JP2007033438A - プローブカード用ガイド部材およびプローブカード - Google Patents
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Abstract
【課題】 プロ−ブカード用のマシナブルセラミックスからなるガイド部材を提供する。
【解決手段】 プロ−ブカードは基板1と、この基板1に取り付けられたガイド部材2からなり、基板1の表面には導体パターンが形成され、この導体パターンに電気的に接続するようにプローブ3の基端部が基板1に固着されている。また、ガイド部材2には検査対象のチップCの電極パッドPの位置に対応してガイド穴4が形成され、このガイド穴4に前記プローブ3の先端部が摺動自在に挿通している。ガイド穴4は切削加工にて形成され、その表面粗さは、中心線平均粗さ(Ra)で0.2μm以下、10点平均粗さ(Rz)で3.0μm以下となっている。
【選択図】 図1
Description
本発明は、ICチップやLSIチップ等の電気的特性を測定するプロ−ブカードに関する。
ICチップやLSIチップは1枚の半導体ウェーハに多数のチップを作製し、これをチップ毎に切断して使用している。そして、個々のチップが不良品であるか否かのチェックは、チップ毎に切断する前にプロ−ブカードを用いて行っている。
プロ−ブカードの構造は特許文献1〜5に開示されるように、プローブの一端が取り付けられた基板と、プローブを摺動自在に案内するガイド部材とを備えており、ガイド部材のガイド穴にプロ−ブを挿通することでプローブの先端が半導体ウェーハに形成されているICチップやLSIチップのパッド(電極)に正確に当接するようにしている。
因みに、特許文献1にあっては、基板に形成した導電パターンとプローブとの特性インピーダンス整合を行うことで、チップの高速動作試験に対応可能としている。
特許文献2には、プローブ基板に取り付ける部分の形状をL字状に折り曲げることで、安価で製作しやすいプロ−ブカードが提案されている。
特許文献3には、ガイド部材の材料としてAl2O3、SiO2、K2O等からなる快削性の結晶化ガラス系セラミックス(マシナブルセラミックス)を用いることで、ドリルによる穴あけ加工時に欠けや割れが生じ難くしたプロ−ブカードが提案されている。
特許文献4には、基板(基台)に形成した導電パターン(導体)のプローブピンとの接触部をベリリウム銅合金とすることで、耐磨耗性を高めたプロ−ブカードが提案されている。
特許文献5には、窒化硼素30〜50質量%、ジルコニア50〜70質量%、必要により窒化珪素10質量%以下の組成からなる快削性セラミックスによってプロ−ブカードの案内部材を構成することが提案されている。
また特許文献6には、原料を仮焼してフッ素金雲母の結晶を含む仮焼体を得た後、この仮焼体を1100〜1250℃で焼成し、この後、この焼結体にHIP(熱間静水圧プレス)処理を施して緻密化したマシナブルセラミックスについて開示されており、このマシナブルセラミックスをプローブカードのガイド部材に用いることも可能である。
特開平9−113537号公報
特開平11−125645号公報
特開2000−327402号公報
特開2002−311055号公報
特開2003−286076号公報
特開平4−182350号公報
加工を行ったガイド穴の断面表面粗さが大きいとき,プローブとプローブガイド部材の摺動性が悪くなる。その結果、プローブもしくはプローブガイド部材が摩耗してシリコンウェハー上に落下しコンタミになったり、プローブがプローブガイド穴内面で引っ掛かってICやLSIの導通検査に支障を及ぼすことがある。
また、特許文献6に開示される方法によれば、ガラス質マトリクス内にフッ素金雲母の結晶が析出したマシナブルセラミックスを得ることができ、この材料は加工精度に優れるが、それでも結晶の大きさは5μm以上となり、切削面の中心線平均表面粗さ(Ra)及び10点平均粗さ(Rz)が大きくなってしまう。
上記課題を解決すべく本発明は、基板に一端が取り付けられたプローブを摺動自在に案内するプロ−ブカード用ガイド部材であって、このガイド部材はマシナブルセラミックスにガイド穴またはガイド溝を切削加工にて形成してなり、前記ガイド穴またはガイド溝表面の中心線平均粗さ(Ra)は0.2μm以下で、10点平均粗さ(Rz)は3.0μm以下とした。
前記マシナブルセラミックスとしては、例えばガラス質マトリックス中にフッ素金雲母結晶が分散してなり、且つ前記フッ素金雲母の結晶の長軸方向の平均寸法が5μm未満のものが好ましい。
またフッ素金雲母の結晶の長軸方向の平均寸法が5μm未満のマシナブルセラミックスを製造するには、例えば、以下の製造方法が考えられる。
組成割合がSiO2:40〜50wt%、Al2O3:10〜20wt%、MgO:15〜30wt%、K2O:5〜15wt%、F:5〜10wt%、B2O3:0.1〜10wt%である原料を、平均粒径(d50)が2.0μm未満で10μm以上の粗大粒子を含まない状態まで粉砕し、この原料粉を造粒して平均粒径が40〜80μmの顆粒とし、この顆粒状原料を成形後にCIP処理し、この後脱脂するとともに1000℃〜1100℃で焼成し、更にHIP処理を施す。
組成割合がSiO2:40〜50wt%、Al2O3:10〜20wt%、MgO:15〜30wt%、K2O:5〜15wt%、F:5〜10wt%、B2O3:0.1〜10wt%である原料を、平均粒径(d50)が2.0μm未満で10μm以上の粗大粒子を含まない状態まで粉砕し、この原料粉を造粒して平均粒径が40〜80μmの顆粒とし、この顆粒状原料を成形後にCIP処理し、この後脱脂するとともに1000℃〜1100℃で焼成し、更にHIP処理を施す。
本発明に係るプロ−ブカードはガイド部材のガイド穴(溝)の表面粗さ(Ra)または(Rz)が極めて小さいため、プローブの摺動がスムーズで使い勝手がよく、寸法精度に優れるため、ICチップ及びLSIチップの高密度化に容易に対処することができる。
以下に本発明の実施の形態を添付図面に基づいて説明する。図1は本発明に係るプロ−ブカードの一例を示す断面図である。尚、プロ−ブカードの構造は図示例に限らず任意である。
プロ−ブカードは基板1と、この基板1に取り付けられたガイド部材2からなり、基板1の表面には導体パターンが形成され、この導体パターンに電気的に接続するようにプローブ3の基端部が基板1に固着されている。
また、ガイド部材2には検査対象のチップCの電極パッドPの位置に対応してガイド穴4が形成され、このガイド穴4に前記プローブ3の先端部が摺動自在に挿通している。
前記ガイド穴4の代わりに溝を形成してもよい。そしてガイド穴4(溝)は切削加工にて形成され、その表面粗さは、中心線平均粗さ(Ra)で0.2μm以下、10点平均粗さ(Rz)で3.0μm以下となっている。
ガイド部材2はマシナブルセラミックにガイド穴またはガイド溝を加工して製造される。このマシナブルセラミックはガラス質マトリックス中にフッ素金雲母結晶が分散してなり、且つ前記フッ素金雲母結晶の長軸方向の平均寸法が5μm未満となっている。前記ガイド穴またはガイド溝表面の中心線平均粗さ(Ra)は0.2μm以下で、10点平均粗さ(Rz)は3.0μm以下のプロ−ブカード用ガイド部材とすることで、ガイド部材のガイド穴(溝)の表面粗さ(Ra)または(Rz)が極めて小さいため、プローブの摺動がスムーズで使い勝手がよく、寸法精度に優れるため、ICチップ及びLSIチップの高密度化に容易に対処することができる。
このようなマシナブルセラミックを製造する方法を図2に従って説明する。先ず、原料としては、組成割合がSiO2:40〜50wt%、Al2O3:10〜20wt%、MgO:15〜30wt%、K2O:5〜15wt%、F:5〜10wt%、B2O3:0.1〜10wt%で、累積50%粒径が3.4〜3.9μmのものを用いる。
上記原料をポットミルにて、累積50%粒径(d50)が2.0μm未満で10μm以上の粗大粒子を含まない状態まで粉砕した。2.0μm未満とすることで低温で高密度焼成体を得ることができる。低温で焼成することで微細なフッ素金雲母を多量に析出させることができる。なお、累積50%粒径(d50)の下限値としては特に限定されないが、時間をかけて1.4μm以下に粉砕しても微細にした効果は比例して向上するわけではなく、コスト面を考慮すると、累積50%粒径(d50)の下限値は1.4μm程度が適当である。
次に造粒を行う。造粒には分散剤、バインダ及び離型剤を原料分に混合し、スプレードライ法を適用して、均一で粒径40〜80μmの顆粒状原料を得た。粒径40μm未満では後工程での成形の際に原料が金型の隙間に入り込み圧力伝達が阻害され、また粒径80μmを超えると密度ムラの原因になる。また脱脂・焼成時のクラックや割れを防止するため、顆粒状原料の水分量の制御が必要である。
造粒によって得た顆粒状原料を用いて成形を行う。本実施例では成形をプレス成形とCIP処理に分け全体的に均一に圧力をかけている。即ち、プレス成形にて得た成形体を熱圧着シートにて真空パックし、これにCIP処理を施した。
尚、予備プレス成形の圧力としては0.1〜0.5t/cm2、CIP処理圧力としては1〜2t/cm2が好ましい。
尚、予備プレス成形の圧力としては0.1〜0.5t/cm2、CIP処理圧力としては1〜2t/cm2が好ましい。
成形体の脱脂を行い、焼成は、200〜300℃/hで600〜800℃まで昇温させ、その後4時間600〜800℃でキープし、次いで200〜300℃/hで1000〜1100℃まで昇温せしめた後、4時間キープした後に放冷する。
上記の600〜800℃を4時間キープしている間にフッ素金雲母結晶の核生成が行われ、1000〜1100℃で4時間キープすることで結晶成長が行われていた。このような焼成過程を経ることで、微細な結晶を多量に析出させることができると考えられる。図3は焼結体の結晶の大きさ示す顕微鏡写真(SEM)であり、フッ素金雲母結晶の長軸方向の平均寸法は5μm未満であることが分かる。フッ素金雲母結晶の平均粒径は、SEM観察で得られた倍率5000倍の写真数枚をもとに約200個のフッ素金雲母雲母結晶の長軸径を測定した平均値である。
尚、この焼結体には気孔が残っているため、HIP処理を行って緻密なマシナブルセラミックスとし、これに切削加工などの機械加工を施す。
尚、この焼結体には気孔が残っているため、HIP処理を行って緻密なマシナブルセラミックスとし、これに切削加工などの機械加工を施す。
(実施例と比較例)
以下の(表1)に示す組成の実施例1と比較例1について前記した条件(焼成温度は1050℃と1105℃)で焼成体を製造した。また、比較例2としてコーニング社製マコール(登録商標)と比較した。
以下の(表1)に示す組成の実施例1と比較例1について前記した条件(焼成温度は1050℃と1105℃)で焼成体を製造した。また、比較例2としてコーニング社製マコール(登録商標)と比較した。
図4は実施例1及び比較例1を1050℃で焼成した場合と比較例2の加工抵抗と穴数の関係を示すグラフ、図5は実施例1の焼成温度を1050℃及び1105℃とした場合と比較例2の加工抵抗と穴数の関係を示すグラフである。
加工抵抗は、以下の方法で測定した。微小動力計(キスラー社製)に加工サンプルを固定し、市販のマシニングセンタにドリル(φ90μmの超硬スパイラルドリル)を取り付け、実施例サンプルと比較例サンプルを交互に加工して評価した。加工中に微小動力計にどの程度の力がかかっているかを3次元で測定し、加工抵抗値として検出した。主にドリルの進行方向の荷重が加工抵抗値を占める。
図4及び図5から実施例1の組成にすることで他の組成と比較し、加工しやすいことが分かる。また、焼成温度を上げると加工抵抗が大きくなるので焼成温度は1050℃の方が好ましい。
穴の内壁の表面粗さは、テーラーホブソン製触針式表面粗さ計(S4C ultra)を用い、加工した小径穴を半割し、表面粗さ計にて穴内壁を深さ方向に4.0mm走査して求める。
また、穴径が小さくなると触針式表面粗さ計での測定は困難になるので、穴径により触針式表面粗さ計と原子間力顕微鏡(AFM)を使い分け測定することができる。
また、穴径が小さくなると触針式表面粗さ計での測定は困難になるので、穴径により触針式表面粗さ計と原子間力顕微鏡(AFM)を使い分け測定することができる。
図6、図7に1050℃で焼成したマシナブルガラスセラミックスにφ1mm、深さ6mmの穴をあけ、穴内壁の表面粗さを測定したプロファイルと組織のSEM像を示す。図8、図9に比較例の表面粗さを測定したプロファイルと組織のSEM像を示す。本発明に係るマシナブルガラスセラミックスと比較例のものを比較したところ、比較例より明らかにRa、Rzは小さく表面が滑らかであるため、プローブとプローブカードガイド部材との摺動が良好である。良好な摺動性を得るためにはRaは0.2μm以下、Rzは3.0μm以下であることが好ましく、更に、Raは0.2μm以下、Rzは2.0μm以下であることがより好ましい。
本発明に係るプロ−ブカードはICチップ及びLSIチップが不良か否かを確実に検査する治具として用いられる。
Claims (3)
- 基板に一端が取り付けられたプローブを摺動自在に案内するプロ−ブカード用ガイド部材であって、このガイド部材はマシナブルセラミックスにガイド穴またはガイド溝を切削加工にて形成してなり、前記ガイド穴またはガイド溝表面の中心線平均粗さ(Ra)は0.2μm以下で、10点平均粗さ(Rz)は3.0μm以下であることを特徴とするプロ−ブカード用ガイド部材。
- 請求項1に記載のプロ−ブカード用ガイド部材であって、前記マシナブルセラミックスはガラス質マトリックス中にフッ素金雲母結晶が分散してなり、且つ前記フッ素金雲母の結晶の長軸方向の平均寸法は5μm未満であることを特徴とするプロ−ブカード用ガイド部材。
- 請求項1または請求項2に記載のプローブカード用ガイド部材を備えたことを特徴とするプローブカード。
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2006
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