰囲気に曝し、次に前記第2の混合層を酸素を含むガス雰囲気に曝すことなく正孔輸送層を形成し、前記正孔輸送層上に発光層を形成し、前記発光層上に陰極を形成する。
また本発明は、陽極を形成し、前記陽極上に正孔輸送層を形成し、前記正孔輸送層上に発光層を形成し、前記発光層上に電子輸送層を形成し、前記電子輸送層上に有機化合物と金属酸化物とを有する混合層を形成し、前記混合層を酸素を含むガス雰囲気に曝さず、窒素ガス雰囲気に曝し、次に前記混合層を酸素を含むガス雰囲気に曝すことなく陰極を形成する。
また本発明は、陽極を形成し、前記陽極上に正孔輸送層を形成し、前記正孔輸送層上に発光層を形成し、前記発光層上に電子輸送層を形成し、前記電子輸送層上に有機化合物と金属酸化物とを有する第1の混合層を形成し、前記第1の混合層を酸素を含むガス雰囲気に曝さず、窒素ガス雰囲気に曝し、次に前記第1の混合層を酸素を含むガス雰囲気に曝すことなく有機化合物と金属酸化物とを有する第2の混合層を形成し、前記第2の混合層を酸素を含むガス雰囲気に曝さず、窒素ガス雰囲気に曝し、次に前記第2の混合層を酸素を含むガス雰囲気に曝すことなく陰極を形成する。
陽極、正孔輸送層、発光層、混合層、第1の混合層、第2の混合層、電子輸送層、電子注入層、陰極は真空中又は減圧下にて作製することが望ましい。
前記陽極に加熱処理を行った後に前記混合層や第1の混合層を形成し、その後、発光層、陰極を形成してもよい。加熱処理は真空中又は減圧下にて行うことが望ましい。
前記混合層や第2の混合層と前記電子輸送層の間に電子注入層を形成し、その後、陰極を形成してもよい。電子注入層は真空中又は減圧下にて形成する。
前記混合層、第1の混合層、第2の混合層を窒素ガス雰囲気に曝した後に、窒素ガスを排気し、再度窒素ガス雰囲気に曝してもよい。
前記混合層、第1の混合層、第2の混合層には窒素ガスを吹き付けて窒素ガス雰囲気に曝してもよい。
また本発明は、陰極を形成し、前記陰極上に有機化合物と金属酸化物とを有する混合層を形成し、前記混合層を酸素を含むガス雰囲気に曝さず、窒素ガス雰囲気に曝し、次に前記混合層を酸素を含むガス雰囲気に曝すことなく電子輸送層を形成し、前記電子輸送層上に発光層を形成し、前記発光層上に陽極を形成する。
また本発明は、陰極を形成し、前記陰極上に有機化合物と金属酸化物とを有する第1の混合層を形成し、前記第1の混合層を酸素を含むガス雰囲気に曝さず、窒素ガス雰囲気に曝し、次に前記第1の混合層を酸素を含むガス雰囲気に曝すことなく有機化合物と金属酸化物とを有する第2の混合層を形成し、前記第2の混合層を酸素を含むガス雰囲気に曝さず、窒素ガス雰囲気に曝し、次に前記第2の混合層を酸素を含むガス雰囲気に曝すことなく電子輸送層を形成し、前記電子輸送層上に発光層を形成し、前記発光層上に正孔輸送層を形成し、前記正孔輸送層上に陽極を形成する。
また本発明は陰極を形成し、前記陰極上に有機化合物と金属酸化物とを有する混合層を形成し、前記混合層を酸素を含むガス雰囲気に曝さず、窒素ガス雰囲気に曝し、次に前記混合層を酸素を含むガス雰囲気に曝すことなく電子注入層を形成し、前記電子注入層上に電子輸送層を形成し、前記電子輸送層上に発光層を形成し、前記発光層上に正孔輸送層を形成し、前記正孔輸送層上に陽極を形成する。
また本発明は陰極を形成し、前記陰極上に有機化合物と金属酸化物とを有する第1の混合層を形成し、前記第1の混合層を酸素を含むガス雰囲気に曝さず、窒素ガス雰囲気に曝し、次に前記第1の混合層を酸素を含むガス雰囲気に曝すことなく有機化合物と金属酸化物とを有する第2の混合層を形成し、前記第2の混合層を酸素を含むガス雰囲気に曝さず、窒素ガス雰囲気に曝し、次に前記第2の混合層を酸素を含むガス雰囲気に曝すことなく電子注入層を形成し、前記電子注入層上に電子輸送層を形成し、前記電子輸送層上に発光層を形成し、前記発光層上に陽極を形成する。
また本発明は陰極を形成し、前記陰極上に電子輸送層を形成し、前記電子輸送層上に発光層を形成し、前記発光層上に正孔輸送層を形成し、前記正孔輸送層上に有機化合物と金属酸化物とを有する混合層を形成し、前記混合層を酸素を含むガス雰囲気に曝さず、窒素ガス雰囲気に曝し、次に前記混合層を酸素を含むガス雰囲気に曝すことなく陽極を形成する。
また本発明は陰極を形成し、前記陰極上に電子輸送層を形成し、前記電子輸送層上に発光層を形成し、前記発光層上に正孔輸送層を形成し、前記正孔輸送層上に有機化合物と金属酸化物とを有する第1の混合層を形成し、前記第1の混合層を酸素を含むガス雰囲気に曝さず、窒素ガス雰囲気に曝し、次に前記第1の混合層を酸素を含むガス雰囲気に曝すことなく有機化合物と金属酸化物とを有する第2の混合層を形成し、前記第2の混合層を酸素を含むガス雰囲気に曝さず、窒素ガス雰囲気に曝し、次に前記第2の混合層を酸素を含むガス雰囲気に曝すことなく陽極を形成する。
陽極、正孔輸送層、発光層、混合層、第1の混合層、第2の混合層、電子輸送層、電子注入層、陰極は真空中又は減圧下にて作製することが望ましい。
前記混合層、前記第1の混合層、前記第2の混合層を窒素ガス雰囲気に曝した後に、窒素ガスを排気し、再度窒素ガス雰囲気に曝してもよい。
前記混合層、第1の混合層、第2の混合層には窒素ガスを吹き付けて窒素ガス雰囲気に曝すことを特徴とする発光装置の作製方法。
また本発明は陽極を形成し、前記陽極上に有機化合物と金属酸化物とを有する第1の混合層を形成し、前記第1の混合層を酸素を含むガス雰囲気に曝さず、窒素ガス雰囲気に曝し、次に前記第1の混合層を酸素を含むガス雰囲気に曝すことなく正孔輸送層を形成し、前記正孔輸送層上に発光層を形成し、前記発光層上に電子輸送層を形成し、前記電子輸送層上に有機化合物と金属酸化物とを有する第2の混合層を形成し、前記第2の混合層を酸素を含むガス雰囲気に曝さず、窒素ガス雰囲気に曝し、次に前記第2の混合層を酸素を含むガス雰囲気に曝すことなく陰極を形成する。
前記陽極に加熱処理を行った後に前記第1の混合層を形成し、その後、正孔輸送層を形成してもよい。加熱処理は真空中又は減圧下にて行うことが望ましい。
前記第2の混合層と前記電子輸送層の間に電子注入層を形成し、その後、陰極を形成してもよい。
陽極、正孔輸送層、発光層、混合層、第1の混合層、第2の混合層、電子輸送層、電子注入層、陰極は真空中又は減圧下にて作製することが望ましい。
また本発明は陰極を形成し、前記陰極上に有機化合物と金属酸化物とを有する第1の混合層を形成し、前記第1の混合層を酸素を含むガス雰囲気に曝さず、窒素ガス雰囲気に曝し、次に前記第1の混合層を酸素を含むガス雰囲気に曝すことなく電子輸送層を形成し、前記電子輸送層上に発光層を形成し、前記発光層上に正孔輸送層を形成し、前記正孔輸送層上に有機化合物と金属酸化物とを有する第2の混合層を形成し、前記第2の混合層を酸素を含むガス雰囲気に曝さず、窒素ガス雰囲気に曝し、次に前記第2の混合層を酸素を含むガス雰囲気に曝すことなく陽極を形成する。
陰極を形成し、前記陰極上に有機化合物と金属酸化物とを有する第1の混合層を形成し、前記第1の混合層を酸素を含むガス雰囲気に曝さず、窒素ガス雰囲気に曝し、次に前記第1の混合層を酸素を含むガス雰囲気に曝すことなく電子注入層を形成し、前記電子注入層上に電子輸送層を形成し、前記電子輸送層上に発光層を形成し、前記発光層上に正孔輸送層を形成し、前記正孔輸送層上に有機化合物と金属酸化物とを有する第2の混合層を形成し、前記第2の混合層を酸素を含むガス雰囲気に曝さず、窒素ガス雰囲気に曝し、次に前記第2の混合層を酸素を含むガス雰囲気に曝すことなく陽極を形成する。
前記第1の混合層を窒素ガス雰囲気に曝した後に、窒素ガスを排気し、再度窒素ガス雰囲気に曝し、前記第2の混合層を窒素ガス雰囲気に曝した後に、窒素ガスを排気し、再度窒素ガス雰囲気に曝してもよい。
前記第1の混合層及び第2の混合層には窒素ガスを吹き付けて窒素ガス雰囲気に曝してもよい。
陽極、正孔輸送層、発光層、混合層、第1の混合層、第2の混合層、電子輸送層、電子注入層、陰極は真空中又は減圧下にて作製することが望ましい。
陽極側及び陰極側の両方に混合層を設ける場合、第1の混合層を有機化合物と金属酸化物とを有する第3の混合層及び有機化合物と金属酸化物とを有する第4の混合層を積層したものとしてもよい。また第2の混合層を有機化合物と金属酸化物とを有する第5の混合層及び有機化合物と金属酸化物とを有する第6の混合層を積層したものとしてもよい。
このとき第3の混合層を形成し、前記第3の混合層を酸素を含むガス雰囲気に曝さず、窒素ガス雰囲気に曝し、次に前記第3の混合層を酸素を含むガス雰囲気に曝すことなく第4の混合層を形成し、前記第4の混合層を酸素を含むガス雰囲気に曝さず、窒素ガス雰囲気に曝し、次に前記第4の混合層を酸素を含むガス雰囲気に曝すことなく次の層を形成してもよい。
また第5の混合層を形成し、前記第5の混合層を酸素を含むガス雰囲気に曝さず、窒素ガス雰囲気に曝し、次に前記第5の混合層を酸素を含むガス雰囲気に曝すことなく第6の混合層を形成し、前記第6の混合層を酸素を含むガス雰囲気に曝さず、窒素ガス雰囲気に曝し、次に前記第6の混合層を酸素を含むガス雰囲気に曝すことなく次の層を形成してもよい。
前記第3の混合層を窒素ガス雰囲気に曝した後に、窒素ガスを排気し、再度窒素ガス雰囲気に曝し、前記第4の混合層を窒素ガス雰囲気に曝した後に、窒素ガスを排気し、再度窒素ガス雰囲気に曝してもよい。
前記第5の混合層を窒素ガス雰囲気に曝した後に、窒素ガスを排気し、再度窒素ガス雰囲気に曝し、前記第6の混合層を窒素ガス雰囲気に曝した後に、窒素ガスを排気し、再度窒素ガス雰囲気に曝してもよい。
前記第3の混合層及び第4の混合層には窒素ガスを吹き付けて窒素ガス雰囲気に曝してもよい。
前記第5の混合層及び第6の混合層には窒素ガスを吹き付けて窒素ガス雰囲気に曝してもよい。
また本発明は陽極を形成し、前記陽極上に発光層を有する第1の発光ユニットを形成し、前記第1の発光ユニット上に電子供与性物質と電子輸送性物質とを有する層を形成し、前記電子供与性物質と電子輸送性物質とを有する層上に、有機化合物と金属酸化物とを有する混合層を形成し、前記混合層を酸素を含むガス雰囲気に曝さず、窒素ガス雰囲気に曝し、次に前記混合層を酸素を含むガス雰囲気に曝すことなく第2の発光ユニットを形成し、前記第2の発光ユニット上に陰極を形成する。
また本発明は陽極を形成し、前記陽極上に発光層を有する第1の発光ユニットを形成し、前記第1の発光ユニット上に電子供与性物質と電子輸送性物質とを有する層を形成し、前記電子供与性物質と電子輸送性物質とを有する層上に、有機化合物と金属酸化物とを有する第1の混合層を形成し、前記第1の混合層を酸素を含むガス雰囲気に曝さず、窒素ガス雰囲気に曝し、次に前記第1の混合層を酸素を含むガス雰囲気に曝すことなく第2の混合層を形成し、前記第2の混合層を酸素を含むガス雰囲気に曝さず、窒素ガス雰囲気に曝し、次に前記第2の混合層を酸素を含むガス雰囲気に曝すことなく第2の発光ユニットを形成し、前記第2の発光ユニット上に陰極を形成する。
また本発明は陰極を形成し、前記陰極上に発光層を有する第1の発光ユニットを形成し、前記第1の発光ユニット上に電子供与性物質と電子輸送性物質とを有する層を形成し、前記電子供与性物質と電子輸送性物質とを有する層上に、有機化合物と金属酸化物とを有する混合層を形成し、前記混合層を酸素を含むガス雰囲気に曝さず、窒素ガス雰囲気に曝し、次に前記混合層を酸素を含むガス雰囲気に曝すことなく第2の発光ユニットを形成し、前記第2の発光ユニット上に陽極を形成する。
また本発明は陰極を形成し、前記陰極上に発光層を有する第1の発光ユニットを形成し、前記第1の発光ユニット上に電子供与性物質と電子輸送性物質とを有する層を形成し、前記電子供与性物質と電子輸送性物質とを有する層上に、有機化合物と金属酸化物とを有する第1の混合層を形成し、前記第1の混合層を酸素を含むガス雰囲気に曝さず、窒素ガス雰囲気に曝し、次に前記第1の混合層を酸素を含むガス雰囲気に曝すことなく第2の混合層を形成し、前記第2の混合層を酸素を含むガス雰囲気に曝さず、窒素ガス雰囲気に曝し、次に前記第2の混合層を酸素を含むガス雰囲気に曝すことなく第2の発光ユニットを形成し、前記第2の発光ユニット上に陽極を形成する。
前記混合層を窒素ガス雰囲気に曝した後に、窒素ガスを排気し、再度窒素ガス雰囲気に曝してもよい。
前記混合層には窒素ガスを吹き付けて窒素ガス雰囲気に曝してもよい。
前記陽極に加熱処理を行った後に前記発光ユニットを形成してもよい。加熱処理は真空中又は減圧下にて行うことが望ましい。
発光ユニットは発光層を有する構成である。電子輸送層、正孔輸送層を形成してもよい。また陰極と電子輸送層の間に電子注入層を形成してもよい。また陽極と正孔輸送層の間に正孔注入層を形成してもよい。
また前記第1の混合層及び第2の混合層を窒素ガス雰囲気に曝した後に、窒素ガスを排気し、再度窒素ガス雰囲気に曝してもよい。
また前記第1の混合層及び第2の混合層には窒素ガスを吹き付けて窒素ガス雰囲気に曝してもよい。
陽極、発光ユニット、混合層、第1の混合層、第2の混合層、陰極は真空中又は減圧下にて作製することが望ましい。
窒素ガス雰囲気に曝すときは加熱せずに室温で行う方がよい。加熱すると特性が変化しやすく、発光装置の特性にばらつきが生じやすくなるものと考えられる。また窒素ガスに含まれる水分量としては40ppm以下、好ましくは3ppm以下とする。
小川らはホール注入性のCuPc有機膜を成膜後に窒素ガスで第1のガスリンス処理し、その後NOガスで第2のガスリンス処理をしてCuPc有機膜中にNOガスを浸透させている(特許文献3)。しかし本発明は混合層を形成した後に酸素を含むガス雰囲気に曝すことなく、前記混合層を窒素ガス雰囲気に曝し、次に酸素を含むガス雰囲気に曝すことなくその後積層膜を形成している。したがって窒素ガスで第1のガスリンス処理し、その後酸素を含むガス雰囲気に曝している特許文献3とは全く異なる。
また栗林らは三原色発光の有機エレクトロルミネセンスを同一基板上に形成する時、全工程にわたって、大気にさらすことなく、真空中、減圧空間内又は乾燥窒素雰囲気中で製造できるようにしている(特許文献4)。具体的には栗林らは正孔注入層、発光層、Alq層の積層体を大気に曝さず、真空中や減圧空間内で形成することを開示し、対向電極を形成した後に乾燥窒素中で処理を行うことを開示している。しかし混合層を形成した後に酸素を含むガス雰囲気に曝すことなく、前記混合層を窒素ガス雰囲気に曝し、次に酸素を含むガス雰囲気に曝すことなくその後の積層膜を形成することは開示していない。
混合層を形成した後に酸素を含むガス雰囲気に曝すことなく、前記混合層を窒素ガス雰囲気に曝し、次に酸素を含むガス雰囲気に曝すことなくその後の積層膜を形成することによって、生産性を低下させることなく、発光装置の特性を劣化させず、発光輝度寿命を向上させることができる。
以下、本発明の実施の形態について図面を参照しながら説明する。但し、本発明は多くの異なる態様で実施することが可能であり、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し得ることは当業者であれば容易に理解される。従って、本実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。
(実施の形態1)
ここでは陽極と、陰極と、前記陽極と陰極の間に設けられた発光層と、前記陽極と発光層の間に設けられた有機化合物と金属酸化物とを有する混合層と、を有する発光装置の作製方法において、前記混合層の形成後に窒素ガス雰囲気に曝すことについて説明する。
基板1上に陽極2を10〜1000nm形成する(図1(A))。基板1としては、例えば石英、ガラス、またはプラスチックなどを用いることができる。なお発光装置の作製工程において支持体として機能するものであれば、これら以外のものでもよい。
陽極2は発光層へ正孔を注入する機能を有するものであり、さまざまな金属、合金、電気伝導性化合物、およびこれらの混合物金属を用いることができる。例えば、アルミニウム(Al)、銀(Ag)、金(Au)、白金(Pt)、ニッケル(Ni)、タングステン(W)、クロム(Cr)、モリブデン(Mo)、鉄(Fe)、コバルト(Co)、銅(Cu)、パラジウム(Pd)、リチウム(Li)、セシウム(Cs)、マグネシウム(Mg)、カルシウム(Ca)、ストロンチウム(Sr)、チタン(Ti)などの導電性を有する金属、又はアルミニウム−シリコン(Al−Si)、アルミニウム−チタン(Al−Ti)、アルミニウム−シリコン−銅(Al−Si−Cu)等それらの合金、または窒化チタン(TiN)等の金属材料の窒化物、ITO(indium tin oxide)、酸化ケイ素を含有するITO(ITSO)、酸化インジウムに酸化亜鉛(ZnO)を混合したIZO(indium zinc oxide)等の金属化合物などを用いることができる。
通常、陽極は、正孔を注入できるように仕事関数の大きい(仕事関数4.0eV以上など)もので形成されていることが好ましい。しかし本発明では陽極2の上に混合層3を接して形成するため、陽極2は仕事関数の大きい材料に限定されず、仕事関数の小さい材料も用いることができる。
上記材料をスパッタ法又はCVD法にて基板1の上に成膜した後、フォトリソグラフィー法及びエッチング法を用いて陽極2を形成する。
ここで混合層3を形成する前に基板1、陽極2に含まれる水分を除去するために加熱処理を行う(図1(B))。加熱処理は例えば真空中又は減圧下にて100〜200℃、例えば150℃で行うことができる。この加熱処理からは大気に曝すことなく、真空中又は減圧下で各層を形成する。
次に有機化合物と金属酸化物の混合層3を真空中又は減圧下にて形成する(図1(C))。これによって陽極2の表面に形成された凹凸や電極表面に残った異物の影響で陽極2と陰極7がショート(短絡)することを防ぐことができる。混合層3の膜厚は60nm以上あることが望ましい。また120nm以上であるとなお良い。厚膜化しても発光装置の駆動電圧の上昇を招くことはない。また消費電力の増加を招くことはない。
金属酸化物としては、遷移金属の酸化物が望ましい。具体的には、酸化ジルコニウム、酸化ハフニウム、酸化バナジウム、酸化ニオブ、酸化タンタル、酸化クロム、酸化モリブデン、酸化タングステン、酸化チタン、酸化マンガン、酸化レニウムが好適である。
有機化合物としては4,4’−ビス[N−(1−ナフチル)−N−フェニルアミノ]ビフェニル(略称:NPB)、4,4’−ビス[N−(3−メチルフェニル)−N−フェニルアミノ]ビフェニル(略称:TPD)、4,4’,4’’−トリス(N,N−ジフェニルアミノ)トリフェニルアミン(略称:TDATA)、4,4’,4’’−トリス[N−(3−メチルフェニル)−N−フェニルアミノ]トリフェニルアミン(略称:MTDATA)、4,4’−ビス{N−[4−(N,N−ジ−m−トリルアミノ)フェニル]−N−フェニルアミノ}ビフェニル(略称:DNTPD)、1,3,5−トリス[N,N−ジ(m−トリル)アミノ]ベンゼン(略称:m−MTDAB)、4,4’,4’’−トリス(N−カルバゾリル)トリフェニルアミン(略称:TCTA)等のアリールアミノ基を有する有機材料や、フタロシアニン(略称:HPc)、銅フタロシアニン(略称:CuPc)、バナジルフタロシアニン(略称:VOPc)等も用いることができる。
また、下記一般式(1)で表されるような有機材料も好適に用いることができ、その具体例としては3−[N−(9−フェニルカルバゾール−3−イル)−N−フェニルアミノ]−9−フェニルカルバゾール(略称:PCzPCA1)、3,6−ビス[N−(9−フェニルカルバゾール−3−イル)−N−フェニルアミノ]−9−フェニルカルバゾール(略称:PCzPCA2)等を挙げることができる。この構造を有する有機化合物は熱的安定性に優れ、信頼性が良い。
Figure 2007042619
(式中、RおよびRは、それぞれ同一でも異なっていてもよく、水素、炭素数1〜6のアルキル基、炭素数6〜25のアリール基、炭素数5〜9のヘテロアリール基、アリールアルキル基、炭素数1〜7のアシル基のいずれかを表し、Arは、炭素数6〜25のアリール基、炭素数5〜9のヘテロアリール基のいずれかを表し、Rは、水素、炭素数1〜6のアルキル基、炭素数6〜12のアリール基のいずれかを表し、Rは、水素、炭素数1〜6のアルキル基、炭素数6〜12のアリール基、下記一般式(2)で示される置換基のいずれかを表し、一般式(2)で示される置換基において、Rは、水素、炭素数1〜6のアルキル基、炭素数6〜25のアリール基、炭素数5〜9のヘテロアリール基、アリールアルキル基、炭素数1〜7のアシル基のいずれかを表し、Arは、炭素数6〜25のアリール基、炭素数5〜9のヘテロアリール基のいずれかを表し、Rは、水素、炭素数1〜6のアルキル基、炭素数6〜12のアリール基のいずれかを表す。)
Figure 2007042619
カルバゾール誘導体の合成方法としては、種々の反応の適用が可能である。例えば、下記の反応スキーム(A−1)や反応スキーム(A―2)に示す方法が挙げられる。ただし、本発明に用いるカルバゾール誘導体の合成方法は、これに限定されることはない。
Figure 2007042619
Figure 2007042619
また、下記一般式(3)乃至(6)のいずれかで示されるような有機材料も好適に用いることができる。下記一般式(3)乃至(6)のいずれかで表される有機化合物の具体例としては、N−(2−ナフチル)カルバゾール(略称:NCz)、4,4’−ジ(N−カルバゾリル)ビフェニル(略称:CBP)、9,10−ビス[4−(N−カルバゾリル)フェニル]アントラセン(略称:BCPA)、3,5−ビス[4−(N−カルバゾリル)フェニル]ビフェニル(略称:BCPBi)、1,3,5−トリス[4−(N−カルバゾリル)フェニル]ベンゼン(略称:TCPB)等を挙げることができる。
Figure 2007042619
式中Arは炭素数6〜42の芳香族炭化水素基を表し、nは1〜3の自然数を表し、R11、R12は水素、または炭素数1〜4のアルキル基、または炭素数6〜12のアリール基を表す。
Figure 2007042619
ただし、式中Arは炭素数6〜42の1価の芳香族炭化水素基を表し、R21、R22は水素、または炭素数1〜4のアルキル基、または炭素数6〜12のアリール基を表す。
Figure 2007042619
ただし、式中Arは炭素数6〜42の2価の芳香族炭化水素基を表し、R31〜R34は水素、または炭素数1〜4のアルキル基、または炭素数6〜12のアリール基を表す。
Figure 2007042619
ただし、式中Arは炭素数6〜42の3価の芳香族炭化水素基を表し、R41〜R46は水素、または炭素数1〜4のアルキル基、または炭素数6〜12のアリール基を表す。
アントラセン、9,10−ジフェニルアントラセン(略称:DPA)、2−tert−ブチル−9,10−ジ(2−ナフチル)アントラセン(略称:t−BuDNA)、テトラセン、ルブレン、ペンタセン等の芳香族炭化水素も用いることができる。
混合層3には立体障害の大きな化合物を共蒸着法等により添加してもよい。これにより混合層3の結晶化を防止することができる。立体障害の大きな(つまり平面構造とは異なり空間的な広がりを有する構造をもつ)化合物としては、5,6,11,12−テトラフェニルテトラセン(略称:ルブレン)が好ましい。但し、これ以外にヘキサフェニルベンゼン、ジフェニルアントラセン、t−ブチルペリレン、9,10−ジ(フェニル)アントラセン、クマリン545Tなどを用いてもよい。また、この他、デンドリマー等も有効である。
混合層3は上述した金属酸化物と有機化合物との共蒸着法によって作製することができる。また湿式法、液滴吐出法等によって形成することもできる。ただし酸素を含むガス雰囲気に曝さないようにする必要がある。蒸着法により形成する場合には金属等のマスクを蒸着源と、基板との間に設けてパターンを形成する。なお、混合層3において有機化合物と金属酸化物とは重量比で95:5〜20:80、より好ましくは90:10〜50:50であることが望ましい。
次に混合層3を酸素を含むガス雰囲気に曝すことなく、加熱せずに室温にて窒素ガス雰囲気に曝す(図1(D))。図1(D)では窒素(N)を丸印で模式的に示している。図3、5、6、8においても窒素(N)を丸印で模式的に示している。混合層3が形成された基板1がセットされたチャンバー内に窒素ガスを導入する。窒素ガスは水分を極力取り除いたものであることが望ましく、40ppm以下、好ましくは3ppm以下とする。窒素ガスを1〜500sccmの流量でチャンバー内の圧力が1×10−1〜1×10Paになるように導入する。チャンバー内の圧力を上記圧力に保持したまま、1〜24時間放置して混合層3を窒素ガス雰囲気に曝す。または窒素ガスを混合層3に吹き付けてもよい。この場合は1〜24時間放置する必要はなく、10〜180分間吹き付ければよい。窒素ガス雰囲気に曝した後、チャンバー内の窒素ガスを除去して真空又は減圧下にし、再度上記したように窒素ガス雰囲気に曝してもよい。これにより発光装置の寿命を向上させることができる。
次いで混合層3を酸素を含むガス雰囲気に曝すことなく、真空中又は減圧下にて正孔輸送層4を蒸着法等により5〜50nm形成する(図2(A))。正孔輸送層4は、ホールを輸送する機能に優れた層、例えばNPBやTPD、TDATA、MTDATA、BSPBなどの芳香族アミン(即ち、ベンゼン環−窒素の結合を有する)の化合物からなる層である。ここに述べた物質は、主に1×10−6〜10cm/Vsの正孔移動度を有する物質である。但し、電子よりも正孔の輸送性の高い物質であれば、これら以外のものを用いてもよい。なお、正孔輸送層4は、単層のものだけでなく、上記物質からなる層が二層以上積層したものであってもよい。
次に真空中又は減圧下にて発光層5を蒸着法等により5〜100nm形成する(図2(A))。発光層5について特に限定は無い。発光層として機能する層には大きく分けて2つの態様ある。一つは発光中心となる発光物質(ドーパント材料)の有するエネルギーギャップよりも大きいエネルギーギャップを有する材料(ホスト材料)からなる層に発光材料を分散するホストーゲスト型の層であり、もう一つは発光材料のみで発光層を構成する層である。前者は濃度消光が起こりにくく、好ましい構成である。発光中心となる発光物質としては、4−ジシアノメチレン−2−メチル−6−(1,1,7,7−テトラメチルジュロリジル−9−エニル)−4H−ピラン(略称:DCJT)、4−ジシアノメチレン−2−t−ブチル−6−(1,1,7,7−テトラメチルジュロリジル−9−エニル)−4H−ピラン、ペリフランテン、2,5−ジシアノ−1,4−ビス(10−メトキシ−1,1,7,7−テトラメチルジュロリジル−9−エニル)ベンゼン、N,N’−ジメチルキナクリドン(略称:DMQd)、クマリン6、クマリン545T、トリス(8−キノリノラト)アルミニウム(略称:Alq)、9,9’−ビアントリル、9,10−ジフェニルアントラセン(略称:DPA)や9,10−ビス(2−ナフチル)アントラセン(略称:DNA)、2,5,8,11−テトラ−t−ブチルペリレン(略称:TBP)等が挙げられる。
ビス[2−(3,5−ビス(トリフルオロメチル)フェニル)ピリジナト−N,C2’]イリジウム(III)ピコリナート(略称:Ir(CFppy)2(pic))、ビス[2−(4,6−ジフルオロフェニル)ピリジナト−N,C2’]イリジウム(III)アセチルアセトナート(略称:FIr(acac))、ビス[2−(4,6−ジフルオロフェニル)ピリジナト−N,C2’]イリジウム(III)ピコリナート(FIr(pic))、トリス(2−フェニルピリジナト−N,C2’)イリジウム(略称:Ir(ppy))等の燐光を発光する物質もドーパント材料として用いることができる。
上記ホスト材料としては、9,10−ジ(2−ナフチル)−2−tert−ブチルアントラセン(略称:t−BuDNA)等のアントラセン誘導体、4,4’−ビス(N−カルバゾリル)ビフェニル(略称:CBP)等のカルバゾール誘導体、トリス(8−キノリノラト)アルミニウム(略称:Alq)、トリス(4−メチル−8−キノリノラト)アルミニウム(略称:Almq)、ビス(10−ヒドロキシベンゾ[h]−キノリナト)ベリリウム(略称:BeBq)、ビス(2−メチル−8−キノリノラト)−4−フェニルフェノラト−アルミニウム(略称:BAlq)、ビス[2−(2−ヒドロキシフェニル)ピリジナト]亜鉛(略称:Znpp)、ビス[2−(2−ヒドロキシフェニル)ベンゾオキサゾラト]亜鉛(略称:ZnBOX)などの金属錯体等を用いることができる。また発光物質のみで発光層5を構成することのできる材料としては、トリス(8−キノリノラト)アルミニウム(略称:Alq)、9,10−ビス(2−ナフチル)アントラセン(略称:DNA)、ビス(2−メチル−8−キノリノラト)−4−フェニルフェノラト−アルミニウム(略称:BAlq)などがある。
発光層5の上に真空中又は減圧下にて電子輸送層6を蒸着法等により5〜100nm形成する(図2(A))。電子輸送層6は、電子を輸送する機能に優れた層、例えばトリス(8−キノリノラト)アルミニウム(略称:Alq)、トリス(5−メチル−8−キノリノラト)アルミニウム(略称:Almq)、ビス(10−ヒドロキシベンゾ[h]−キノリナト)ベリリウム(略称:BeBq)、ビス(2−メチル−8−キノリノラト)−4−フェニルフェノラト−アルミニウム(略称:BAlq)など、キノリン骨格またはベンゾキノリン骨格を有する金属錯体等からなる層である。また、この他ビス[2−(2−ヒドロキシフェニル)ベンゾオキサゾラト]亜鉛(略称:ZnBOX)、ビス[2−(2−ヒドロキシフェニル)−ベンゾチアゾラト]亜鉛(略称:Zn(BTZ))などのオキサゾール系、チアゾール系配位子を有する金属錯体なども用いることができる。さらに、金属錯体以外にも、2−(4−ビフェニリル)−5−(4−tert−ブチルフェニル)−1,3,4−オキサジアゾール(略称:PBD)や、1,3−ビス[5−(p−tert−ブチルフェニル)−1,3,4−オキサジアゾール−2−イル]ベンゼン(略称:OXD−7)、3−(4−tert−ブチルフェニル)−4−フェニル−5−(4−ビフェニリル)−1,2,4−トリアゾール(略称:TAZ)、3−(4−tert−ブチルフェニル)−4−(4−エチルフェニル)−5−(4−ビフェニリル)−1,2,4−トリアゾール(略称:p−EtTAZ)、バソフェナントロリン(略称:BPhen)、バソキュプロイン(略称:BCP)なども用いることができる。ここに述べた物質は、主に1×10−6〜10cm/Vsの電子移動度を有する物質である。なお、正孔よりも電子の輸送性の高い物質であれば、上記以外の物質を電子輸送層6として用いても構わない。また、電子輸送層6は、単層のものだけでなく、上記物質からなる層が二層以上積層したものとしてもよい。
電子輸送層6の上に真空中又は減圧下にて陰極7を蒸着法等により10〜200nm形成して発光装置が完成する(図2(A))。仕事関数の小さい(仕事関数3.8eV以下)金属、合金、電気伝導性化合物、およびこれらの混合物などを用いることができる。このような陰極材料の具体例としては、元素周期表の1族または2族に属する元素、すなわちリチウム(Li)やセシウム(Cs)等のアルカリ金属、およびマグネシウム(Mg)、カルシウム(Ca)、ストロンチウム(Sr)等のアルカリ土類金属、およびこれらを含む合金(Mg:Ag、Al:Li)が挙げられる。しかしながら、陰極7と発光層5との間に、電子を注入する機能に優れた層(電子注入層、図示しない)を、当該陰極7と積層して設けることにより、仕事関数の大小に関わらず、Al、Ag、ITO、ケイ素を含むITO等、陽極2の材料として挙げた材料も含め、様々な導電性材料を陰極7として用いることができる。
なお、電子を注入する機能に優れた層としては、フッ化リチウム(LiF)、フッ化セシウム(CsF)、フッ化カルシウム(CaF)等のようなアルカリ金属又はアルカリ土類金属の化合物を用いることができる。また、この他、電子輸送性を有する物質にアルカリ金属又はアルカリ土類金属を含有させたもの、例えばAlq中にマグネシウム(Mg)を含有させたもの等を用いることができる。
混合層3、正孔輸送層4、発光層5、電子輸送層6は蒸着法で形成することができる。それ以外の方法としては液滴吐出法またはスピンコート法などの湿式法によっても形成することができる。ただし混合層3及びその上に積層する層は酸素を含むガス雰囲気に曝さないで形成する必要がある。また各電極または各層ごとに異なる成膜方法を用いて形成しても構わない。
発光装置は水分等によって劣化する場合があるため、以下のようにパッシベーション膜の成膜や封止を行ってもよい。
ここではプラズマCVD法、スパッタ法等により窒素を含む酸化ケイ素膜をパッシベーション膜8として10〜1000nm形成する。窒素を含む酸化ケイ素膜を用いる場合には、プラズマCVD法でSiH、NO、NHから作製される酸化窒化ケイ素膜、またはSiH、NOから作製される酸化窒化ケイ素膜、あるいはSiH、NOをArで希釈したガスから形成される酸化窒化ケイ素膜を形成すれば良い。
またはSiH、NO、Hから作製される酸化窒化水素化ケイ素膜を適用しても良い。もちろん、パッシベーション膜は単層構造に限定されるものではなく、他のケイ素を含む絶縁層を単層構造、もしくは積層構造として用いても良い。また、窒化炭素膜と窒化ケイ素膜の多層膜やスチレンポリマーの多層膜、窒化ケイ素膜やダイヤモンドライクカーボン膜を、窒素を含む酸化ケイ素膜の代わりに形成してもよい。
続いて水などの劣化を促進する物質から保護するために封止を行う(図2(B))。ここでは対向基板11を封止に用い、絶縁性のシール材により、外部接続部が露出するように貼り合わせる。対向基板11と基板1との間の空間には乾燥した窒素などの不活性気体を充填しても良いし、シール材や透光性を有する樹脂9を全面に塗布しそれにより対向基板11を貼り合わせても良い。シール材には紫外線硬化樹脂などを用いると好適である。シール材には乾燥剤10や基板間のギャップを一定に保つための粒子10を混入しておいても良い。続いて外部接続部にフレキシブル配線基板を貼り付ける。この発光装置は混合層3を形成した後、酸素や水分に曝すことなく、窒素ガス雰囲気に曝しているので寿命を向上させることができる。
以上までは基板1上に陽極2を形成し、陽極2上に混合層3を形成していた。しかし基板1上に陰極7を形成し、陰極7上に電子輸送層6を形成し、電子輸送層6上に発光層5を形成し、発光層5上に正孔輸送層4を形成し、正孔輸送層4上に混合層3を形成し、混合層3上に陽極2を形成する発光装置にも適用することができる(図21)。
混合層3を形成した後、酸素を含むガス雰囲気に曝すことなく、室温にて水分を極力減らした窒素ガス雰囲気に曝し、次に酸素を含むガス雰囲気に曝すことなく陽極2を形成する。
前記混合層3を窒素ガス雰囲気に曝す方法は上記したものを用いることができる。また前記混合層3を窒素ガス雰囲気に曝した後に、窒素ガスを排気し、再度窒素ガス雰囲気に曝してもよい。また前記混合層3には窒素ガスを吹き付けて窒素ガス雰囲気に曝してもよい。
この場合、基板1、陰極7、電子輸送層6、発光層5、正孔輸送層4、混合層3、陽極2は上記したものを用いることができる。また上記したようにこの発光装置は真空中又は減圧下にて蒸着法等により作製することができる。
また陰極7と電子輸送層6との間に電子注入層を形成してもよい。
(実施の形態2)
本実施の形態では、実施の形態1に示した構成とは異なる構成について説明する。本実施の形態で示す構成は、陰極に接するように混合層3を設けている。
図3(A)に発光装置の構造の一例を示す。陽極2と、陰極7との間に、正孔輸送層4、発光層5、電子輸送層6、第1の層15、混合層3が積層された構成となっている。陽極2、陰極7、正孔輸送層4、発光層5、電子輸送層6、混合層3は実施の形態1に示したものを用いることができる。
第1の層15は電子注入層であり、電子供与性物質と、電子輸送性物質とを含む層である。第1の層15に含まれる電子供与性物質としては、アルカリ金属またはアルカリ土類金属およびそれらの酸化物や塩であることが好ましい。具体的には、リチウム、セシウム、カルシウム、リチウム酸化物、カルシウム酸化物、バリウム酸化物、炭酸セシウム等が挙げられる。電子輸送性物質は実施の形態1の電子輸送層に用いることができる化合物に記載したものを用いることができる。第1の層15は蒸着法等により1〜100nm形成する。
第1の層15を形成した後、真空中又は減圧下にて混合層3を実施の形態1に示したように形成する。その後、混合層3を酸素を含むガス雰囲気に曝すことなく、室温にて窒素ガス雰囲気に曝す(図3(B))。窒素ガス中の水分量としては40ppm以下、好ましくは3ppm以下とする。混合層3が形成された基板1がセットされたチャンバー内に窒素ガスを導入する。窒素ガスを1〜500sccmの流量でチャンバー内の圧力が1×10−1〜1×10Paになるように導入する。
チャンバー内の圧力を上記圧力に保持したまま、1〜24時間放置して混合層3を窒素ガス雰囲気に曝す。または窒素ガスを混合層3に吹き付けてもよい。この場合は1〜24時間放置する必要はなく、10〜180分間吹き付ければよい。
窒素ガス雰囲気に曝した後、チャンバー内の窒素ガスを除去して真空又は減圧下にしてから、再度上記したように窒素ガス雰囲気に曝してもよい。これにより発光装置の寿命を向上させることができる。
その後、混合層3を酸素を含むガス雰囲気に曝すことなく陰極7を真空中又は減圧下にて形成して発光装置が完成する。また実施の形態1のようにパッシベーション膜8を形成し、続いて水などの劣化を促進する物質から保護するために封止を行ってもよい。
以上までは基板1上に陽極2を形成し、陽極2上方に混合層3、陰極7を形成していた。しかし基板1上に陰極7を形成し、陰極7上に混合層3を形成し、混合層3上に第1の層15を形成し、第1の層15上に電子輸送層6を形成し、電子輸送層6上に発光層5を形成し、発光層5上に正孔輸送層4を形成し、正孔輸送層4上に陽極2を形成する発光装置にも適用することができる(図22)。
混合層3を形成した後、酸素を含むガス雰囲気に曝すことなく、室温にて水分量を極力減らした窒素ガス雰囲気に曝し、次に酸素を含むガス雰囲気に曝すことなく第1の層を形成する。
前記混合層3を窒素ガス雰囲気に曝す方法は上記したものを用いることができる。また前記混合層3を窒素ガス雰囲気に曝した後に、窒素ガスを排気し、再度窒素ガス雰囲気に曝してもよい。また前記混合層3には窒素ガスを吹き付けて窒素ガス雰囲気に曝してもよい。
基板1、陰極7、混合層3、第1の層15、電子輸送層6、発光層5、正孔輸送層4、陽極2は上記したものを用いることができる。また上記したようにこの発装置は真空中又は減圧下にて蒸着法等により作製することができる。
正孔輸送層4と陽極2との間に正孔注入層を形成してもよい。
(実施の形態3)
本実施の形態では、陽極及び陰極に接するように混合層を設けている。
図4に発光装置の構造の一例を示す。陽極2と、陰極7との間に、第1の混合層3、正孔輸送層4、発光層5、電子輸送層6、第1の層15、第2の混合層3が積層された構成となっている。各層は実施の形態1、2に示したものを用いることができる。また第1の混合層と第2の混合層に用いる有機化合物、金属酸化物は同じであってもよいし、異なっていてもよい。
第1の混合層3及び第2の混合層3を真空中又は減圧下にて形成した後、実施の形態1、2に示したように混合層3を酸素を含むガス雰囲気に曝すことなく、室温にて窒素ガス雰囲気に曝す(図5(A)(B))。窒素ガス中の水分量としては40ppm以下、好ましくは3ppm以下とする。混合層3が形成された基板1がセットされたチャンバー内に窒素ガスを導入する。窒素ガスは水分を極力取り除いたものであることが望ましい。窒素ガスを1〜500sccmの流量でチャンバー内の圧力が1×10−1〜1×10Paになるように導入する。
チャンバー内の圧力を上記圧力に保持したまま、1〜24時間放置して混合層3を窒素ガス雰囲気に曝す。または窒素ガスを混合層3に吹き付けてもよい。この場合は1〜24時間放置する必要はなく、10〜180分間吹き付ければよい。
窒素ガス雰囲気に曝した後、チャンバー内の窒素ガスを除去して真空又は減圧下にしてから、再度上記したように窒素ガス雰囲気に曝してもよい。その後、混合層を酸素を含むガス雰囲気に曝すことなく正孔輸送層4や陰極7を真空中又は減圧下にて形成して発光装置を作製する。これにより発光装置の寿命を向上させることができる。
以上までは基板1上に陽極2を形成し、陽極2上方に陰極7を形成していた。しかし基板1上に陰極7を形成し、陰極7上に第1の混合層3を形成し、第1の混合層3上に第1の層15を形成し、第1の層15上に電子輸送層6を形成し、電子輸送層6上に発光層5を形成し、発光層5上に正孔輸送層4を形成し、正孔輸送層4上に第2の混合層3を形成し、第2の混合層3上に陽極2を形成する発光装置にも適用することができる(図23)。
第1の混合層3を形成した後、酸素を含むガス雰囲気に曝すことなく、室温にて窒素ガス雰囲気に曝し、次に酸素を含むガス雰囲気に曝すことなく第1の層15を形成する。また第2の混合層3を形成した後、酸素を含むガス雰囲気に曝すことなく、窒素ガス雰囲気に曝し、次に酸素を含むガス雰囲気に曝すことなく陽極2を形成する。
第1及び第2の混合層3を窒素ガス雰囲気に曝す方法は上記したものを用いることができる。また前記混合層を窒素ガス雰囲気に曝した後に、窒素ガスを排気し、再度窒素ガス雰囲気に曝してもよい。また前記混合層には窒素ガスを吹き付けて窒素ガス雰囲気に曝してもよい。また窒素ガス中の水分量としては40ppm以下、好ましくは3ppm以下とする。
また上記したようにこの発光装置は真空中又は減圧下にて蒸着法等により作製することができる。
(実施の形態4)
実施の形態1〜3に示した方法とは異なる方法で混合層3を形成する。ここでは混合層3を一度に形成せずに、多数回に分けて成膜する方法について説明する。
図1(A)、(B)に示すように基板1の上に陽極2を形成する。陽極2を真空中又は減圧下にて加熱処理して水分等を除去した後、第1の混合層17aを真空中又は減圧下にて例えば10〜30nm形成する。その後、酸素を含むガス雰囲気に曝すことなく、室温にて上記実施形態に示したように水分量を極力減らした窒素ガス雰囲気に曝す(図6(A))。
次に第1の混合層17aを酸素を含むガス雰囲気に曝すことなく、第2の混合層17bを真空中又は減圧下にて例えば10〜30nm形成する。その後、上記実施の形態に示した方法によって酸素を含むガス雰囲気にさらすことなく、室温にて水分量を極力減らした窒素ガス雰囲気に曝して、混合層3を形成する(図6(B))。第1の混合層又は第2の混合層は、上記実施の形態に示したようにチャンバー内を一定圧力に保持したまま、1〜24時間放置して窒素ガス雰囲気に曝す、又は窒素ガスを第1の混合層又は第2の混合層に吹き付けてもよい。
また第1の混合層又は第2の混合層を窒素ガス雰囲気に曝した後、チャンバー内の窒素ガスを除去して真空又は減圧下にしてから、再度上記したように窒素ガス雰囲気に曝してもよい。
次に第2の混合層17bを酸素を含むガス雰囲気にさらすことなく正孔輸送層等を真空中又は減圧下にて形成して発光装置を作製する。これによって発光装置の寿命を向上させることができる。
また混合層3が陰極に接して設けられている場合にも適用することができる。すなわち第1の層(電子注入層)15を形成した後に、第1の混合層を形成し、窒素ガス雰囲気に曝し、第2の混合層を形成し、窒素ガス雰囲気に曝し、陰極を形成することになる。なお本実施の形態は上記実施の形態に示した構成に適用できることは言うまでもない。
また基板1上に陽極2を形成し、陽極2上に正孔輸送層を形成し、正孔輸送層上に発光層を形成し、発光層上に電子輸送層を形成し、電子輸送層上に第1の層を形成し、第1の層上に第1の混合層3を形成し、室温にて水分量を極力減らした窒素ガス雰囲気に曝し、第2の混合層を形成し、水分量を極力減らした窒素ガス雰囲気に曝し、陰極7を形成する発光装置にも適用することができる。
また基板1上に陰極7を形成し、陰極7上に第1の混合層3を形成し、室温にて窒素ガス雰囲気に曝し、第2の混合層を形成し、窒素ガス雰囲気に曝し、第1の層15を形成し、第1の層15上に電子輸送層6を形成し、電子輸送層6上に発光層5を形成し、発光層5上に正孔輸送層4を形成し、正孔輸送層4上に陽極2を形成する発光装置にも適用することができる。
また基板1上に陰極7を形成し、陰極7上に電子輸送層6を形成し、電子輸送層6上に発光層5を形成し、発光層5上に正孔輸送層4を形成し、正孔輸送層4上に第1の混合層3を形成し、室温にて窒素ガス雰囲気に曝し、第2の混合層を形成し、室温にて水分量を極力減らした窒素ガス雰囲気に曝し、陽極2を形成する発光装置にも適用することができる。
(実施の形態5)
本実施の形態では、上記実施の形態に示した構成とは異なる構成について説明する。複数の発光ユニットを積層した構成の発光装置(以下、タンデム型発光装置ともいう)について説明する。すなわち陽極と陰極との間に、複数の発光ユニットを有している。図7に2つの発光ユニットを積層したタンデム型発光装置を示す。複数の発光ユニットが電荷発生層を介して直列に接続され、電荷発生層に有機化合物と金属酸化物とを有する混合層を適用している。
図7において、陽極20と陰極21との間には、第1の発光ユニット22と第2の発光ユニット24が積層されている。第1の発光ユニット22と第2の発光ユニット24との間には、電荷発生層23が形成されている。
陽極20と陰極21には、上記実施の形態に示した材料を用いることができる。
第1の発光ユニット22および第2の発光ユニット24は、陽極20側から正孔輸送層、発光層、電子輸送層が積層された構成になっており、陽極、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、電荷発生層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、陰極という積層構造になっている。ここで正孔輸送層、電子輸送層は必須の構成ではなく、必要に応じて設ければよい。また正孔注入層、電子注入層等を必要に応じて設けてもよい。また発光ユニットに用いる材料は上記実施の形態に示したものを用いることができる。
電荷発生層23は、上記実施形態に示した有機化合物と金属酸化物とを有する混合層と、電子供与性物質と電子輸送性物質とを有する層とを組み合わせて形成する。混合層と、透明導電膜とを組み合わせて形成してもよい。混合層は可視光の透過率が高いため、第1の発光ユニットおよび第2の発光ユニットで発光した光の透過率が高く、外部取り出し効率を向上させることが可能である。
電子供与性物質としては、アルカリ金属またはアルカリ土類金属およびそれらの酸化物や塩であることが好ましい。具体的には、リチウム、セシウム、カルシウム、リチウム酸化物、カルシウム酸化物、バリウム酸化物、炭酸セシウム等が挙げられる。また電子輸送性物質とは電子輸送層に用いることができる物質を適用できる。
基板上に陽極20、第1の発光ユニット22を形成し、その後電子供与性物質と電子輸送性物質とを有する層25を真空中又は減圧下にて蒸着法等により形成する。次に有機化合物と金属酸化物とを有する混合層26を真空中又は減圧下にて共蒸着法等により形成する(図8(A))。
その後上記実施の形態に示した方法により、酸素を含むガス雰囲気にさらすことなく、室温にて水分量を極力減らした窒素ガス雰囲気に曝す(図8(B))。これによって発光装置の寿命を向上させることができる。
次に酸素を含むガス雰囲気に曝すことなく、真空中又は減圧下にて第2の発光ユニット24を形成し、陰極21を形成して図7に示す発光装置が完成する。なお封止については上記実施の形態の方法を用いることができる。
また混合層26は実施の形態4に示したように多数回に分けて成膜形成することも可能である。
本実施の形態では、2つの発光ユニットを有する発光装置について説明したが、同様に、3つ以上の発光ユニットを積層した発光装置についても、本発明の材料を適用することが可能である。例えば、3つの発光ユニットを積層した発光素子は、第1の発光ユニット、第1の電荷発生層、第2の発光ユニット、第2の電荷発生層、第3の発光ユニット、の順に積層されるが、有機化合物と金属酸化物とを有する混合層は、いずれか一つの電荷発生層のみに含まれていてもよいし、全ての電荷発生層に含まれていてもよい。なお、本実施の形態は、他の実施の形態と適宜組み合わせることが可能である。
第1の発光ユニット22および第2の発光ユニット24は、それぞれ、電子輸送層、発光層、正孔輸送層という構造でもよい。
また陰極を形成し、前記陰極上に発光層を有する第1の発光ユニットを形成し、前記第1の発光ユニット上に、有機化合物と金属酸化物とを有する混合層を形成し、前記混合層を酸素を含むガス雰囲気に曝さず、室温にて水分量を極力減らした窒素ガス雰囲気に曝し、次に酸素を含むガス雰囲気に曝すことなく電子供与性物質と電子輸送性物質とを有する層を形成し、前記電子供与性物質と電子輸送性物質とを有する層上に、第2の発光ユニットを形成し、前記第2の発光ユニット上に陽極を形成する発光装置にも適用可能である。
(実施の形態6)
本実施例では、本発明が開示する発光装置の作製工程の一例及び、その際に使用するマルチチャンバー方式の製造装置について説明する。ここでは基板を投入して、混合層、発光層等の成膜処理などを連続的に行った後、基板とは別に投入した対向基板と合わせてから封止処理を行う。
図9に示す発光装置の製造装置は、搬送室101(基板や対向、メタルマスクを搬送するための搬送ロボット111が付属されている)、及び該搬送室にゲート弁を通じて連結された、基板・マスクストック室102と、前処理室103と、第1蒸着室104と、第2蒸着室105と、第3蒸着室106と、第4蒸着室110、CVD室107と、封止ガラスストック室108と、封止室109とを有する。
最初に、基板と蒸着用メタルマスクの投入を基板・マスクストック室102にて行う。基板・マスクストック室102はチャンバー内外への基板の投入、取り出しをも行えるようにする。
基板・マスクストック室はエレベーター構造になっており、エレベーター構造の各段は基板或いはマスク兼用になっている。基板とマスクとを合わせて最大計10〜15枚収納可能である。なおここでの基板にはチャンバー外において陽極が形成されている。
一方、対向基板の投入を封止ガラスストック室108にて行う。封止ガラスストック室はエレベーター構造になっており、各段に前処理(代表的には、パネル内外の水分を吸収するための乾燥剤貼り付け、及び基板と貼り合せるためのシール材形成を指す)を終えた対向基板を収納する。
本製造装置では、投入した全基板に対して成膜処理を先に終了させる。これを「蒸着モード」と呼ぶ。この蒸着モードが終了した後、対向基板との貼り合わせを行う「封止モード」に入る。
以下、蒸着モードについて説明する。まず、搬送室101と、前処理室103と、第1蒸着室104と、第2蒸着室105と、第3蒸着室106と、第4蒸着室110、CVD室107を例えば1×10−5〜1×10−6Paまで高真空に排気する。蒸着モード中、搬送室は常に高真空に保持される。また各蒸着室にセットしてある蒸着材料は、各材料に対し各々の蒸発開始温度より30℃低い温度で前加熱をしてあるものとする。好ましくはこの前加熱時間は12時間以上であるとよい。これは蒸着材料に付着している水分を取り去ることを目的としている。
次に、基板・マスクストック室102を真空排気後、マスクを各蒸着室へ搬送する。以上の準備が完了したら、基板を前処理室103に搬送する。前処理室103ではランプヒータ等による真空中又は減圧下にて基板加熱を行う。なお基板加熱に関しては、基板・マスクストック室102で行ってもよい。
次に、基板を前処理室103から搬送室101経由で第4蒸着室110へ搬送し、マスクとCCDカメラを用いたアライメント処理の終了後、混合層を形成する。第4蒸着室110では、固定された蒸着源から有機化合物及び金属酸化物を蒸発させ、上方に設置した基板上に成膜する。蒸着中、基板は回転しており、これによって基板上に形成される膜厚の面内分布が向上する。
次に、基板を酸素を含むガス雰囲気に曝すことなく、搬送室101経由でCVD室107へ搬送する。基板がCVD室107に搬送されるまではCVD室107は高真空に排気されている。基板搬送後にCVD室に水分量を極力減らした高純度の窒素ガスを例えば1〜500sccmで供給する。窒素ガスを供給する間もターボブースターポンプでCVD室を排気していればCVD室内の圧力は一定となる。圧力は1×10−1〜1×10Paが好ましい。基板に窒素ガスを10〜180分間吹き付けて、窒素ガスに曝した後、窒素ガスの供給を止める。
窒素ガスを排気してCVD室内を高真空にした後、再度窒素ガスを供給して基板を窒素ガスに曝してもよい。また基板に窒素ガスを吹き付けない場合には、窒素ガスをCVD室内に供給しつつ上記圧力に保持して1〜24時間窒素ガス雰囲気に曝してもよい。
尚、CVD室107においては、基板全面にCVD膜を形成することが可能である。ガスを複数種使用してのプラズマ処理も可能である。これを利用して、例えば保護膜としての窒化珪素膜、酸化珪素膜等を陰極上に形成することができる。また基板に対する前処理として、複数種ガスを使用したプラズマ処理(例えばAr+Oプラズマ処理)を行ってもよい。
次に、混合層を酸素を含むガス雰囲気に曝すことなく、基板を搬送室101経由で第2蒸着室105へ搬送する。アライメント処理終了後、正孔輸送層を形成する。
次に、基板を搬送室101経由で第1蒸着室104へ搬送する。蒸着室の機構及び成膜処理方法はその他の蒸着室と同様である。ここでは、発光層を成膜した後、電子輸送層を成膜する。発光層はホスト材料とドーパント材料とを共蒸着して形成してもよい。また発光層から電子輸送層への切り替えは、単に蒸着源に付属する蒸着源シャッターを閉じるだけでスムーズに行われる。
次に、基板を搬送室101経由で第3蒸着室106へ搬送する。ここでは、陰極を成膜する。蒸着室の機構及び成膜処理方法はその他の蒸着室と同様である。
以上のように必要な処理を終えた基板は、搬送室101経由で再び出発点の基板・マスクストック室102に戻す。ここでは発光の単色パネルを得るために必要な一連の処理を示したが、特に限定されない。
投入した全ての基板に対して同様の処理が完了し、マスクを各蒸着室から基板・マスクストック室102へ回収したら、蒸着モードは終了し、本製造装置は引き続き封止モードに入る。
以下、封止モードについて説明する。まず搬送室101、基板・マスクストック室102、封止ガラスストック室108を窒素ガスで加圧し、大気圧にする。搬送室及び基板・マスクストック室に関しては、蒸着モード終了後すぐにこの処理を行えばよい。また、封止ガラスストック室に関しては、前処理を終えた対向基板のセットをなるべく封止直前に行うことによって、シール材や乾燥剤の劣化を抑えることが出来る。セット後、封止ガラスストック室の排気・窒素ガスによる加圧処理を複数回行うことによって、封止モード時における搬送室の水分濃度を低減出来る。さらに対向に形成したシール材の脱泡も行える。
次に、基板を基板・マスクストック室102から、対向基板を封止ガラスストック室108から、それぞれ搬送室101経由でそれぞれ封止室109に搬送する。封止室において、基板の端部同士を合わせて基板・対向基板のアライメント処理終了後、基板・対向基板を貼り合せ、加圧することによって封止を行う。さらに対向基板側(下側)から紫外線照射を行い、シール材(ここでは紫外線硬化樹脂とする)を硬化させる。この際、遮光マスクを使用し、シール材の部分だけ選択的に紫外線照射を施すことが可能である。
以上の封止処理によって、基板と対向基板は一体のパネルとなる。このパネルを封止室109から搬送室101経由で基板・マスクストック室102に搬送する。以下、次の基板及び対向基板に関しても同様の処理を行う。最終的にパネルが基板・マスクストック室に収納され、封止モードは終了する。封止モード終了後、基板・マスクストック室から完成したパネルを取り出せば良い。
(実施の形態7)
本実施の形態では、本発明の発光装置について図10、図11を参照し、作製方法を示しながら説明する。なお、本実施の形態ではアクティブマトリクス型の発光装置を作製する例を示した。
まず、基板50上に第1の下地絶縁層51a、第2の下地絶縁層51bを形成した後、さらに半導体層を第2の下地絶縁層51b上に形成する。(図10(A))
基板50の材料としてはガラス、石英やプラスチック(ポリイミド、アクリル、ポリエチレンテレフタラート、ポリカーボネート、ポリアクリレート、ポリエーテルスルホンなど)等を用いることができる。これら基板は必要に応じてCMP等により研磨してから使用しても良い。本実施の形態においてはガラス基板を用いる。
第1の下地絶縁層51a、第2の下地絶縁層51bは基板50中のアルカリ金属やアルカリ土類金属など、半導体膜の特性に悪影響を及ぼすような元素が半導体層中に拡散するのを防ぐ為に設ける。材料としては酸化ケイ素、窒化ケイ素、窒素を含む酸化ケイ素、酸素を含む窒化ケイ素などを用いることができる。本実施の形態では第1の下地絶縁層51aを窒化ケイ素で、第2の下地絶縁層51bを酸化ケイ素で形成する。本実施の形態では、下地絶縁層を第1の下地絶縁層51a、第2の下地絶縁層51bの2層で形成したが、単層で形成してもかまわないし、2層以上の多層であってもかまわない。また、基板からの不純物の拡散が気にならないようであれば下地絶縁層は設ける必要がない。
続いて形成される半導体層は本実施の形態では非晶質ケイ素膜をレーザ結晶化して得る。第2の下地絶縁層51b上に非晶質ケイ素膜を25〜100nm(好ましくは30〜60nm)の膜厚で形成する。作製方法としては公知の方法、例えばスパッタ法、減圧CVD法またはプラズマCVD法などが使用できる。その後、500℃で1時間の加熱処理を行い、水素出しをする。
続いてレーザ照射装置を用いて非晶質ケイ素膜を結晶化して結晶質ケイ素膜を形成する。本実施の形態のレーザ結晶化ではエキシマレーザを使用する。発振されたレーザビームを光学系を用いて線状のビームスポットに加工し非晶質ケイ素膜に照射することで結晶質ケイ素膜とし、半導体層として用いる。
非晶質ケイ素膜の他の結晶化の方法としては、他に、熱処理のみにより結晶化を行う方法や結晶化を促進する触媒元素を用い加熱処理を行う方法もある。結晶化を促進する元素としてはニッケル、鉄、パラジウム、スズ、鉛、コバルト、白金、銅、金などが挙げられる。このような元素を用いることによって熱処理のみで結晶化を行った場合に比べ、低温、短時間で結晶化が行われる。よってガラス基板などへのダメージが少ない。熱処理のみにより結晶化をする場合は、基板50を熱に強い石英基板などにすればよい。
続いて、必要に応じて半導体層にしきい値をコントロールする為に微量の不純物添加、いわゆるチャネルドーピングを行う。要求されるしきい値を得る為にN型もしくはP型を呈する不純物(リン、ボロンなど)をイオンドーピング法などにより添加する。
その後、図10(A)に示すように半導体層を所定の形状に加工し、島状の半導体層52を得る。加工は半導体層にフォトレジストを塗布し、所定のマスク形状を露光し、焼成して、半導体層上にレジストマスクを形成し、このマスクを用いてエッチングをすることにより行われる。
続いて半導体層52を覆うようにゲート絶縁層53を形成する。ゲート絶縁層53はプラズマCVD法またはスパッタ法を用いて膜厚を40〜150nmとしてケイ素を含む絶縁層で形成する。本実施の形態では酸化ケイ素を用いて形成する。
次いで、ゲート絶縁層53上にゲート電極54を形成する。ゲート電極54はタンタル、タングステン、チタン、モリブデン、アルミニウム、銅、クロム、ニオブから選ばれた元素、または元素を主成分とする合金材料若しくは化合物材料で形成してもよい。また、リン等の不純物元素をドーピングした多結晶ケイ素膜に代表される半導体膜を用いてもよい。また、AgPdCu合金を用いてもよい。
また、本実施の形態ではゲート電極54は単層で形成されているが、下層にタングステン、上層にモリブデンなどの2層以上の積層構造でもかまわない。積層構造としてゲート電極を形成する場合であっても前段で述べた材料を使用するとよい。また、その組み合わせも適宜選択すればよい。ゲート電極54の加工はフォトレジストを用いたマスクを利用し、エッチングをして行う。
続いて、ゲート電極54をマスクとして半導体層52に高濃度の不純物を添加する。これによって半導体層52、ゲート絶縁層53、及びゲート電極54を含む薄膜トランジスタ70が形成される。ここで低速イオンドープ、高速イオンドープを用いてソース領域55、ドレイン領域56の他にLDD領域57を設けてもよい。
なお、薄膜トランジスタの作製工程については特に限定されず、所望の構造のトランジスタを作製できるように適宜変更すればよい。
本実施の形態では、レーザ結晶化を使用して結晶化した結晶性シリコン膜を用いたトップゲートの薄膜トランジスタを用いたが、非晶質半導体膜を用いたボトムゲート型の薄膜トランジスタを用いることも可能である。非晶質半導体はケイ素だけではなくシリコンゲルマニウムも用いることができる。シリコンゲルマニウムを用いる場合、ゲルマニウムの濃度は0.01〜4.5atomic%程度であることが好ましい。
また非晶質半導体中に0.5nm〜20nmの結晶を粒観察することができる微結晶半導体膜(セミアモルファス半導体)を用いてもよい。また0.5nm〜20nmの結晶を粒観察することができる微結晶はいわゆるマイクロクリスタル(μc)とも呼ばれている。
セミアモルファス半導体であるセミアモルファスシリコン(SASとも表記する)は、シラン系ガスをグロー放電分解することにより得ることができる。代表的なものとしては、SiHであり、その他にもSi、SiHCl、SiHCl、SiCl、SiFなどを用いることができる。上記ガスを水素、水素とヘリウム、アルゴン、クリプトン、ネオンから選ばれた一種または複数種の希ガス元素で希釈して用いることでSASの形成を容易なものとすることができる。希釈率は10倍〜1000倍の範囲でシラン系ガスを希釈することが好ましい。グロー放電分解による被膜の反応生成は0.1Pa〜133Paの範囲の圧力で行えば良い。グロー放電を形成するための電力は1MHz〜120MHz、好ましくは13MHz〜60MHzの高周波電力を供給すれば良い。基板加熱温度は300℃以下が好ましく、100〜250℃の基板加熱温度が好適である。
このようにして形成されたSASはラマンスペクトルが520cm−1よりも低波数側にシフトしており、X線回折ではSi結晶格子に由来するとされる(111)、(220)の回折ピークが観測される。水素またはハロゲンを少なくとも1原子%またはそれ以上含ませて、未結合手(ダングリングボンド)を終端させる。膜中の酸素、窒素、炭素などの大気成分の不純物は1×1020cm−1以下とすることが望ましく、特に、酸素濃度は5×1019cm−3以下、好ましくは1×1019cm−3以下とする。
また、このSASをレーザでさらに結晶化して用いても良い。
続いて、ゲート電極54、ゲート絶縁層53を覆って絶縁膜(水素化膜)59を窒化ケイ素により形成する。絶縁膜(水素化膜)59を形成したら480℃で1時間程度加熱を行って、不純物元素の活性化及び半導体層52の水素化を行う。
続いて、絶縁膜(水素化膜)59を覆う第1の層間絶縁層60を形成する。第1の層間絶縁層60を形成する材料としては酸化ケイ素、アクリル、ポリイミドやシロキサン、低誘電率材料等を用いるとよい。本実施の形態では酸化ケイ素膜を第1の層間絶縁層として形成した。(図10(B))
次に、半導体層52に至るコンタクトホールを開口する。コンタクトホールはレジストマスクを用いて、半導体層52が露出するまでエッチングを行うことで形成することができ、ウエットエッチング、ドライエッチングどちらでも形成することができる。なお、条件によって一回でエッチングを行ってしまっても良いし、複数回に分けてエッチングを行っても良い。また、複数回でエッチングする際は、ウエットエッチングとドライエッチングの両方を用いても良い。(図10(C))
そして、当該コンタクトホールや第1の層間絶縁層60を覆う導電層を形成する。当該導電層を所望の形状に加工し、接続部61a、配線61bなどが形成される。この配線はアルミニウム、銅、アルミニウムと炭素とニッケルの合金、アルミニウムと炭素とモリブデンの合金等の単層でも良いが、基板側からモリブデン、アルミニウム、モリブデンの積層構造やチタン、アルミニウム。チタンやチタン、窒化チタン、アルミニウム、チタンといった構造でも良い。(図10(D))
その後、接続部61a、配線61b、第1の層間絶縁層60を覆って第2の層間絶縁層63を形成する。第2の層間絶縁層63の材料としては自己平坦性を有するアクリル、ポリイミド、シロキサンなどの塗布膜が好適に利用できる。本実施の形態ではシロキサンを第2の層間絶縁層63として用いる。(図10(E))
続いて第2の層間絶縁層63上に窒化ケイ素などで絶縁層を形成してもよい(図示しない)。これは後の画素電極のエッチングにおいて、第2の層間絶縁層63が必要以上にエッチングされてしまうのを防ぐ為に形成する。そのため、画素電極と第2の層間絶縁層のエッチングレートの比が大きい場合には特に設けなくとも良い。続いて、第2の層間絶縁層63を貫通して接続部61aに至るコンタクトホールを形成する。
そして当該コンタクトホールと第2の層間絶縁層63(もしくは絶縁層)を覆って、透光性を有する導電層を形成したのち、当該透光性を有する導電層を加工して陽極64を形成する。ここで陽極64は接続部61aと電気的に接触している。
陽極64の材料としてはアルミニウム(Al)、銀(Ag)、金(Au)、白金(Pt)、ニッケル(Ni)、タングステン(W)、クロム(Cr)、モリブデン(Mo)、鉄(Fe)、コバルト(Co)、銅(Cu)、パラジウム(Pd)、リチウム(Li)、セシウム(Cs)、マグネシウム(Mg)、カルシウム(Ca)、ストロンチウム(Sr)、チタン(Ti)などの導電性を有する金属、又はアルミニウム−シリコン(Al−Si)、アルミニウム−チタン(Al−Ti)、アルミニウム−シリコン−銅(Al−Si−Cu)等それらの合金、または窒化チタン(TiN)等の金属材料の窒化物、ITO、酸化ケイ素を含有するITO(ITSO)、IZO等の金属化合物など実施の形態1に示したような導電膜により形成することができる。
また、発光を取り出す方の電極は透明性を有する導電膜により形成すれば良く、ITO、ITSO、IZOなどの金属化合物の他、Al、Ag等金属の極薄膜を用いる。また、陰極の方から発光を取り出す場合は陽極は反射率の高い材料(Al、Ag等)を用いることができる。本実施の形態ではITSOを陽極64として用いた(図11(A))。
次に第2の層間絶縁層63(もしくは絶縁層)及び陽極64を覆って有機材料もしくは無機材料からなる絶縁層を形成する。続いて当該絶縁層を陽極64の一部が露出するように加工し、隔壁65を形成する。隔壁65の材料としては、感光性を有する有機材料(アクリル、ポリイミドなど)が好適に用いられるが、感光性を有さない有機材料や無機材料で形成してもかまわない。また、隔壁65の材料にチタンブラックやカーボンナイトライドなどの黒色顔料や染料を分散材などを用いて分散し、隔壁65を黒くすることでブラックマトリクスに用いても良い。隔壁65の陽極に向かう端面は曲率を有し、当該曲率が連続的に変化するテーパー形状をしていることが望ましい(図11(B))。その後、真空中又は減圧下で基板加熱を行って水分等を除去する。
次に、隔壁65から露出した陽極64を覆って、有機化合物と金属酸化物とを有する混合層を真空中又は減圧下にて形成する。この混合層は実施の形態1に記載の構成を有する層であり、本実施の形態では有機化合物としてDNTPD、金属化合物として三酸化モリブデンを用い、DNTPDに対して三酸化モリブデンが10〜80wt%となるように共蒸着により形成する。もちろん、混合層は実施の形態1に記載のその他の材料でもって形成しても良い。
その後、上記実施の形態に示した方法によって混合層を酸素を含むガス雰囲気に曝すことなく、室温にて窒素ガス雰囲気に曝す。基板がセットされたチャンバー内に窒素ガスを導入する。窒素ガスは上記実施の形態のように水分を極力取り除いたものであることが望ましい。
続いて、混合層を酸素を含むガス雰囲気に曝すことなく、正孔を輸送する機能に優れた層としてNPBを膜厚10〜100nm、発光層としてAlqにクマリン6を重量比1:0.005、膜厚35〜100nm、電子輸送層としてはAlqを膜厚10〜100nmとなるように真空中又は減圧下にて蒸着する。これにより陽極64上に混合層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層からなる発光積層体66が形成される。
続いて発光積層体66を覆う陰極67を形成する(図11(C))。これによって陽極64と陰極67との間に発光層を含む有機層を挟んでなる発光装置93を作製することができ、陽極に陰極より高い電圧をかけることによって発光を得ることができる。陰極67の形成に用いられる電極材料としては陽極の材料と同様の材料を用いることができる。本実施の形態ではアルミニウムを陰極として用いた。以上により発光装置が完成する。
その後、プラズマCVD法により窒素を含む酸化ケイ素膜をパッシベーション膜として形成する。窒素を含む酸化ケイ素膜を用いる場合には、プラズマCVD法でSiH、NO、NHから作製される酸化窒化ケイ素膜、またはSiH、NOから作製される酸化窒化ケイ素膜、あるいはSiH、NOをArで希釈したガスから形成される酸化窒化ケイ素膜を形成すれば良い。
また、パッシベーション膜としてプラズマCVD法でSiH、NO、Hから作製される酸化窒化水素化ケイ素膜を適用しても良い。パッシベーション膜は単層構造に限定されるものではなく、他のケイ素を含む絶縁層を単層構造、もしくは積層構造として用いても良い。また、窒化炭素膜と窒化ケイ素膜の多層膜やスチレンポリマーの多層膜、窒化ケイ素膜やダイヤモンドライクカーボン膜を窒素を含む酸化ケイ素膜の代わりに形成してもよい。
続いて発光装置を水などの劣化を促進する物質から保護するために、表示部の封止を行う。対向基板を封止に用いる場合は、絶縁性のシール材により、外部接続部が露出するように貼り合わせる。対向基板と素子基板との間の空間には乾燥した窒素などの不活性気体を充填しても良いし、シール材を画素部全面に形成しそれにより対向基板を貼り合わせても良い。シール材には紫外線硬化樹脂などを用いると好適である。シール材には乾燥剤や基板間のギャップを一定に保つための粒子を混入しておいても良い。続いて外部接続部にフレキシブル配線基板を貼り付ける。
以上のように作製した発光装置の構成の1例を図12参照しながら説明する。なお、形が異なっていても同様の機能を示す部分には同じ符号を付し、その説明を省略する部分もある。本実施の形態では、LDD構造を有する薄膜トランジスタ70が接続部61aを介して発光装置93に接続している。
図12(A)は陽極64が透光性を有する導電膜により形成されており、基板50側に発光積層体66より発せられた光が取り出される構造である。なお94は対向基板であり、発光装置93が形成された後、シール材などを用い、基板50に固着される。対向基板94と素子との間に透光性を有する樹脂88等を充填し、封止することによって発光装置93が水分により劣化することを防ぐ事ができる。また、樹脂88が吸湿性を有していることが望ましい。さらに樹脂88中に透光性の高い乾燥剤89を分散させるとさらに水分の影響を抑えることが可能になるためさらに望ましい形態である。
図12(B)は陽極64と陰極67両方が透光性を有する導電膜により形成されており、基板50及び対向基板94の両方に光を取り出すことが可能な構成となっている。また、この構成では基板50と対向基板94の外側に偏光板90を設けることによって画面が透けてしまうことを防ぐことができ、視認性が向上する。偏光板90の外側には保護フィルム91を設けると良い。
また画素部におけるトランジスタや発光素子等の配置について特に限定はないが、例えば図13の上面図に表すように配置することができる。図13において、第1のトランジスタ1001の第1電極はソース信号線1004に接続し、第2の電極は第2のトランジスタ1002のゲート電極に接続している。また第2トランジスタの第1電極は電流供給線1005に接続し、第2電極は発光素子の電極1006に接続している。ゲート信号線1003の一部は第1のトランジスタ1001のゲート電極として機能する。
なお、表示機能を有する本発明の発光装置には、アナログのビデオ信号、デジタルのビデオ信号のどちらを用いてもよい。デジタルのビデオ信号を用いる場合はそのビデオ信号が電圧を用いているものと、電流を用いているものとに分けられる。発光時において、画素に入力されるビデオ信号は、定電圧のものと、定電流のものがあり、ビデオ信号が定電圧のものには、発光装置に印加される電圧が一定のものと、発光装置に流れる電流が一定のものとがある。またビデオ信号が定電流のものには、発光装置に印加される電圧が一定のものと、発光装置に流れる電流が一定のものとがある。この発光装置に印加される電圧が一定のものは定電圧駆動であり、発光装置に流れる電流が一定のものは定電流駆動である。定電流駆動は、発光装置の抵抗変化によらず、一定の電流が流れる。本発明の発光装置及びその駆動方法には、電圧で駆動する方法、電流で駆動する方法のどちらを用いてもよく、また定電圧駆動、定電流駆動のどちらを用いてもよい。
上記作製方法によって作製された本発明の発光装置は特性が劣化することなく、発光寿命が向上する。また本実施の形態は上記の実施の形態と組み合わせて用いることが可能である。
(実施の形態8)
本実施の形態では、本発明の発光装置を有するパネルの外観について図14を用いて説明する。図14は基板上に形成されたトランジスタおよび発光素子を対向基板4006との間に形成したシール材によって封止したパネルの上面図であり、図14(B)は図14(A)のA−A’の断面図に相応する。また、このパネルに搭載されている発光装置の有する構造は、実施の形態7に示したような構成である。
基板4001上に設けられた画素部4002と信号線駆動回路4003と走査線駆動回路4004とを囲むようにして、シール材4005が設けられている。また、画素部4002と信号線駆動回路4003と、走査線駆動回路4004の上に対向基板4006が設けられている。よって画素部4002と信号線駆動回路4003と、走査線駆動回路4004とは基板4001とシール材4005と対向基板4006とによって充填材4007と共に密封されている。
また、基板4001上に設けられた画素部4002と信号線駆動回路4003と走査線駆動回路4004とは薄膜トランジスタを複数有しており、図14(B)では信号線駆動回路4003に含まれる薄膜トランジスタ4008と、画素部4002に含まれる薄膜トランジスタ4010とを示す。
また、発光装置4011は、薄膜トランジスタ4010と電気的に接続されている。
また、引き回し配線4014は画素部4002と信号線駆動回路4003と、走査線駆動回路4004とに、信号、または電源電圧を層供給する為の配線に相当する。引き回し配線4014は、引き回し配線4015a、4015bを介して接続端子4016と接続されている。接続端子4016はフレキシブルプリントサーキット(FPC)4018が有する端子と異方性導電膜4019を介して電気的に接続されている。
なお、充填材4007としては窒素やアルゴンなどの不活性な気体の他に、紫外線硬化樹脂または熱硬化樹脂を用いることができ、ポリビニルクロライド、アクリル、ポリイミド、エポキシ樹脂、シリコン樹脂、ポリビニルブチラル、またはエチレンビニレンアセテートを用いる事ができる。
なお、本発明の発光装置は発光素子を有する画素部が形成されたパネルと、該パネルにICが実装されたモジュールとをその範疇に含む。
このような構成を有する本発明の発光装置はそこで駆動電圧や消費電力の上昇を招くことなく暗点の発生を抑制することが可能な発光装置である。
本実施の形態は上記実施の形態と組み合わせて用いることが可能である。
(実施の形態9)
本実施の形態では、実施の形態8で示したパネル、モジュールが有する画素回路、保護回路及びそれらの動作について説明する。なお、図10、図11に示してきた断面図は駆動用TFT1403と発光装置1405の断面図となっている。
図15(A)に示す画素は、列方向に信号線1410及び電源線1411、1412、行方向に走査線1414が配置される。また、スイッチング用TFT1401、駆動用TFT1403、電流制御用TFT1404、容量素子1402及び発光装置1405を有する。
図15(C)に示す画素は、駆動用TFT1403のゲート電極が、行方向に配置された電源線1412に接続される点が異なっており、それ以外は図15(A)に示す画素と同じ構成である。つまり、図15(A)(C)に示す画素は、同じ等価回路図を示す。しかしながら、列方向に電源線1412が配置される場合(図15(A))と、行方向に電源線1412が配置される場合(図15(C))とでは、各電源線は異なるレイヤーの導電膜で形成される。ここでは、駆動用TFT1403のゲート電極が接続される配線に注目し、これらを作製するレイヤーが異なることを表すために、図15(A)(C)として分けて記載する。
図15(A)(C)に示す画素の特徴として、画素内に駆動用TFT1403と電流制御用TFT1404が直列に接続されており、駆動用TFT1403のチャネル長L(1403)、チャネル幅W(1403)、電流制御用TFT1404のチャネル長L(1404)、チャネル幅W(1404)は、L(1403)/W(1403):L(1404)/W(1404)=5〜6000:1を満たすように設定するとよい。
なお、駆動用TFT1403は、飽和領域で動作し発光装置1405に流れる電流値を制御する役目を有し、電流制御用TFT1404は線形領域で動作し発光装置1405に対する電流の供給を制御する役目を有する。両TFTは同じ導電型を有していると作製工程上好ましく、本実施の形態ではnチャネル型TFTとして形成する。また駆動用TFT1403には、エンハンスメント型だけでなく、ディプリーション型のTFTを用いてもよい。上記構成を有する発光装置は、電流制御用TFT1404が線形領域で動作するために、電流制御用TFT1404のVgsの僅かな変動は、発光装置1405の電流値に影響を及ぼさない。つまり、発光装置1405の電流値は、飽和領域で動作する駆動用TFT1403により決定することができる。上記構成により、TFTの特性バラツキに起因した発光素子の輝度ムラを改善して、画質を向上させた発光装置を提供することができる。
図15(A)〜(D)に示す画素において、スイッチング用TFT1401は、画素に対するビデオ信号の入力を制御するものであり、スイッチング用TFT1401がオンとなると、画素内にビデオ信号が入力される。すると、容量素子1402にそのビデオ信号の電圧が保持される。なお図15(A)(C)には、容量素子1402を設けた構成を示したが、本発明はこれに限定されず、ビデオ信号を保持する容量がゲート容量などでまかなうことが可能な場合には、容量素子1402を設けなくてもよい。
図15(B)に示す画素は、TFT1406と走査線1415を追加している以外は、図15(A)に示す画素構成と同じである。同様に、図15(D)に示す画素は、TFT1406と走査線1415を追加している以外は、図15(C)に示す画素構成と同じである。
TFT1406は、新たに配置された走査線1415によりオン又はオフが制御される。TFT1406がオンとなると、容量素子1402に保持された電荷は放電し、電流制御用TFT1404がオフとなる。つまり、TFT1406の配置により、強制的に発光装置1405に電流が流れない状態を作ることができる。そのためTFT1406を消去用TFTと呼ぶことができる。従って、図15(B)(D)の構成は、全ての画素に対する信号の書き込みを待つことなく、書き込み期間の開始と同時又は直後に点灯期間を開始することができるため、デューティ比を向上することが可能となる。
図15(E)に示す画素は、列方向に信号線1410、電源線1411、行方向に走査線1414が配置される。また、スイッチング用TFT1401、駆動用TFT1403、容量素子1402及び発光装置1405を有する。図15(F)に示す画素は、TFT1406と走査線1415を追加している以外は、図15(E)に示す画素構成と同じである。なお、図15(F)の構成も、TFT1406の配置により、デューティ比を向上することが可能となる。
以上のように、多様な画素回路を採用することができる。特に、非晶質半導体膜から薄膜トランジスタを形成する場合、駆動用TFT1403の半導体膜を大きくすると好ましい。そのため、上記画素回路において、発光積層体からの光が封止基板側から射出する上面発光型とすると好ましい。
このようなアクティブマトリクス型の発光装置は、画素密度が増えた場合、各画素にTFTが設けられているため低電圧駆動でき、有利であると考えられている。
本実施の形態では、一画素に各TFTが設けられるアクティブマトリクス型の発光装置について説明したが、パッシブマトリクス型の発光装置を形成することもできる。パッシブマトリクス型の発光装置は、各画素にTFTが設けられていないため、高開口率となる。発光が発光積層体の両側へ射出する発光装置の場合、パッシブマトリクス型の発光装置を用いる透過率が高まる。
これらのような画素回路をさらに有する本発明の発光装置は、当該発光装置の電極として当該発光装置が有する構成及び求める性能に適した材料を使用することが出来る上、上記各々の特徴を有する発光装置とすることができる。
続いて、図15(E)に示す等価回路を用い、走査線及び信号線に保護回路としてダイオードを設ける場合について説明する。
図16には、画素部1500にスイッチング用TFT1401、1403、容量素子1402、発光装置1405が設けられている。信号線1410には、ダイオード1561と1562が設けられている。ダイオード1561と1562は、スイッチング用TFT1401又は1403と同様に、上記実施の形態に基づき作製され、ゲート電極、半導体層、ソース電極及びドレイン電極等を有する。ダイオード1561と1562は、ゲート電極と、ドレイン電極又はソース電極とを接続することによりダイオードとして動作させている。
ダイオード1561と1562と接続する共通電位線1554、1555はゲート電極と同じレイヤーで形成している。従って、ダイオードのソース電極又はドレイン電極と接続するには、ゲート絶縁層にコンタクトホールを形成する必要がある。
走査線1414に設けられるダイオード1563と1564も同様な構成である。
このように、本発明によれば、入力段に設けられる保護ダイオードを同時に形成することができる。なお、保護ダイオードを形成する位置は、これに限定されず、駆動回路と画素との間に設けることもできる。
このような保護回路を有する本発明の発光装置は、当該発光装置は長時間安定に駆動できるため信頼性が高く、上記構成を有することで、発光装置としての信頼性をさらに高めることが可能となる。
(実施の形態10)
上記実施の形態にその一例を示したようなモジュールを搭載した本発明の発光装置を有する電子機器として、ビデオカメラ・デジタルカメラ等のカメラ、ゴーグル型ディスプレイ(ヘッドマウントディスプレイ)、ナビゲーションシステム、音響再生装置(カーオーディオコンポ等)、コンピュータ、ゲーム機器、携帯情報端末(モバイルコンピュータ、携帯電話、携帯型ゲーム機または電子書籍等)、記録媒体を備えた画像再生装置(具体的にはDigital Versatile Disc(DVD)等の記録媒体を再生し、その画像を表示しうるディスプレイを備えた装置)などが挙げられる。それらの電子機器の具体例を図17、図18に示す。
図17(A)はテレビ受像器やパーソナルコンピュータのモニターなどである。筐体3001、表示部3003、スピーカー部3004等を含む。表示部3003にはアクティブマトリクス表示装置が設けられている。表示部3003は画素ごとに本発明の作製方法を用いた発光装置及びTFTを有している。本発明の発光装置を有していることにより特性劣化が少なく、発光寿命の長いテレビを得ることができる。
図17(B)は携帯電話であり、本体3101、筐体3102、表示部3103、音声入力部3104、音声出力部3105、操作キー3106、アンテナ3108等を含む。表示部3103にはアクティブマトリクス表示装置が設けられている。表示部3103は画素ごとに本発明の作製方法を用いた発光装置及びTFTを有している。本発明の発光装置を有していることにより特性劣化が少なく、発光寿命の長い携帯電話を得ることができる。
図17(C)はコンピュータであり、本体3201、筐体3202、表示部3203、キーボード3204、外部接続ポート3205、ポインティングマウス3206等を含む。表示部3203にはアクティブマトリクス表示装置が設けられている。表示部3203は画素ごとに本発明の作製方法を用いた発光装置及びTFTを有している。本発明の発光装置を有していることにより特性劣化が少なく、発光寿命の長いコンピュータを得ることができる。
図17(D)はモバイルコンピュータであり、本体3301、表示部3302、スイッチ3303、操作キー3304、赤外線ポート3305等を含む。表示部3302にはアクティブマトリクス表示装置が設けられている。表示部3302は画素ごとに本発明の作製方法を用いた発光装置及びTFTを有している。本発明の発光装置を有していることにより特性劣化が少なく、発光寿命の長いモバイルコンピュータを得ることができる。
図17(E)は携帯型のゲーム機であり、筐体3401、表示部3402、スピーカー部3403、操作キー3404、記録媒体挿入部3405等を含む。表示部3402にはアクティブマトリクス表示装置が設けられている。表示部3402は画素ごとに本発明の作製方法を用いた発光装置及びTFTを有している。本発明の発光装置を有していることにより特性劣化が少なく、発光寿命の長い携帯型ゲーム機を得ることができる。
図18(A)はフレキシブルディスプレイであり、本体3110、画素部3111、ドライバIC3112、受信装置3113、フィルムバッテリー3114等を含む。受信装置では上記携帯電話の赤外線通信ポート3107からの信号を受信することができる。画素部3111にはアクティブマトリクス表示装置が設けられている。画素部3111は画素ごとに本発明の作製方法を用いた発光装置及びTFTを有している。本発明の発光装置を有していることにより特性劣化が少なく、発光寿命の長いフレキシブルディスプレイを得ることができる。
図18(B)は、本発明を適用して作製したIDカードであり、支持体5541、表示部5542、支持体5541内に組み込まれた集積回路チップ5543等によって構成されている。
表示部5542にはアクティブマトリクス表示装置が設けられている。表示部5542にはアクティブマトリクス表示装置が設けられている。表示部5542は画素ごとに本発明の作製方法を用いた発光装置及びTFTを有している。本発明の発光装置を有していることにより特性劣化が少なく、発光寿命の長いIDカードを得ることができる。
以上の様に、本発明の適用範囲は極めて広く、あらゆる分野の電子機器に用いることが可能である。
ここでは有機化合物としてDNTPD、金属酸化物として三酸化モリブデン、立体障害の高い物質であるルブレンを用いて混合層を形成し、その後窒素ガス雰囲気に曝した後に正孔輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層、陰極を形成した発光装置と、窒素ガス雰囲気に曝すことなく作製した発光装置との輝度の時間変化を調べた。
ガラス基板1上にITOからなる陽極2を形成し、その後減圧下で150℃30分間加熱した(図1(A)(B))。次に減圧下にてDNTPD、三酸化モリブデン、ルブレンを共蒸着して混合層3を120nm形成した(図1(C))。DNTPD、三酸化モリブデン、ルブレンはDNTPD:三酸化モリブデン:ルブレン=1:0.5:0.02(質量比)で混合した。その後、酸素を含むガス雰囲気に曝すことなく、室温にて窒素ガス雰囲気に混合層3を大気圧下にて一晩曝した(図1(D))。また窒素ガス中の水分量は0.5ppm程度であった。
次に混合層3を酸素を含むガス雰囲気に曝すことなく、減圧下にて正孔輸送層4としてNPBを10nm蒸着法により形成した(図19)。発光層5はAlqをホスト材料とし、DMQdをドーパント材料として蒸着法により37.5nm形成した(図19)。Alq、DMQdはAlq:DMQd=1:0.003(質量比)になるようにした。
電子輸送層6は減圧下でAlqを蒸着法にて37.5nm形成した。次に電子注入層16としてCaFを真空中で1nm形成し、陰極7としてAlを減圧下にて200nm形成して発光装置1を作製した(図19)。
一方比較例として、混合層3を形成した後に窒素ガス雰囲気に曝すことなく、発光層、電子輸送層、電子注入層、陰極を形成した発光装置2を作製した。発光装置2は混合層3を窒素ガス雰囲気に曝さなかったこと以外は発光装置1と同じ条件で作製した。
図20は本実施例で作製した発光装置1、2の発光輝度の時間変化について測定した結果である。図20では、1が発光装置1を示し、2が発光装置2を示している。また横軸は経過時間(hour)、縦軸は発光輝度を示している。発光輝度は初期輝度を100としたときの初期輝度に対する相対値で示している。なおこの測定は、一定の電流密度の電流を発光装置に流し続け、任意の時間ごとに、発光装置の輝度を測定する方法で行った。電流密度は初期輝度が3000cd/mとなるときの値を用いた。
初期輝度(100)と比較して輝度が70になるときの時間を発光寿命とすると、発光装置2の発光寿命は530時間であるが、発光装置1の発光寿命は710時間であることがわかった。したがって混合層3を窒素ガス雰囲気に曝すことにより発光寿命が約1.3倍向上した。
本発明の発光装置を作製する方法を説明する図。 本発明の発光装置を作製する方法を説明する図。 本発明の発光装置を作製する方法を説明する図。 本発明の発光装置を作製する方法を説明する図。 本発明の発光装置を作製する方法を説明する図。 本発明の発光装置を作製する方法を説明する図。 本発明の発光装置を作製する方法を説明する図。 本発明の発光装置を作製する方法を説明する図。 本発明の発光装置を作製する際に使用する装置を説明する図。 本発明の発光装置を作製する方法を説明する図。 本発明の発光装置を作製する方法を説明する図。 発光装置を説明する図。 発光装置の画素部を説明する図。 発光装置を説明する図。 発光装置の画素回路を説明する図。 発光装置の画素回路の保護回路を説明する図。 本発明により作製された発光装置が適用可能な電子機器等を説明する図。 本発明により作製された発光装置が適用可能な電子機器等を説明する図。 本発明の発光装置を作製する方法を説明する図。 実施例の発光装置1、2の信頼性を説明する図。 本発明の発光装置を作製する方法を説明する図。 本発明の発光装置を作製する方法を説明する図。 本発明の発光装置を作製する方法を説明する図。
符号の説明
1 基板
2 陽極
3 混合層
4 正孔輸送層
5 発光層
6 電子輸送層
7 陰極
8 パッシベーション膜
9 樹脂
10 乾燥剤又は粒子
11 基板
15 第1の層
16 電子注入層
17a 第1の混合層
17b 第2の混合層
20 陽極
21 陰極
22 第1の発光ユニット
23 電荷発生層
24 第2の発光ユニット
25 電子供与性物質と電子輸送物質とを有する層
26 混合層
50 基板
51a 絶縁層
51b 絶縁層
52 半導体層
53 ゲート絶縁層
54 ゲート電極
55 ソース領域
56 ドレイン領域
57 LDD領域
59 絶縁膜
60 絶縁層
61a 接続部
61b 配線
63 絶縁層
64 陽極
65 隔壁
66 発光積層体
67 陰極
70 薄膜トランジスタ
88 樹脂
89 乾燥剤
90 偏光板
91 保護フィルム
93 発光装置
94 対向基板
101 搬送室
102 基板・マスクストック室
103 前処理室
104 第1蒸着室
105 第2蒸着室
106 第3蒸着室
107 CVD室
108 封止ガラスストック室
109 封止室
110 第4蒸着室
111 搬送ロボット
1001 トランジスタ
1002 トランジスタ
1003 ゲート信号線
1004 ソース信号線
1005 電流供給線
1006 電極
1401 スイッチング用TFT
1402 容量素子
1403 駆動用TFT
1404 電流制御用TFT
1405 発光装置
1406 TFT
1410 信号線
1411 電源線
1412 電源線
1414 走査線
1415 走査線
1500 画素部
1554 共通電位線
1555 共通電位線
1561 ダイオード
1562 ダイオード
1563 ダイオード
1564 ダイオード
3001 筐体
3003 表示部
3004 スピーカー部
3101 本体
3102 筐体
3103 表示部
3104 音声入力部
3105 音声出力部
3106 操作キー
3107 赤外線通信ポート
3108 アンテナ
3110 本体
3111 画素部
3112 ドライバIC
3113 受信装置
3114 フィルムバッテリー
3201 本体
3202 筐体
3203 表示部
3204 キーボード
3205 外部接続ポート
3206 ポインティングマウス
3301 本体
3302 表示部
3303 スイッチ
3304 操作キー
3305 赤外線ポート
3401 筐体
3402 表示部
3403 スピーカー部
3404 操作キー
3405 記録媒体挿入部
4001 基板
4002 画素部
4003 信号線駆動回路
4004 走査線駆動回路
4005 シール材
4006 対向基板
4007 充填材
4008 薄膜トランジスタ
4010 薄膜トランジスタ
4011 発光装置
4014 配線
4015a 配線
4015b 配線
4016 接続端子
4018 FPC
4019 異方性導電膜
4020 駆動回路
5541 支持体
5542 表示部
5543 集積回路チップ
5544 集積回路
5545 集積回路
5551 表示部
5552 本体
5553 アンテナ
5554 音声出力部
5555 音声入力部
5556 操作スイッチ
5557 操作スイッチ

Claims (26)

  1. 陽極を形成し、
    前記陽極上に有機化合物と金属酸化物とを有する混合層を形成し、
    前記混合層を酸素を含むガス雰囲気に曝さず、窒素ガス雰囲気に曝し、次に前記混合層を酸素を含むガス雰囲気に曝すことなく正孔輸送層を形成し、
    前記正孔輸送層上に発光層を形成し、
    前記発光層上に陰極を形成することを特徴とする発光装置の作製方法。
  2. 陽極を形成し、
    前記陽極上に有機化合物と金属酸化物とを有する第1の混合層を形成し、
    前記第1の混合層を酸素を含むガス雰囲気に曝さず、窒素ガス雰囲気に曝し、次に前記第1の混合層を酸素を含むガス雰囲気に曝すことなく有機化合物と金属酸化物とを有する第2の混合層を形成し、
    前記第2の混合層を酸素を含むガス雰囲気に曝さず、窒素ガス雰囲気に曝し、次に前記第2の混合層を酸素を含むガス雰囲気に曝すことなく正孔輸送層を形成し、
    前記正孔輸送層上に発光層を形成し、
    前記発光層上に陰極を形成することを特徴とする発光装置の作製方法。
  3. 陽極を形成し、
    前記陽極上に正孔輸送層を形成し、
    前記正孔輸送層上に発光層を形成し、
    前記発光層上に電子輸送層を形成し、
    前記電子輸送層上に有機化合物と金属酸化物とを有する混合層を形成し、
    前記混合層を酸素を含むガス雰囲気に曝さず、窒素ガス雰囲気に曝し、次に前記混合層を酸素を含むガス雰囲気に曝すことなく陰極を形成することを特徴とする発光装置の作製方法。
  4. 陽極を形成し、
    前記陽極上に正孔輸送層を形成し、
    前記正孔輸送層上に発光層を形成し、
    前記発光層上に電子輸送層を形成し、
    前記電子輸送層上に有機化合物と金属酸化物とを有する第1の混合層を形成し、
    前記第1の混合層を酸素を含むガス雰囲気に曝さず、窒素ガス雰囲気に曝し、次に前記第1の混合層を酸素を含むガス雰囲気に曝すことなく有機化合物と金属酸化物とを有する第2の混合層を形成し、
    前記第2の混合層を酸素を含むガス雰囲気に曝さず、窒素ガス雰囲気に曝し、次に前記第2の混合層を酸素を含むガス雰囲気に曝すことなく陰極を形成することを特徴とする発光装置の作製方法。
  5. 請求項1において、前記陽極に加熱処理を行った後に前記混合層を形成することを特徴とする発光装置の作製方法。
  6. 請求項2において、前記陽極に加熱処理を行った後に前記第1の混合層を形成することを特徴とする発光装置の作製方法。
  7. 請求項3において、前記混合層と前記電子輸送層の間に電子注入層を形成することを特徴とする発光装置の作製方法。
  8. 請求項4において、前記第1の混合層と前記電子輸送層の間に電子注入層を形成することを特徴とする発光装置の作製方法。
  9. 陰極を形成し、
    前記陰極上に有機化合物と金属酸化物とを有する混合層を形成し、
    前記混合層を酸素を含むガス雰囲気に曝さず、窒素ガス雰囲気に曝し、次に前記混合層を酸素を含むガス雰囲気に曝すことなく電子注入層を形成し、
    前記電子注入層上に電子輸送層を形成し、
    前記電子輸送層上に発光層を形成し、
    前記発光層上に正孔輸送層を形成し、
    前記正孔輸送層上に陽極を形成することを特徴とする発光装置の作製方法。
  10. 陰極を形成し、
    前記陰極上に有機化合物と金属酸化物とを有する第1の混合層を形成し、
    前記第1の混合層を酸素を含むガス雰囲気に曝さず、窒素ガス雰囲気に曝し、次に前記第1の混合層を酸素を含むガス雰囲気に曝すことなく有機化合物と金属酸化物とを有する第2の混合層を形成し、
    前記第2の混合層を酸素を含むガス雰囲気に曝さず、窒素ガス雰囲気に曝し、次に前記第2の混合層を酸素を含むガス雰囲気に曝すことなく電子注入層を形成し、
    前記電子注入層上に電子輸送層を形成し、
    前記電子輸送層上に発光層を形成し、
    前記発光層上に正孔輸送層を形成し、
    前記正孔輸送層上に陽極を形成することを特徴とする発光装置の作製方法。
  11. 陰極を形成し、
    前記陰極上に電子輸送層を形成し、
    前記電子輸送層上に発光層を形成し、
    前記発光層上に正孔輸送層を形成し、
    前記正孔輸送層上に有機化合物と金属酸化物とを有する混合層を形成し、
    前記混合層を酸素を含むガス雰囲気に曝さず、窒素ガス雰囲気に曝し、次に前記混合層を酸素を含むガス雰囲気に曝すことなく陽極を形成することを特徴とする発光装置の作製方法。
  12. 陰極を形成し、
    前記陰極上に電子輸送層を形成し、
    前記電子輸送層上に発光層を形成し、
    前記発光層上に正孔輸送層を形成し、
    前記正孔輸送層上に有機化合物と金属酸化物とを有する第1の混合層を形成し、
    前記第1の混合層を酸素を含むガス雰囲気に曝さず、窒素ガス雰囲気に曝し、次に前記第1の混合層を酸素を含むガス雰囲気に曝すことなく有機化合物と金属酸化物とを有する第2の混合層を形成し、
    前記第2の混合層を酸素を含むガス雰囲気に曝さず、窒素ガス雰囲気に曝し、次に前記第2の混合層を酸素を含むガス雰囲気に曝すことなく陽極を形成することを特徴とする発光装置の作製方法。
  13. 請求項1、3、9又は11において、前記混合層を窒素ガス雰囲気に曝した後に、窒素ガスを排気し、再度窒素ガス雰囲気に曝すことを特徴とする発光装置の作製方法。
  14. 請求項2、4、10又は12において、前記第1の混合層を窒素ガス雰囲気に曝した後に、窒素ガスを排気し、再度窒素ガス雰囲気に曝し、
    前記第2の混合層を窒素ガス雰囲気に曝した後に、窒素ガスを排気し、再度窒素ガス雰囲気に曝すことを特徴とする発光装置の作製方法。
  15. 請求項1、3、9又は11において、前記混合層には窒素ガスを吹き付けて窒素ガス雰囲気に曝すことを特徴とする発光装置の作製方法。
  16. 請求項2、4、10又は12において、前記第1の混合層及び第2の混合層には窒素ガスを吹き付けて窒素ガス雰囲気に曝すことを特徴とする発光装置の作製方法。
  17. 陽極を形成し、
    前記陽極上に有機化合物と金属酸化物とを有する第1の混合層を形成し、
    前記第1の混合層を酸素を含むガス雰囲気に曝さず、窒素ガス雰囲気に曝し、次に前記第1の混合層を酸素を含むガス雰囲気に曝すことなく正孔輸送層を形成し、
    前記正孔輸送層上に発光層を形成し、
    前記発光層上に電子輸送層を形成し、
    前記電子輸送層上に有機化合物と金属酸化物とを有する第2の混合層を形成し、
    前記第2の混合層を酸素を含むガス雰囲気に曝さず、窒素ガス雰囲気に曝し、次に前記第2の混合層を酸素を含むガス雰囲気に曝すことなく陰極を形成することを特徴とする発光装置の作製方法。
  18. 請求項17において、前記陽極に加熱処理を行った後に前記第1の混合層を形成することを特徴とする発光装置の作製方法。
  19. 請求項17において、前記第2の混合層と前記電子輸送層の間に電子注入層を形成することを特徴とする発光装置の作製方法。
  20. 陰極を形成し、
    前記陰極上に有機化合物と金属酸化物とを有する第1の混合層を形成し、
    前記第1の混合層を酸素を含むガス雰囲気に曝さず、窒素ガス雰囲気に曝し、次に前記第1の混合層を酸素を含むガス雰囲気に曝すことなく電子注入層を形成し、
    前記電子注入層上に電子輸送層を形成し、
    前記電子輸送層上に発光層を形成し、
    前記発光層上に正孔輸送層を形成し、
    前記正孔輸送層上に有機化合物と金属酸化物とを有する第2の混合層を形成し、
    前記第2の混合層を酸素を含むガス雰囲気に曝さず、窒素ガス雰囲気に曝し、次に前記第2の混合層を酸素を含むガス雰囲気に曝すことなく陽極を形成することを特徴とする発光装置の作製方法。
  21. 請求項17又は20において、前記第1の混合層を窒素ガス雰囲気に曝した後に、窒素ガスを排気し、再度窒素ガス雰囲気に曝し、
    前記第2の混合層を窒素ガス雰囲気に曝した後に、窒素ガスを排気し、再度窒素ガス雰囲気に曝すことを特徴とする発光装置の作製方法。
  22. 請求項17又は20において、前記第1の混合層及び第2の混合層には窒素ガスを吹き付けて窒素ガス雰囲気に曝すことを特徴とする発光装置の作製方法。
  23. 陽極を形成し、
    前記陽極上に発光層を有する第1の発光ユニットを形成し、
    前記第1の発光ユニット上に電子供与性物質と電子輸送性物質とを有する層を形成し、
    前記電子供与性物質と電子輸送性物質とを有する層上に、有機化合物と金属酸化物とを有する混合層を形成し、
    前記混合層を酸素を含むガス雰囲気に曝さず、窒素ガス雰囲気に曝し、次に前記混合層を酸素を含むガス雰囲気に曝すことなく第2の発光ユニットを形成し、
    前記第2の発光ユニット上に陰極を形成することを特徴とする発光装置の作製方法。
  24. 陽極を形成し、
    前記陽極上に発光層を有する第1の発光ユニットを形成し、
    前記第1の発光ユニット上に電子供与性物質と電子輸送性物質とを有する層を形成し、
    前記電子供与性物質と電子輸送性物質とを有する層上に、有機化合物と金属酸化物とを有する第1の混合層を形成し、
    前記第1の混合層を酸素を含むガス雰囲気に曝さず、窒素ガス雰囲気に曝し、次に前記第1の混合層を酸素を含むガス雰囲気に曝すことなく第2の混合層を形成し、
    前記第2の混合層を酸素を含むガス雰囲気に曝さず、窒素ガス雰囲気に曝し、次に前記第2の混合層を酸素を含むガス雰囲気に曝すことなく第2の発光ユニットを形成し、
    前記第2の発光ユニット上に陰極を形成することを特徴とする発光装置の作製方法。
  25. 陰極を形成し、
    前記陰極上に発光層を有する第1の発光ユニットを形成し、
    前記第1の発光ユニット上に、有機化合物と金属酸化物とを有する混合層を形成し、
    前記混合層を酸素を含むガス雰囲気に曝さず、窒素ガス雰囲気に曝し、次に前記混合層を酸素を含むガス雰囲気に曝すことなく電子供与性物質と電子輸送性物質とを有する層を形成し、
    前記電子供与性物質と電子輸送性物質とを有する層上に、第2の発光ユニットを形成し、
    前記第2の発光ユニット上に陽極を形成することを特徴とする発光装置の作製方法。
  26. 陰極を形成し、
    前記陰極上に発光層を有する第1の発光ユニットを形成し、
    前記第1の発光ユニット上に、有機化合物と金属酸化物とを有する第1の混合層を形成し、
    前記第1の混合層を酸素を含むガス雰囲気に曝さず、窒素ガス雰囲気に曝し、次に前記第1の混合層を酸素を含むガス雰囲気に曝すことなく第2の混合層を形成し、
    前記第2の混合層を酸素を含むガス雰囲気に曝さず、窒素ガス雰囲気に曝し、次に前記第2の混合層を酸素を含むガス雰囲気に曝すことなく電子供与性物質と電子輸送性物質とを有する層を形成し、
    前記電子供与性物質と電子輸送性物質とを有する層上に第2の発光ユニットを形成し、
    前記第2の発光ユニット上に陽極を形成することを特徴とする発光装置の作製方法。
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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009117823A (ja) * 2007-10-19 2009-05-28 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光素子、発光装置、および電子機器
WO2010073864A1 (ja) * 2008-12-26 2010-07-01 パイオニア株式会社 有機電界発光素子
JP2011513915A (ja) * 2008-02-29 2011-04-28 グローバル・オーエルイーディー・テクノロジー・リミテッド・ライアビリティ・カンパニー 短絡低減層を備えるoledデバイス
JP2015156388A (ja) * 2009-05-29 2015-08-27 株式会社半導体エネルギー研究所 発光素子
WO2018230525A1 (ja) * 2017-06-14 2018-12-20 パナソニックIpマネジメント株式会社 表示装置および表示装置の製造方法

Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000150169A (ja) * 1998-09-10 2000-05-30 Mitsubishi Chemicals Corp 有機電界発光素子
JP2003168565A (ja) * 2001-12-03 2003-06-13 Denso Corp 有機el素子
JP2004235048A (ja) * 2003-01-31 2004-08-19 Nippon Seiki Co Ltd 有機elパネルの製造方法
JP2005004062A (ja) * 2003-06-13 2005-01-06 Seiko Epson Corp 有機el装置とその駆動方法、照明装置、及び電子機器
JP2005093402A (ja) * 2003-09-19 2005-04-07 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光装置
JP2005109469A (ja) * 2003-09-12 2005-04-21 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光装置
JP2005129500A (ja) * 2003-10-03 2005-05-19 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光素子およびその作製方法、並びにその発光素子を用いた発光装置
JP2005135600A (ja) * 2003-10-28 2005-05-26 Idemitsu Kosan Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス発光素子
JP2005166637A (ja) * 2003-11-10 2005-06-23 Junji Kido 有機素子、有機el素子、有機太陽電池、及び、有機fet構造、並びに、有機素子の製造方法

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000150169A (ja) * 1998-09-10 2000-05-30 Mitsubishi Chemicals Corp 有機電界発光素子
JP2003168565A (ja) * 2001-12-03 2003-06-13 Denso Corp 有機el素子
JP2004235048A (ja) * 2003-01-31 2004-08-19 Nippon Seiki Co Ltd 有機elパネルの製造方法
JP2005004062A (ja) * 2003-06-13 2005-01-06 Seiko Epson Corp 有機el装置とその駆動方法、照明装置、及び電子機器
JP2005109469A (ja) * 2003-09-12 2005-04-21 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光装置
JP2005093402A (ja) * 2003-09-19 2005-04-07 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光装置
JP2005129500A (ja) * 2003-10-03 2005-05-19 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光素子およびその作製方法、並びにその発光素子を用いた発光装置
JP2005135600A (ja) * 2003-10-28 2005-05-26 Idemitsu Kosan Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス発光素子
JP2005166637A (ja) * 2003-11-10 2005-06-23 Junji Kido 有機素子、有機el素子、有機太陽電池、及び、有機fet構造、並びに、有機素子の製造方法

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009117823A (ja) * 2007-10-19 2009-05-28 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光素子、発光装置、および電子機器
US9337438B2 (en) 2007-10-19 2016-05-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting element, light-emitting device, and electronic device
JP2011513915A (ja) * 2008-02-29 2011-04-28 グローバル・オーエルイーディー・テクノロジー・リミテッド・ライアビリティ・カンパニー 短絡低減層を備えるoledデバイス
WO2010073864A1 (ja) * 2008-12-26 2010-07-01 パイオニア株式会社 有機電界発光素子
JP2015156388A (ja) * 2009-05-29 2015-08-27 株式会社半導体エネルギー研究所 発光素子
WO2018230525A1 (ja) * 2017-06-14 2018-12-20 パナソニックIpマネジメント株式会社 表示装置および表示装置の製造方法

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