JP2007017432A5 - - Google Patents

Claims (9)

1. プラズモン共鳴を利用して検体中の標的物質を検知するための検知装置に用いられる検知素子であって、
   基板と、
   該基板表面に設けられた導電層と、
   該導電層に接続して設けられた複数の金属ドットと、を有し、該金属ドットが表面に露出していると共に、露出した金属ドットの大きさが５０ｎｍ以上４５０ｎｍ以下の範囲にあることを特徴とする検知素子。
2. 前記金属ドットが、金もしくは銀を含むことを特徴とする請求項１に記載の検知素子。
3. 前記金属ドットが、異なる材料からなる２つ以上の層を有することを特徴とする請求項１に記載の検知素子。
4. 前記導電層が光学的に透明であることを特徴とする請求項１に記載の検知素子。
5. 隣接する前記複数の金属ドット間の距離は、５０ｎｍ以上２０００ｎｍ以下の範囲にある請求項１に記載の検知素子。
6. 前記金属ドットの表面に前記標的物質を捕捉する捕捉体を有する請求項１に記載の検知素子。
7. プラズモン共鳴を利用して検体中の標的物質を検知するための検知装置に用いられる検知素子であって、
   基板と、
   該基板表面に設けられた導電層と、
   該導電層に接続して設けられ、複数の開口を備えた金属膜、を有し、前記金属膜が表面に露出していると共に、前記開口の大きさが５０ｎｍ以上４５０ｎｍ以下の範囲にあることを特徴とする検知素子。
8. プラズモン共鳴を利用して検体中の標的物質を検知する装置であって、
   請求項１又は請求項７に記載の検知素子と、
   前記検知素子に光を照射する光源と、
   前記検知素子から反射した光あるいは前記検知素子を透過した光を検知する受光素子と、
   を備えていることを特徴とする検知装置。
9. プラズモン共鳴を利用して検体中の標的物質を検知するための検知装置に用いられる検知素子の製造方法であって、
   導電層を有する基板を用意する工程と、前記導電層上に絶縁層を形成する工程と、前記絶縁層を選択的に除去して前記導電層を表出させる工程と、前記表出した導電層上に電解めっき法により金属を析出させる工程と、を有することを特徴とする検知素子の製造方法。