JP4965827B2 - 静電容量型圧力センサ素子及びその製造方法 - Google Patents
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この種の静電容量式の圧力センサにおいて、シリコン基板と、シリコン基板に陽極接合され、シリコン基板との間に形成された気密室に連通する貫通孔が設けられているガラス基板とらかなり、前記ガラス基板の内面に陽極接合により固定され、前記貫通孔の内端開口を気密状態で閉止するシリコン電極板と、前記貫通孔に配置され、シリコン電極板からの信号を外部に導く導電体とを備えた構成の圧力センサが知られている。(特許文献1参照)
また、パイレックス(登録商標)ガラスを用いた陽極接合を行う場合、ガラス基板とSi基板の双方に高い電圧を印加して接合する必要があるので、ギャップをあけて配置した電極間あるいは配線の弱い部分にスパークが生じたり、陽極接合時に腐食性のガスが発生するなどの問題があり、容量が不安定な製品が製造されてしまうおそれが高く、製品歩留まりを向上させることが難しい問題があった。
また、本発明は、陽極接合が必要であった従来構造を根本的に見直し、陽極接合を行わなくともダイヤフラム層を電極と対向配置することができる従来では知られていない新規な構造の静電容量型圧力センサ素子を提供することを目的とする。
また、本発明は、表面上に表層表面部が形成された絶縁性の基板と、前記表層表面部とその下の絶縁性の基板の表面部分に平面視的に離間して個々に形成された引出電極部及び下部電極部とを含み、前記下部電極部は前記絶縁性の基板の表面部分に埋め込み形成されてなり、前記引出電極部は前記表層表面部に埋め込み形成され、前記下部電極周囲に該下部電極表面位置よりも突出するように形成された支持絶縁体部と、前記支持絶縁体部に支持されて前記下部電極と所定のギャップをあけて対向配置されたダイヤフラム層とが具備されてなり、前記ダイヤフラム層自体が導電材料から構成されるか、あるいは、前記ダイヤフラム層に電極層が形成されて前記下部電極部と対向する上部電極部が形成され、前記ダイヤフラム層自体あるいは前記上部電極部が前記絶縁性の表面部に形成された導通部を介して前記引出電極部に電気的に接続されてなることを特徴とする。
支持絶縁体部の延出部が環状に形成されることでダイヤフラム層を支持する部分が環状となり、圧力の変化に伴うダイヤフラム層の変形追従性が良好となるので、圧力検知性能が向上する。
ダイヤフラム層をSi基板から構成すると、下部電極部を設けた側の基板はパイレックス(登録商標)ガラス基板を用いる必要が無くなり、絶縁層を有する他の一般的な絶縁性の基板を用いれば良いので、基板を低コスト化することが可能となり、容量型圧力センサ素子自体の低コスト化をなし得る。
前記支持絶縁体部上面と前記導通部上面がいずれも面一になることでそれらの上面高さを一定にすることができる。これにより、支持絶縁体部上にダイヤフラム層を設ける場合にダイヤフラム層と支持絶縁体部とを隙間無く密着でき、良好な接合性が得られやすい。特にダイヤフラム層と支持絶縁体部の表面部とによって気密構造とする場合に、これらに囲まれた部分の気密性を容易に確保できる。
このグレーズドアルミナの表面部を有する複合基板は安価に入手可能でパイレックス(登録商標)ガラスよりも遙かに安価なので、静電容量型圧力センサ素子を製造するための主要材料費が低下し、低コスト化を確実になし得る。
支持絶縁体部上にSi基板を接合することで下部電極部に対してSi基板あるいは上部電極部を対向配置した対になる電極構造を有する静電容量型圧力センサ素子を製造することができる。
基板の絶縁性の表面部に埋め込み型の下部電極部を形成する際、リフトオフレジスト層を利用してイオンミリング処理、プラズマエッチング処理あるいはウエットエッチング処理にて穴形成加工を行うことができ、この穴部に成膜することで埋め込み型の下部電極簿を得ることができる。
基板上に形成した絶縁層に対してパッド部を形成しておき、基板に対するSi基板の接合時にSi基板側の上部電極部とパッド部を接合することにより、Si基板の接合と同時にパッド部の接合ができる。
本発明は更に、前記Si基板としてSi単層基板をダイヤフラムとして用いるとともに、前記Si単層基板と前記支持絶縁体部の少なくとも一方の相互接続部分にAu層を形成し、少なくとも前記ダイヤフラムと前記支持絶縁体部と接着される部分に上部電極部を形成することを特徴とする。
Si基板としてSi単層基板を用い、ダイヤフラムとすることで取り扱い性が良好なものとして接合作業に供することができ、ダイヤフラムを設けることができるとともに、Au層を介して接合することで容易に拡散接合することができ、接合信頼性の高い構造を提供できる。
図1は、本実施の形態に係る静電容量型圧力センサ素子の一例を示す断面図、図2は平面略図である。
この形態の静電容量型圧力センサ素子1は、上面にガラス質の絶縁性の基層表面部2を備えた基板3と、前記基層表面部2に埋め込み形成された下部電極部6と、この下部電極部6の周囲を囲むように前記基層表面部2の上に積層された表層表面部4と、前記表層表面部4に埋め込み形成された引出電極部5と、該引出電極部5の上に積層された導通部7と、前記下部電極部6とギャップGをあけて対向配置されたSi基板からなるダイヤフラム層9とを具備して大略構成されている。
また、前記下部電極部6は平面視丸形の本体部6aとそれに連続された端子部導体6bとからなる平面視外形鍵穴型に形成され、前記表層表面部4のうち、前記下部電極部6の丸形の本体部6aの周囲を囲み、端子部導体6b上に一部被さるように環状に形成された部分がダイヤフラム層9を支持する支持絶縁体部4aとされている。
前記引出電極部5は短冊状に形成されて図1に示す基板3の左側の表層表面部4に埋め込むように形成され、この引出電極部5の上面側には導電膜からなる導通部7が積層され、その表面7Aは前記表層表面部4の上面4dと面一になるように形成されている。
前記下部電極部6は図1に示す基層表面部2の平面視中央部に基層表面部2の孔部2Aに埋め込むように形成された円形の下部電極本体部6aと、該下部電極本体部6aの右端部側に平面視外方側に向いて延出形成されるとともに前記表層表面部2に埋め込まれるように形成された短冊状の下部電極引出端子部6bとから構成される平面視外形鍵穴型に形成されている。
更に、これらの電極部5、6を構成する材料は、Ti層/Ta層/Au層/Ta層の積層構造を一例として、その他の積層構造例として、Ti層/Ta層/Au層、Ta層/Au層/Ta層、Ta層/Au層、Cr層/Au層/Ta層、Cr層/Au層、Cr層/Ta層/Au層/Ta層、Cr層/Ta層/Au層などを例示できるが、これらに限るものではない。
前記表層表面部4のうち、前記下部電極本体部6aの部分の上側には下部電極本体部6aよりも大きな径の孔部4Aが形成され、表層表面部4のうち、前記孔部4Aの周囲の円環状の部分が支持絶縁体部4aとされている。この円環状の支持絶縁体部4aの部分のうち、180゜対象位置に孔部4b、4cが形成され、一方の孔部4bに前記した引出電極部5と導通部7が積層形成される一方、他方の孔部4cはその下方側に位置する端子部導体6bに連通するように形成され、該孔部4cには端子部導体6bに電気的に接続する導電材料製の導通部10とパッド部11とが前記孔部4cを埋めるように積層形成されている。
前記のダイヤフラム層9が受ける圧力によりダイヤフラム層9と上部電極部9aが変形され、前述のギャップGが変化することで静電容量が変化するように構成されている。
なおまた、この第1実施形態の静電容量型圧力センサ素子1では、円環状の支持絶縁体部4aの上に円板状のSi基板からなるダイヤフラム層9を配置した構造としたが、ダイヤフラム層9を構成するSi基板を基板3の周縁部まで延出形成した構造、例えば図1の鎖線9B、9Bで示す如く基板3の上面側のほぼ全部をSi基板で覆う構成としても良い。この場合、Si基板がパッド部11、12を覆い隠すことになり、配線接続が困難になるので、パッド部11、12の上に位置するSi基板には透孔を形成して外部接続配線が可能な構造とすれば良い。
従って、前記パッド部11、12にボンディングワイヤ接続などを行って静電容量型圧力センサ素子1用の駆動回路を接続して上部電極部9aと下部電極部6aとの静電容量の変化を検出することで圧力変動を検出することができるように構成されている。
この第2実施形態の静電容量型圧力センサ素子20において、基板21の上面に凹部21aを形成してこの部分に成膜処理がなされて埋め込み型の下部電極部6が形成されている。下部電極部6は先の第1実施形態の構造と同等構造、即ち、下部電極本体部6aと下部電極引出端子部6bとから構成される平面視外形鍵穴型に形成されている。
また、この下部電極部6の周囲を囲むように前記基板21の上に積層された表層表面部4と、前記表層表面部4に埋め込み形成された引出電極部5と、該引出電極部5の上に積層された導通部7と、前記下部電極部6とギャップGをあけて対向配置されたSi基板からなるダイヤフラム層9とを具備して大略構成されている。
第2実施形態の静電容量型圧力センサ素子20において、その他、各部分の構造は先の第1の実施形態の構造と同等であるので、同等の部分については同一の符号を付してそれらの部分の説明を省略する。
従って、パッド部11、12にボンディングワイヤ接続などを行って静電容量型圧力センサ素子20用の駆動回路を接続して上部電極部9aと下部電極部6aとの静電容量の変化を検出することで圧力変動を検出することができるように構成されている。
次に、図7に示すように孔部4bに対して引出電極部5と導通部7を積層形成し、同時に孔部4cに対して導通部10とパッド部11を積層形成する。これらの各層の積層工程は同一ステップの成膜処理で同時に形成することができる。
次に、図9に示す如く別途用意したSi基板9の裏面側に電極層を形成して下部電極部9aを形成し、このSi基板9を先の孔部4A形成後の基板21に被せて接着などの方法によって接合することにより下部電極部6aと上部電極部9aをギャップGを介して対向させた上下電極構造を有し、ダイヤフラム層9が円環状の支持絶縁体部4aに支持された構造を有する図3に示す静電容量型圧力センサ素子20を得ることができる。
AuあるいはAuを含む接合層25を介した場合、接合部7に含まれるAuと接合層25に含まれるAuと上部電極部9aに含まれるAuとが相互拡散して接合する結果として高い接着性と接合性を得ることができる。
このようにしてダイヤフラム層9を基板21側に接合したならば、センサ素子として必要部分のみを残してその他の部分を切断砥石などを用いたダイシング作業により、適宜切断しても良い。
この場合、上部電極部9aを図9に示されるようにSi基板9の全面に設けても良く、また、図10に示すように上部電極部9aをダイヤフラム部9の接着必要領域、即ち、少なくとも支持絶縁体部4a上のAuを含む接合層25に対応する領域と、引出電極部5上に形成された接合部7と対応する領域に形成し、ダイヤフラム層9と基板21とを接着しても良い。
全体が絶縁性であるか、あるいは絶縁性の表面部を備えた基板を用いて本発明の静電容量型圧力センサ素子を製造する場合、以下に説明するリフトオフレジストを用いた方法により、図11〜図14に示す如く下部電極部6を埋め込み型で基板表面部に形成することができる。
このリフトオフレジスト層31は孔部32を有しており、この孔部22の下方側に位置する表面部内に、目的とする形状の下部電極部6を形成する。
目的のリフトオフレジスト層31を形成するには基板表面部の上面全部に一旦リフトオフレジスト層を全面形成した後、必要部分に露光し現像する処理を行って目的とする形状の下部電極部6の形に対応する孔部32を形成すれば良い。
次いで、基板表面部の上面とリフトオフレジスト層31、31の上面にスパッタ法あるいはイオンビーム成膜法などの成膜法により電極層を成膜する。この成膜処理により、図13に示す如くリフトオフレジスト層31、31の上面に電極層35を形成できると同時に表面部の穴部33にもこれを埋めるように電極層36を成膜できる。この成膜を行う場合の膜厚は穴部33を電極層36で埋めることができる程度とすることが好ましい。
また、上述の構造においてグレーズドアルミナ基板を用いる場合、従来構造のパイレックス(登録商標)ガラス基板に比べて一般的な市販単価として1/5〜1/10程度で入手できるので、その分において従来構造よりも安価に製造できる。
また、本発明で使用する基板は少なくとも絶縁性の表面部を有する基板とすることができるので、例えば全体が絶縁体である基板を用いることができるのは勿論であり、表面部よりも深い領域、例えば基板厚み半分程度まで、あるいは任意の深さまで絶縁層とした基板を用いても良いのは勿論である。
この後、イオンビームスパッタ法にて前記穴部にTi層/Au層/Ta層の3層構造(各層厚さ200Å/1500Å/300Å)の電極層を積層し、次いでNMPの薬液にてリフトオフレジスト層を除去してグレーズドアルミナ層中の穴部に下部電極部を埋め込み形成した基板を得た。
次いで80μm厚のSi基板を用意し、その下面にAuの電極層を形成し、このSi基板を先の環状の支持絶縁体部に被せて接着することで図3に示す構造の静電容量型圧力センサ素子を得ることができる。
得られた静電容量型圧力センサ素子の試料に対して100〜500MPaの空気圧を印加する加圧試験を行ったところ、容量変化を生じることを確認することができ、この試料が静電容量型圧力センサ素子として機能することを確認できた。
2 基層表面部
3 基板
4 表層表面部
4b、4c 孔部
4d 表面
5 引出電極部
6 下部電極部
6a 下部電極本体部
6b 端子部導体
7 導通部
7A 上面
9 ダイヤフラム層
9a 上部電極部
10 導通部
11、12 パッド部
Claims (10)
- 基層表面部と当該基層表面部に表層表面部が形成されて少なくとも表面部が絶縁性にされた基板と、前記絶縁性にされた基板の表面部に平面視的に離間して個々に形成された引出電極部及び下部電極部とを含み、前記下部電極部は前記基層表面部に埋め込み形成されて前記表層表面部は前記基層表面部上に積層されてなり、前記引出電極部は前記表層表面部に埋め込み形成され、前記下部電極周囲に該下部電極表面位置よりも突出するように形成された支持絶縁体部と、前記支持絶縁体部に支持されて前記下部電極と所定のギャップをあけて対向配置されたダイヤフラム層とが具備されてなり、前記ダイヤフラム層自体が導電材料から構成されるか、あるいは、前記ダイヤフラム層に電極層が形成されて前記下部電極部と対向する上部電極部が形成され、前記ダイヤフラム層自体あるいは前記上部電極部が前記絶縁性の表面部に形成された導通部を介して前記引出電極部に電気的に接続されてなることを特徴とする静電容量型圧力センサ素子。
- 表面上に表層表面部が形成された絶縁性の基板と、前記表層表面部とその下の絶縁性の基板の表面部分に平面視的に離間して個々に形成された引出電極部及び下部電極部とを含み、前記下部電極部は前記絶縁性の基板の表面部分に埋め込み形成されてなり、前記引出電極部は前記表層表面部に埋め込み形成され、前記下部電極周囲に該下部電極表面位置よりも突出するように形成された支持絶縁体部と、前記支持絶縁体部に支持されて前記下部電極と所定のギャップをあけて対向配置されたダイヤフラム層とが具備されてなり、前記ダイヤフラム層自体が導電材料から構成されるか、あるいは、前記ダイヤフラム層に電極層が形成されて前記下部電極部と対向する上部電極部が形成され、前記ダイヤフラム層自体あるいは前記上部電極部が前記絶縁性の表面部に形成された導通部を介して前記引出電極部に電気的に接続されてなることを特徴とする静電容量型圧力センサ素子。
- 前記支持絶縁体部の一部が前記下部電極部の周囲上に平面視環状に延出形成され、前記ダイヤフラム層が前記突出形成された環状の支持絶縁体部により支持されてなることを特徴とする請求項1または2に記載の静電容量型圧力センサ素子。
- 前記ダイヤフラム層がSi基板からなり、該Si基板が前記支持絶縁体部上に接着されてなることを特徴とする請求項1〜3のいずれかに記載の静電容量型圧力センサ素子。
- 前記基板が酸化アルミニウムからなる基体上にグレーズドアルミナからなる表面部が形成された複合基板から構成されたことを特徴とする請求項1〜4のいずれかに記載の静電容量型圧力センサ素子。
- 前記ダイヤフラムはSi単層基板により形成されてなり、前記支持絶縁体部上にAu層が設けられてなるか、もしくは、少なくとも前記ダイヤフラムと前記支持絶縁体部とが接着される部分に上部電極部が設けられてなることを特徴とする請求項1〜5のいずれかに記載の静電容量型圧力センサ素子。
- 少なくとも表面部が絶縁性にされた基板の絶縁性を有する部分に下部電極部を埋め込み形成し、この下部電極部の少なくとも周囲側に、前記下部電極部よりも上方に突出するように絶縁層を形成し、該絶縁層の一部に前記下部電極部に通じる孔部を形成して該孔部周囲の絶縁層に支持絶縁体部を形成し、該支持絶縁体部を形成した基板に対して前記支持絶縁体部に接触させてSi基板を接合するか、あるいは、一面に上部電極部を形成したSi基板を接合し、該Si基板あるいは上部電極部と前記下部電極部とを対向配置することを特徴とする静電容量型圧力センサ素子の製造方法。
- 少なくとも表面部が絶縁性にされた基板の絶縁性を有する部分に下部電極部を埋め込み形成するに際し、孔部を有するリフトオフレジスト層を基板上に形成し、前記孔部を介してその下の基板表面をイオンミリング処理、プラズマエッチング処理あるいはウエットエッチング処理にて穴形成加工して前記リフトオフレジスト層の孔部に対応する外形の穴部を形成し、この穴形成加工後に電極層を前記リフトオフレジスト層上及び前記穴部内に成膜し、その後にリフトオフレジスト層を除去して基板表面部分に埋め込み型の下部電極部を形成することを特徴とする請求項7に記載の静電容量型圧力センサ素子の製造方法。
- 前記絶縁層の一部分に前記下部電極部と離間させてパッド部を形成する工程と、前記絶縁層の他の部分に前記下部電極部と接続させてパッド部を形成する工程と、前記Si基板の接合時に前記下部電極部と離間形成したパッド部に対して前記Si基板を接続するか、あるいは、前記Si基板一面側の上部電極部を接続する工程を含むことを特徴とする請求項7または8に記載の静電容量型圧力センサ素子の製造方法。
- 前記Si基板としてSi単層基板を用いてダイヤフラムを構成するとともに、前記Si単層基板と前記支持絶縁体部の少なくとも一方の相互接続部分にAu層を形成し、少なくとも前記ダイヤフラムと前記支持絶縁体部と接着される部分に上部電極部を形成することを特徴とする請求項7〜9のいずれかに記載の静電容量型センサ素子の製造方法。
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