JP2006521680A - 画像増強装置及びそのための電子増倍装置 - Google Patents
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Abstract
Description
Claims (22)
- 電子を受け入れるための入力表面及び該入力表面とは反対側の発出表面を有し、受け入れた電子に応答して増大した数の電子を生成し、かつ前記発出表面上の少なくとも1つの発出領域に対して増大した数の電子を導くようにドープされており、該少なくとも1つの発出領域の各々が前記入力表面の対応する領域と結びつけられている半導体構造、を含んで成る電子増倍装置。
- 遮断領域内で前記発出表面からの電子の発出を阻止するため遮断領域内の発出表面上に配置されている遮断構造、をさらに含んで成る、請求項1に記載の装置。
- 前記遮断構造が少なくとも、
前記遮断領域内の発出表面からの電子の発出を阻止するため前記発出表面上に配置された第1の酸化物層、
前記半導体構造を通して電子を引き出すべく前記第1の酸化物層の上に配置された金属層、及び
前記金属層からの電子の発出を阻止するべく前記金属層上に配置された第2の酸化物層、
を含んで成る、請求項2に記載の装置。 - 前記遮断構造が、前記発出表面上の遮断領域を通して前記半導体構造内に光が入るのを防いでいる、請求項2に記載の装置。
- 前記のドープされた半導体構造が少なくとも、
前記発出表面と接触し、前記発出表面から前記入力表面に向かって延びる第1のドープされた領域、を含んで成り、
ここで該第1のドープされた領域が、少なくとも1つの発出領域に向かって増大した数の電子を導くべく少なくとも1つの発出領域と結びつけられた入力表面の対応する領域から少なくとも1つの発出領域まで延びる少なくとも1つのチャンネルを画定し、該少なくとも1つのチャンネルが、少なくとも1つの発出領域においてよりも前記入力表面に向かってさらに大きい断面積を有している、請求項1に記載の装置。 - 前記半導体構造が前記入力表面近くで増大した数の電子を生成し、前記のドープされた半導体構造がさらに少なくとも、
前記入力表面と接触した第2のドープされた領域を含み、該第2のドープされた領域は、増大した数の電子を前記入力表面から離れるように強制して前記入力表面における増大した数の電子の再結合を防いでいる、請求項5に記載の装置。 - 前記のドープされた半導体構造が、第1のドープされた領域と第2のドープされた領域の間にギャップを含み、かくして前記入力表面の100%に近い入力表面上の有効電子増倍領域を提供している、請求項6に記載の装置。
- 入力表面及び該入力表面とは反対側の発出表面を有する半導体デバイス内で増大した数の電子を作り出す段階であって、前記入力表面に衝突した電子に応えて該増大した数の電子が生成される段階、及び
前記発出表面からの発出のため発出領域に対し増大した数の電子を導く段階、
を含んで成る電子増倍方法。 - 前記発出領域以外の領域内で前記半導体デバイスの発出表面からの電子の発出を遮断する段階、
をさらに含んで成る、請求項8に記載の方法。 - 前記発出領域以外の領域内で前記半導体デバイスの発出表面内への電子の流れを遮断する段階、
をさらに含んで成る、請求項9に記載の方法。 - 画像の光子を受け入れるための入力表面及び光電陰極により生成された電子を発出する出力表面を有し、前記入力表面で受け入れた光子に応答して電子を生成する光電陰極、
前記光電陰極によって発出された電子を受け入れるための入力表面及び該入力表面とは反対側の発出表面を有し、受け入れた電子に応答して増大した数の電子を生成し、かつ前記発出表面上の少なくとも1つの発出領域に対して増大した数の電子を導くようにドープされており、該少なくとも1つの発出領域の各々が前記入力表面の対応する領域と結びつけられている半導体構造、及び
前記半導体構造の発出表面により発出された増大した数の電子を受け入れ、該増大した数の電子に基づいて画像の増強された表現を生成するように構成されたセンサー、
を含んで成る画像増強装置。 - 遮断領域内の発出表面からの電子の発出を阻止するため前記遮断領域内の前記半導体構造の発出表面上に配置されている遮断構造、
をさらに含んで成る、請求項11に記載の画像増強装置。 - 前記遮断構造が少なくとも、
前記遮断領域内の発出表面からの電子の発出を阻止するため前記発出表面上に配置された第1の酸化物層、
前記半導体構造を通して電子を引き出すべく前記第1の酸化物層の上に配置された金属層、及び
前記金属層からの電子の発出を阻止するべく前記金属層上に配置された第2の酸化物層、
を含んで成る、請求項12に記載の画像増強装置。 - 前記光電陰極、前記半導体構造及び画像形成デバイスを支持するための真空ハウジングをさらに含み、ここに前記光電陰極と前記半導体構造の間に第1のギャップが存在し、前記半導体構造と前記画像形成デバイスの間に第2のギャップが存在し、該真空ハウジングが真空下で前記第1及び第2のギャップを維持する能力を有する、請求項11に記載の画像増強装置。
- 前記センサーが蛍光スクリーンであり、前記遮断構造は蛍光スクリーンから発出された光子が前記発出表面上の遮断領域を通して前記半導体構造に入るのを防いでいる、請求項11に記載の画像増強装置。
- 前記のドープされた半導体構造が少なくとも、
前記発出表面と接触した第1のドープされた領域と、前記発出表面から前記入力表面に向かって延びた第2のドープされた領域とを含み、ここで該第1のドープされた領域が、少なくとも1つの発出領域に向かって増大した数の電子を導くべく少なくとも1つの発出領域と結びつけられた入力表面の対応する領域から少なくとも1つの発出領域まで延びる少なくとも1つのチャンネルを画定し、該少なくとも1つのチャンネルが、少なくとも1つの発出領域においてよりも前記入力表面に向かってさらに大きい断面積を有している、請求項11に記載の画像増強装置。 - 前記半導体構造が前記入力表面近くで増大した数の電子を生成し、前記のドープされた半導体構造がさらに少なくとも、
前記入力表面と接触した第2のドープされた領域を含み、該第2のドープされた領域は、増大した数の電子を前記入力表面から離れるように強制して前記入力表面における増大した数の電子の再結合を防いでいる、請求項16に記載の画像増強装置。 - 前記のドープされた半導体構造が、第1のドープされた領域と第2のドープされた領域の間にギャップを含み、かくして前記入力表面の100%に近い入力表面上の有効電子増倍領域を提供している、請求項17に記載の画像増強装置。
- 電子を受け入れるための入力表面及び該入力表面から離隔した発出表面を有し、受け入れた電子に応答して増大した数の電子を生成し、かつ複数のセルを形成するようにドープされた半導体構造を含む電子増倍装置において、該複数のセルの各々が前記半導体構造の入力表面上の領域に対応し、該領域と結びつけられた増大した数の電子を前記発出表面上の発出領域に導く該領域と結びつけられたチャンネル、を有する電子増倍装置。
- 各々のセルが少なくとも、
前記発出表面から前記入力表面に向かって延び、前記発出表面上の発出領域及びチャンネルを画定する第1のドープされた領域であって、該チャンネルが前記発出領域においてよりも大きい断面積を前記入力表面に向かって有する第1のドープされた領域、を含んで成る、請求項19に記載の装置。 - 前記半導体構造が前記入力表面近くで増大した数の電子を生成し、各々のセルがさらに少なくとも、
前記入力表面と接触した第2のドープされた領域を含み、該第2のドープされた領域は、増大した数の電子を前記入力表面から離れるように強制する、請求項20に記載の装置。 - 前記複数のセルの各々に結びつけられた発出領域以外の領域内の発出表面からの電子の発出を阻止するため前記発出表面上に配置されている遮断構造、をさらに含んで成る、請求項19に記載の装置。
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