JP2007017267A - プローブカード及びプローブの製造方法 - Google Patents
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- 239000000523 sample Substances 0.000 title claims abstract description 300
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 15
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 51
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 18
- 238000007747 plating Methods 0.000 claims description 6
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 44
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 12
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 12
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 7
- 238000013461 design Methods 0.000 description 6
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 5
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 3
- 238000011161 development Methods 0.000 description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 240000007594 Oryza sativa Species 0.000 description 1
- 235000007164 Oryza sativa Nutrition 0.000 description 1
- 230000005489 elastic deformation Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N novaluron Chemical compound C1=C(Cl)C(OC(F)(F)C(OC(F)(F)F)F)=CC=C1NC(=O)NC(=O)C1=C(F)C=CC=C1F NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012466 permeate Substances 0.000 description 1
- 235000009566 rice Nutrition 0.000 description 1
Landscapes
- Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
- Measuring Leads Or Probes (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
【構成】 基板100の面上に90°ピッチ間隔で設けられた4つのプローブ群200を有する。当該プローブ群200は、同方向に向けて一列に配列された複数の第1列のプローブ210aと、第1列のプローブ210aと同ピッチ間隔で平行に配列された複数の第2列のプローブ210bと有する。第1列、第2列のプローブ210a、210bは、基板100のベース部211a、211bと、ベース部211a、211bと連続する階段状のビーム部212a、212bとを有した同形状である。第1列のプローブ210aのベース部211aの長さ方向の一端と第2列のプローブ210bのベース部211bの長さ方向の一端との間の距離をαとし、第2列のプローブ210bの長さをβとしたとき、α<βとなる。
【選択図】 図1
Description
11a、11b、11c、11d 電極
C プローブカード
100 基板
200 第1、第2、第3、第4のプローブ群
210a 第1列のプローブ
211a ベース部
212a ビーム部
2121a 下段部
2122a 上段部
210b 第2列のプローブ
211b ベース部
212b ビーム部
2122b 下段部
2122b 上段部
500 レジスト層( 第1、第2の犠牲層)
501a、501b 第1の開口
502a、502b 第2の開口
601 第1の銅の層( 平坦層)
Claims (4)
- 基板の面上に同一方向に向けて一列に配列された複数のカンチレバー型の第1列のプローブと、前記基板の面上に前記第1列のプローブと同ピッチ間隔で平行に配列された前記第1列のプローブと同形状の複数のカンチレバー型の第2列のプローブとを有し、
第1列、第2列のプローブは、前記基板の面上に位置するベース部と、このベース部と連続する複数段の階段状のビーム部とを有しており、
前記第1列のプローブの前記ベース部の長さ方向の一端と前記第2列のプローブの前記ベース部の長さ方向の一端との間の距離をαとし、当該第2列のプローブの長さをβとしたとき、α<βとなっていることを特徴とするプローブカード。 - 請求項1記載のプローブカードにおいて、前記第1列、第2列のプローブのビーム部の最下段部の前記基板に対する平行領域の長さをγとしたとき、α>γ又はγ=0としたことを特徴とするプローブカード。
- 請求項1又は2記載のプローブカードにおいて、前記基板の面上に90°ピッチ間隔で設けられた第1、第2、第3及び第4のプローブ群を有し、この第1、第2、第3及び第4のプローブ群は、前記第1列、第2列のプローブを各々有していることを特徴とするプローブカード。
- 同形状のカンチレバー型の第1列、第2列のプローブを、当該第2列のプローブが当該第1列のプローブの一部に被さるように基板の面上に前後に並べて形成するプローブの製造方法であって、
前記第1列、第2列のプローブを、当該第2列のプローブが当該第1列のプローブに被さらない領域に相当する下段領域と、当該第2列のプローブが当該第1列のプローブに被さる領域に相当する上段領域とに分け、
前記基板の面上に前後に並ぶ第1の一対の開口を有する第1の犠牲層を形成し、当該第1の一対の開口に鍍金を行い、前記第1列、第2列のプローブの下段領域の部分を形成する工程と、前記第1列、第2列のプローブの下段領域の部分の先端部の上面が露出するように当該第1列、第2列のプローブを埋没する平坦層を形成する工程と、この平坦層の面上に前後に並ぶ第2の一対の開口を有する第2の犠牲層を形成し、当該第2の一対の開口に鍍金を行い、前記第1列、第2列のプローブの下段領域の部分と連続する上段領域の部分を形成する工程とを有したことを特徴とするプローブの製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005198802A JP4679274B2 (ja) | 2005-07-07 | 2005-07-07 | プローブの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005198802A JP4679274B2 (ja) | 2005-07-07 | 2005-07-07 | プローブの製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007017267A true JP2007017267A (ja) | 2007-01-25 |
JP4679274B2 JP4679274B2 (ja) | 2011-04-27 |
Family
ID=37754555
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005198802A Active JP4679274B2 (ja) | 2005-07-07 | 2005-07-07 | プローブの製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4679274B2 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009229086A (ja) * | 2008-03-19 | 2009-10-08 | Japan Electronic Materials Corp | コンタクトプローブの製造方法 |
JP2010286360A (ja) * | 2009-06-11 | 2010-12-24 | Japan Electronic Materials Corp | プローブユニットおよびプローブカードの製造方法 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0315989A (ja) * | 1989-06-14 | 1991-01-24 | Hitachi Ltd | 画像データ変換装置 |
JP2002533738A (ja) * | 1998-12-31 | 2002-10-08 | フォームファクター,インコーポレイテッド | 半導体製品ダイのテスト方法及び同テストのためのテストダイを含むアセンブリ |
JP2003232809A (ja) * | 1996-05-17 | 2003-08-22 | Formfactor Inc | 超小型電子接触構造及びその製造方法 |
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Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0315989A (ja) * | 1989-06-14 | 1991-01-24 | Hitachi Ltd | 画像データ変換装置 |
JP2003232809A (ja) * | 1996-05-17 | 2003-08-22 | Formfactor Inc | 超小型電子接触構造及びその製造方法 |
JP2002533738A (ja) * | 1998-12-31 | 2002-10-08 | フォームファクター,インコーポレイテッド | 半導体製品ダイのテスト方法及び同テストのためのテストダイを含むアセンブリ |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009229086A (ja) * | 2008-03-19 | 2009-10-08 | Japan Electronic Materials Corp | コンタクトプローブの製造方法 |
JP2010286360A (ja) * | 2009-06-11 | 2010-12-24 | Japan Electronic Materials Corp | プローブユニットおよびプローブカードの製造方法 |
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JP4679274B2 (ja) | 2011-04-27 |
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