JP2007012953A - フリップチップ接合方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】 フリップチップ接続部の高さを大きくとることができるフリップチップ接合方法を提供する。
【解決手段】 本発明は、半導体チップの金属バンプとプリント基板の端子とを半田で接合するフリップチップ接合方法に改良を加えたものである。本方法は、半導体チップの金属バンプ、プリント基板の端子のそれぞれに半田を取り付け、半導体チップの金属バンプとプリント基板の端子とを半田により接合することを特徴とする方法である。
【選択図】 図1
【解決手段】 本発明は、半導体チップの金属バンプとプリント基板の端子とを半田で接合するフリップチップ接合方法に改良を加えたものである。本方法は、半導体チップの金属バンプ、プリント基板の端子のそれぞれに半田を取り付け、半導体チップの金属バンプとプリント基板の端子とを半田により接合することを特徴とする方法である。
【選択図】 図1
Description
本発明は、例えば、超高速アナログ/ディジタル変換器(ADC)の半導体チップの金属バンプとプリント基板の端子とを半田で接合するフリップチップ接合方法に関し、フリップチップ接続部の高さを大きくとることができるフリップチップ接合方法に関する。
従来技術におけるフリップチップ実装工程は、例えば、図3に示すように、ADC等の半導体チップ11には金バンプ12が形成され、一方のプリント基板13には、ソルダレジスト14が形成され、配線端子15上に、半田がプリコートして得られた半田プリコート部16を備えている。ソルダレジスト14は、半導体チップ11との接続部分である配線端子15以外の配線部分とプリント基板表面を保護している。
そして、金バンプ―半田フリップチップ接合では、この金バンプ12と半田プリコート部16の位置合わせを行った後に、熱により半田を溶融させて接合する。
そして、金バンプ―半田フリップチップ接合では、この金バンプ12と半田プリコート部16の位置合わせを行った後に、熱により半田を溶融させて接合する。
しかし、従来技術で説明した、フリップチップ実装工程において、フリップチップ接合を行う際に、プリント基板上に塗布されているレジストの厚みが問題となる。即ち、図3に示すように、金バンプ12の高さaと半田プリコート部16の高さbの和が、レジスト厚cよりも小さいと、金バンプ12と配線端子15は接触することができず、接合不良となってしまう。
この接続部の高さを調整する方法としては、レジスト厚の調整、金バンプ12の高さ及び半田プリコート部16の高さ調整がある。
しかし、金バンプ12の高さは、ワイヤボンディング法で形成される場合、使用する金ワイヤ径に比例するため、金バンプ12の高さを大きくするためには、金バンプ径を大きくする必要があり、これは半導体基板側の端子の端子間ピッチの制限を受ける。そのため、現状のワイヤボンディング法ではファインピッチ化と金バンプ高さの維持が両立できない。
半田プリコート部16の高さは、スーパージャフィット法で形成される場合、使用する半田粒子の大きさに比例する。こちらも、プリント基板側の端子ピッチの制限を受け、ファインピッチ化が進むと、隣り合う端子間の半田ブリッジを避けるためには、高さを低く抑えなければいけない方向になる。
フリップピッチ接続部の高さ調整が困難であるため、現状ではレジスト厚さの調整がメインとなっている。
従って、レジスト厚の共用範囲を広くとるために、フリップチップ接続部の高さを大きくとることに解決しなければならない課題を有する。
しかし、金バンプ12の高さは、ワイヤボンディング法で形成される場合、使用する金ワイヤ径に比例するため、金バンプ12の高さを大きくするためには、金バンプ径を大きくする必要があり、これは半導体基板側の端子の端子間ピッチの制限を受ける。そのため、現状のワイヤボンディング法ではファインピッチ化と金バンプ高さの維持が両立できない。
半田プリコート部16の高さは、スーパージャフィット法で形成される場合、使用する半田粒子の大きさに比例する。こちらも、プリント基板側の端子ピッチの制限を受け、ファインピッチ化が進むと、隣り合う端子間の半田ブリッジを避けるためには、高さを低く抑えなければいけない方向になる。
フリップピッチ接続部の高さ調整が困難であるため、現状ではレジスト厚さの調整がメインとなっている。
従って、レジスト厚の共用範囲を広くとるために、フリップチップ接続部の高さを大きくとることに解決しなければならない課題を有する。
上記課題を解決するために、本願発明のうち請求項1記載の発明は、
半導体チップの金属バンプとプリント基板の端子とを半田で接合するフリップチップ接合方法において、
前記半導体チップの金属バンプ、前記プリント基板の端子のそれぞれに半田を取り付け、
前記半導体チップの金属バンプと前記プリント基板の端子とを半田により接合することを特徴とするものである。
請求項2記載の発明は、
半導体チップの金属バンプとプリント基板の端子とを半田で接合するフリップチップ接合方法において、
前記プリント基板の端子に半田を取り付け、
前記プリント基板の端子に取り付けられた半田に接着剤により半田粒子を接着させ、
前記半導体チップの金属バンプと前記プリント基板の端子とを半田により接合することを特徴とするものである。
請求項3記載の発明は、
半導体チップの金属バンプとプリント基板の端子とを半田で接合するフリップチップ接合方法において、
前記半導体チップの金属バンプ、前記プリント基板の端子のそれぞれに半田を取り付けると共に、プリント基板の端子に取り付けられた半田に接着剤により半田粒子を接着させ、
前記半導体チップの金属バンプと前記プリント基板の端子とを半田により接合することを特徴とするものである。
請求項4記載の発明は、
半導体チップの金属バンプとプリント基板の端子とを半田で接合するフリップチップ接合方法において、
前記半導体チップの金属バンプ、前記プリント基板の端子のそれぞれに半田を取り付けると共に、半導体チップの金属バンプ、プリント基板の端子に取り付けられた半田に接着剤により半田粒子を接着させ、
前記半導体チップの金属バンプと前記プリント基板の端子とを半田により接合することを特徴とするものである。
半導体チップの金属バンプとプリント基板の端子とを半田で接合するフリップチップ接合方法において、
前記半導体チップの金属バンプ、前記プリント基板の端子のそれぞれに半田を取り付け、
前記半導体チップの金属バンプと前記プリント基板の端子とを半田により接合することを特徴とするものである。
請求項2記載の発明は、
半導体チップの金属バンプとプリント基板の端子とを半田で接合するフリップチップ接合方法において、
前記プリント基板の端子に半田を取り付け、
前記プリント基板の端子に取り付けられた半田に接着剤により半田粒子を接着させ、
前記半導体チップの金属バンプと前記プリント基板の端子とを半田により接合することを特徴とするものである。
請求項3記載の発明は、
半導体チップの金属バンプとプリント基板の端子とを半田で接合するフリップチップ接合方法において、
前記半導体チップの金属バンプ、前記プリント基板の端子のそれぞれに半田を取り付けると共に、プリント基板の端子に取り付けられた半田に接着剤により半田粒子を接着させ、
前記半導体チップの金属バンプと前記プリント基板の端子とを半田により接合することを特徴とするものである。
請求項4記載の発明は、
半導体チップの金属バンプとプリント基板の端子とを半田で接合するフリップチップ接合方法において、
前記半導体チップの金属バンプ、前記プリント基板の端子のそれぞれに半田を取り付けると共に、半導体チップの金属バンプ、プリント基板の端子に取り付けられた半田に接着剤により半田粒子を接着させ、
前記半導体チップの金属バンプと前記プリント基板の端子とを半田により接合することを特徴とするものである。
本発明によれば、半導体チップの金属バンプの高さ、又はプリント基板の端子に設けた半田の高さを従来よりも高くとることにより、厳密に厚さ管理の必要があったプリント基板のレジスト厚の許容範囲を緩めることができる。
これは、ファインピッチ化が進み、金属バンプ、及びプリント基板の端子に設けた半田が、より低く形成されるようになり、且つプリント基板のレジスト厚の調整が限界となった場合に効果を発揮する。
これは、ファインピッチ化が進み、金属バンプ、及びプリント基板の端子に設けた半田が、より低く形成されるようになり、且つプリント基板のレジスト厚の調整が限界となった場合に効果を発揮する。
次に、本願発明に係る実施形態について、図面を参照して説明する。
本願発明に係るフリップチップ接合方法は、所謂、従来技術で説明したものと同じく、一般的な金バンプー半田フリップチップ実装パッケージにおけるフリップチップ接合であることには変わりなく、塗布されたソルダレジストの厚み分を緩やかな許容範囲にしてフリップチップ接合するようにしたものであり、それには、(1):半導体チップ側の金バンプを高くする手法、(2):プリント基板側の配線端子に設けた半田プリコート部を高くする手法、(3):(1)と(2)を組み合わせた手法の3通りがある。以下、(1)と(2)の手法について説明する。
(1)半導体チップ側の金バンプの高さを高くする手法
金バンプ側を高くする手法は、金バンプに半田コーティングすることで、金バンプ自体の高さを高くする手法であり、それは図1に示すように、金バンプ12形成後の半導体チップ11を、金バンプ12の部分のみ溶融半田21が貯留されている溶融半田槽22に浸し、金バンプ12表面を半田でコーティングして半田コーティング部23を形成する。
金バンプ側を高くする手法は、金バンプに半田コーティングすることで、金バンプ自体の高さを高くする手法であり、それは図1に示すように、金バンプ12形成後の半導体チップ11を、金バンプ12の部分のみ溶融半田21が貯留されている溶融半田槽22に浸し、金バンプ12表面を半田でコーティングして半田コーティング部23を形成する。
このようにして金バンプ12に半田でコーティングして半田コーティング部23を形成すると、そのコーティングした分だけ高さが高くなる。即ち、半田コーティング部23の高さa'は元の金バンプ高さaよりも高くなる。この後、従来通りに、プリント基板13の配線端子15に設けた半田プリコート部16とフリップチップ接合を行う。
(2)プリント基板側の配線端子に設けた半田プリコート部を高くする手法
配線端子側を高くする手法は、配線端子に設けた半田プリコート部に更に半田粒子を接着させて高さを高くする手法であり、それは図2に示すように、プリント基板13側の配線端子15に設けた半田プリコート部16の表面に接着剤24を塗布した後に、半田粒子25をコーティングする。こうすることで、半田粒子25分だけ高さを高くすることができる。
配線端子側を高くする手法は、配線端子に設けた半田プリコート部に更に半田粒子を接着させて高さを高くする手法であり、それは図2に示すように、プリント基板13側の配線端子15に設けた半田プリコート部16の表面に接着剤24を塗布した後に、半田粒子25をコーティングする。こうすることで、半田粒子25分だけ高さを高くすることができる。
この状態で金バンプ形成後の半導体基板11とフリップチップ接合を行うと、半田粒子25が溶け、金バンプ12側に表面張力で移動するため、半田プリコート量が従来よりも多いにも関わらず、隣接端子とのブリッジを避けることができる。金バンプー半田フリップチップ接合部は、従来よりも半田量が多く、高さも稼ぐことができるため、レジストの高さに対して許容範囲を緩やかにすることができるのである。
なお、本発明はこれに限定されるものではなく、金バンプ12は、金だけでなく、半田との濡れ性が良好な金属材料であればよい。つまり、金属バンプであればよい。
また、図2に示すように、プリント基板13側の半田プリコート部16にだけ、接着剤24により半田粒子を接着する構成を示したが、図1に示す半田プリコート部16及び半田コーティング部23の両方に、接着剤により、半田粒子を接着し、半導体チップ11の金バンプ12とプリント基板13の配線端子15とを半田により接合するものでもよい。
11 半導体チップ
12 金バンプ
13 プリント基板
14 ソルダレジスト
15 配線端子
16 半田プリコート部
21 溶融半田
22 溶融半田槽
23 半田コーティング部
24 接着剤
25 半田粒子
12 金バンプ
13 プリント基板
14 ソルダレジスト
15 配線端子
16 半田プリコート部
21 溶融半田
22 溶融半田槽
23 半田コーティング部
24 接着剤
25 半田粒子
Claims (4)
- 半導体チップの金属バンプとプリント基板の端子とを半田で接合するフリップチップ接合方法において、
前記半導体チップの金属バンプ、前記プリント基板の端子のそれぞれに半田を取り付け、
前記半導体チップの金属バンプと前記プリント基板の端子とを半田により接合することを特徴とするフリップチップ接合方法。 - 半導体チップの金属バンプとプリント基板の端子とを半田で接合するフリップチップ接合方法において、
前記プリント基板の端子に半田を取り付け、
前記プリント基板の端子に取り付けられた半田に接着剤により半田粒子を接着させ、
前記半導体チップの金属バンプと前記プリント基板の端子とを半田により接合することを特徴とするフリップチップ接合方法。 - 半導体チップの金属バンプとプリント基板の端子とを半田で接合するフリップチップ接合方法において、
前記半導体チップの金属バンプ、前記プリント基板の端子のそれぞれに半田を取り付けると共に、プリント基板の端子に取り付けられた半田に接着剤により半田粒子を接着させ、
前記半導体チップの金属バンプと前記プリント基板の端子とを半田により接合することを特徴とするフリップチップ接合方法。 - 半導体チップの金属バンプとプリント基板の端子とを半田で接合するフリップチップ接合方法において、
前記半導体チップの金属バンプ、前記プリント基板の端子のそれぞれに半田を取り付けると共に、半導体チップの金属バンプ、プリント基板の端子に取り付けられた半田に接着剤により半田粒子を接着させ、
前記半導体チップの金属バンプと前記プリント基板の端子とを半田により接合することを特徴とするフリップチップ接合方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005193308A JP2007012953A (ja) | 2005-07-01 | 2005-07-01 | フリップチップ接合方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005193308A JP2007012953A (ja) | 2005-07-01 | 2005-07-01 | フリップチップ接合方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007012953A true JP2007012953A (ja) | 2007-01-18 |
Family
ID=37751039
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005193308A Pending JP2007012953A (ja) | 2005-07-01 | 2005-07-01 | フリップチップ接合方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2007012953A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008085308A (ja) * | 2006-08-30 | 2008-04-10 | Sanyo Electric Co Ltd | 素子搭載用基板、半導体モジュールおよび携帯機器 |
JP2010103344A (ja) * | 2008-10-24 | 2010-05-06 | Hakodate Electronics Co Ltd | 配線基板及びその製造方法 |
US7969004B2 (en) | 2007-10-05 | 2011-06-28 | Sharp Kabushiki Kaisha | Semiconductor device, method for mounting semiconductor device, and mounting structure of semiconductor device |
JP2013115205A (ja) * | 2011-11-28 | 2013-06-10 | Shinko Electric Ind Co Ltd | 半導体装置の製造方法、半導体装置、及び半導体素子 |
-
2005
- 2005-07-01 JP JP2005193308A patent/JP2007012953A/ja active Pending
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JP2010103344A (ja) * | 2008-10-24 | 2010-05-06 | Hakodate Electronics Co Ltd | 配線基板及びその製造方法 |
JP2013115205A (ja) * | 2011-11-28 | 2013-06-10 | Shinko Electric Ind Co Ltd | 半導体装置の製造方法、半導体装置、及び半導体素子 |
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