JP2007037397A - 過渡電圧抑制装置、過電圧抑制チップ装置、過電圧抑制装置の製造方法、インピーダンス材料及びインピーダンス材料の製造方法 - Google Patents
過渡電圧抑制装置、過電圧抑制チップ装置、過電圧抑制装置の製造方法、インピーダンス材料及びインピーダンス材料の製造方法 Download PDFInfo
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Abstract
【解決手段】過渡電圧抑制装置10は、ギャップ36付きの電極12に近接する可変インピーダンス材料のためにレセプタクルを画定する誘電層20、22を含む。装置10を製造するため、及び低コストで、且つさらに高い製造歩留まりで可変電圧材料を調製するための方法も提供される。
【選択図】図2
Description
12 電極
14 誘電層
16 表面実装型終端
20 第1の誘電層
22 第2の誘電層
24 第3の誘電層
26 第4の誘電層
28 第5の誘電層
30、32 アンカー部分
34 経路部分
36 ギャップ
38、46、52、56、62、66 終端開口部
40、44 開口部
50 連続面
60、64 表面実装パッド
Claims (39)
- 第1の誘電層と、
前記第1の誘電層上で広がり、導電経路を画定する少なくとも1つの電極であって、前記導電経路を遮断するギャップを含む電極と、
前記電極の中の前記ギャップを実質的に充填する可変インピーダンス材料と、
前記電極の上にある第2の誘電層であって、前記電極が前記第1の誘電層と第2の誘電層間に挟まれ、前記第1の誘電層と前記第2の誘電層の少なくとも1つが、前記ギャップに近接する少なくとも1つの開口部を有して形成され前記可変インピーダンス材料のためのレセプタクルを画定する第2の誘電層と、
を備えることを特徴とする過渡電圧抑制装置。 - 前記電極が前記第1の誘電層と第2の誘電層と独立して形成される請求項1に記載の過渡電圧抑制装置。
- 前記電極が加法形成プロセスで前記ギャップと一体形成される請求項2に記載の過渡電圧抑制装置。
- 前記電極が電鋳された薄膜を備える請求項3に記載の過渡電圧抑制装置。
- 前記電極箔がニッケルである請求項4に記載の過渡電圧抑制装置。
- 前記第1の誘電層と第2の誘電層のそれぞれが前記電極内の前記ギャップに近接する開口部を含み、前記可変インピーダンス材料が、前記第1の誘電層と第2の誘電層の開口部内に位置し、前記可変インピーダンス材料が前記ギャップの近傍にある前記電極の上下に配置される請求項1に記載の過渡電圧抑制装置。
- 前記第2の誘電層の上にあり、前記第2の誘電層内の開口部を閉じる第3の誘電層をさらに備える請求項1に記載の過渡電圧抑制装置。
- 前記第1の誘電層は前記電極内の前記ギャップから離間される少なくとも1つの開口部を含み、前記第1の誘電層の前記開口部が、前記電極の主要な面に当接接触している導電性の終端材料で充填される請求項1に記載の過渡電圧抑制装置。
- 城壁状の接点終端をさらに備える請求項1に記載の過渡電圧抑制装置。
- 第1の誘電層と、
前記第1の誘電層上に広がる電極であって、前記電極を通る導電性経路を遮断する少なくとも1つのギャップを含む電極と、
前記電極の上にある第2の誘電層であって、前記電極が前記第1の誘電層と第2の誘電層の間に挟まれ、前記第2の誘電層が前記ギャップの上にある開口部で形成される第2の誘電層と、
前記開口部内に位置し、前記電極内の前記ギャップを実質的に充填する可変インピーダンス材料であって、所定の閾値までの電圧及び/または電流にさらされるときに相対的に高いインピーダンスを示し、所定の閾値を超える電圧及び/または電流にさらされるときに相対的に低いインピーダンスを示す可変インピーダンス材料と、
前記第2の層の上にあり、前記第2の誘電層の前記開口部を閉じる第3の誘電層と、
前記ギャップのどちらかの側で前記電極への導電性経路を確立する表面実装型終端と、
を備えることを特徴とする過渡電圧抑制チップ装置。 - 前記電極が前記第1の誘電層と第2の誘電層とは独立に形成される電鋳された箔を備える請求項10に記載の過渡電圧抑制チップ装置。
- 前記第1の誘電層が前記ギャップの下にある開口部を含み、前記可変インピーダンス材料が前記ギャップの近傍で前記電極の上下に広がる請求項10に記載の過渡電圧抑制チップ装置。
- 前記表面実装型終端が、前記電極の主要な表面に平行な面で広がる導電性の終端材料を備える請求項10に記載の過渡電圧抑制チップ装置。
- 前記表面実装型終端が城壁状の接点終端を備える請求項10に記載の過渡電圧抑制チップ装置。
- 前記誘電層の少なくとも1つがポリイミド材料を備える請求項10に記載の過渡電圧抑制チップ装置。
- 前記誘電層のそれぞれがポリイミド材料を備える請求項10に記載の過渡電圧抑制チップ装置。
- 前記電極が前記第1の誘電層の上で広がる複数の電極を備え、各電極が導電性経路を遮断する少なくとも1つのギャップを含み、かつ前記ギャップのそれぞれに位置し、該ギャップのそれぞれを実質的に充填する可変インピーダンス材料を備える請求項10に記載の過渡電圧抑制チップ装置。
- それぞれが少なくとも1つの可変インピーダンス開口部をその中に画定する第1の誘電層と第2の誘電層と、
前記第1の誘電層との間で広がり前記電極を通る導電性経路を遮断する少なくとも1つのギャップを含む少なくとも1つの電極であって、前記電極は、前記第1の誘電層と第2の誘電層とは独立に形成される電鋳された箔であり、前記ギャップと一体形成され、前記電極は前記第1の誘電層と第2の誘電層の間に挟まれ、前記第1の誘電層と第2の誘電層の前記可変インピーダンス開口部が前記ギャップに近接して配置される電極と、
それぞれ前記第1の誘電層と第2の誘電層の上に位置する第3の誘電層と第4の誘電層であって、前記第3の誘電層と第4の誘電層が前記第1の誘電層と第2の誘電層の可変インピーダンス開口部を閉じ、前記第1、第2、第3及び第4の誘電層がチップ構造を形成するために互いに固定される第3の誘電層と第4の誘電層と、
前記第1の誘電層と第2の誘電層の可変インピーダンス開口部内に位置し、前記電極を上と下から実質的に取り囲む可変インピーダンス材料と、
前記ギャップのどちらかの側で前記電極への導電性経路を確立する表面実装型終端と、
を備えることを特徴とする過渡電圧抑制装置。 - 前記少なくとも1つの電極が複数の電極を備え、前記第1の誘電層と第2の誘電層が前記複数の電極のそれぞれに対応するそれぞれの可変インピーダンス開口部を含む請求項18に記載の過渡電圧抑制装置。
- 前記表面実装型終端の内の少なくとも1つが、前記電極の主要面に平行した、主要面に当接接触する導電性終端材料を備える請求項18に記載の過渡電圧抑制装置。
- 前記表面実装型終端の少なくとも1つが前記電極の小さい方の表面との接触領域を画定する城壁状の接点終端を備える請求項18に記載の過渡電圧抑制装置。
- 前記誘電層の少なくとも1つがポリイミド材料を備える請求項18に記載の過渡電圧抑制装置。
- 第1の誘電層を提供するステップと、
加法形成プロセスに従って、ギャップが一体的に形成される電極を形成するステップと、
少なくとも1つの開口部がその中に形成される第2の誘電層を提供するステップと、
前記第2の誘電層を、前記ギャップの上にある前記第2の誘電層の開口部で前記第1の誘電層に固定するステップと、
前記開口部の中に可変インピーダンス材料を導入するステップと、
前記可変インピーダンス材料で前記電極内の前記ギャップを実質的に充填するステップと、
を備えることを特徴とする過渡電圧抑制装置の製造方法。 - 前記可変インピーダンス材料をその中に密封するために前記開口部を閉じるステップをさらに備える請求項23に記載の製造方法。
- 前記ギャップを充填するステップが、前記電極の上下両方で前記ギャップを取り囲むステップを含む請求項23に記載の製造方法。
- 前記ギャップのどちらかの側で前記電極への導電性経路を確立する表面実装型終端を提供するステップ、をさらに備える請求項25に記載の製造方法。
- 導電粒子と溶媒和ポリマーを、絶縁体粒子とアーク消去材を含む充填材粒子とで混合するステップと、
前記混合された材料を加硫し、それにより所定の閾値までの電圧及び/または電流にさらされるときに相対的に高いインピーダンスを示し、前記所定の閾値を超える電圧及び/または電流にさらされるときに相対的に低いインピーダンスを示す材料を提供するステップと、
を備えることを特徴とする可変インピーダンス材料の製造方法。 - 前記導電粒子が絶縁体材料で薄くめっきされる請求項27に記載の製造方法。
- 前記溶媒和ポリマーを提供するために、ポリマー材料と溶媒を予め混合するステップをさらに含む請求項27に記載の製造方法。
- 前記溶媒和ポリマーが溶媒和されたシリコーンゴムである請求項27に記載の製造方法。
- 過剰電圧状態の前記材料の切り替え電圧を制御するために充填材粒子の量を選択するステップをさらに含む請求項27に記載の製造方法。
- 前記充填材粒子に反トラッキング材料を追加するステップをさらに含む請求項27に記載の製造方法。
- 過剰電圧状態の前記材料の前記切り替え電圧を制御するために、前記ポリマー結合剤の加硫と架橋の程度を変えるステップをさらに含む請求項27に記載の製造方法。
- 第1の誘電層と、
前記第1の誘電層上にギャップ付き導電性経路を提供するための手段と、
所定の閾値までの電圧及び/または電流にさらされると前記ギャップ付き導電性経路を通る相対的に高いインピーダンスを示し、前記所定の閾値を超える電圧及び/または電流にさらされると、前記ギャップ付き導電性経路を通る相対的に低いインピーダンスを示すための手段と、
前記インピーダンスを示すための手段の導入のために前記ギャップ付き電極の一部を露呈するための、前記第1の誘電層に固定される手段であって、前記露呈するための手段が、前記インピーダンスを示すための手段が前記露呈するための手段に導入されると、前記ギャップ付き電極の近傍の所定の場所に、前記インピーダンスを示すための手段をさらに限定する手段と、
を備えることを特徴とする過渡電圧抑制装置。 - 露呈するための前記手段を閉じるための手段であって、前記装置内で前記インピーダンスを示すための手段を密封する手段をさらに備える請求項34に記載の過渡電圧抑制装置。
- 前記装置を表面実装し、前記ギャップ付き電極に対する電気接続を確立するための手段をさらに備える請求項34に記載の過渡電圧抑制装置。
- 過渡電圧抑制装置のための可変インピーダンス材料であって、
前記材料は、結合剤と、導電粒子と、絶縁体粒子と、充填材とを備え、
前記充填材がアーク消去材料を含み、
導電粒子対結合剤の体積比が約0.5〜2.0の間にあり、
前記材料が約5重量パーセント未満の有機物質を含む、
ことを特徴とする可変インピーダンス材料。 - 導電粒子対結合剤の前記体積比が約0.75〜約1.5の間にある請求項37に記載の可変インピーダンス材料。
- 前記アーク消去材料が硫酸バリウムである請求項37に記載の可変インピーダンス材料。
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