JP2020533760A5 - - Google Patents

Claims (19)

1. 光学窓と、
   前記光学窓に隣接する光吸収体と、
   前記光吸収体に隣接する熱電子バリア層とを含み、
   前記熱電子バリア層は、伝導帯エネルギーのバリアを通過する光電子の透過が伝導帯エネルギーのバリアをトンネルで通過するのとは対照的に、バリア高さを超えるのに十分なエネルギーをもつ熱励起電子によって支配されるようにバリア高さ及びバリア厚さが十分な伝導帯エネルギーのバリアを含む伝導帯バリアを有する、受動的な単一電位のｐ型半導体フォトカソード。
2. 前記光吸収体は、ＧａＡｓを含む、請求項１に記載のフォトカソード。
3. 前記熱電子バリア層は、ＡｌＧａＡｓを含む、請求項２に記載のフォトカソード。
4. 前記熱電子バリア層ＡｌＧａＡｓは、Ａｌの原子濃度が０．１％〜４％であるＡｌ／（Ａｌ＋Ｇａ）を含む、請求項３に記載のフォトカソード。
5. 前記熱電子バリア層ＡｌＧａＡｓは、Ａｌの原子濃度が約１．５％であるＡｌ／（Ａｌ＋Ｇａ）を含む、請求項４に記載のフォトカソード。
6. 前記熱電子バリア層に隣接する表面化学特異化層をさらに含む、請求項１に記載のフォトカソード。
7. 前記表面化学特異化層は、ＧａＡｓを含む、請求項６に記載のフォトカソード。
8. 前記熱電子バリア層は、ＡｌＧａＡｓを含む、請求項７に記載のフォトカソード。
9. 前記熱電子バリア層ＡｌＧａＡｓは、Ａｌの原子濃度が０．１％〜４％であるＡｌ／（Ａｌ＋Ｇａ）を含む、請求項８に記載のフォトカソード。
10. 前記熱電子バリア層ＡｌＧａＡｓは、Ａｌの原子濃度が約１．５％であるＡｌ／（Ａｌ＋Ｇａ）を含む、請求項９に記載のフォトカソード。
11. 前記表面化学特異化層は、真空に面する放出面を含む、請求項６に記載のフォトカソード。
12. 前記表面化学特異化層の厚さは、１つの原子層から３０ｎｍの範囲である、請求項６に記載のフォトカソード。
13. 前記表面化学特異化層は、ＧａＡｓを含む、請求項１２に記載のフォトカソード。
14. 真空筐体と、
    前記真空筐体内に配置される受動的な単一電位のｐ型半導体フォトカソードと、
    前記真空筐体内で前記フォトカソードに面する電子受容面とを含み、
    前記フォトカソードは、
    光学窓と、
    前記光学窓に隣接する光吸収体と、
    前記光吸収体に隣接する熱電子バリア層とを含み、
    前記熱電子バリア層は、伝導帯エネルギーのバリアを通過する光電子の透過が伝導帯エネルギーのバリアをトンネルで通過するのとは対照的に、バリア高さを超えるのに十分なエネルギーをもつ熱励起電子によって支配されるようにバリア高さ及びバリア厚さが十分な伝導帯エネルギーのバリアを含む伝導帯バリアを有する、微光センサ。
15. 前記電子受容面は、電子感応性ＣＭＯＳイメージセンサを含む、請求項１４に記載の微光センサ。
16. 前記電子受容面は、電子感応性ＣＣＤイメージセンサを含む、請求項１４に記載の微光センサ。
17. 前記電子受容面は、マイクロチャンネルプレートの表面を含む、請求項１４に記載の微光センサ。
18. 前記フォトカソードに面するマイクロチャンネルプレートの電子受容面をさらに含み、前記マイクロチャンネルプレートの出力が出力窓の蛍光体層に重ねられた薄い導電層に面している、請求項１４に記載の微光センサ。
19. 前記フォトカソードに面するマイクロチャンネルプレートの電子受容面をさらに含み、１つ以上の積層された前記マイクロチャネルプレートの出力が薄い導電層に面している、請求項１４に記載の微光センサ。