JP2019110194A - 光デバイス及び光学式濃度測定装置 - Google Patents
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Abstract
Description
本実施形態に係る光デバイスは、基板と、0.1μm以上100μm以下の厚みで前記基板上に形成されて屈折率が前記基板よりも大きい第1の層と、前記第1の層上に形成されて第1の半導体積層部を有する発光素子と、前記第1の層上に形成されて第2の半導体積層部を有し、前記発光素子から放射されて前記第1の層を通った光を受光可能な受光素子と、を備えている。
本実施形態に係る光学式濃度測定装置は、被測定気体または被測定液体の濃度を測定する装置であり、本実施形態の光デバイスを備えている。当該光デバイスに備えられた第1の層の少なくとも一部は、被測定気体または被測定液体と接触可能に設けられている。
基板はその上(すなわち、基板の表面)に第1の層を形成できれば特に限定されない。基板は、具体的にはシリコン(Si)単結晶(波長5μm付近の屈折率約3.4)、ガリウムヒ素(GaAs)単結晶(波長5μm付近の屈折率約3.3)又は酸化アルミ単結晶(例えばサファイア(波長5μm付近の屈折率:1.6))で形成されていてもよい。基板は、単一の材料(例えばSi単結晶、GaAs単結晶、サファイア等)で形成されていてもよく、複数の材料の積層体で形成されていてもよい。例えば、SOI基板のうちSiとSiO2の積層部分が基板として用いられてもよい(この場合、SiO2上のSiを第1の層として用いることができるが、このときSiで形成された第1の層の屈折率はSiO2の屈折率よりも大きいため、「第1の層の屈折率が基板の屈折率よりも大きい」という関係を満たすものとする)。また、SiやGaAsなどの半導体基板上にエピタキシャル成長された半導体層が基板として用いられてもよい。
第1の層は、基板上に形成されている。第1の層の厚みは、0.1μm以上100μm以下である。第1の層は、基板よりも大きい屈折率を有している。第1の層の具体的な例としては、In又はSbを含んだ半導体材料、またはSiで形成された層であってよい。第1の層が形成される半導体材料の具体的な例としては、InSb及びInAsSb等が挙げられる。
第2の層は、基板と第1の層の間に設けられ、屈折率が第1の層とは異なる層である。第2の層の屈折率が第1の層より小さいと、第1の層に入射された光が第1の層内に閉じ込められ、第1の層における光の伝搬ロスが減るため、好ましい場合がある。
発光素子は、第1の層上に形成され、第1の半導体積層部を有している。発光素子は、注入された注入電流によって発光する。発光素子の種類としては、発光ダイオード(Light Emmitting Diode:LED)が挙げられる。
受光素子は、第1の層上に形成され、第2の半導体積層部を有している。光学カップリング性向上の観点から、第1の層に接する部分の第2の半導体積層部の材料は、当該第1の層の材料よりも、波長5μmの赤外線に対する屈折率が大きいと好ましい場合がある。第1の層に接する部分は、第2の半導体積層部の最下層の層である。第1の半導体積層部及び第2の半導体積層部は、同じ材料で形成され且つ同じ積層構造を有していてもよい。つまり、第2の半導体積層部は、受光効率が高められるという観点から、単結晶の半導体材料で形成されていてもよい。第2の半導体積層部が半導体材料で形成されている場合、第2の半導体積層部は、n型半導体層及びp型半導体層の少なくとも一方を有してもよい。第2の半導体積層部の構成として、第2の半導体積層部がn型半導体層及びp型半導体層の両方を有する場合に、n型半導体層及びp型半導体層が積層された積層部を含むpn接合を有する構成や、n型半導体層およびp型半導体層の間にi型半導体層をさらに含むpin接合を有する構成が挙げられる。また、第2の半導体積層部の構成として、n型半導体層及びp型半導体層及びi型半導体層の一方を有する光導電型の構成が挙げられる。
本実施形態に係る光デバイスは、発光素子と受光素子との間に光を伝搬する部位を設けることによって、発光素子から受光素子への光の伝搬が可能となる。この部位を光路と呼ぶ。この光路は第1の層を加工することによって形成することが可能である。
第1の層、第2の層、第1の半導体積層部及び第2の半導体積層部は、分子線エピタキシー(Molecular Beam Epitaxy:MBE)法、有機金属気相成長(Metalorganic Chemical Vapor Deposition:MOCVD)法、又は、接着法を用いて形成することが出来る。第1の半導体積層部及び第2の半導体積層部は、高い品質にする観点から、MBE法またはMOCVD法を用いて形成することが好ましい。この場合、第1の半導体積層部及び第2の半導体積層部の結晶性を向上させる観点から、基板、第1の層及び第2の層の形成材料は、単結晶であってよく、具体的にはSi単結晶、GaAs単結晶又はサファイアであってもよい。
(第1構成例)
図1は、本実施形態の第1構成例に係る光デバイス100の断面の構成例を示す。
図1に示すように、第1構成例に係る光デバイス100は、基板2と、0.1μm以上100μm以下の厚みで基板2上に形成されて屈折率が基板2よりも大きい第1の層31と、第1の層31上に形成されて第1の半導体積層部411を有する発光素子41と、第1の層31上に形成されて第2の半導体積層部511を有し、発光素子41から放射されて第1の層31を通った光Lを受光可能な受光素子51とを備えている。基板2は上述の基板の一例に相当し、第1の層31は上述の第1の層の一例に相当し、発光素子41は上述の発光素子の一例に相当し、受光素子51は上述の受光素子の一例に相当し、第1の半導体積層部411が上述の第1の半導体積層部に相当し、第2の半導体積層部511が上述の第2の半導体積層部に相当する。
図2は、本実施形態の第2構成例に係る光デバイス200の断面の構成例を示す。なお、第1構成例による光デバイス100と同様の作用・機能を奏する構成要素には同一の符号を付して、その説明は省略する。
図3は、本実施形態の第3構成例に係る光デバイス300の断面の構成例を示す。なお、第1構成例による光デバイス100と同様の作用・機能を奏する構成要素には同一の符号を付して、その説明は省略する。
図4は、本実施形態の第4構成例に係る光デバイス400の断面の構成例を示す。なお、第2構成例による光デバイス200と同様の作用・機能を奏する構成要素には同一の符号を付して、その説明は省略する。
図5は、本実施形態に係る光デバイスに備えられる発光素子及び受光素子の具体的な構成例を示す。当該発光素子の第1の半導体積層部及び当該受光素子の第2の半導体積層部は、同じ材料で形成され且つ同じ積層構造を有していてもよい。第5構成例では、第1の半導体積層部及び第2の半導体積層部が同じ積層構造を有している場合の発光素子及び受光素子の構成例について説明する。第5構成例では、発光素子及び受光素子を「光電変換素子」と総称する。
2 基板
31,32,33 第1の層
41,42 発光素子
51,52,53 受光素子
7 第2の層
11a,11b,12a,12b 電極
211 p層
213 pバリア層
215 活性層
217 nバリア層
219 n層
251,252 コンタクトホール
411,421 第1の半導体積層部
511,521,531 第2の半導体積層部
L 光
Claims (9)
- 基板と、
0.1μm以上100μm以下の厚みで前記基板上に形成されて屈折率が前記基板よりも大きい第1の層と、
前記第1の層上に形成されて第1の半導体積層部を有する発光素子と、
前記第1の層上に形成されて第2の半導体積層部を有し、前記発光素子から放射されて前記第1の層を通った光を受光可能な受光素子と、
を備える光デバイス。 - 前記基板は、シリコン単結晶、ガリウムヒ素単結晶又は酸化アルミ単結晶で形成されている
請求項1に記載の光デバイス。 - 前記第1の層に接する部分の前記第2の半導体積層部の材料は、該第1の層の材料よりも、波長5μmの赤外線に対する屈折率が大きい
請求項1又は2に記載の光デバイス。 - 前記第1の半導体積層部及び前記第2の半導体積層部は、n型半導体層及びp型半導体層の少なくとも一方を有する
請求項1から3のいずれか一項に記載の光デバイス。 - 前記第1の半導体積層部及び前記第2の半導体積層部は、前記n型半導体層及び前記p型半導体層の両方を有する場合に、該n型半導体層及び該p型半導体層の間にi型半導体層をさらに有する
請求項4に記載の光デバイス。 - 前記第1の半導体積層部及び前記第2の半導体積層部は、同じ材料で形成され且つ同じ積層構造を有し、
前記第1の層に接する部分の前記第1の半導体積層部及び前記第2の半導体積層部の材料の波長5μmの赤外線に対する屈折率を第一屈折率とし、該第1の層の材料の波長5μmの赤外線に対する屈折率を第二屈折率とすると、前記第一屈折率対前記第二屈折率の比の値は、0.8以上1.2以下である
請求項1,2,4及び5のいずれか一項に記載の光デバイス。 - 前記基板と前記第1の層との間に、屈折率が該第1の層とは異なる第2の層をさらに備える
請求項1から6のいずれか一項に記載の光デバイス。 - 前記第2の層は、抵抗率が10kΩ・cm以上1GΩ・cm以下の絶縁材料で形成されている
請求項7に記載の光デバイス。 - 被測定気体または被測定液体の濃度を測定する光学式濃度測定装置であって、
請求項1から8のいずれか一項に記載の光デバイスを備え、
前記第1の層の少なくとも一部は、前記被測定気体又は前記被測定液体と接触可能に設けられている
光学式濃度測定装置。
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