JP2007010553A - 静電容量型圧力センサ素子 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 本発明は、表面部絶縁性の基板と、表面部に形成された引出電極部及び下部電極部と、下部電極部の一部に形成された絶縁部と、引出電極部の一部上と絶縁部上と表面部上に位置するように立体状に形成され、引出電極部に電気的に接続された導電性スペーサ部材と、スペーサ部材上のダイヤフラム層とが具備され、ダイヤフラム層自体が導電材料から構成されるか、あるいは、ダイヤフラム層に電極層が形成されて上部電極部が形成されてなる。
【選択図】 図1
Description
この種の静電容量式の圧力センサにおいて、シリコン基板と、シリコン基板に陽極接合され、シリコン基板との間に形成された気密室に連通する貫通孔が設けられているガラス基板とからなり、前記ガラス基板の内面に陽極接合により固定され、前記貫通孔の内端開口を気密状態で閉止するシリコン電極板と、前記貫通孔に配置され、シリコン電極板からの信号を外部に導く導電体とを備えた構成の圧力センサが知られている。(特許文献1参照)
また、パイレックス(登録商標)ガラスを用いた陽極接合を行う場合、ガラス基板とSi基板の双方に高い電圧を印加して接合する必要があるので、ギャップをあけて配置した電極間あるいは配線の弱い部分にスパークが生じたり、陽極接合時に腐食性のガスが発生するなどの問題があり、容量が不安定な製品が製造されてしまうおそれが高く、製品歩留まりを向上させることが難しい問題があった。
また、本発明は、陽極接合が必要であった従来構造を根本的に見直し、陽極接合を行わなくともダイヤフラム層を電極と対向配置することができる従来では知られていない新規な構造の静電容量型圧力センサ素子を提供することを目的とする。
前記ダイヤフラム層の延出部でスペーサ部材の周囲側を覆うことで、スペーサ部材の周囲の電極や配線を物理的に保護することができる。また、ダイヤフラム層の延出部に端子接続用の透孔を設けておけば、これらの透孔を介してダイヤフラム層側と下部電極側の双方の電極に外部制御装置接続用の配線を施すことが容易になし得る。
Si基板をスペーサ部材に接触させながら加熱することでスペーサ部材とSi基板とが接触界面で共晶結合を起こして結合する。これにより、従来のSi基板とパイレックス(登録商標)ガラスとの組み合わせにより必須であった陽極接合を行うことなく、ダイヤフラム層の形成が可能となるので、配線や電極部に高い電圧を印加することなく熱によるダイヤフラム層とスペーサ部材との共晶接合が可能となり、配線や電極部に損傷やダメージを与えることなくスペーサ部材とダイヤフラム層の接合ができ、製造時の歩留まりが向上し、静電容量型圧力センサ素子として容量変化にばらつきの少ない高品質の製品を提供できる。
また、ダイヤフラム層はSi基板から構成することができるとともに、表面部絶縁性の基板はパイレックス(登録商標)ガラス基板を用いる必要が無くなり、絶縁層を有する他の一般的な絶縁基板を用いれば良いので、基板を低コスト化することが可能となり、容量型圧力センサ素子自体の低コスト化をなし得る。
なお、仮にスペーサ部材にAuを含有させるならば、AuSi共晶結合によるダイヤフラム層とスペーサ部材との確実な接合が可能となる。
スペーサ部材が環状に形成されることでダイヤフラム層を支持する部分が環状となり、圧力の変化に伴うダイヤフラム層の変形追従性が良好となるので、圧力検知性能が向上する。
引出電極部の上面と下部電極部の上面並びに絶縁部の上面がいずれも面一になることでそれらの上に形成されるスペーサ部材の上面高さを一定にすることができる。これにより、スペーサ部材上にダイヤフラム層を設ける場合にダイヤフラム層とスペーサ部材とが隙間無く密着でき、良好な接合性が得られやすい。特にダイヤフラム層と環状のスペーサ部材と基板の表面部とにより気密構造とする場合に、これらに囲まれた部分の気密性を容易に確保できる。
また、ダイヤフラム層がSi基板からなり、前記スペーサ部材がSiと共晶結合可能な金属材料からなる場合において、Siとの共晶結合が隙間無く良好になされる。
ダイヤフラム層の外側に引出電極部の一部と下部電極部の一部を配置することにより、引出電極部の一部と下部電極部の一部に対するワイヤボンディング作業等の配線接続性が良好となり、外部の駆動制御装置などとの配線接続性が良好となる。
このグレーズドアルミナの表面部を有する複合基板は安価に入手可能でパイレックス(登録商標)ガラスよりも遙かに安価なので、静電容量型圧力センサ素子を製造するための主要材料費が低下し、低コスト化を確実になし得る。
図1は、本実施の形態に係る静電容量型圧力センサ素子の一例を示す断面図、図2は同静電容量型圧力センサ素子を製造する方法の一例を説明するための断面図、図3は同静電容量型圧力センサ素子を製造する方法の一例を説明するための平面図である。
この形態の静電容量型圧力センサ素子1は、上面にガラス質の絶縁性の表面部2を備えた基板3と、前記表面部2に平面視的に離間して配置された引出電極部5及び下部電極部6と、下部電極部6に部分的に埋め込み形成された絶縁部7と、前記引出電極部5と前記下部電極部6との上を通過するように円環状に表面部2上に形成された導電材料製のスペーサ部材8と、このスペーサ部材8上に形成された円盤状のSi基板からなるダイヤフラム層9とから大略構成されている。
前記引出電極部5は短冊状に形成されて図1に示す基板3の左側の表面部2に埋め込むように形成され、引出電極部5の上面5Aは表面部2の上面2Aと面一になるように形成されている。前記下部電極部6は図1に示す表面部2の平面視中央部に表面部2に埋め込むように形成された円形の下部電極本体部6aと、該下部電極本体部6aの右端部側に平面視外方側に向いて表面部2に埋め込まれる形で延出形成された短冊状の下部電極引出端子部6bとから構成される平面視外形鍵穴型に形成されている。
更に、これらの電極部5、6を構成する材料は、Ti層/Ta層/Au層/Ta層の積層構造を一例として、その他の積層構造例として、Ti層/Ta層/Au層、Ta層/Au層/Ta層、Ta層/Au層、Cr層/Au層/Ta層、Cr層/Au層、Cr層/Ta層/Au層/Ta層、Cr層/Ta層/Au層などを例示できるが、これらに限るものではない。
このスペーサ部材8は、AuあるいはAu合金、あるいはAuと他の導電材料層との積層体、例えば、Ti層/Au層の2層構造あるいはCr層/Au層の2層構造とされた導電材料からなり、スパッタ法あるいはメッキ法などから0.7〜2.0μm程度の厚さに形成されていて、このスペーサ部材8の厚さ(高さ)が後述の上下電極間のギャップを構成する。このスペーサ部材8をTi層/Au層の2層構造あるいはCr層/Au層の2層構造とする場合、例えば下層側を0.2μm程度、上層側を0.5〜2.0μm程度とすることができる。
前記スペーサ部材8の上には円板状のSi基板からなるダイヤフラム層9がスペーサ部材8によって外周部を支持された形で表面部2の上面2Aと平行に支持され、このダイヤフラム層9が上部電極部を兼ねる構成とされ、このダイヤフラム層9と前記下部電極部6との間の間隙が上下電極間のギャップとされ、ダイヤフラム層9が受ける圧力によりダイヤフラム層9が変形され、下部電極部6とのギャップが変化することで静電容量が変化するように構成されている。
なお、この第1実施形態ではSi基板からなるダイヤフラム層9を用いたのでダイヤフラム層9自身が導電性を有し、ダイヤフラム層9が上部電極部を兼ねるので別途上部電極部を必要としないが、Si基板に変えて他の材料からなる絶縁性の基板からなるダイヤフラム層を仮に適用した場合は、ダイヤフラム層の下面側に別途導電材料製の上部電極部を形成し、スペーサ部材8に導通するように構成すれば良い。
これらの引出電極部10、11は好ましくは先のスペーサ部材8を形成する際に同一材料で同時形成しておくことが好ましいが、前記スペーサ部材8とは別の導電材料で別個に形成しても良い。
このようにしてダイヤフラム層9をスペーサ部材8に接合したならば、センサ素子としての必要部分のみを残してその他の部分を切断砥石などを用いたダイシング作業により、例えば図2のE1、E2などで示す切断線に沿って切断し除去することにより、図1に示す断面構造の静電容量型圧力センサ素子1を得ることができる。
絶縁性の表面部2を備えた基板3を用いて本発明の静電容量型圧力センサ素子1を製造する場合、以下に説明するリフトオフレジストを用いた方法により、図4から図7に示す如く引出電極部5と下部電極部6とを埋め込み型で表面部2内に形成することができる。
図4に示す如く表面部2の上面側領域であって、目的とする引出電極部5あるいは下部電極部6を形成しようとする領域20をその周囲側から囲むように表面部2上にリフトオフレジスト層21、21を形成する。
このリフトオフレジスト層21は孔部22を有しており、この孔部22の下方側に位置する表面部2内に、目的とする形状の引出電極部5あるいは下部電極部6を形成する。
目的のリフトオフレジスト層21を形成するには表面部2の上面全部に一旦リフトオフレジスト層を全面形成した後、必要部分に露光し現像する処理を行って孔部22を形成すれば良い。
次いで表面部2の上面とリフトオフレジスト層21、21の上面にスパッタ法あるいはイオンビーム成膜法などの成膜法により電極層を成膜する。この成膜処理により、図6に示す如くリフトオフレジスト層21、21の上面に電極層25を形成できると同時に表面部2の穴部23にもこれを埋めるように電極層26を成膜できる。この成膜を行う場合の膜厚は穴部23を埋めることができる程度とすることが好ましい。
なお、引出電極部5の上面5Aと下部電極部6の上面6Aを表面部2の上面2Aに対してほぼ面一に形成しておくことにより、その後の工程でそれらの上に形成されるスペーサ部材8の上面をほぼ面一に形成できるので、その場合の方がSi基板9Aを均一にスペーサ部材8の上面に押し付けて均一接合することが可能となり、AuSi共晶を利用した接合時に均一な接合性を得られる面で好ましい。
また、上述の構造においてグレーズドアルミナ基板を用いる場合、従来構造のパイレックス(登録商標)ガラス基板に比べて一般的な市販単価として1/5〜1/10程度で入手できるので、その分において従来構造よりも安価に製造できる。
この第2実施形態の静電容量型圧力センサ素子30は、ダイヤフラム層9の外側にダイヤフラム層9を延出形成した延出部9cが形成され、スペーサ部材8の周囲側が前記延出部9cで覆われ、基板3の周囲側の表面部2の上に形成した接合補助部32に対しても前記延出部9aが接合されるとともに、延出部9cに形成された透孔9a、9bが引出電極部10、11の上方に位置されており、引出電極部10、11が延出部9cの外部側から透孔9a、9bを介して見えるように構成されている。
この第2実施形態の静電容量型圧力センサ素子30において、その他の構成は先の第1実施形態の静電容量型圧力センサ素子1と同等であるので、以下、同等の部分の説明は省略する。
この第2実施形態の構造においては、ダイヤフラム層9の外側の延出部9cに配線接続用の透孔9a、9bを形成しているので、センサ素子用の外部制御機器などへの配線接続時、例えばワイヤボンディング時などに延出部9cが邪魔にならないので、配線作業に支障を来すことは無い。
また、Si基板9AをAuSi共晶結合する場合にスペーサ部材8の上面に加えて接合補助部32の上面も利用できるので、より強固な接合構造とすることができる。
更に、この第2実施形態の静電容量型圧力センサ素子30にあっては、その上面を1枚もののSi基板9Aで覆って保護した構造なので表面が滑らかで、かつ、取り扱いも容易な特徴を有する。
また、本発明で使用する基板は少なくとも絶縁性の表面部を有する基板とすることができるので、例えば全体が絶縁体である基板を用いることができるのは勿論であり、表面部よりも深い領域、例えば基板厚み半分程度まで、あるいは任意の深さまで絶縁層とした基板を用いても良いのは勿論である。
この後、イオンビームスパッタ法にて前記穴部にTi層/Au層/Ta層の3層構造(各層厚さ200Å/1500Å/300Å)の電極層を積層し、次いでNMP系レジスト剥離液にてリフトオフレジスト層を除去してグレーズドアルミナ層中の穴部に引出電極部と下部電極部を埋め込み形成した基板を得た。
次に、前記基板のグレーズドアルミナ層上にメッキシード(Ti層/Au層)を全面成膜した後、パターンのスペーサ部材として0.5〜2.0μmのAu部分メッキを行い、その後、不要部分のAuメッキシードを除去し、Ti層/Au/Au層の3層構造の円環状のスペーサ部材(外径1.0mm、内径0.8mm、高さ1.0μm)と各引出電極部を形成した。
この接合処理により、Si基板は円環状のスペーサ部材上面にAuSi共晶結合し、円環状のスペーサ部材の上に厚さ80μmのダイヤフラム層が接合され、上部電極がダイヤフラム層からなり、下部電極が前記穴部内のTi層/Au層/Ta層の3層構造の下部電極部からなる上下電極ギャップ1.0μmの対になる電極構造を有する静電容量型圧力センサ素子が得られた。
得られた静電容量型圧力センサ素子の試料に対して100〜500MPaの空気圧を印加する加圧試験を行ったところ、容量変化を生じることを確認することができ、この試料が静電容量型圧力センサ素子として機能することを確認できた。
2 表面部
3 基板
5 引出電極部
5A 上面
6 下部電極部
6A 上面
6a 下部電極本体部
6b 下部電極引出端子部
7 絶縁部
7A 上面
8 スペーサ部材
9 ダイヤフラム層
9a、9b 透孔
9c 延出部
10、11 引出電極部
30 静電容量型圧力センサ素子
Claims (7)
- 少なくとも表面部が絶縁性にされた基板と、前記絶縁性の表面部に平面視的に離間して個々に形成された引出電極部及び下部電極部と、前記下部電極部の少なくとも一部に形成された絶縁部と、前記引出電極部の少なくとも一部上と前記下部電極部の絶縁部上と前記絶縁性の表面部上に少なくとも位置するように形成され、前記引出電極部に電気的に接続された導電性材料からなるスペーサ部材と、前記スペーサ部材の上において前記基板の絶縁性の表面部及び前記下部電極部と所定のギャップを介して設けられたダイヤフラム層とが具備されてなり、前記ダイヤフラム層自体が導電材料から構成されるか、あるいは、前記ダイヤフラム層に電極層が形成されて前記下部電極部と対向する上部電極部が形成されてなることを特徴とする静電容量型圧力センサ素子。
- 少なくとも表面部が絶縁性にされた基板と、前記絶縁性の表面部に平面視的に離間して個々に形成された引出電極部及び下部電極部と、前記下部電極部の少なくとも一部に形成された絶縁部と、前記引出電極部の少なくとも一部上と前記下部電極部の絶縁部上と前記絶縁性の表面部上に少なくとも位置するように形成され、前記引出電極部に電気的に接続された導電性材料からなるスペーサ部材と、前記スペーサ部材の上において前記基板の絶縁性の表面部及び前記下部電極部と所定のギャップを介して設けられたダイヤフラム層とが具備されてなり、前記ダイヤフラム層自体が導電材料から構成されるか、あるいは、前記ダイヤフラム層に電極層が形成されて前記下部電極部と対向する上部電極部が形成されてなり、前記ダイヤフラム層が前記スペーサ部材の外側にも延出形成されて前記スペーサ部材の外側部分が前記ダイヤフラム層の延出部によって覆われるとともに、前記引出電極部の端子電極部に対応する前記ダイヤフラム層の延出部に端子接続用の透孔が形成され、前記下部電極部の端子電極部に対応する前記ダイヤフラム層の延出部に端子接続用の透孔が形成されてなることを特徴とする静電容量型圧力センサ素子。
- 前記ダイヤフラム層がSi基板からなり、前記スペーサ部材がSiと共晶結合可能な金属材料を含むことを特徴とする請求項1または2に記載の静電容量型圧力センサ素子。
- 前記スペーサ部材が前記引出電極部の少なくとも一部上と前記下部電極部の絶縁部上と前記絶縁性の表面部上を少なくとも通過するように環状に形成されてなることを特徴とする請求項1〜3のいずれかに記載の静電容量型圧力センサ素子。
- 前記引出電極部と前記下部電極部とがいずれも前記絶縁性の表面部に埋め込み形成され、前記絶縁部が前記下部電極部に埋め込み形成されるとともに、前記表面部上面と前記引出電極部上面と前記下部電極部上面と前記絶縁部上面とが面一に形成されてなることを特徴とする請求項1〜4のいずれかに記載の静電容量型圧力センサ素子。
- 前記引出電極部の一部が前記表面部に沿って前記ダイヤフラム層の平面視外側に延出されて一方の端子電極部とされ、前記下部電極部が前記表面部に沿って前記ダイヤフラム層の外側に延出されて他方の端子電極部とされてなることを特徴とする請求項1〜5のいずれかに記載の静電容量型圧力センサ素子。
- 前記基板が酸化アルミニウムからなる基体上にグレーズドアルミナからなる表面部が形成された複合基板から構成されたことを特徴とする請求項1〜6のいずれかに記載の静電容量型圧力センサ素子。
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