JP2007036216A5 - - Google Patents

Download PDF

Info

Publication number
JP2007036216A5
JP2007036216A5 JP2006171746A JP2006171746A JP2007036216A5 JP 2007036216 A5 JP2007036216 A5 JP 2007036216A5 JP 2006171746 A JP2006171746 A JP 2006171746A JP 2006171746 A JP2006171746 A JP 2006171746A JP 2007036216 A5 JP2007036216 A5 JP 2007036216A5
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
circuit
input
power supply
analog
gate length
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
JP2006171746A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2007036216A (ja
Filing date
Publication date
Application filed filed Critical
Priority to JP2006171746A priority Critical patent/JP2007036216A/ja
Priority claimed from JP2006171746A external-priority patent/JP2007036216A/ja
Publication of JP2007036216A publication Critical patent/JP2007036216A/ja
Publication of JP2007036216A5 publication Critical patent/JP2007036216A5/ja
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Claims (13)

  1. 無線通信によりデータの交信を行う半導体装置において、
    アナログ回路部とデジタル回路部とを有し、
    前記アナログ回路部には無線信号が入力され、
    前記デジタル回路部には前記アナログ回路部からの出力信号が入力され、
    前記アナログ回路部に含まれるトランジスタのゲート長は、前記デジタル回路部に含まれるトランジスタのゲート長以上であることを特徴とする半導体装置。
  2. 無線通信によりデータの交信を行う半導体装置において、
    アナログ回路部とデジタル回路部とを有し、
    前記アナログ回路部には無線信号が入力され、
    前記デジタル回路部には前記アナログ回路部からの出力信号が入力され、
    前記アナログ回路部は、前記無線信号を用いて直流電圧を発生する電源回路と、前記無線信号を復調するデータ復調回路とを有し、
    前記電源回路及び前記データ復調回路に含まれるトランジスタのゲート長は、前記デジタル回路部に含まれるトランジスタのゲート長以上であることを特徴とする半導体装置。
  3. 無線通信によりデータの交信を行う半導体装置において、
    アナログ回路部とデジタル回路部とを有し、
    前記アナログ回路部には無線信号が入力され、
    前記デジタル回路部には前記アナログ回路部からの出力信号が入力され、
    前記アナログ回路部は、前記無線信号を用いて直流電圧を発生する電源回路と、前記無線信号を復調するデータ復調回路とを有し、
    前記電源回路及び前記データ復調回路に含まれるトランジスタのうち、前記電源回路の入力に電気的に接続されたトランジスタ及び前記データ復調回路の入力に電気的に接続されたトランジスタのゲート長は、前記デジタル回路部に含まれるトランジスタのゲート長以上であることを特徴とする半導体装置。
  4. 無線通信によりデータの交信を行う半導体装置において、
    アナログ回路部を有し、
    前記アナログ回路部には無線信号が入力され、
    前記アナログ回路部は、前記無線信号を用いて直流電圧を発生する電源回路と、前記無線信号を復調するデータ復調回路と、前記データ復調回路の出力を用いてクロックを生成するクロック発生回路とを有し、
    前記電源回路及び前記データ復調回路に含まれるトランジスタのゲート長は、前記クロック発生回路に含まれるトランジスタのゲート長以上であることを特徴とする半導体装置。
  5. 無線通信によりデータの交信を行う半導体装置において、
    アナログ回路部を有し、
    前記アナログ回路部には無線信号が入力され、
    前記アナログ回路部は、前記無線信号を用いて直流電圧を発生する電源回路と、前記無線信号を復調するデータ復調回路と、前記データ復調回路の出力を用いてクロックを生成するクロック発生回路とを有し、
    前記電源回路及び前記データ復調回路に含まれるトランジスタのうち、前記電源回路の入力に電気的に接続されたトランジスタ及び前記データ復調回路の入力に電気的に接続されたトランジスタのゲート長は、前記クロック発生回路に含まれるトランジスタのゲート長以上であることを特徴とする半導体装置。
  6. 無線通信によりデータの交信を行う半導体装置において、
    アナログ回路部とデジタル回路部とを有し、
    前記アナログ回路部には無線信号が入力され、
    前記デジタル回路部には前記アナログ回路部からの出力信号が入力され、
    前記アナログ回路部に含まれるトランジスタのゲート長は、前記デジタル回路部に含まれるトランジスタのゲート長の2倍以上であることを特徴とする半導体装置。
  7. 無線通信によりデータの交信を行う半導体装置において、
    アナログ回路部とデジタル回路部とを有し、
    前記アナログ回路部には無線信号が入力され、
    前記デジタル回路部には前記アナログ回路部からの出力信号が入力され、
    前記アナログ回路部は、前記無線信号を用いて直流電圧を発生する電源回路と、前記無線信号を復調するデータ復調回路とを有し、
    前記電源回路及び前記データ復調回路に含まれるトランジスタのゲート長は、前記デジタル回路部に含まれるトランジスタのゲート長の2倍以上であることを特徴とする半導体装置。
  8. 無線通信によりデータの交信を行う半導体装置において、
    アナログ回路部とデジタル回路部とを有し、
    前記アナログ回路部には無線信号が入力され、
    前記デジタル回路部には前記アナログ回路部からの出力信号が入力され、
    前記アナログ回路部は、前記無線信号を用いて直流電圧を発生する電源回路と、前記無線信号を復調するデータ復調回路とを有し、
    前記電源回路及び前記データ復調回路に含まれるトランジスタのうち、前記電源回路の入力に電気的に接続されたトランジスタ及び前記データ復調回路の入力に電気的に接続されたトランジスタのゲート長は、前記デジタル回路部に含まれるトランジスタのゲート長の2倍以上であることを特徴とする半導体装置。
  9. 無線通信によりデータの交信を行う半導体装置において、
    アナログ回路部を有し、
    前記アナログ回路部には無線信号が入力され、
    前記アナログ回路部は、前記無線信号を用いて直流電圧を発生する電源回路と、前記無線信号を復調するデータ復調回路と、前記データ復調回路の出力を用いてクロックを生成するクロック発生回路とを有し、
    前記電源回路及び前記データ復調回路のトランジスタに含まれるゲート長は、前記クロック発生回路に含まれるトランジスタのゲート長の2倍以上であることを特徴とする半導体装置。
  10. 無線通信によりデータの交信を行う半導体装置において、
    アナログ回路部を有し、
    前記アナログ回路部には無線信号が入力され、
    前記アナログ回路部は、前記無線信号を用いて直流電圧を発生する電源回路と、前記無線信号を復調するデータ復調回路と、前記データ復調回路の出力を用いてクロックを生成するクロック発生回路とを有し、
    前記電源回路及び前記データ復調回路に含まれるトランジスタのうち、前記電源回路の入力に電気的に接続されたトランジスタ及び前記データ復調回路の入力に電気的に接続されたトランジスタのゲート長は、前記クロック発生回路に含まれるトランジスタのゲート長の2倍以上であることを特徴とする半導体装置。
  11. 請求項1乃至請求項3、請求項6乃至請求項8のいずれかにおいて、
    前記デジタル回路部はメモリ回路を有することを特徴とする半導体装置。
  12. 請求項1乃至請求項3、請求項6乃至請求項8のいずれかにおいて、
    前記アナログ回路部の電源電圧と前記デジタル回路部の電源電圧とは同じであることを特徴とする半導体装置。
  13. 請求項1乃至請求項12のいずれかにおいて、
    前記半導体装置と、前記半導体装置と無線通信によって情報の交信を行うリーダ/ライタとを有することを特徴とする無線通信システム。
JP2006171746A 2005-06-24 2006-06-21 半導体装置及び無線通信システム Withdrawn JP2007036216A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2006171746A JP2007036216A (ja) 2005-06-24 2006-06-21 半導体装置及び無線通信システム

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2005185638 2005-06-24
JP2006171746A JP2007036216A (ja) 2005-06-24 2006-06-21 半導体装置及び無線通信システム

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2007036216A JP2007036216A (ja) 2007-02-08
JP2007036216A5 true JP2007036216A5 (ja) 2008-11-06

Family

ID=37795030

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2006171746A Withdrawn JP2007036216A (ja) 2005-06-24 2006-06-21 半導体装置及び無線通信システム

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2007036216A (ja)

Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1970952A3 (en) 2007-03-13 2009-05-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
US8164933B2 (en) * 2007-04-04 2012-04-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Power source circuit
US7960262B2 (en) * 2007-05-18 2011-06-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device by applying laser beam to single-crystal semiconductor layer and non-single-crystal semiconductor layer through cap film
DE102007062562B4 (de) * 2007-12-22 2009-10-01 Johann Wolfgang Goethe-Universität Frankfurt am Main Monolithisch integrierter Antennen- und Empfängerschaltkreis für die Erfassung von Terahertz-Wellen
US7923733B2 (en) * 2008-02-07 2011-04-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
EP2380202B1 (en) * 2008-12-24 2016-02-17 3M Innovative Properties Company Stability enhancements in metal oxide semiconductor thin film transistors
EP2515337B1 (en) * 2008-12-24 2016-02-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Driver circuit and semiconductor device
KR101681884B1 (ko) * 2009-03-27 2016-12-05 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체장치, 표시장치 및 전자기기
JP5372578B2 (ja) * 2009-04-09 2013-12-18 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置
WO2012063614A1 (ja) * 2010-11-10 2012-05-18 株式会社日立製作所 半導体装置
WO2012090973A1 (en) * 2010-12-28 2012-07-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
JP6299322B2 (ja) * 2014-03-25 2018-03-28 セイコーエプソン株式会社 物理量検出センサー、電子機器、移動体および電子回路

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02238662A (ja) * 1989-03-13 1990-09-20 Fujitsu Ltd 半導体集積回路
JPH11272205A (ja) 1998-03-19 1999-10-08 Toshiba Corp 表示装置
JP2001160295A (ja) 1999-12-01 2001-06-12 Toshiba Corp 半導体集積回路
JP3540231B2 (ja) * 2000-01-31 2004-07-07 沖電気工業株式会社 クランプ回路及び非接触式通信用インターフェース回路
US6649985B1 (en) 2000-07-14 2003-11-18 Yamatake Corporation Insulated-gate semiconductor device for a rectifier
JP2002151652A (ja) * 2000-11-10 2002-05-24 Hitachi Ltd 半導体集積回路装置
JP4074064B2 (ja) 2001-02-28 2008-04-09 株式会社東芝 半導体装置
JP2003229548A (ja) 2001-11-30 2003-08-15 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 乗物、表示装置、および半導体装置の作製方法
JP4567941B2 (ja) 2001-12-28 2010-10-27 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法及び表示装置の作製方法
JP4393859B2 (ja) * 2002-12-27 2010-01-06 株式会社半導体エネルギー研究所 記録媒体の作製方法
FR2859842B1 (fr) 2003-09-17 2006-02-10 Commissariat Energie Atomique Objet portatif a demodulation multiniveaux, couple inductivement a une station fixe

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2007036216A5 (ja)
TW200625306A (en) Semiconductor device
TW200742019A (en) IC with on-die power-gating circuit
JP2012257200A5 (ja) 半導体装置
JP2011103453A5 (ja)
JP2011028237A5 (ja) 表示装置
JP2005063548A5 (ja)
JP2012257197A5 (ja) 半導体装置
DE602004022353D1 (de) Nichtflüchtige Halbleiterspeicheranordnung, diese verwendende elektronische Karte und elektronische Vorrichtung
TW200723691A (en) Semiconductor integrated circuit apparatus and electronic apparatus
DE60137269D1 (de) Blockchiffriergerät
DE602005025557D1 (de) Integrierte Halbleiterschaltung, tragbares Modul und Nachrichtenübertragungsverfahren
DE60100723D1 (de) Integrierte Halbleiterschaltung mit niedrigem Leistungsverbrauch
TW200516714A (en) Semiconductor integrated circuit device
ATE453141T1 (de) Funkmodul für feldgeräte der automatisierungstechnik
JP2011181905A5 (ja)
JP2011100532A5 (ja)
DE602005020437D1 (de) Spannungsversorgungsschaltung und Halbleiterspeicher
ATE467180T1 (de) Netzwerkzugängliches speicherelement, netzwerkzugängliches speichermodul, netzwerkspeichersystem und speicherbereichsnetzwerk
DE60328764D1 (de) Halbleiterspeicherelement und integrierter Halbleiterschaltkreis
DE502006006516D1 (de) Sicherheitsdokument mit integriertem schaltkreis und integriertem anzeigeelement
TW200732978A (en) Semiconductor device and communication system using the semiconductor device
TWI270073B (en) Memory device
TW200739500A (en) Semiconductor device
TW200707905A (en) Semiconductor device, power supply device, and information processing device