JP2007024668A - センサ、及び、これを用いた電子機器 - Google Patents
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Abstract
【課題】 構造が簡単で、製造の容易なセンサ、及び、電子機器を提供すること。
【解決手段】 外力感知部61と、誘電体素子Cxと、検出回路70とを含む。外力感知部61は、外力Fに応答して変位する。誘電体素子Cxは、外力感知部61に取り付けられ、外力感知部61の変位に起因する応力により誘電率が変化する。検出回路70は、誘電体素子Cxの誘電率の変化を電気信号に変換する。
【選択図】 図1
【解決手段】 外力感知部61と、誘電体素子Cxと、検出回路70とを含む。外力感知部61は、外力Fに応答して変位する。誘電体素子Cxは、外力感知部61に取り付けられ、外力感知部61の変位に起因する応力により誘電率が変化する。検出回路70は、誘電体素子Cxの誘電率の変化を電気信号に変換する。
【選択図】 図1
Description
本発明は、センサ、及び、電子機器に関し、更に詳しくは誘電体素子を応用したセンサ、及び、これを用いた電子機器に関する。
物体に作用する衝撃、物体の振動、又は、物体の慣性加速度を検出するセンサとして、加速度センサが知られている。加速度センサとしては、動作原理、形態の違いによって、導電型,圧電型,光電型及びサーボ型等が提案され、実用化されている。
例えば、特許文献1、及び、特許文献2は、圧電型の加速度センサを開示している。圧電型の加速度センサは、チタン酸バリウム、ジルコン酸塩等の強誘電体セラミクス、水晶等のピエゾ素子を感応素子として用い、慣性力をピエゾ素子に作用させ、ピエゾ効果により生じる電圧を検出して、慣性加速度を求めるものである。
しかしながら、ピエゾ素子は、強誘電体セラミクスに強電界を印加し分極する工程や、バイモルフ構造にする工程や、端子電極を引き出すための微細加工工程などが必要であるため、工数がかかるという問題や、コスト高になるなどの問題がある。
特開平6−324073号公報
特開平6−160419号公報
本発明の課題は、構造が簡単で、製造の容易なセンサ、及び、電子機器を提供することである。
上述した課題を解決するため、本発明に係るセンサは、外力感知部と、誘電体素子と、検出回路とを含む。前記外力感知部は、外力に応答して変位する。前記誘電体素子は、前記外力感知部に取り付けられ、前記変位に起因する応力により誘電率が変化する。前記検出回路は、前記誘電体素子の前記誘電率の変化を電気信号として検出する。
本発明において用いられる誘電体素子は、代表的には、積層コンデンサである。近年、積層コンデンサは、大容量化の要請に応えるべく、1層当たりの厚みが極めて薄くなり、誘電体材料の誘電率も年々極めて高くなっている。しかしながら、同時に、積層コンデンサは、ノイズに弱いという問題も生じてきている。このノイズは機械的ノイズで、振動に起因するものであることまでは判明したが、その原因については、当初、誘電体の中にわずかに潜在する圧電効果か電歪効果によるものと考えられていた。
ところが、本発明者が解析したところ、このノイズは、圧電効果や電歪効果によるものではなく、誘電体の誘電率が応力により変動することがその主な原因であることが分かった。本発明者は、この知見をもとにし、誘電率の変化量を取り出すことができれば、応力検出手段として、工業的に利用することができるのではないかと考え、その利用面について鋭意検討した結果、この現象が加速度センサ等として利用するのに適していることを見出した。即ち、本発明は、誘電体素子の誘電率が、応力により大きく変化することを見出し、この誘電率変化をセンサに応用したものである。
積層コンデンサは、汎用電子部品であり、多品種のものが市販されているから、この積層コンデンサを、感応素子として用い得る本発明のセンサは、ピエゾ素子を用いる場合と比較して、構造が簡単になり、製造も容易になる。
本発明に係るセンサは、例えば、物体の動作、落下、振動などを検出する加速度センサ、応カセンサなどとして使用することができる。
以上述べたように、本発明によれば、構造が簡単で、製造の容易なセンサ、及び、電子機器を提供することができる。
本発明の他の特徴及びそれによる作用効果は、添付図面を参照し、実施例によって更に詳しく説明する。
図1は、本発明に係るセンサの一実施例を示す概略図である。図示のセンサは、例えば、加速度、応力、又は、変位を検出するために用いることができるもので、外力感知部61と、誘電体素子Cxと、検出回路70とを含む。
外力感知部61は、外力Fに応答して変位する部分であり、一般にはビーム状の薄板として構成される。外力感知部61は、プラスチック材料、繊維強化プラスチック、絶縁処理された金属材料又はそれらの組み合わせによって構成することができる。図示の外力感知部61は、一端が固定端、他端が自由端となっている。自由端側には、変位増幅のための錘50が取り付けられている。図の外力感知部61は、水平に配置されている。
誘電体素子Cxは、典型的には、高誘電率の強誘電体セラミクスを用いた積層コンデンサによって構成することができる。この誘電体素子Cxは、外力感知部61の固定端側において、その一面上に、例えば、接着剤、はんだなどによって固着した状態で配置されている。
図2は誘電体素子Cxを構成する積層コンデンサの一例を、模式的に示す図で、誘電体セラミック素体11と、内部電極131、132と、外部電極121、122とを含む。誘電体セラミック素体11は、応力に対応して比誘電率が変化する。内部電極131、132は、誘電体セラミック素体11に埋設されている。外部電極121、122は、内部電極131、132と導通する。これらの外部電極121、122は、外力感知部61の一面上に設けた導体パターン(図示しない)に、はんだ付などの手段によって固着される。
外部電極121、122は、更に、検出回路70に導かれる。検出回路70は、誘電体素子Cxの誘電率の変化を電気信号に変換して検出する。
外部電極121、122は、更に、検出回路70に導かれる。検出回路70は、誘電体素子Cxの誘電率の変化を電気信号に変換して検出する。
次に、図1に示したセンサの動作について、説明する。外部から衝撃、振動、又は、加速度等の外力Fが加わると、外力感知部61は、外力Fに応じて、変位し、振動し、それに伴って外力感知部61に歪が発生する。
外力感知部61に歪が発生すると、外力感知部61に固定されている誘電体素子Cxには、外力感知部61の歪に対応する応力が生じる。検出回路70は、誘電率の変化を電気信号として検出し、電気信号を信号処理して、外力Fに対応した出力電圧Voを生成する。
ここで、本発明では、ピエゾ素子ではなく、誘電体素子Cxを用いているから、低コスト化を図ることができる。しかも、誘電体素子Cxとしては、例えば、市販の積層コンデンサを用いることができる。積層コンデンサは、セラミクスに強電界を印加し分極する工程や、バイモルフ構造にする工程や、端子電極を引き出すための微細加工工程などが不要であるから、極めて容易に製造できる。
更に、誘電体素子Cx、即ち、応力を感知するセンサとして、表面実装型のコンデンサを用いることが可能であるから、特殊な工程によらず、また、特殊な装置を用いずに、誘電体素子Cxを極めて容易に外力感知部61に実装できるようになり、生産効率の向上、センサの低コスト化に寄与し得る。
検出回路70は、誘電体素子Cxの誘電率の変化を電気信号として検出する機能を有するものであれば、回路構成は特に限定するものではない。その適用可能な一例を図3に示す。図3に示した検出回路70は、高抵抗R2を介して誘電体素子Cxにバイアス電圧を印加するとともに、誘電体素子Cxの誘電率の変化を電圧信号に変換して検出し、外力Fに対応した出力電圧Voを生成し、出力する。
次に、本発明に係るセンサの更に具体的な実施例について、図を参照して説明する。図4は、本発明に係るセンサの一実施例を示す平面図である。図4に示す実施例では、回路基板60が用いられている。回路基板60は、ガラスエポキシ板などによって構成され、外力感知部61と、回路搭載部62とを含んでいる。外力感知部61及び回路搭載部62は、スリット65により、互いに分離されている。スリット65は、長さL1を持ち、一端(自由端)が開放され、他端(終端)が閉じている。外力感知部61は、スリット65と同じ長さであり、回路搭載分62の幅よりも十分に小さな幅W1を持っている。
誘電体素子Cxは、スリット65の閉じた他端付近に配置されている。更に詳しくは、誘電体素子Cxは、長さ方向の中心線が、スリット65の終端に一致するように配置する。つまり、誘電体素子Cxは、その長さをL2として、スリット65の終端位置(基準位置0)の両側に長さ(L2/2)で分配された状態で配置されている。回路搭載部62には、図3などで示した検出回路70が搭載されている。
図示のセンサは、スリット65により、回路搭載部62と外力感知部61とが分離されているから、回路搭載部62を持つ大きな平面積の回路基板60でありながら、外力感知部61を確実に振動させることができる。
また、スリット65の閉じた終端付近は、外力感知部61が最も大きく歪む部分であり、この部分に誘電体素子Cxが取り付けられているから、誘電体素子Cxに発生する応力を増大させ、S/N比、及び、感度の高いセンサが得られる。
更に、外力感知部61と、回路搭載部62とを併設した回路基板60を用いることにより、誘電体素子Cxと検出回路70とを接続する配線141、142を容易に形成し得る。
図5は、図4に図示されたセンサの変位量と静電容量との関係を示すデータである。図5において、横軸に外力感知部61の自由端で見た変位量(mm)をとり、縦軸に図2に示したような積層コンデンサ構造を持つ誘電体素子Cxの静電容量(μF)をとってある。図5のデータは、図4において、回路基板60として、厚さ0.5mmのガラスエポキシ板を用い、外力感知部61の長さL1を20mmとし、幅W1を5mmとして得られたものである。また、励振周波数は1kHzとした。
図示するように、積層コンデンサ構造を持つ誘電体素子Cxの静電容量値は、外力感知部61の変位量に比例して変化する。このことは、誘電体素子Cxを構成する誘電体セラミック素体11(図2参照)の誘電率が、外力感知部61の変位に起因して、誘電体セラミック素体11の内部に生じる応力により、誘電率が変化していることを示している。
図6は、図3に示した回路構成を有する検出回路70の出力特性を示す図で、横軸に時間(ms)をとり、縦軸に出力電圧V0をとってある。図の特性は、外力感知部61を振動させて得られたものである。センサは、図4に示した基本構造を有し、図5に示す変位量/静電容量特性を示す誘電体素子Cxが用いられている。
誘電体素子Cxの静電容量は、変位量に比例して変化する(図5参照)から、出力電圧Voは、外力Fの大きさ、つまり振動の大きさに比例する大きさを有することとなる。図6において、出力電圧Voは、外力感知部61の振動周波数に対応して変動しているが、この変動は、例えば、フィルタ回路等(図示せず)を用いて除去することができる。
次に、図7〜図9を参照し、本発明に係るセンサの別の実施例について説明する。これらの図において、共通の構成部分については、同一の参照符号を付してある。それぞれの実施例は、共通の構成部分により、同様の作用効果を奏し得るが、重複説明は省略する。
まず、図7では、外力感知部61は、スリット651、652により、回路搭載部62から分離されている。スリット651、652は、終端付近において、切欠き631、632により、スリット幅が拡大されており、反射的に外力感知部61の幅が狭められるから、外力感知部61を大きく振動させることができ、S/N比、及び、感度の高いセンサが得られる。
次に、図8では、回路基板60は、回路搭載部62と、2つの外力感知部611、612とを含んでいる。2つの外力感知部611、612は、互いに、90度で異なる方向に延びており、互いに、90度異なる2軸X、Yの方向に延びるスリット653、654によって、回路搭載部62から分離されている。誘電体素子Cx1はスリット653の終端部付近に固定され、誘電体素子Cx2はスリット654の終端付近に固定されている。
図示のセンサによれば、誘電体素子Cx2により軸Xの回りMxの角加速度を検出し、誘電体素子Cx1により軸Yの回りMyの角加速度を検出することができる。
更に、図9に示したセンサは、外力感知部61が、鉛直方向(又は水平方向)に対する角度αが、90度よりも小さくなるように配置されている。角度αは、例えば45度となるように設定される。
図示のセンサは、外力感知部61が、鉛直方向(又は水平方向)に対して、90度よりも小さい角度αとなるように固定されているので、外力Fについて、鉛直方向成分Fy、及び、水平方向成分Fxを検出することができる。図9の配置は、先に述べた実施例の全てに適用できる。
図10は、本発明に係る電子機器の一実施例を示すブロック図である。図示の電子機器は、例えば、万歩計(登録商標)である。図示の電子機器は、センサ1と、演算回路81と、出力回路82と、入力装置83と、タイマー回路84とを含む。
センサ1は、図1〜図9に示した本発明のセンサである。入力装置83は、使用者の歩幅等を入力するための装置である。演算回路81は、例えば、CPU(中央演算処理装置:central processing unit)であり、センサ1により検出された加速度Vo、入力装置83により入力された歩幅情報、及び、タイマー回路84により得られた時刻情報等を用いて、使用者の歩行状態を処理し、出力回路82を介して出力する。
図示の電子機器は、本発明に係るセンサ1を含むので、センサ1の有する作用効果をそのまま得ることができる。
以上、好ましい実施例を参照して本発明の内容を具体的に説明したが、本発明の基本的技術思想及び教示に基づいて、当業者であれば、種々の変形態様を採り得ることは自明である。
Cx 誘電体素子
70 検出回路
60 回路基板
90 支持装置
70 検出回路
60 回路基板
90 支持装置
Claims (7)
- 外力感知部と、誘電体素子と、検出回路とを含むセンサであって、
前記外力感知部は、外力に応答して変位する部分であり、
前記誘電体素子は、前記外力感知部に取り付けられ、前記変位に起因する応力により誘電率が変化し、
前記検出回路は、前記誘電体素子の前記誘電率の変化を電気信号に変換する、
センサ。 - 請求項1に記載されたセンサであって、前記誘電体素子は、コンデンサを構成するセンサ。
- 請求項1又は2に記載されたセンサであって、
前記外力感知部は、一端側が固定端、他端側が自由端であり、
前記誘電体素子は、前記固定端側に配置されている、
センサ。 - 請求項1乃至3の何れかに記載されたセンサであって、前記外力感知部は、前記自由端側に錘を有する、センサ。
- 請求項1乃至4の何れかに記載されたセンサであって、回路基板を含み、前記回路基板は、回路搭載部と、前記外力感知部とを含み、両者はスリットによって分離されている、センサ。
- 請求項5に記載されたセンサであって、
前記スリットは、一端が開放され、他端が閉じており、
前記誘電体素子は、前記スリットの前記他端付近に配置されている、
センサ。 - センサと、演算回路とを含む電子機器であって、
前記センサは、請求項1乃至6の何れかに記載されたものであり、
前記演算回路は、前記センサから出力された信号を処理する、
電子機器。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005206699A JP2007024668A (ja) | 2005-07-15 | 2005-07-15 | センサ、及び、これを用いた電子機器 |
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JP2007024668A true JP2007024668A (ja) | 2007-02-01 |
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ID=37785630
Family Applications (1)
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JP2005206699A Withdrawn JP2007024668A (ja) | 2005-07-15 | 2005-07-15 | センサ、及び、これを用いた電子機器 |
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009002907A (ja) * | 2007-06-25 | 2009-01-08 | Sumida Corporation | 圧電落下センサ及び圧電落下センサを用いた落下検出方法 |
JP2011038971A (ja) * | 2009-08-17 | 2011-02-24 | Fujitsu Ltd | センサ、発電装置及びその製造方法 |
-
2005
- 2005-07-15 JP JP2005206699A patent/JP2007024668A/ja not_active Withdrawn
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