JP2006520851A - 有機金属気相沈殿によって基板に化合物を析出させる方法 - Google Patents
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Abstract
寄生的沈殿の発生なしにメチル有機気相沈殿によって基板に化合物を析出させる方法を提供すること
【解決手段】
この発明は、少なくとも一つのキャリアガスと少なくとも一つの有機金属とから成る第一混合物と、少なくとも一つのキャリアガスと少なくとも一つのグループV化合物或いはグループVI化合物とから成る第二混合物とから成り、両混合物がMOCVD装置へ別々に供給され、有機金属気相沈殿によって基板に化合物を析出させる方法に関する。少なくとも一つのキャリアガスと少なくとも一つの有機金属とから成る第一混合物は、この発明によると、基板と少なくとも一つのキャリアガスと少なくとも一つのグループV化合物或いはグループVI化合物とから成る第二混合物との間の装置に供給される。これによって、好ましくは、寄生的沈殿がMOCVD装置の壁に生じないことが奏される。それ故に、析出率は従来の技術水準の方法に比べて上昇される。
Description
・3/2方路弁(V1、V2):1/4インチVCR−FFF
・3/2方路弁(V3)手動操作され、組立てられたパネル弁(ボシュ社)0820 402 024 3/2 WV NG4(1/8インチ)
・ステンレス鋼パイプ8/8インチ電気研磨された
・空圧ホース1/8インチ
┌──────────┬──────────┬──────────┬─────┐
│ 層化合物 │ 有機体 │グループV・グループ│キャリアガ│
│ │ │VI- 化合物 │ス │
├──────────┼──────────┼──────────┼─────┤
│アルミニウムガリウム│TMAI(トリメチル│AsH3 (アルシン)│H2 ,N2 │
│砒化物((AlGa)│アルミニウム)、 │TBAs(第三ブチル│,Ar │
│As) │TMGa(トリメチル│アルシン) │ │
│ │ガリウム)、TEGa│ │ │
│ │(トリエチルガリウム│ │ │
├──────────┼──────────┼──────────┼─────┤
│ガリウム砒化物(Ga│TMGa,TEGa │AsH3 ,TBAs │H2 ,N2 │
│As) │ │ │,Ar │
├──────────┼──────────┼──────────┼─────┤
│ │ │ │ │
│アルミニウム砒化物(│TMAl,TEAl │AsH3 ,TBAs │H2 ,N2 │
│AlAs) │ │ │,Ar │
├──────────┼──────────┼──────────┼─────┤
│ガリウムインジウム砒│TMGa,TEGa,│AsH3 ,TBAs │H2 ,N2 │
│化物((GaIn)A│TMIn │ │,Ar │
│s) │ │ │ │
├──────────┼──────────┼──────────┼─────┤
│インジウム燐化物( │TMIn │PH3 ,TBP │H2 ,N2 │
│InP) │ │ │,Ar │
├──────────┼──────────┼──────────┼─────┤
│アルミニウムガリウム│TMAl,TEAl,│PH3 (燐酸),TB│H2 ,N2 │
│インジウム燐化物((│TMGa,TEGa,│P(第三ブチル燐化物│,Ar │
│AlGaIn)P) │TMIn(トリメチル│) │ │
│ │インジウム) │ │ │
├──────────┼──────────┼──────────┼─────┤
│ガリウムインジウム燐│TMGa,TEGa,│PH3 ,TBP │H2 ,N2 │
│化物((GaIn)P│TMIn │ │,Ar │
│) │ │ │ │
├──────────┼──────────┼──────────┼─────┤
│アルミニウムインジウ│TMAl,TEAl,│PH3 ,TBP │H2 ,N2 │
│ム燐化物((AlIn│TMIn │ │,Ar │
│)P) │ │ │ │
├──────────┼──────────┼──────────┼─────┤
│ガリウムインジウム砒│TMGa,TEGa,│AsH3 ,TBAs,│H2 ,N2 │
│素燐化物((GaIn│TMIn │PH3 ,TBP │,Ar │
│)(AsP)) │ │ │ │
├──────────┼──────────┼──────────┼─────┤
│アルミニウムガリウム│TMAl,TEAl,│AsH3 ,TBAs,│H2 ,N2 │
│インジウム砒素燐化物│TMGa,TEGa,│PH3 ,TBP │,Ar │
│((AlGaIn)(│TMIn │ │ │
│AsP)) │ │ │ │
├──────────┼──────────┼──────────┼─────┤
│アルミニウム窒化物(│TMAl,TEAl │NH3 (アンモニア)│H2 ,N2 │
│AlN) │ │ │,Ar │
├──────────┼──────────┼──────────┼─────┤
│ガリウム窒化物 │TMGa,TEGa │NH3 │H2 ,N2 │
│(GaN) │ │ │,Ar │
├──────────┼──────────┼──────────┼─────┤
│インジウム窒化物 │TMIn │NH3 │H2 ,N2 │
│(InN) │ │ │,Ar │
├──────────┼──────────┼──────────┼─────┤
│アルミニウムガリウム│TMAl,TEAl,│NH3 │H2 ,N2 │
│インジウム窒化物 │TMGa,TEGa,│ │,Ar │
│((AlGaIn)N│TMIn │ │ │
│) │ │ │ │
├──────────┼──────────┼──────────┼─────┤
│ガリウムインジウム窒│TMGa,TEGa,│NH3 │H2 ,N2 │
│化物((GaIn)N│TMIn │ │,Ar │
│) │ │ │ │
├──────────┼──────────┼──────────┼─────┤
│ガリウムアンチモン │TMGa,TEGa,│TMSb(トリメチル│H2 ,N2 │
│(GaSb) │ │アンチモン), │,Ar │
│ │ │TESb(トリエチル│ │
│ │ │アンチモン) │ │
├──────────┼──────────┼──────────┼─────┤
│アルミニウムアンチモ│TMAl,TEAl │TMSb,TESb │H2 ,N2 │
│ン(AlSb) │ │ │,Ar │
├──────────┼──────────┼──────────┼─────┤
│インジウムアンチモン│TMIn │TMSb,TESb │H2 ,N2 │
│(InSb) │ │ │,Ar │
├──────────┼──────────┼──────────┼─────┤
│アルミニウムインジウ│TMAl,TEAl,│TMSb,TESb │H2 ,N2 │
│ムアンチモン │TMIn │ │,Ar │
│((AlIn)Sb)│ │ │ │
├──────────┼──────────┼──────────┼─────┤
│ガリウムインジウムア│TMGa,TEGa,│TMSb,TESb │H2 ,N2 │
│ンチモン │TMIn │ │,Ar │
│((GaIn)Sb)│ │ │ │
├──────────┼──────────┼──────────┼─────┤
│ガリウム砒化アンチモ│TMGa,TEGa │AsH3 ,TBAs,│H2 ,N2 │
│ン(Ga(AsSb)│ │TMSb,TESb │,Ar │
├──────────┼──────────┼──────────┼─────┤
│アルミニウム砒化アン│TMAl,TEAl,│AsH3 ,TBAs,│H2 ,N2 │
│チモン │ │TMSb,TESb │,Ar │
│(Al(AsSb))│ │ │ │
├──────────┼──────────┼──────────┼─────┤
│インジウム砒化アンチ│TMIn │AsH3 ,TBAs,│H2 ,N2 │
│モン(In(AsSb│ │TMSb,TESb │,Ar │
│)) │ │ │ │
├──────────┼──────────┼──────────┼─────┤
│ガリウムインジウム砒│TMGa,TEGa,│AsH3 ,TBAs,│H2 ,N2 │
│化アンチモン (( │TMIn │TMSb,TESb │,Ar │
│GaIn)(AsSb│ │ │ │
│)) │ │ │ │
├──────────┼──────────┼──────────┼─────┤
│ガリウム燐化アンチモ│TMGa,TEGa,│PH3 ,TBP, │H2 ,N2 │
│ン(Ga(PSb) │ │TMSb,TESb │,Ar │
├──────────┼──────────┼──────────┼─────┤
│インジウム燐化アンチ│TMIn │PH3 ,TBP, │H2 ,N2 │
│モン(In(PSb)│ │TMSb,TESb │,Ar │
├──────────┼──────────┼──────────┼─────┤
│インジウム燐化砒化ア│TMIn │PH3 ,TBP, │H2 ,N2 │
│ンチモン │ │AsH3 ,TBAs,│,Ar │
│(In(PAsSb)│ │TMSb,TESb │ │
├──────────┼──────────┼──────────┼─────┤
│カドミニウムテルル酸│DMCd(ジメチルカ│DETe(ジエチルテ│H2 ,N2 │
│(CdTe) │ドミニウム) │ルル),DMTe(ジ│,Ar │
│ │ │メチルテルル), │ │
│ │ │DIPte(ジイソプ│ │
│ │ │ロピルテルル) │ │
├──────────┼──────────┼──────────┼─────┤
│水銀テルル酸 │Hg(水銀) │DETe │H2 ,N2 │
│(HgTe) │ │ │,Ar │
├──────────┼──────────┼──────────┼─────┤
│カドミニウム水銀テル│DMCd,Hg │DETe │H2 ,N2 │
│ル酸 │ │ │,Ar │
│((CdHg)Te)│ │ │ │
│ │ │ │ │
├──────────┼──────────┼──────────┼─────┤
│硫化亜鉛(ZnS) │DMZn(ジメチル亜│H2 S(硫化水素),│H2 ,N2 │
│ │鉛),DEZn(ジエ│DES(ジエチル硫黄│,Ar │
│ │チル亜鉛) │),DTBS(第三ブ│ │
│ │ │チル硫黄) │ │
├──────────┼──────────┼──────────┼─────┤
│セレン酸亜鉛 │DMZn(ジメチル亜│DMSe(ジメチルセ│H2 ,N2 │
│(ZnSe) │鉛),DEZn(ジエ│レン),DESe(ジ│,Ar │
│ │チル亜鉛) │エチルセレン), │ │
│ │ │DIPSe(ジイソプ│ │
│ │ │ロピルセレン), │ │
│ │ │DTBSe(第三ブチ│ │
│ │ │ルセレン) │ │
├──────────┼──────────┼──────────┼─────┤
│バリウムストロンチウ│Ba(thd)2,Sr(thd│O2 ( 酸素) ,O3 ( │N2 ,Ar│
│ムチタネート │)2,( バリウム/ スト│オゾン) ,N2 O( 一│ │
│(BaSr)TiO3 │ロンチウムテトラメチ│酸化窒素) │ │
│ │ル- ヘプタンディネー│ │ │
│ │ト), │ │ │
│ │Ba(hfa)2,Sr(hfa│ │ │
│ │)2,( バリウム/ スト│ │ │
│ │ロンチウムヘクサフル│ │ │
│ │オロアセチルアセトネ│ │ │
│ │ート) ,TIP(チタ│ │ │
│ │ンテトラキスイソプロ│ │ │
│ │ポキシド),TTB(│ │ │
│ │チタンテトラキステル│ │ │
│ │ティールブトキシド)│ │ │
│ │ │ │ │
├──────────┼──────────┼──────────┼─────┤
│鉛ジルコネートチタネ│TEL(テトラエチル│O2 ( 酸素) ,O3 ( │ │
│ート ( │鉛),TBL(テトラ│オゾン) ,N2 O( 一│ │
│Pb(ZrTi)O3 │フェニール鉛), │酸化窒素) │ │
│) │Pb(thd)2(鉛テトラ│ │ │
│ │メチルヘプタンディネ│ │ │
│ │ート),ZTB(ジル│ │ │
│ │コンテトラキステルテ│ │ │
│ │ィールブトキシド),│ │ │
│ │ZIP(ジルコンテト│ │ │
│ │ラキスイソプロポキシ│ │ │
│ │ド),TIP,TTB│ │ │
├──────────┼──────────┼──────────┼─────┤
│バリウムチタネート │Ba(thd)2,Ba(hfa│O2 ( 酸素) ,O3 ( │ │
│(BaTiO3 ) │)2,TIP,TTB │オゾン) ,N2 O( 一│ │
│ │ │酸化窒素) │ │
├──────────┼──────────┼──────────┼─────┤
│鉛バリウムチタネート│TEL,TBL, │O2 ( 酸素) ,O3 ( │ │
│(PbBa)TiO3 │Pb(thd)2Ba(thd)2│オゾン) ,N2 O( 一│ │
│) │,Ba(hfa)2,TIP│酸化窒素) │ │
│ │,TTB │ │ │
├──────────┼──────────┼──────────┼─────┤
│鉛バリウムジルコネー│TEL,TBL, │O2 ( 酸素) ,O3 ( │ │
│トチタネート │Pb(thd)2,Ba(thd│オゾン) ,N2 O( 一│ │
│(PbBa)(ZrT│)2,ZTB,ZIP,│酸化窒素) │ │
│i)O3 ) │Ba(hfa)2,TIP,│ │ │
│ │TTB │ │ │
├──────────┼──────────┼──────────┼─────┤
│ハフニウム酸 │Hf( NR1 R2)4 (│O2 ( 酸素) ,O3 ( │ │
│(HfO2 ) │ハフニウムアミド)例│オゾン) ,N2 O( 一│ │
│ │えば:ハフニウムジメ│酸化窒素) │ │
│ │チルアミド,ハフニウ│ │ │
│ │ムジエチルアミド,ハ│ │ │
│ │フニウムメチルエチル│ │ │
│ │アミド; │ │ │
│ │Hf( OR )4 (ハフ│ │ │
│ │ニウムアルコキシド)│ │ │
│ │例えば:ハフニウムメ│ │ │
│ │トキシド,ハフニウム│ │ │
│ │テルテールブトキシド│ │ │
│ │Hf( ONR2 )4(ハ│ │ │
│ │フニウムハイドロキシ│ │ │
│ │ルアミド)例えば:ハ│ │ │
│ │フニウムハイドロジエ│ │ │
│ │チルアミド │ │ │
│ │Hf( Ot Bu )2 (│ │ │
│ │mmp)2 ハフニウム│ │ │
│ │ジテールティートブチ│ │ │
│ │ルオキシド- ジ(1- メ│ │ │
│ │トキシル- 2-メチル- │ │ │
│ │2-プロパノレートと、│ │ │
│ │Hf( mmp)4 :ハフ│ │ │
│ │ニウムテトラ-(1-メト│ │ │
│ │キシル- 2-メチル- 2-│ │ │
│ │プロパノレート) │ │ │
├──────────┼──────────┼──────────┼─────┤
│アルミニウムインジウ│TMAl,TEAl,│AsH3 ,TBAs │H2 ,N2 │
│ム砒化物 │TMIn │ │,Ar │
│((AlIn)As)│ │ │ │
└──────────┴──────────┴──────────┴─────┘
2.....基板
3.....壁
4.....ガス入口
5.....ガス入口
6.....受納器
7.....冷却部
51....導管
52....導管
53....導管
V1,V2,V3...弁
Claims (17)
- 少なくとも一つのキャリアガスと少なくとも一つの有機金属とから成る第一混合物と、少なくとも一つのキャリアガスと少なくとも一つのグループV化合物或いはグループVI化合物とから成る第二混合物とから成り、両混合物がMOCVD装置へ別々に供給され、有機金属気相沈殿によって基板に化合物を沈殿させる方法において、少なくとも一つのキャリアガスと少なくとも一つの有機金属とから成る第一混合物は基板と少なくとも一つのキャリアガスと少なくとも一つのグループV化合物或いはグループVI化合物とから成る第二混合物との間の装置に供給されることを特徴とする方法。
- 第一混合物のために少なくとも一つのグループII化合物が有機金属として選定されることを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 有機金属としてジメチル亜鉛を備えることを特徴とする請求項1或いは請求項2に記載の方法。
- 有機金属として(Ba,Sr)化合物を備えることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか一項に記載の方法。
- 第一混合物のために少なくとも一つのグループIII化合物が有機金属として選定されることを特徴とする請求項1乃至4のいずれか一項に記載の方法。
- 有機金属としてトリメチルガリウム及び/又はトリメチルアルミニウム及び/又はトリメチルインジウムを備えることを特徴とする請求項1乃至5のいずれか一項に記載の方法。
- 第一混合物のために少なくとも一つのグループIV化合物が有機金属として選定されることを特徴とする請求項1乃至6のいずれか一項に記載の方法。
- 有機金属としてイソプロピ酸チタンを備えることを特徴とする請求項1乃至7のいずれか一項に記載の方法。
- AsH3 及び/又はPH3 及び/又はNH3 はグループV化合物として選定されることを特徴とする請求項1乃至8のいずれか一項に記載の方法。
- 酸素或いはジエチルテルルはグループVI化合物として選定されることを特徴とする請求項1乃至9のいずれか一項に記載の方法。
- III/V化合物及び/又はIIーVI化合物が沈殿されることを特徴とする請求項1乃至10のいずれか一項に記載の方法。
- GaN,AlN或いはInN或いはこれら化合物の合金が沈殿されることを特徴とする請求項1乃至11のいずれか一項に記載の方法。
- 酸化物、特に(Ba,Sr)チタン酸塩が沈殿されることを特徴とする請求項1乃至12のいずれか一項に記載の方法。
- 水素及び/又は窒素及び/又はアルゴンがキャリアガスとして使用されることを特徴とする請求項1乃至13のいずれか一項に記載の方法。
- 装置にガスを柔軟に導入する手段を備えることを特徴とする少なくとも二つのガス入口(4、5)を備える気相沈殿用MOCVD装置。
- ガス入口(4、5)と装置に供給されるガス用の供給容器との間にガス収集ライン(51、52、53)が設けられ、それらラインに少なくとも二つの弁(V1,V2,V3)が配列されることを特徴とする請求項15に記載のMOCVD装置。
- 基板はSiC,サファイア,珪素,InP(インジウム燐化物),InAs(インジウム砒化物),GaAs(ガリウム砒化物),GaN(ガリウム窒化物),AlN(アルミニウム窒化物),GaSb(ガリウムアンチモン酸塩)及び/又はGaP(ガリウム燐化物)から選定されることを特徴とする請求項1乃至14のいずれか一項に記載の方法。
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