JP2007004039A - ペリクル - Google Patents

ペリクル Download PDF

Info

Publication number
JP2007004039A
JP2007004039A JP2005186785A JP2005186785A JP2007004039A JP 2007004039 A JP2007004039 A JP 2007004039A JP 2005186785 A JP2005186785 A JP 2005186785A JP 2005186785 A JP2005186785 A JP 2005186785A JP 2007004039 A JP2007004039 A JP 2007004039A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
pellicle
pellicle film
film
liquid crystal
atmosphere
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2005186785A
Other languages
English (en)
Inventor
Toru Shirasaki
亨 白崎
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shin Etsu Chemical Co Ltd
Original Assignee
Shin Etsu Chemical Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Shin Etsu Chemical Co Ltd filed Critical Shin Etsu Chemical Co Ltd
Priority to JP2005186785A priority Critical patent/JP2007004039A/ja
Priority to KR1020060032220A priority patent/KR20070000337A/ko
Priority to TW095115044A priority patent/TW200700899A/zh
Publication of JP2007004039A publication Critical patent/JP2007004039A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • FMECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F24HEATING; RANGES; VENTILATING
    • F24FAIR-CONDITIONING; AIR-HUMIDIFICATION; VENTILATION; USE OF AIR CURRENTS FOR SCREENING
    • F24F13/00Details common to, or for air-conditioning, air-humidification, ventilation or use of air currents for screening
    • F24F13/02Ducting arrangements
    • F24F13/0209Ducting arrangements characterised by their connecting means, e.g. flanges
    • FMECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F24HEATING; RANGES; VENTILATING
    • F24FAIR-CONDITIONING; AIR-HUMIDIFICATION; VENTILATION; USE OF AIR CURRENTS FOR SCREENING
    • F24F13/00Details common to, or for air-conditioning, air-humidification, ventilation or use of air currents for screening
    • F24F13/02Ducting arrangements
    • F24F13/0245Manufacturing or assembly of air ducts; Methods therefor

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Combustion & Propulsion (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Manufacture Of Macromolecular Shaped Articles (AREA)

Abstract

【課題】 環境の温度および/または湿度が変化しても、ペリクル膜に弛みが発生することを効果的に防止することができるペリクルを提供する。
【解決手段】 吸水率が0.1%以下の材料を用いて、ペリクル膜が形成されたことを特徴とするペリクル。
【選択図】 なし

Description

本発明は、ペリクルに関するものであり、さらに詳細には、半導体デバイスあるいは液晶ディスプレイなどを製造する際に、フォトマスク用の防塵カバーとして用いられるペリクルに関するもので、とくに、大型の液晶ディスプレイを製造するために用いられる大型のペリクルに関するものである。
LSI、超LSIなどの半導体デバイスあるいは液晶ディスプレイを製造するにあたっては、半導体ウエハーあるいは液晶用原板に、フォトマスクを介して、露光用の光が照射されて、フォトマスクのパターンが転写される。
したがって、この場合に、フォトマスクにゴミなどの異物が付着していると、フォトマスクの表面に付着したゴミなどの異物によって、露光用の光が反射され、あるいは、吸収されるため、半導体ウエハーあるいは液晶用原板に転写されたパターンが変形したり、パターンのエッジ部分が不鮮明になり、半導体ウエハーあるいは液晶用原板に、所望のように、フォトマスクのパターンを転写することができず、半導体デバイスあるいは液晶ディスプレイの性能が低下し、歩留まりが悪化するという問題があった。
かかる問題を防止するために、半導体ウエハーあるいは液晶用原板の露光は、クリーンルーム内で行われるが、それでも、フォトマスクの表面に異物が付着することを完全に防止することは困難であるため、通常は、フォトマスクの表面に、露光用の光に対し高い透過率を有するペリクルと呼ばれる防塵カバーを取り付けて、半導体ウエハーあるいは液晶用原板を露光するように構成されている。
ペリクルは、一般に、ニトロセルロース、酢酸セルロースなどのセルロース系樹脂によって、露光用の光に対し高い透過率を有するペリクル膜を作製し、アルミニウム、ステンレスポリエチレンなどによって形成されたフレームの一方の端面に、ペリクル膜を接着することによって作製されている。
このように構成されたペリクルをフォトマスクの表面に取り付けて、半導体ウエハーあるいは液晶用原板を露光をする場合には、ゴミなどの異物は、ペリクルの表面に付着し、フォトマスクの表面には直接付着しないため、フォトマスクに形成されたパターン上に、焦点が位置するように、露光用の光を照射すれば、ゴミなどの異物の影響を除去することが可能になる。
しかしながら、ニトロセルロース、酢酸セルロースなどの樹脂によって形成されたペリクル膜は、使用環境の温度や湿度の変化にともなって、伸縮しやすく、ペリクル膜が伸びて、ペリクル膜の張力が低下し、ペリクル膜に弛みが発生した場合には、その部分で、露光用の光の好ましくない屈折が生じて、半導体ウエハーあるいは液晶用原板に転写されるパターンが歪み、高い歩留まりで、所望の性能を有する半導体デバイスあるいは液晶ディスプレイを製造することができなくなるという問題があった。
すでに述べたように、半導体ウエハーあるいは液晶用原板の露光は、温度と湿度が一定に制御されたクリーンルーム内で行われるが、それでも、完全に、温度と湿度を一定に制御することは困難であり、使用環境の温度や湿度の変化にともなって、ペリクル膜が弛むことを防止することは困難であった。
かかる問題は、ペリクルが大型化すればするほど、顕著になり、近年、大型の液晶ディスプレイに対する要請が高まり、ペリクルも大型化しているため、かかる問題は次第に深刻化し、その解決が望まれていた。
したがって、本発明は、使用環境の温度および/または湿度が変化しても、ペリクル膜に弛みが発生することを効果的に防止することができるペリクルを提供することを目的とするものである。
さらに、本発明の別の目的は、大型化に適したペリクルを提供することにある。
本発明者は、本発明のかかる目的を達成するため、鋭意研究を重ねた結果、吸水率が0.1%以下の材料を用いて、ペリクル膜を形成することによって、使用環境の温度および湿度が変化しても、ペリクル膜に弛みが発生することを効果的に防止することが可能になることを見出した。
本発明はかかる知見に基づくものであり、本発明によれば、本発明の前記目的は、吸水率が0.1%以下の材料を用いて、ペリクル膜が形成されたことを特徴とするペリクルによって達成される。
従来、ペリクル膜を形成するために、広く用いられていたニトロセルロース、酢酸セルロースなどのセルロース系樹脂は、一般的に0.8%ないし4.0%の吸水率を有しており、ペリクルが、温度および湿度が一定になるように制御されたクリーンルーム内で製造された場合でも、ペリクルが、ペリクルメーカーから半導体デバイスメーカーあるいは液晶ディスプレイメーカーに運搬されている間など、ペリクルを用いて、半導体デバイスあるいは液晶ディスプレイを製造するまでの間に、環境の湿度が変化したときは、ペリクル膜が伸縮して、ペリクル膜に弛みが発生することがあり、環境の温度が変化したときにも、相対湿度が変化する結果、ペリクル膜が伸縮して、ペリクル膜に弛みが発生することがあったが、本発明によれば、ペリクル膜が、吸水率が0.1%以下の材料を用いて形成されているため、半導体デバイスあるいは液晶ディスプレイを製造するために、ペリクルが使用されるまでの間に、環境の温度および/または湿度が変化したときにも、また、ペリクルを使用して、半導体デバイスあるいは液晶ディスプレイを製造する過程で、環境の温度および/または湿度が変化したときにも、ペリクル膜に弛みが発生することを効果的に防止することができ、したがって、高い歩留まりで、所望の性能を有する半導体デバイスあるいは液晶ディスプレイを製造することが可能になる。
また、本発明者の研究によれば、ペリクルのサイズが大型化して、フレームの長辺の長さが500mm以上になると、ペリクル膜が伸縮したときに、ペリクル膜に弛みが発生しやすく、とくに、深刻な問題になっていたが、本発明によれば、ペリクルのサイズが大型化し、フレームの長辺の長さが500mm以上の場合でも、環境の温度および/または湿度が変化したときに、ペリクル膜に弛みが発生することを効果的に防止することができ、したがって、高い歩留まりで、所望の性能を有する半導体デバイスあるいは液晶ディスプレイを製造することが可能になる。
本発明によれば、使用環境の温度および/または湿度が変化しても、ペリクル膜に弛みが発生することを効果的に防止することができ、大型化に適したペリクルを提供することが可能になる。
本発明において、好ましくは、吸水率が0.01%以下の材料を用いて、ペリクル膜が形成される。
本発明において、好ましくは、ペリクル膜を形成するための材料として、フッ素系樹脂、ポリエチレン、ポリプロピレンおよびポリスチレンよりなる群から選ばれる樹脂が用いられ、フッ素系樹脂、ポリエチレン、ポリプロピレンおよび、ポリスチレンよりなる群から選ばれる樹脂を用いて、ペリクル膜が形成され、さらに好ましくは、フッ素系樹脂を用いて、ペリクル膜が形成される。
本発明は、フレームの長辺の長さが500mm以上の大型ペリクルにおいて、とくに効果的である。
本発明において、ペリクルは、たとえば、吸水率が0.1%以下の材料によってペリクル膜を形成し、アルミニウム、ステンレスポリエチレンなどによって形成されたフレームの上端面に、ペリクル膜の良溶媒を塗布し、乾燥した後に、ペリクル膜を接着し、あるいは、アクリル樹脂やエポキシ樹脂などの接着剤を用いて、フレームの上端面に、ペリクル膜を接着し、さらに、フレームの下端面に、ポリブテン樹脂、ポリ酢酸ビニル樹脂、アクリル樹脂からなる粘着層を形成し、粘着層の表面に、粘着層を保護する保護シートを付着させることによって作製される。
半導体ウエハーあるいは液晶用原板に、フォトマスクを介して、露光用の光を照射するにあたっては、ペリクルから、保護シートが取り外されて、粘着層にガラス基板などが付着され、ペリクルがフォトマスクの表面に取り付けられる。
以下、本発明の効果をより明瞭なものとするため、実施例および比較例を掲げる。
実施例1
85モル%のパーフルオロ−2,2−ジメチル−1,3−ジオキソールと、15モル%のテトラフルオロエチレンとの共重合体を、株式会社トクヤマ製のフッ素系溶媒「IL−263」(商品名)に溶解して、2重量%の溶液を調製した。ここに、85モル%のパーフルオロ−2,2−ジメチル−1,3−ジオキソールと、15モル%のテトラフルオロエチレンとの共重合体の吸水率は、0.01%以下であった。
次いで、表面研磨した石英基板を、スピンコーティング装置にセットし、こうして調製した溶液を石英基板上に滴下し、600rpmの回転速度で、10秒間にわたって、石英基板を回転させて、石英基板上に、溶液を均一に分布させた。
さらに、石英基板を、180℃で、10分間にわたり、加熱して、2μmの厚さを有する透明膜を形成し、その後に、透明膜を石英基板から剥離させて、ペリクル膜を作製した。
次いで、520mm×800mmのサイズを有するアルミニウム製フレームの上端面に、接着剤を塗布し、こうして作製されたペリクル膜を、シリコーン系接着剤を介して、フレームの上端面に接着して、ペリクルサンプル#1−1を得た。
同様にして、ペリクルサンプル#1−2、#1−3、#1−4、#1−5および#1−6を作製した。
こうして作製されたペリクルサンプル#1−1を、相対湿度50%の雰囲気下で、1分間にわたって、保持し、ペリクル膜の状況を観察したところ、ペリクル膜に弛みの発生は認められなかった。
さらに、ペリクルサンプル#1−2、#1−3、#1−4、#1−5および#1−6を、それぞれ、相対湿度60%の雰囲気下、相対湿度70%の雰囲気下、相対湿度80%の雰囲気下、相対湿度90%の雰囲気下および相対湿度100%の雰囲気下で、1分間にわたって、保持し、ペリクル膜の状況を観察したところ、いずれのペリクルサンプルのペリクル膜にも、弛みの発生は認められなかった。
実施例2
旭硝子株式会社製のパーフルロポリマー「CTX−809SP」(商品名)をフッ素系溶媒に溶解して、パーフルロポリマーの5%溶液を調製した。ここに、パーフルロポリマーの吸水率は0.01%以下であった。
こうして調製したパーフルロポリマーを用いて、実施例1と同様にして、ペリクル膜を作製した。
次いで、520mm×800mmのサイズを有するアルミニウム製フレームの上端面に、接着剤を塗布し、こうして作製されたペリクル膜を、シリコーン系接着剤を介して、フレームの上端面に接着して、ペリクルサンプル#2−1を得た。
同様にして、ペリクルサンプル#2−2、#2−3、#2−4、#2−5および#2−6を作製した。
こうして作製されたペリクルサンプル#2−1を、相対湿度50%の雰囲気下で、1分間にわたって、保持し、ペリクル膜の状況を観察したところ、ペリクル膜に弛みの発生は認められなかった。
さらに、ペリクルサンプル#2−2、#2−3、#2−4、#2−5および#2−6を、それぞれ、相対湿度60%の雰囲気下、相対湿度70%の雰囲気下、相対湿度80%の雰囲気下、相対湿度90%の雰囲気下および相対湿度100%の雰囲気下で、1分間にわたって、保持し、ペリクル膜の状況を観察したところ、いずれのペリクルサンプルのペリクル膜にも、弛みの発生は認められなかった。
比較例
プロピオン酸セルロースをブタノールに溶解して、プロピオン酸セルロースの4%溶液を調整した。ここに、プロピオン酸セルロースの吸水率は1.8%であった。
こうして調製されたプロピオン酸セルロースのブタノール溶液を用いて、実施例1と同様にして、ペリクル膜を作製した。
次いで、520mm×800mmのサイズを有するアルミニウム製フレームの上端面に、接着剤を塗布し、こうして作製されたペリクル膜を、シリコーン系接着剤を介して、フレームの上端面に接着して、ペリクルサンプル#3−1を得た。
同様にして、ペリクルサンプル#3−2、#3−3、#3−4、#3−5および#3−6を作製した。
こうして作製されたペリクルサンプル#3−1および#3−2を、それぞれ、相対湿度50%の雰囲気下および相対湿度60%の雰囲気下で、1分間にわたって、保持し、ペリクル膜の状況を観察したところ、ペリクル膜に弛みの発生は認められなかった。
一方、ペリクルサンプル#3−3、#3−4、#3−5および#3−6を、それぞれ、相対湿度70%の雰囲気下、相対湿度80%の雰囲気下、相対湿度90%の雰囲気下および相対湿度100%の雰囲気下で、1分間にわたって、保持し、ペリクル膜の状況を観察したところ、いずれのペリクルサンプルのペリクル膜にも、弛みの発生が観察された。
実施例1および実施例2ならびに比較例から、吸水率が0.1%以下の材料を用いて、ペリクル膜が作製された実施例1および実施例2にかかるペリクルサンプル#1−1ないし#1−6ならびにペリクルサンプル#2−1ないし#2−6においては、使用環境の湿度が高い場合においても、ペリクル膜に弛みが発生することが効果的に防止され、したがって、高い歩留まりで、所望の性能を有する半導体デバイスあるいは液晶ディスプレイを製造することが可能になるのに対し、従来の材料を用いて、ペリクル膜が作製された比較例にかかるペリクルサンプルにおいては、使用環境の湿度が高くなると、ペリクル膜に弛みが発生し、高い歩留まりで、所望の性能を有する半導体デバイスあるいは液晶ディスプレイを製造することが困難になることが判明した。
本発明は、以上の実施態様および実施例に限定されることなく、特許請求の範囲に記載された発明の範囲内で種々の変更が可能であり、それらも本発明の範囲内に包含されるものであることはいうまでもない。

Claims (5)

  1. 吸水率が0.1%以下の材料を用いて、ペリクル膜が形成されたことを特徴とするペリクル。
  2. 吸水率が0.01%以下の材料を用いて、ペリクル膜が形成されたことを特徴とする請求項1に記載のペリクル。
  3. フッ素系樹脂、ポリエチレン、ポリプロピレンおよびポリスチレンよりなる群から選ばれる樹脂を用いて、ペリクル膜が形成されたことを特徴とする請求項1または2に記載のペリクル。
  4. フッ素系樹脂を用いて、ペリクル膜が形成されたことを特徴とする請求項3に記載のペリクル。
  5. フレームの長辺の長さが500mm以上であることを特徴とする請求項1ないし4のいずれか1項に記載のペリクル。
JP2005186785A 2005-06-27 2005-06-27 ペリクル Pending JP2007004039A (ja)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2005186785A JP2007004039A (ja) 2005-06-27 2005-06-27 ペリクル
KR1020060032220A KR20070000337A (ko) 2005-06-27 2006-04-10 펠리클
TW095115044A TW200700899A (en) 2005-06-27 2006-04-27 Pellicle

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2005186785A JP2007004039A (ja) 2005-06-27 2005-06-27 ペリクル

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2007004039A true JP2007004039A (ja) 2007-01-11

Family

ID=37689701

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2005186785A Pending JP2007004039A (ja) 2005-06-27 2005-06-27 ペリクル

Country Status (3)

Country Link
JP (1) JP2007004039A (ja)
KR (1) KR20070000337A (ja)
TW (1) TW200700899A (ja)

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6318964B2 (ja) * 1981-08-20 1988-04-20 Ii Ai Deyuhon De Nimoasu Ando Co
JPH11152310A (ja) * 1997-11-20 1999-06-08 Asahi Glass Co Ltd 含フッ素脂肪族環構造含有重合体の製造方法
JP2000305255A (ja) * 1999-04-23 2000-11-02 Shin Etsu Chem Co Ltd フッ素エキシマレーザーリソグラフィー用ペリクル

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6318964B2 (ja) * 1981-08-20 1988-04-20 Ii Ai Deyuhon De Nimoasu Ando Co
JPH11152310A (ja) * 1997-11-20 1999-06-08 Asahi Glass Co Ltd 含フッ素脂肪族環構造含有重合体の製造方法
JP2000305255A (ja) * 1999-04-23 2000-11-02 Shin Etsu Chem Co Ltd フッ素エキシマレーザーリソグラフィー用ペリクル

Also Published As

Publication number Publication date
KR20070000337A (ko) 2007-01-02
TW200700899A (en) 2007-01-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI815825B (zh) 防護薄膜框架及防護薄膜組件
JP5285185B2 (ja) フォトマスクユニット及びその製造方法
TW202321834A (zh) 防塵薄膜組件框架、防塵薄膜組件、附防塵薄膜組件的光阻、曝光方法、圖案的製造方法以及半導體裝置的製造方法
CN102736400B (zh) 防尘薄膜、其制造方法以及用该膜贴付的防尘薄膜组件
EP3321734A1 (en) Method of manufacturing graphene film and method of manufacturing pellicle using the same
JP2008256925A (ja) ペリクル
TW202032284A (zh) 光蝕刻用防塵薄膜及具備該防塵薄膜之防塵薄膜組件
JP6532428B2 (ja) ペリクル
JP2023057096A (ja) ペリクルの製造方法、ペリクル付フォトマスクの製造方法、露光方法、半導体デバイスの製造方法、液晶ディスプレイの製造方法及び有機elディスプレイの製造方法
JP4007752B2 (ja) 大型ペリクル用枠体及び大型ペリクル
US20090042107A1 (en) Pellicle for high numerical aperture exposure device
TWI585517B (zh) Dustproof film module containers for microfilm for incorporating dustproof film modules
US20090286170A1 (en) Pellicle
JP2019066848A (ja) ペリクル
JP2010211021A (ja) ペリクル
JP2007004039A (ja) ペリクル
JP2022010209A (ja) ペリクル
KR20140082917A (ko) 리소그래피용 펠리클
JP4873565B2 (ja) リソグラフィー用ペリクル
JP2007293036A (ja) リソグラフィー用ペリクル
JP3449180B2 (ja) ペリクル
KR20060136307A (ko) 펠리클
JP6293045B2 (ja) リソグラフィー用ペリクルの作製方法
KR102172217B1 (ko) 펠리클 수납용기 및 이를 이용한 파티클 제거 방법
JP3429897B2 (ja) ペリクルの製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20070724

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20091207

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20091215

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20100407