JP2007033203A - 光学式センサチップ - Google Patents

光学式センサチップ Download PDF

Info

Publication number
JP2007033203A
JP2007033203A JP2005216120A JP2005216120A JP2007033203A JP 2007033203 A JP2007033203 A JP 2007033203A JP 2005216120 A JP2005216120 A JP 2005216120A JP 2005216120 A JP2005216120 A JP 2005216120A JP 2007033203 A JP2007033203 A JP 2007033203A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
light
optical waveguide
waveguide layer
optical
self
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2005216120A
Other languages
English (en)
Other versions
JP4761867B2 (ja
Inventor
Kenichi Uchiyama
兼一 内山
Kayoko Oomiya
可容子 大宮
Ikuo Uematsu
育生 植松
Tomohiro Takase
智裕 高瀬
Isao Nawata
功 縄田
Shingo Kasai
晋吾 葛西
Ichiro Tono
一郎 東野
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Corp filed Critical Toshiba Corp
Priority to JP2005216120A priority Critical patent/JP4761867B2/ja
Publication of JP2007033203A publication Critical patent/JP2007033203A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4761867B2 publication Critical patent/JP4761867B2/ja
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Abstract

【課題】簡易な構造で、レーザ光に比べて広い波長域の光を厚さの薄いシングルモードの光導波路層に容易に導入させることが可能な光学式センサチップを提供する。
【解決手段】基板と、前記基板の表面に形成され、その基板の屈折率よりも高い屈折率を持つシングルモード光導波路層と、前記光導波路層上の一部に形成され、カットオフよりも薄い厚さを有する自己発光層と、前記光導波路層上の一部に配置され、その光導波路層を伝播する光を外部に放出するための光学要素とを備えることを特徴とする光学式センサチップ。
【選択図】図1

Description

本発明は、光学式センサチップに関し、詳しくは例えば生体物質および化学物質のような被測定物を吸光度測定、吸収スペクトル測定のような光学的手段により分析する光学式センサチップに係る。
従来、次のような構造のスラブ型光導波路層を有する光学式センサチップが提案されている。ガラス基板は、表面にその基板よりも屈折率の高い光導波路層が形成されている。例えばプリズム、グレーティングのような第1光結合手段は、前記光導波路層上に設けている。例えばプリズム、グレーティングのような第2光結合手段は、前記第1光結合手段と反対側の前記光導波路層の端部上に設けられている。
このような構成の光学式センサチップにおいて、外部からの光を前記第1光結合手段を通して前記光導波路層内に導く。光導波路層内に導かれた光は、その光導波路層内を伝播する際に一部をエバネッセント光として前記光導波路層の外部に滲み出させる。被測定物を前記光が伝播される光導波路層に接触して配置することにより、前記被測定物は前記エバネッセント光と相互作用がなされ、エバネッセント光の一部をその特性に応じて吸収する。被測定物と相互作用を受けた導波光を前記第2光結合手段から光導波路層の外部に放射し、受光素子で受光する。この受光素子の信号を解析することにより被測定物の特性を分析する。
前記ガラス基板に形成される光導波路層としては、光を多重反射できる膜厚を有するマルチモード光導波路層と多重反射できない膜厚を有するシングルモード光導波路層とがある。シングルモードの光導波路層は、マルチモードのそれに比べて高感度化を図ることが可能であるため有利である。
しかしながら、シングルモードの光導波路層はマルチモードの光導波路層に比べてその膜厚が薄いため、外部から光を導入するための条件が厳しくなる。その上、シングルモードの光導波路層の入射可能な光はレーザ光以外の光では難しく、実質的にレーザ光に限られている。このため、次のような問題を生じる。
(1)レーザ光をプリズム、グレーティングのような光結合手段を通して光導波路層に導入する際、レーザ光の入射位置、入射角度のマージンが非常に少ないため、微調整ができる機構が不可欠になり、装置コストが高価になる。
(2)レーザ光は、単色性が良好で、そのスペクトル幅が非常に狭い。その結果、レーザ光と光導波路層の組み合わせで被測定物の光吸収を測定する場合、レーザ光のスペクトル幅が非常に狭い波長域での吸光度のみしか測定できず、被測定物の種類が制限される。
本発明は、簡易な構造で、レーザ光に比べて広い波長域の光を厚さの薄いシングルモードの光導波路層に容易に導入させることが可能な光学式センサチップを提供することを目的とする。
本発明によると、基板と、
前記基板の表面に形成され、その基板の屈折率よりも高い屈折率を持つシングルモード光導波路層と、
前記光導波路層上の一部に形成され、カットオフよりも薄い厚さを有する自己発光層と、
前記光導波路層上の一部に配置され、その光導波路層を伝播する光を外部に放出するための光学要素と
を備えることを特徴とする光学式センサチップが提供される。
本発明によれば、簡易な構造で、かつレーザ光に比べて広い波長域の光を厚さの薄いシングルモードの光導波路層に容易に導入させることが可能であるため、従来のように光導波路層に光の入射位置や角度を厳密に調整することを目的とする微調整機構が不要で低コスト化を実現でき、さらに被測定物対象の拡大を図ることが可能な光学式センサチップを提供できる。
以下、本発明の実施形態に係る光学式センサチップを詳細に説明する。
(第1実施形態)
この第1実施形態に係る光学式センサチップは、ガラス基板の主面にシングルモードの光導波路層が形成されている。カットオフよりも薄い厚さを有する自己発光層は、前記光導波路層の一部、例えば一端側付近に配置されている。前記光導波路層を伝播する光を外部に放出するための光学要素は、前記自己発光層と反対側の前記光導波路層の他端側に配置されている。
前記シングルモード光導波路層は、例えばガラス基板の表面をKイオンで交換して低屈折率にすることにより形成することができる。この光導波路層は、3μm以下、より好ましくは1.5〜2.5μmの厚さを有することが望ましい。
前記カットオフについて以下に詳述する。
多層薄膜を構成するある薄膜に着目すると、その薄膜中を伝播する光に対する屈折率は薄膜を構成するバルク材料の屈折率とは異なり等価屈折率で表現される。等価屈折率は光が導波する薄膜のバルク材料の屈折率、膜厚、接する他の薄膜のバルク材料の屈折率などによって決まるもので、特にシングルモード光導波路層のように膜厚が薄い場合、等価屈折率は膜厚とともに変化し、ある膜厚より薄くなると光がその薄膜中を伝播できなくなる。この条件をカットオフと呼んでいる。光導波路層が空気と接するスラブ型光導波路層では、カットオフ条件になると導波する光は光導波路層を伝播できなくなり基板側に漏れ出す。前記自己発光層をガラス基板の光導波路層上に設けた場合、その自己発光層も光導波路層と同様な光の伝播がなされる。ガラス基板を自己発光層および光導波路層より屈折率を低くし、自己発光層の膜厚がカットオフ条件より薄くすると、自己発光層の等価屈折率は光導波路層の等価屈折率とほぼ同じ値になるため、自己発光層内で発生した光は自己発光層に閉じ込められることはなく、光導波路層側や空気層側に放射される。
前記自己発光層は、励起光の照射で光を放出する材料、例えば種々の無機エレクトロルミネッセンス材料(蛍光体)または有機エレクトロルミネッセンス材料(有機EL材料)から作ることが可能である。特に、自己発光層は前記カットオフ条件を満たすことが必要であることから有機EL材料で形成されることが好ましい。
すなわち、自己発光層は前記カットオフよりも薄い厚さにすることが必要である。前記無機エレクトロルミネッセンス材料(蛍光体)は、粒子状で発光する形態を有するため、粒子径をカットオフが可能な微細寸法にすることはその発光メカニズムから制限される。
一方、有機EL材料は発光メカニズムとの関係で厚さの制限を受けないために自己発光層の材料として好適である。また、有機EL材料は一般に発光スペクトルの幅が広く、様々な材料が実用化されているため可視光領域の殆ど全ての波長を得ることができ、さらにその材料選択により三原色の発光が可能である。有機EL材料としては、例えばトリス(8−キノリノラト)アルミニウム錯体(Alq3)、トリス(2−フェニルピリジン)イリジウム(III)[Ir(ppy)3]、4,4’−ビス[N−(1−ナフチル)−N−フェニルアミノ]ビフェニル{α−NPD}等を挙げることができる。
前記有機EL材料からなる自己発光層は、例えば1)膜形成部位に穴加工が施されたステンレス板のような金属板をガラス基板の光導波路層に密着させた後、真空蒸着機のチャンバ内にその金属板が蒸着るつぼと対向するように設置し、有機EL材料を蒸着るつぼから蒸発させ、金属板の穴から露出する光導波路層を含む基板表面に蒸着する方法、2)有機EL材料を有機溶媒に溶解した溶液をスピンコートやインクジェットなどの手段でガラス基板の光導波路層の所定部位に塗布する方法により形成することができる。
前記光学要素は、石英プリズム、グレーティングまたは三角溝を切り込んだ樹脂性シートであるプリズムシートを用いることができる。
次に、この第1実施形態に係る光学式センサチップを図1を参照して具体的に説明する。
ガラス基板1の主面には、厚さ2μmのシングルモード光導波路層2が形成されている。このシングルモードの光導波路層2は、例えば松浪硝子工業株式会社製の#200番のガラス基板1(厚さ1.15mm)を400℃の硝酸カリウム溶融塩に2時間浸漬してKイオン交換を行うことにより形成される。カットオフよりも薄い厚さ、(例えば厚さ約100nm)のトリス(8−キノリノラト)アルミニウム錯体(Alq3)からなる自己発光層3は、前記光導波路層2の一部、例えば一端側付近に形成されている。この自己発光層3は、膜形成部位に穴加工が施されたステンレス板のような金属板をガラス基板1の光導波路層2に密着させた後、真空蒸着機のチャンバ内にその金属板が蒸着るつぼと対向するように設置し、Alq3を蒸着るつぼから蒸発させ、金属板の穴から露出する光導波路層2を含むガラス基板1表面に蒸着することにより形成される。前記光導波路層2を伝播する光を外部に放出するための光学要素である高屈折率ガラスプリズム(オハラ社製商標名;S−LAM2)4は、前記自己発光層3と反対側の前記光導波路層2の他端側に配置されている。ヨウ化メチレンを光導波路層2を含むガラス基板1と高屈折率ガラスプリズム4の間に介在し、それらの間の界面反射を抑制することが好ましい。
このような構成の光学式センサチップの作用を図2を参照して説明する。
励起光光源21から紫外光を励起光としてAlq3からなる自己発光層3に照射すると、自己発光層3からフォトルミネッセンスによる蛍光(500nm付近の光をピークとして100nm以上スペクトル幅のある光)が放射される。このとき、Alq3からなる自己発光層3の膜厚はカットオフの膜厚以下で形成され、自己発光層3の等価屈折率は光導波路層2の等価屈折率とほぼ同じ値となるため、自己発光層3で発生した光の一部は空気側およびガラス基板1側に漏れるが、高い効率で光導波路層2を伝播させることが可能となる。なお、励起光光源21としてブラックライト(東芝ライテック株式会社製商品名:FL20S・BLB−A)とUV−LED(日亜化学工業製商品名:NSHU590B)を用いて紫外光を自己発光層3に照射したところ、いずれも蛍光を励起することができた。
前記光導波路層2内に導かれた光は、その光導波路層2内を伝播する際に一部をエバネッセント光として前記光導波路層の外部に滲み出させる。被測定物を前記自己発光層3と高屈折率ガラスプリズム4の間に位置する光が伝播される光導波路層2部分に接触して配置することにより、前記被測定物は前記エバネッセント光と相互作用がなされ、エバネッセント光の一部をその特性に応じて吸収する。被測定物と相互作用を受けた導波光を前記高屈折率ガラスプリズム4から光導波路層の外部に放射し、受光素子22でその強度を測定する。この受光素子22の強度信号を解析することにより被測定物の特性を分析することが可能になる。
なお、高屈折率ガラスプリズム4から外部に放射される光はシングルモード光導波路層2を通過するため、ガラス基板1の垂直方向に非常に指向性が高く、ガラス基板1の面方向(自己発光層3の形成面)に指向性のない光学特性を示す。このため、受光素子22への入射光量を増加させる目的でシリンドリカルレンズを用いてもよい。
以上説明した第1実施形態によれば、励起光は自己発光層から蛍光のような光を放射させる目的で照射するため、励起光の入射角度はガラス基板に対して厳密に制御する必要がなく、事実上、励起光の入射角に関する制約がない。その結果、従来のように光を外部から光導波路層に導入するための光結合手段(プリズム、グレーティングなど)を用いることなく、自己発光層から光を光導波路層に効率よく導入できるため、入射光の角度、位置の微調整機構が不要になり、簡易で、低コストの光学式センサチップを実現できる。
また、有機EL材料からなる自己発光層は発光スペクトルの幅が広く、様々な材料が実用化されているため可視光領域の殆ど全ての波長を得ることができる。例えばAlq3からなる自己発光層は500nm付近の光をピークとして100nm以上スペクトル幅のある光を光導波路層2内に伝播させることができる。
さらに、複数の有機EL材料を同時に蒸着して自己発光層を光導波路層に形成することも可能である。具体的には、青色、例えば450nm付近にピークを持つ有機EL材料、緑色、例えば520nm付近にピークを持つ有機EL材料、赤色、例えば630nm付近にピークを持つ有機EL材料を同時に蒸着して自己発光層を光導波路層に形成することにより、可視光領域全体をカバーする白色光をシングルモード光導波路層に伝播させることも可能となる。
なお、前記自己発光層で励起光の照射により発生した蛍光のような光が光導波路層に伝播されず、ガラス基板に入射すると、その光は光強度の測定において外乱の原因になる可能性がある。この場合、前記自己発光層から放出される光を吸収する色素を含む光吸収層は、前記光導波路層を除く前記基板領域に形成することが好ましい。具体的には、図3に示すようにガラス基板1の裏面に自己発光層から放出される光を吸収する色素を含む光吸収層5を設ける形態を採用できる。この光吸収層5は、自己発光層3に用いられる有機EL材料がAlq3である場合、赤色の粘着テープ、赤色のラッカーペイントの塗膜により形成できる。
(第2実施形態)
図4は、この第2実施形態に係る光学式センサチップを備えた検査装置を示す断面図である。なお、図4において図1と同様な部材は同符号を付して説明を省略する。
第2実施形態に係る光学式センサチップは、図4に示すように例えばAlq3からなる自己発光層3と光学要素である高屈折率ガラスプリズム4の間に位置する光導波路層2上にセンシング膜6を設けた構造を有する。このセンシング膜6は、例えば被測定物と化学反応を起こして光吸収特性が変化し、光導波路層2を伝播する光の一部を吸収するようにデザインすることができる。
このような構成の光学式センサチップにおいて、ブラックライトまたはUV−LEDのような励起光光源21から紫外光を励起光としてAlq3からなる自己発光層3に照射すると、自己発光層3からフォトルミネッセンスによる蛍光が放射される。このとき、Alq3からなる自己発光層3の膜厚はカットオフの膜厚以下で形成することにより、前述した実施形態1と同様、自己発光層3で発生した光の一部は空気側およびガラス基板1側に漏れるが、高い効率で光導波路層2を伝播させることが可能となる。被測定物質をセンシング膜6に接触させると、センシング膜が前記被測定物と化学反応を起こして光吸収特性が変化し、光導波路層2を伝播する光の一部を吸収する。センシング膜6下の光導波路層2を伝播された光を高屈折率ガラスプリズム4を通して受光素子22に放出し、ここでその光の透過光量を測定する。この透過光量は、前記被測定物の濃度に応じて変化するため、この透過光量の変化から被測定物の濃度を求めることが可能になる。
前記センシング膜は、例えば以下の(1)グルコースセンシング膜、(2)アルカリ性ガスセンシング膜が挙げられる。
(1)グルコースセンシング膜
このグルコースセンシング膜は、例えば発色剤、グルコースを酸化または還元させる第1の酵素、前記酵素の生成物と反応することにより前記発色剤を発色させる物質を発生する第2の酵素が、膜形成高分子化合物を含む膜体に保持されている。
前記グルコースセンシング膜中の酵素および発色剤は、例えば下記表1に示す組み合わせで用いられる。
Figure 2007033203
前記グルコースセンシング膜に用いる膜形成高分子化合物としては、例えばカルボキシメチルセルロース、ヒドロキシエチルセルロース等を含むセルロース系高分子化合物を挙げることができる。
前記グルコースセンシング膜を有する光学式センサチップを具体的に説明する。
厚さ1.15mmのガラス基板1(松浪硝子工業株式会社製の#200番ガラス基板)の主面には、厚さ2μmのシングルモード光導波路層2が前述した第1実施形態と同様な方法により形成されている。カットオフよりも薄い厚さ、(例えば厚さ約100nm)のAlq3からなる自己発光層3は、前記光導波路層2の一部、例えば一端側付近に前述した第1実施形態と同様な方法により形成されている。前記光導波路層2を伝播する光を外部に放出するための光学要素である高屈折率ガラスプリズム4は、前記自己発光層3と反対側の前記光導波路層2の他端側に界面反射を防ぐためのヨウ化メチレンを介して配置されている。グルコースのセンシング膜6は、前記自己発光層3と光学要素である高屈折率ガラスプリズム4の間に位置する光導波路層2上に形成されている。このグルコースのセンシング膜6は、グルコース酸化酵素であるグルコースオキシダーゼ(GOD)発色剤を発色させる物質を発生する試薬であるペルオキシターゼ(POD)、発色剤である3,3’、5,5’−テトラメチルベンジジン(TMBZ)、膜形成材であるカルボキシメチルセルロース(CMC)およびポリエチレングリコール(PEG)を含む。
このようなグルコースのセンシング膜を有する光学式センサチップにおいて、ブラックライトまたはUV−LEDのような励起光光源21から紫外光を励起光としてAlq3からなる自己発光層3に照射すると、自己発光層3からフォトルミネッセンスによる蛍光が放射され、その放射光は高い効率で光導波路層2に導入され、伝播される。グルコースを含む水溶液をグルコースのセンシング膜6に滴下すると、グルコースとセンシング膜6中のGODの反応により過酸化水素が発生し、過酸化水素が同センシング膜6中のPODで分解される際にPOD基質であるTMBZが酸化され、無色から青色に変化する。センシング膜6中のTMBZの発色に伴い光導波路層2中を伝播する光が吸収されるので、受光素子22の受光面に580nmの光を選択的に透過させる干渉フィルタ(図示せず)を配置することによって、光導波路層2から高屈折率ガラスプリズム4を通して放射される光の透過光量の減少を確認できる。この透過光量の減少量からグルコース濃度を検出することができる。
(2)アルカリ性ガスセンシング膜
アルカリ性ガスセンシング膜は、アルカリ性ガスの検出が可能なブロモチモールブルー(C2728Br25S)またはクレゾールレッドを含む。このようなアルカリ性ガスセンシング膜を備えた光学式センサチップは、アルカリ性ガス、特にアンモニアに対して優れた感度を有する。
前記アルカリ性ガスセンシング膜を有する光学式センサチップを具体的に説明する。
この光学式センサチップは、前述したグルコースセンシング膜を有する光学式センサチップと同様、ガラス基板1に光導波路層2が形成され、この光導波路層の両側にカットオフよりも薄い厚さ、(例えば厚さ約100nm)のAlq3からなる自己発光層3および高屈折率ガラスプリズム4が配置されている。アルカリ性ガスのセンシング膜6は、前記自己発光層3と光学要素である高屈折率ガラスプリズム4の間に位置する光導波路層2上に形成されている。このアルカリ性ガスのセンシング膜6は、膜形成部位に穴加工が施されたステンレス板のような金属板をガラス基板1の光導波路層2に密着させた後、真空蒸着機のチャンバ内にその金属板が蒸着るつぼと対向するように設置し、ブロモチモールブルーを蒸着るつぼから蒸発させ、金属板の穴から露出する光導波路層2を含むガラス基板1表面に厚さが約100nmになるように蒸着することにより形成した。
このようなアルカリ性ガスのセンシング膜を有する光学式センサチップにおいて、ブラックライトまたはUV−LEDのような励起光光源21から紫外光を励起光としてAlq3からなる自己発光層3に照射すると、自己発光層3からフォトルミネッセンスによる蛍光が放射され、その放射光は高い効率で光導波路層2に導入され、伝播される。アンモニアを含むガスをアルカリ性ガスのセンシング膜6上を流通させると、センシング膜6中のブロモチモールブルーが黄色(pH=6.0以下の時)から青紫色(pH=7.6以上)に変化する。センシング膜6中のブロモチモールブルーの色変化に伴い光導波路層2中を伝播する光が吸収されるので、受光素子22の受光面に580nmの光を選択的に透過させる干渉フィルタ(図示せず)を配置することによって、光導波路層2から高屈折率ガラスプリズム4を通して放射される光の透過光量の減少を確認できる。この透過光量の減少量からアンモニア濃度を検出できる。
(第3実施形態)
図5は、この第3実施形態に係る光学式センサチップを備えた検査装置を示す断面図である。なお、図5において図1と同様な部材は同符号を付して説明を省略する。
第3実施形態に係る光学式センサチップは、図5に示すように例えばAlq3からなる自己発光層3と光学要素である高屈折率ガラスプリズム4の間に位置する光導波路層2部分に金微粒子7を設けた構造を有する。金微粒子(金コロイド)の表面には、表面プラズモンによる非常に強い電場が発生しているため、蛍光色素の励起に好適である。金微粒子は、表面プラズモンによる共鳴のため光を吸収して赤色に見えるが、吸収スペクトルが前記自己発光層に用いられるAlq3の発光スペクトルと重なっているため非常に効率の良い組み合わせとなる。このような金微粒子は、5〜100nmの平均粒径を有することが好ましい。
前記金微粒子が固定化された光学式センサチップを具体的に説明する。
厚さ1.15mmのガラス基板1(松浪硝子工業株式会社製の#200番ガラス基板)の主面には、厚さ2μmのシングルモード光導波路層2が前述した第1実施形態と同様な方法により形成されている。カットオフよりも薄い厚さ、(例えば厚さ約100nm)のAlq3からなる自己発光層3は、前記光導波路層2の一部、例えば一端側付近に前述した第1実施形態と同様な方法により形成されている。前記光導波路層2を伝播する光を外部に放出するための光学要素である高屈折率ガラスプリズム4は、前記自己発光層3と反対側の前記光導波路層2の他端側に界面反射を防ぐためのヨウ化メチレンを介して配置されている。例えば平均粒径10nmの金微粒子7は、前記自己発光層3と光学要素である高屈折率ガラスプリズム4の間に位置する光導波路層2部分に固定化されている。この金微粒子7は、光導波路層2上の所定部位に3メルカプトプロピルトリメトキシシラン溶液を塗布した後、180℃でベーキングして光導波路層2表面にチオール基を導入し、このチオール基に金コロイド溶液を反応させて光導波路層2表面に金微粒子を析出させることにより固定化されている。
このような構成の光学式センサチップにおいて、ブラックライトまたはUV−LEDのような励起光光源21から紫外光を励起光としてAlq3からなる自己発光層3に照射すると、自己発光層3からフォトルミネッセンスによる蛍光が放射され、その放射光は高い効率で光導波路層2に導入され、伝播される。金微粒子に1本鎖DNAを固定化し、Cy3標識したDNAをハイブリダイズさせると、光導波路層2上でCy3の強い蛍光が生じる。放射された蛍光を光導波路層2に伝播させ、高屈折率ガラスプリズム4を通して受光素子22でその強度を測定する。この受光素子22の強度信号を解析することによりハイブリダイズされたDNAを同定することができる。
(第4実施形態)
図6は、この第4実施形態に係る光学式センサチップを示す断面図、図7は図6の光学式センサチップを備えた検査装置を示す断面図である。なお、図6、図7において図1と同様な部材は同符号を付して説明を省略する。
第4実施形態に係る光学式センサチップは、図6に示すように例えばAlq3からなる自己発光層3と光学要素である高屈折率ガラスプリズム4の間に位置する光導波路層2上に1次抗体8を固定化した、光学式免疫センサチップである。この光学式免疫センサチップは、抗体を固定化して酵素標識した2次抗体や色素標識した2次抗体、金微粒子で標識した2次抗体を利用することができる。特に、金コロイドは吸収スペクトルが前記自己発光層3に用いられるAlq3の発光スペクトルと重なっているため、金微粒子で標識した2次抗体を使用する免疫センサチップでは自己発光層の有機EL材料としてAlq3が好適である。
前記光学式免疫センサチップを以下に具体的に説明する。
厚さ1.15mmのガラス基板1(松浪硝子工業株式会社製の#200番ガラス基板)の主面には、厚さ2μmのシングルモード光導波路層2が前述した第1実施形態と同様な方法により形成されている。カットオフよりも薄い厚さ、(例えば厚さ約100nm)のAlq3からなる自己発光層3は、前記光導波路層2の一部、例えば一端側付近に前述した第1実施形態と同様な方法により形成されている。前記光導波路層2を伝播する光を外部に放出するための光学要素である高屈折率ガラスプリズム4は、前記自己発光層3と反対側の前記光導波路層2の他端側に界面反射を防ぐためのヨウ化メチレンを介して配置されている。1次抗体8は、前記自己発光層3と光学要素である高屈折率ガラスプリズム4の間に位置する光導波路層2上に固定化されている。すなわち、光導波路層2上の所定部位に3アミノプロピルトリメトキシシラン溶液を塗布後180℃でベーキングして光導波路層表面にアミノ基を導入し、このアミノ基を導入した部分にグルタルアルデヒドで1次抗体8を固定化している。
このような構成の光学式免疫センサチップにおいて、図7に示すように1次抗体8の固定化部位にその1次抗体8と反応するタンパク9を含む溶液を反応させ、洗浄した後、金微粒子で標識した2次抗体10を反応させる。この状態で、ブラックライトまたはUV−LEDのような励起光光源21から紫外光を励起光としてAlq3からなる自己発光層3に照射すると、自己発光層3からフォトルミネッセンスによる蛍光が放射され、その放射光は高い効率で光導波路層2に導入され、伝播される。光導波路層2を伝播する光は、2次抗体10に標識されている金微粒子によって吸収されるため光導波路層2を伝播する光量が減少する。受光素子22の受光面に520nmの光を選択的に透過させる干渉フィルタ(図示せず)を配置することよって、光導波路層2から高屈折率ガラスプリズム4を通して放射される光の透過光量変化を測定することができる。したがって、この透過光量変化からターゲットタンパク濃度を検出することができる。
なお、蛍光物質が導波光を吸収できる色素で標識した2次抗体を用いることによっても同様の効果が得られる。また、酵素標識した2次抗体の場合、2次抗体反応後に基質溶液を反応させるが、反応後の基質として導波光を吸収できる基質を用いることで同様の効果を得ることができる。
(第5実施形態)
この第5実施形態に係る光学式センサチップは、ガラス基板に複数の光導波路層が形成され、かつ各光導波路層上の一部にカットオフよりも薄い厚さを有する自己発光層を形成し、さらに各光導波路層上の一部に各光導波路層を伝播する光を外部に放出するための光学要素を配置した構成を有する。
このような複数の光導波路層を有する光学式センサチップを図8を参照して具体的に説明する。
ガラス基板1の主面には、厚さ2μmの複数、例えば2つのシングルモード光導波路層(第1、第2の光導波路層)21、22が形成されている。これらのシングルモードの光導波路層21、22は、例えば次のような方法で形成される。厚さ1.15mmの松浪硝子工業株式会社製の#200番のガラス基板1表面に薄膜加工技術を用いて窒化シリコン膜を成膜し、この窒化シリコン膜の2つの光導波路層形成予定部をエッチングにより選択的に除去し、帯状開口部を有するマスクを形成する。このマスクを有するガラス基板を400℃の硝酸カリウム溶融塩に2時間浸漬して前記マスクの2つの帯状開口部から露出するガラス基板表面を選択的にKイオン交換することにより2つのシングルモード光導波路層21、22を形成する。この光導波路層の形成後にマスクである窒化シリコン膜を除去する。
カットオフよりも薄い厚さ、(例えば厚さ約100nm)のAlq3からなる自己発光層3は、前記第1、第2の光導波路層21、22の一部(一端側付近)のガラス基板1にそれら各光導波路層21、22を跨いで前述した第1実施形態と同様な方法により形成されている。前記各光導波路層21、22を伝播する光を外部に放出するための光学要素である高屈折率ガラスプリズム4は、前記自己発光層3と反対側の前記各光導波路層21、22の他端側のガラス基板1にそれら各光導波路層21、22を跨いで配置されている。なお、高屈折率ガラスプリズム4は各光導波路層21、22を含む前記ガラス基板1に界面反射を防ぐためのヨウ化メチレンを介して形成されている。グルコースのセンシング膜6は、前記自己発光層3と光学要素である高屈折率ガラスプリズム4の間に位置する第1光導波路層21部分に形成されている。このグルコースのセンシング膜6は、例えば前述した第2実施形態と同様、グルコース酸化酵素であるグルコースオキシダーゼ(GOD)発色剤を発色させる物質を発生する試薬であるペルオキシターゼ(POD)、発色剤である3,3’、5,5’−テトラメチルベンジジン(TMBZ)、膜形成材であるカルボキシメチルセルロース(CMC)およびポリエチレングリコール(PEG)を含む。
このような2つの光導波路層およびグルコースのセンシング膜を有する光学式センサチップにおいて、ブラックライトまたはUV−LEDのような励起光光源(図示せず)から紫外光を励起光としてAlq3からなる自己発光層3に照射すると、自己発光層3からフォトルミネッセンスによる蛍光が放射され、その放射光は高い効率で2つの光導波路層21、22に導入され、伝播される。グルコースを含む水溶液を第1光導波路層21部分に形成されたグルコースのセンシング膜6に滴下すると、前記第2実施形態で説明したようにグルコースとセンシング膜6中のPOD基質であるTMBZが酸化され、無色から青色に変化する。このため、第1光導波路層21中を伝播する光はセンシング膜6中のTMBZの発色に伴って吸収され、低い光強度の光23として高屈折率ガラスプリズム4を通して放射される。一方、センシング膜が存在しない第2光導波路層22中を伝播する光は、センシング膜との干渉を受けず、伝播時の光強度を持つ光24として高屈折率ガラスプリズム4を通して放射される。この光23,24の光強度を図示しない受光素子でそれぞれ検出し、光強度の差を測定することによりグルコース濃度を検出することができる。このグルコース濃度の検出は、前述した第2実施形態のように1つの光導波路層を用いる場合に比べて精度をより向上することが可能である。
以上、第5実施形態によれば自己発光層から光を複数の光導波路層に効率よく導入でき、入射光の角度、位置の微調整機構が不要になり、簡易で、低コストの光学式センサチップを実現できる。
すなわち、従来のように同一基板に複数の光導波路層を形成した光学式センサチップでは、各光導波路層に対してレーザ光をそれぞれ入射させるため、複雑な微調整機構が必要になり、装置として更に複雑で高価なものになる。
第5実施形態では、励起光は自己発光層から蛍光のような光を放射させる目的で照射され、励起光の入射角度はガラス基板に対して厳密に制御する必要がなく、事実上、励起光の入射角に関する制約がなく、さらに自己発光層を各光導波路層の共通な光供給源として用いることができるため、複雑な微調整機構が不要になり、従来に比べてより簡易で、より低コストの光学式センサチップを実現できる。
(第6実施形態)
図9は、この第6実施形態に係る光学式センサチップを備えた検査装置を示す断面図である。なお、図9において図1と同様な部材は同符号を付して説明を省略する。
第6実施形態に係る光学式センサチップは、図9に示すように前記第3実施形態と同じ構成、すなわちAlq3からなる自己発光層3と光学要素である高屈折率ガラスプリズム4の間に位置する光導波路層2部分に金微粒子7を設けた構造を有する。
具体的には、厚さ1.15mmのガラス基板1(松浪硝子工業株式会社製の#200番ガラス基板)の主面には、厚さ2μmのシングルモード光導波路層2が前述した第1実施形態と同様な方法により形成されている。カットオフよりも薄い厚さ、(例えば厚さ約100nm)のAlq3からなる自己発光層3は、前記光導波路層2の一部、例えば一端側付近に前述した第1実施形態と同様な方法により形成されている。前記光導波路層2を伝播する光を外部に放出するための光学要素である高屈折率ガラスプリズム4は、前記自己発光層3と反対側の前記光導波路層2の他端側に界面反射を防ぐためのヨウ化メチレンを介して配置されている。金微粒子7は、前記自己発光層3と光学要素である高屈折率ガラスプリズム4の間に位置する光導波路層2上に前述した第3実施形態と同様な方法により固定化されている。
このような構成の光学式センサチップにおいて、ブラックライトまたはUV−LEDのような励起光光源21から紫外光を励起光としてAlq3からなる自己発光層3に照射すると、自己発光層3からフォトルミネッセンスによる蛍光が放射され、その放射光は高い効率で光導波路層2に導入され、伝播される。伝播された光は、高屈折率ガラスプリズム4によって外部に放射され、シリンドリカルレンズ25によって集光された後、分光器26に入射して透過光のスペクトル分析がなされる。屈折率の異なる液体を金微粒子7の固定化部位に滴下すると、液体の屈折率に応じて前記光導波路層2に伝播される光で吸収されるスペクトル(吸収スペクトル)のピークが異なる。被測定物の屈折率と吸収スペクトルの波長の関係を図10に示す。したがって、透過光のスペクトルを分析することによって、液体の屈折率を検出することができる。
なお、前記光学式センサチップを備えた検出装置において、石英プリズムから放射された光を分光器などの受光素子に集光するためのレンズはシリンドリカルレンズに限定されず、グリーンレンズと呼ばれる屈折率分布型レンズまたはグリーンレンズアレイを用いてもよい。
前記透過光スペクトル分析は、屈折率測定に限定されず、光導波路層と接する被非測定物の吸収スペクトルを測定することもできる。
光導波路層を伝播する光を基板外へ放射するための手段はプリズムに限定するものではなく、グレーティングやPETなどのフイルム表面に複数の三角溝を設けたプリズムシートを接着しても同様の効果が得られる。
本発明の第1実施形態に係る光学式センサチップを示す断面図。 図1のセンサチップを備えた検査装置を示す概略断面図。 本発明の第1実施形態に係る光学式センサチップの多の形態を示す断面図。 本発明の第2実施形態に係る光学式センサチップを備えた検査装置示す概略断面図。 本発明の第3実施形態に係る光学式センサチップを備えた検査装置示す概略断面図。 本発明の第4実施形態に係る光学式センサチップを示す断面図。 図6のセンサチップを備えた検査装置を示す概略断面図。 本発明の第5実施形態に係る光学式センサチップを示す断面図。 本発明の第3実施形態に係る光学式センサチップを備えた検査装置示す概略断面図。 被測定物の屈折率と吸収スペクトルの波長の関係を示す図。
符号の説明
1…ガラス基板、2,21,22…光導波路層、3…自己発光層、4…高屈折率ガラスプリズム、5…光吸収層、6…センシング膜、7…金微粒子、8…1次抗体、21…励起光光源、22…受光素子、25…シリンドリカルレンズ(集光レンズ)、26…分光器。

Claims (8)

  1. 基板と、
    前記基板の表面に形成され、その基板の屈折率よりも高い屈折率を持つシングルモード光導波路層と、
    前記光導波路層上の一部に形成され、カットオフよりも薄い厚さを有する自己発光層と、
    前記光導波路層上の一部に配置され、その光導波路層を伝播する光を外部に放出するための光学要素と
    を備えることを特徴とする光学式センサチップ。
  2. 前記自己発光層は、励起光の照射で光を放出する有機エレクトロルミネッセンス材料から作られることを特徴とする請求項1記載の光学式センサチップ。
  3. 前記光学要素は、プリズム、グレーティング、プリズムシートのいずれからなることを特徴とする請求項1記載の光学式センサチップ。
  4. 前記自己発光層と前記光学要素の間に位置する前記光導波路層の箇所には、さらにセンシング膜が配置されることを特徴とする請求項1記載の光学式センサチップ。
  5. 前記センシング膜は、発色剤、グルコースを酸化または還元させる第1の酵素、前記酵素の生成物と反応することにより前記発色剤を発色させる物質を発生する第2の酵素が膜形成高分子化合物を含む膜体に保持された構成を有することを特徴とする請求項4記載の光学式センサチップ。
  6. 前記自己発光層と前記光学要素の間に位置する前記光導波路層の箇所には、さらに免疫反応に関与する抗体が固定化されていることを特徴とする請求項1記載の光学式センサチップ。
  7. 前記自己発光層と前記光学要素の間に位置する前記光導波路層の箇所には、さらに金微粒子が固定化されていることを特徴とする請求項1記載の光学式センサチップ。
  8. 前記光導波路層は、前記基板に複数形成され、かつ前記自己発光層は各光導波路層上の一部に形成されていることを特徴とする請求項1〜7いずれか記載の光学式センサチップ。
JP2005216120A 2005-07-26 2005-07-26 光学式センサチップ Expired - Fee Related JP4761867B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2005216120A JP4761867B2 (ja) 2005-07-26 2005-07-26 光学式センサチップ

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2005216120A JP4761867B2 (ja) 2005-07-26 2005-07-26 光学式センサチップ

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2007033203A true JP2007033203A (ja) 2007-02-08
JP4761867B2 JP4761867B2 (ja) 2011-08-31

Family

ID=37792653

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2005216120A Expired - Fee Related JP4761867B2 (ja) 2005-07-26 2005-07-26 光学式センサチップ

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP4761867B2 (ja)

Cited By (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008070214A (ja) * 2006-09-13 2008-03-27 Yokohama National Univ 光導波路型dnaセンサおよびdna検出方法
WO2008062582A1 (fr) * 2006-11-22 2008-05-29 Kabushiki Kaisha Atsumitec Capteur d'hydrogène et détecteur de gaz d'hydrogène
WO2009066515A1 (ja) * 2007-11-19 2009-05-28 Central Glass Company, Limited エバネッセント光源
JP2011112564A (ja) * 2009-11-27 2011-06-09 Toshiba Corp 光導波路型バイオケミカルセンサチップ
JP2011202997A (ja) * 2010-03-24 2011-10-13 Toshiba Corp 光学式センサ
WO2011158660A1 (ja) * 2010-06-15 2011-12-22 日東電工株式会社 Sprセンサセルおよびsprセンサ
WO2012066829A1 (ja) * 2010-11-15 2012-05-24 日東電工株式会社 比色センサセル、比色センサ、比色センサセルの製造方法、sprセンサセル、sprセンサおよびsprセンサセルの製造方法
JP2012107901A (ja) * 2010-11-15 2012-06-07 Nitto Denko Corp 比色センサセル、比色センサおよび比色センサセルの製造方法
CN103261875A (zh) * 2010-12-10 2013-08-21 日东电工株式会社 Spr传感器单元和spr传感器
JP2014066720A (ja) * 2007-11-07 2014-04-17 Toshiba Corp 光導波路型センサチップ、光導波路型センサチップの製造方法、物質の測定方法、物質測定用キットおよび光導波路型センサ
JP2014194435A (ja) * 2014-07-01 2014-10-09 Toshiba Corp 光導波路型バイオケミカルセンサチップ
US9075017B2 (en) 2007-11-07 2015-07-07 Kabushiki Kaisha Toshiba Optical-waveguide sensor chip, method of manufacturing the same, method of measuring substance, substance-measuring kit and optical-waveguide sensor
JP2019110194A (ja) * 2017-12-18 2019-07-04 旭化成エレクトロニクス株式会社 光デバイス及び光学式濃度測定装置

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06281568A (ja) * 1993-03-30 1994-10-07 Hitachi Ltd 液体成分分析装置
JPH0829330A (ja) * 1994-07-19 1996-02-02 Sharp Corp 光バイオセンサ及びその製造方法
JP2003248415A (ja) * 2002-02-22 2003-09-05 Ntt Advanced Technology Corp 導波路ホログラム型偽造防止シールの製造システム
JP2004085212A (ja) * 2002-08-22 2004-03-18 Toshiba Corp 光導波路型グルコースセンサ及び光導波路型グルコースセンサ測定方法
JP2004099868A (ja) * 2002-06-04 2004-04-02 Canon Inc 有機発光ポリマー
JP2005077396A (ja) * 2003-08-28 2005-03-24 Microtec Nition:Kk 分析用光導波路
JP2008070214A (ja) * 2006-09-13 2008-03-27 Yokohama National Univ 光導波路型dnaセンサおよびdna検出方法

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06281568A (ja) * 1993-03-30 1994-10-07 Hitachi Ltd 液体成分分析装置
JPH0829330A (ja) * 1994-07-19 1996-02-02 Sharp Corp 光バイオセンサ及びその製造方法
JP2003248415A (ja) * 2002-02-22 2003-09-05 Ntt Advanced Technology Corp 導波路ホログラム型偽造防止シールの製造システム
JP2004099868A (ja) * 2002-06-04 2004-04-02 Canon Inc 有機発光ポリマー
JP2004085212A (ja) * 2002-08-22 2004-03-18 Toshiba Corp 光導波路型グルコースセンサ及び光導波路型グルコースセンサ測定方法
JP2005077396A (ja) * 2003-08-28 2005-03-24 Microtec Nition:Kk 分析用光導波路
JP2008070214A (ja) * 2006-09-13 2008-03-27 Yokohama National Univ 光導波路型dnaセンサおよびdna検出方法

Cited By (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008070214A (ja) * 2006-09-13 2008-03-27 Yokohama National Univ 光導波路型dnaセンサおよびdna検出方法
US8025844B2 (en) 2006-11-22 2011-09-27 Kabushiki Kaisha Atsumitec Hydrogen sensor and hydrogen gas detecting apparatus
WO2008062582A1 (fr) * 2006-11-22 2008-05-29 Kabushiki Kaisha Atsumitec Capteur d'hydrogène et détecteur de gaz d'hydrogène
JP2014066720A (ja) * 2007-11-07 2014-04-17 Toshiba Corp 光導波路型センサチップ、光導波路型センサチップの製造方法、物質の測定方法、物質測定用キットおよび光導波路型センサ
US9075017B2 (en) 2007-11-07 2015-07-07 Kabushiki Kaisha Toshiba Optical-waveguide sensor chip, method of manufacturing the same, method of measuring substance, substance-measuring kit and optical-waveguide sensor
WO2009066515A1 (ja) * 2007-11-19 2009-05-28 Central Glass Company, Limited エバネッセント光源
JP2011112564A (ja) * 2009-11-27 2011-06-09 Toshiba Corp 光導波路型バイオケミカルセンサチップ
JP2011202997A (ja) * 2010-03-24 2011-10-13 Toshiba Corp 光学式センサ
CN102939530A (zh) * 2010-06-15 2013-02-20 日东电工株式会社 Spr传感器元件和spr传感器
JP2012021973A (ja) * 2010-06-15 2012-02-02 Nitto Denko Corp Sprセンサセルおよびsprセンサ
US8718420B2 (en) 2010-06-15 2014-05-06 Nitto Denko Corporation SPR sensor cell and SPR sensor
WO2011158660A1 (ja) * 2010-06-15 2011-12-22 日東電工株式会社 Sprセンサセルおよびsprセンサ
JP2012107901A (ja) * 2010-11-15 2012-06-07 Nitto Denko Corp 比色センサセル、比色センサおよび比色センサセルの製造方法
WO2012066829A1 (ja) * 2010-11-15 2012-05-24 日東電工株式会社 比色センサセル、比色センサ、比色センサセルの製造方法、sprセンサセル、sprセンサおよびsprセンサセルの製造方法
CN103261875A (zh) * 2010-12-10 2013-08-21 日东电工株式会社 Spr传感器单元和spr传感器
JP2014194435A (ja) * 2014-07-01 2014-10-09 Toshiba Corp 光導波路型バイオケミカルセンサチップ
JP2019110194A (ja) * 2017-12-18 2019-07-04 旭化成エレクトロニクス株式会社 光デバイス及び光学式濃度測定装置
JP7171182B2 (ja) 2017-12-18 2022-11-15 旭化成エレクトロニクス株式会社 光学式濃度測定装置

Also Published As

Publication number Publication date
JP4761867B2 (ja) 2011-08-31

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4761867B2 (ja) 光学式センサチップ
US10684227B2 (en) Method for detection of binding affinities
AU2008233214B2 (en) Calibration and normalization method for biosensors
US6707561B1 (en) Sensor platform, apparatus incorporating platform, and process using the platform
US7348573B2 (en) Excitation and emission filter
US8039814B2 (en) Luminescence sensor operating in reflection mode
JP5315409B2 (ja) 光導波路の製造方法、光導波路及びセンサアレンジメント
KR102128557B1 (ko) 결합 친화성의 검출에 사용하기 위한 장치
CN101548211B (zh) 导向模式共振过滤器及光学生物传感器
US20070002325A1 (en) Fluorescence measurement apparatus
JP2005338098A (ja) 消散的に励起されたルミネセンスを用いた複数の分析対象物質の並列的検出のためのセンサプラットホームおよび方法
US20200209158A1 (en) Analytical test device
JP2002502967A (ja) ルミネッセンスを測定する方法及び装置
US7615760B2 (en) Luminescence sensor comprising at least two wire grids
US6623973B2 (en) Method for detection of organic vapors based on fluorescence enhancement in porphyrin aggregates
US10060917B2 (en) Device for use in the detection of binding affinities
US7560708B2 (en) Luminescence sensor using multi-layer substrate structure
US7655475B2 (en) Luminescence based sensor using protuberances to redirect light
WO2007082160A2 (en) Method for increasing signal intensity in an optical waveguide sensor
US20050019217A1 (en) Analytical equipment for determining the chemical structure and/or composition of a plurality of samples and sample holder
TW202006324A (zh) 感測裝置
KR20240006033A (ko) 축소된 규모의 단위 셀을 갖는 통합 분석 장치의 어레이
KR20130074166A (ko) 형광 검출 방식의 바이오 칩

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20080722

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20100916

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20101005

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20101201

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20110215

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20110413

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20110510

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20110607

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140617

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140617

Year of fee payment: 3

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees