KR101105629B1 - 유기금속 화학 기상 증착에 의하여 기판상에 화합물을증착하는 방법 - Google Patents

유기금속 화학 기상 증착에 의하여 기판상에 화합물을증착하는 방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 유기금속 화학 기상 증착에 의하여 기판상에 화합물을 증착하는 방법에 관한 것이며, 제 1혼합물은 적어도 하나의 운반가스 및 적어도 하나의 유기금속 화합물을 포함하고, 제 2혼합물은 적어도 하나의 운반가스 및 적어도 하나의 V족 화합물 또는 VI족 화합물을 포함하며, 두 혼합물은 개별적으로 MOCVD 시스템으로 공급된다. 본 발명에 의하여, 적어도 하나의 운반가스 및 적어도 하나의 유기금속 화합물을 포함하는 제 1혼합물은 적어도 하나의 운반가스 및 적어도 하나의 V족 화합물 또는 VI족 화합물을 포함하는 제 2혼합물과 기판 사이에서 시스템 내로 들어가며, 이것은 MOCVD 시스템의 벽상에 기생 증착물을 발생시키지 않는 이로운 효과를 가진다. 따라서, 증착률이 선행 기술에 공지된 방법에 비하여 증가한다.
Figure 112005052555270-pct00001
증착, 화학 기상 증착, 유기금속

Description

유기금속 화학 기상 증착에 의하여 기판상에 화합물을 증착하는 방법{METHOD FOR DEPOSITING COMPOUNDS ON A SUBSTRATE BY MEANS OF METALORGANIC CHEMICAL VAPOR DEPOSITION}
본 발명은 유기금속 가스상 증착에 의하여 기판상에 화합물을 증착하는 방법에 관한 것이다.
유기금속 가스상 증착 (유기금속 화학 기상 증착(MOCVD))은 전자 부품, 예를 들어, 휴대용 고속 트랜지스터 또는 발광 다이오드에 사용될 수 있는 착물 배열의 층구조를 만드는 방법이다. 공지의 실리콘 구조와는 달리, 이러한 구조는 하나의 원소가 아니라 둘 또는 그 이상의 원소로 구성된다. 따라서 이들은 또한 화합물 반도체로 부를 수 있다. 유기금속 가스상 증착은 소위 MOCVD 장치에서 수행되어진다.
MOCVD 장치를 가지고, 다른 층들 가운데 질화물 층이 증착될 수 있고, GaN, InN 또는 AlN과 같은 두가지 원소 또는 GaInN 또는 AlGaN과 같은 그 이상의 원소로 구성될 수 있다.
이러한 화합물은 기판으로 사용되는 질화물에 대하여 유사한 결정 특성을 가지는, 질화물 화합물, 사파이어(Al2O3) 또는 탄화실리콘(SiC) 또는 실리콘의 단일결 정 증착에 대하여 이성분 또는 삼성분 시스템이라 부른다.
III족 질화물은 InN에 대한 1.9eV 에서부터 질화 알루미늄 AlN에 대한 6.2eV 까지의 직접적인 밴드 갭을 가지는 대표적인 반도체 시스템을 모두 포함한다.
이러한 질화물 층은 전기적인 흥분상태 상에서 가시광선 스펙트럼의 청색 부분에서 발광할 수 있기 때문에 경제적으로 매우 의미가 있으며, 따라서, 대응하는 에너지 범위에서 유용한 광전자 화합물을 만드는 데 사용될 수 있다. 이러한 예로써, GaN 기재상의 pn 발광 다이오드가 있다.
질화물 층의 유기금속 가스상 증착에 대하여, 갈륨, 인듐 또는 알루미늄의 가스상 화합물 뿐만 아니라 소위 전구물질로서 NH3를 필요로 한다. 갈륨의 경우에, 예를 들어 트리메틸갈륨(TMG)과 같은 유기금속이 사용된다. 수소와 같은 운반가스에 의하여, 전구물질은 장치의 반응 구획으로 운반된다. 가열될 수 있는 단일결정체의 매우 얇은 디스크(웨이퍼) 기판을 마련한다. 웨이퍼는 기판 위에 온도 및 가스상의 전구물질의 균일한 분포가 되게 하기 위하여 소위 서셉터(susceptor) 상에 회전하도록 설치된다. 적외선 방사기 또는 고주파 가열로 서셉터 및 기판이 가열된다. 기판의 온도는 증착되어 있는 물질 시스템에 따라 의존적으로 약 1500℃에 도달한다. 이 범위는 또한 고온 구역으로 명명된다.
기판상에 증착하기 위하여, 전구물질은 변형된다. 이것은 기판상의 운반가스 분자의 충돌에 의하여 또는 기판에 의하여 방출되는 열의 결과로써 기체상에서 이미 부분적으로 일어난다. 분자 단편은 기판 표면상에 증착된다. 고온의 결과로써, 원 전구물질 화합물은 분해되고, GaN, InN 또는 AlN과 같은 새로운 화합물을 형성하기 위하여 반응한다. 이러한 방법으로 새로운 층은 GaN, InN 또는 AlN로서 원자층 뒤에 원자층으로 웨이퍼 상에서 성장하게 된다. 출발 분자의 잔기, 예를 들어, TMG로부터의 메틸기 및 수소는 메탄을 형성하기 위하여 서로서로 부분적으로 결합한다. 증착 또는 부착되지 않는 분자 및 분자 단편은 표면으로부터 떨어져서, 메탄과 같이 운반가스 기류와 함께 운반되어, 제거하기 위하여 MOCVD로부터 가스 세정 시스템, 소위 스크러버로 방출된다.
MOCVD 장치는 보통 2개의 가스 입구 및 장치 내에 도입되는 가스 기류를 분할하기 위한 설비를 가지며, 이러한 설비는 산-염기 부가물의 형성을 너무 빨리 이끌게 하는 장치 내의 순간적인 반응을 피할 수 있도록 하기 위한 것이다. 이러한 목적으로, 분할 또는 분리 플레이트가 장치의 가스 입구의 하류에 배치되어 MOCVD 장치가 상부 및 하부 공간으로 구획된다. 장치 외부에, 가스 공급 라인 또는 매니폴드가 공급관에 연결될 수 있도록 제공된다. 이러한 공급관에, 출발 물질은 예를 들어, 한쪽에서는 유기금속 및 다른 쪽에서는 V족 또는 VI족 화합물로 준비하여 가지고 있다.
지금까지 장치의 구획 내에 가스를 자유자재로 분배하는 것이 가능하지 않은 것이 결점이다.
상기 기재한 기술, 예를 들어, MOCVD 장치에서 가스상 증착에 의하여 III족 질화물 층의 형성에서, 운반가스(H2, N2, 아르곤)와 함께 전구물질이 각각 장치 내 에 개별적으로 공급된다. 가스 기류는 성장 온도에서 질소가 휘발성이 될 수 있는 안정적인 질화물 표면을 확보하기 위하여 장치의 고온 구역에서 먼저 혼합되고, 당해 기술상태에 의한 운반가스/NH3 혼합물 (V족 화합물)이 운반가스/유기금속 혼합물 보다 기판에서 성장 표면에 더 가까이 국부적으로 도입된다. 결과적으로, 기판의 고온 표면은 질소를 암모니아로부터 유리시키고 기판상에서 반응을 위하여 이용가능하게 한다. 이러한 접근은 또한 다른 화합물의 증착에도 사용되어져 왔다.
이러한 시스템의 결점은 형성되는 질화물이 또한 장치의 고온의 벽상에 급속히 기생적으로 증착하는 경향이 있다는 것이다. 이러한 증착물의 성질 및 두께는 방법에 따라 다르다. 기생 증착물은 출발 화합물의 촉매 분해에 의해 기판상에 성장에 변이를 일으키고 결과적으로 가스상에서 농도의 감소를 야기한다. 증착된 화합물은 어두운 착색이 되기 때문에, 그것들은 기체상 온도 및 기판의 표면 온도에 영향을 미친다. 따라서, 질화물 층은 기판 상에 재생가능하게 형성될 수 없다.
기생 증착물은 짧은 시간 후 벽으로부터 조각 조각 벗겨지고, 그런후 입자들은 기판 또는 샘플 상에서 장치의 기생-증착-코팅된 부분으로부터 떨어질 수 있고, 거기에 도포되는 층의 특징 상에 해로운 효과를 가질 수 있다.
이러한 문제점의 해결책으로써, 기생 증착에 의해 코팅되고, 기판과 접촉될 수도 있는 장치의 부분이, 기생 증착이 임계 수준까지 축적되어지는 것만큼 빨리 교환되고 세정되는 것이다.
그러나, 이것은 그 사이에 장치가 사용될 수 없기 때문에 불리하게 비용이 많이 든다.
본 발명의 목적은 그러한 기생 증착의 발생 없이 유기금속 가스상 증착에 의하여 기판상에 화합물을 증착하는 방법을 제공하는 것이다.
이러한 목적은 특허청구범위 제 1항의 특징을 가진 방법 및 특허청구범위 제 15항의 특징을 가진 MOCVD 장치에 의하여 달성된다. 이로운 특징은 또한 특허청구범위 각각의 종속항에서 주어진다.
본 발명에 의한 방법에서, 적어도 하나의 운반가스와 적어도 하나의 유기금속 화합물의 제 1혼합물 및 적어도 하나의 운반가스 및 적어도 하나의 V족 화합물 또는 VI족 화합물의 제 2혼합물이 사용되며, 두 혼합물 모두 기판상에 화합물을 증착하기 위한 장치 내에 투입된다. 이 방법은 적어도 하나의 유기금속 화합물이 V족 또는 VI족 화합물 및 기판 사이에 도입되는 것에 특징이 있다. 따라서, 적어도 하나의 유기금속 화합물이 V족 또는 VI족 화합물보다 기판에 더 가까운 위치에서 장치 내에 공급된다.
이러한 것은 이롭게, 증착물이 실제로 원하는 곳에서만, 즉 기판 상에서만 형성되기 때문에, 기생 증착의 두께가 상당히 감소하는 효과를 가진다. 일반적으로 증착률은 증가하며, 코팅 또는 층이 당해 기술상태에 의해 증착된 코팅층에 비하여 더 높은 순도를 가진다.
장치의 벽 및 천장 상의 입자 형성은 최소한도로 감소한다. 장치의 기생 증착에 의하여 코팅된 부분이, 기생 증착으로부터 분리된 물질이 조각조각 벗겨지고 증착된 층을 오염시키는 위험 없이 값비싼 작동으로 교체되어야만 하기 전에, 많은 층이 재생가능하게 증착될 수 있다.
유기금속 화합물은 II족 화합물 또는 III족 화합물 또는 IV족 화합물로부터 선택될 수 있다. 바륨/스트론튬 화합물 (II족) 또는 트리메틸갈륨, 트리메틸알루미늄 및 트리메틸인듐 (III족) 또는 티타늄 이소프록사이드 (IV족)이 구체적으로 단지 예로써 언급된다. V족 화합물로서, NH3 및/또는 AsH3 및/또는 PH3가 사용될 수 있으며, VI족 화합물로서, 산소 또는 텔루르화디에틸이 사용될 수 있다.
본 방법이 그러한 화합물로부터의 선택에 한정되지 않음은 당연하다고 할 것이다. 본 방법은 일반적으로 유기금속 가스상 증착에 의하여 기판상에 화합물의 증착을 위하여 기본적으로 사용될 수 있다. 화합물을 위한 운반가스로서, 수소 및/또는 질소 및/또는 아르곤이 고려되어진다.
예를 들어, GaN의 증착을 위하여, 각각의 경우에 각각의 운반가스로서 수소와 함께, 트리메틸갈륨이 III족 화합물로서 선택되고, NH3가 V족 화합물로서 선택된다.
이러한 경우에, 유기금속/운반가스 혼합물이 NH3/운반가스 혼합물이 도입되는 지점 및 기판 사이에 도입된다. 그러나, 기생 증착을 피하기 위하여 다른 화합물과 함께 본 발명에 의한 방법을 수행하는 것이 본 발명을 제한하지 않고 가능하다.
MOCVD 장치는 적어도 2개의 가스 입구, 제 1혼합물을 위한 제 1입구 및 더 이상의 혼합물을 위한 적어도 하나의 제 2입구를 가진다. 가스 자체는 공급관으로부터 얻는다. 장치의 가스 입구 및 가스를 위한 공급관 사이에 본 발명에 의한 수단, 특히 소위 가스-집합 라인에 배치된 적어도 2개의 3중 밸브가 있다. 그러나, 이러한 라인에 또한 적당한 신속 연접기가 있을 수 있다.
이것은 장치를 공급관에 연결될 수 있게 하고, 장치가 거기에 새롭게 연결되는 공급관으로부터 분리되는 것을 요구하는 각각의 시간 없이 가스를 자유자재의 방법으로 MOCVD 장치의 여러 가지의 구획 내에 자유자재로 도입되게 한다.
바꾸어 말하면, 그러한 기구의 작동은 그 요구에 근거한 가스를 알맞고 자유자재로 그것들이 요구되는 장치의 부품 내에 공급할 수 있게 한다. 이러한 목적으로 가스 혼합물을 위한 입구가 서로 서로 신속하게 교환될 수 있다.
또한 이러한 목적으로 장치에 다른 구조적인 변경을 제공하는 것을 생각할 수도 있다.
이하에서 본 발명은 여러 가지 구체예 또는 실시예 및 첨부되는 5개의 도면에 근거하여 보다 더 상세하게 설명될 것이다.
도 1은 상부 구획 및 하부 구획을 위하여 2개의 가스 입구(4, 5)를 가지는 당해 기술상태에 의한 MOCVD 장치를 개략적으로 도시한다. 전구물질은 분할 플레이트(1)에 의해 서로로부터 분리되고, 코팅될 기판(2)에 공급된다. MOCVD 장치는 분할 플레이트(1)에 의해 가스 입구(4, 5)의 하류에 상부 챔버 및 하부 챔버로 구획된다. 예를 들어 기판(2)은 2개의 단위 웨이퍼가 될 수 있다. 또한, 본 방법이 기 판의 특정한 크기 또는 형태에 제한되는 것이 아님은 당연하다. 기판(2)은 여기에 회전가능한 플레이트로서 형성되는 서셉터(6)에 설치된다. 장치의 벽은 단지 도면에서 표시된다. 즉, 단 하나의 벽이 실질적으로 도시되며, 즉 본 경우에 벽(3)이다. 꼭대기에서 바라본 방향에서 전면의 벽은 장치의 내부를 볼 수 있게 하기 위하여 도시되지 않았다.
도 2는 서셉터(표시되지 않음)의 상류에 위치된 입구 및 냉각 유니트(7) 사이에 가상의 라인을 따라 장치을 관통하는 단면도이다. 냉각 유니트(7)는 도 2에서만 대표로 도시된다. 본 경우에, 가스 입구(5)는 유기금속/운반가스 혼합물 (TMG/H2)을 도입하기 위하여, 가스 입구(4)는 NH3/운반가스 혼합물 (NH3/H2)를 위하여 제공된다. 가스가 장치 내에 투입된 후, 2개의 가스 기류는 그것이 분할 플레이트(1)의 하류에서 혼합되어 서셉터상의 기판과 접촉할 때까지 분할 플레이트(1)에 의해 처음부터 서로로부터 분리되게 된다. 유기금속/운반가스 혼합물은 기판 및 NH3/운반가스 혼합물 사이에 도입된다.
도 3은 단지 개략적으로 도시되는 냉각 유니트(7) 위와 서셉터(6)의 가까운 앞에서 반응물의 혼합을 도시한다. 보다 조밀한 암모니아/운반가스 혼합물은 유기금속/운반가스 혼합물과 함께 혼합되는 서셉터(6) 상의 기판의 방향으로 확산된다. 전구물질의 분해가 촉매작용으로 가속화되는 그러한 기판상 및 기판상류에 GaN의 석출이 있다. 총 가스 혼합물은 GaN의 지나친 기생 증착을 피하기 위하여 장치의 꼭대기에 닿지 않는다.
도 4a는 당해 기술상태에서 발생하는 GaN의 증착의 경과를 도시한다. X축은 기판 또는 와이퍼를 따르는 국소 좌표계를 도시한다. 와이퍼는 검은색 막대로 표시된다. 1시간 후의 증착률이 약 1.3 마이크로미터 GaN에 이르렀다.
본 발명에 의한 방법은, 여기에서 TMG/H2 혼합물이 기판 및 NH3/운반가스 혼합물 사이에 본 발명에 의하여 도입되며 따라서 기판에 보다 근접하여 국부적으로 도입되는, 약 4 내지 5 마이크로미터 GaN의 평균적으로 더 높은 증착률을 가능하게 한다. 회전가능한 서셉터(6) 때문에, 증착물이 와이퍼를 따라 균일하게 분포될 수 있다 (도 4b). 와이퍼 전방의 더 높은 증착률은 이러한 와이퍼 상의 더 높은 순도를 가지는 GaN의 증착을 가능하게 한다.
이러한 후자의 경우에 더 높은 증착률은 장치 벽상의 기생 증착의 결과로서 기체상이 감소하지 않는다는 사실의 결과이다. 따라서, 가스는 기판상에 증착하기 위하여 이용가능하게 남게된다.
도 2-4에서 도시된 GaN의 증착은 단지 예로써 주어진 것이다. 본 발명의 다른 예는 텔루륨화아연의 증착이다.
이 경우에, 기판 및 VI족 화합물 텔루르화디에틸 사이에 II족 화합물 디메틸아연이 장치 내에 공급된다.
둘 또는 셋의 유기금속의 혼합물이 산소와 기판 사이에서 장치 내로 공급되기 위하여, 유전체 티탄산 (Ba, Sr)의 증착 또한 가능하다. 예를 들어, 유기금속은 바륨 및 스트론튬의 디케토네이트의 혼합물 및 티타늄 이소프록사이드와 같은 티탄늄의 알콕사이드를 포함한다. 따라서, 기판과 산소 사이에, VI족 화합물의, 이러한 유기금속의 혼합물이 장치 내로 공급된다.
또한, 표 1에 주어진 것과 같은 유기 금속 및 V족 또는 VI족 화합물의 적당한 결합으로부터 각각으로부터의 층에서 각각의 화합물을 산출하는 것이 가능하다.
도 5는 MOCVD 장치의 가스 입구에 대한 스위치 설비를 도시한다. 집합 라인(52)은 운반가스/유기금속 가스 혼합물을 위한 공급관(표시없음)과 연결되고 뉴매틱 3/2-웨이 밸브 V2를 포함한다. 집합 라인(51)은 운반가스/V족 또는 VI족 가스 혼합물을 위한 공급관과 연결되고 뉴매틱 3/2-웨이 밸브 [3 포트/2 포지션 밸브] V1을 포함한다. 밸브 V1과 V2는 가스 입구의 상부 구획(4') 및 하부 구획(5')과 각각의 라인을 통하여 연결된다. 밸브 V2의 무압력 상태에서, 밸브가 상부 구획으로 열리며, 밸브 V2의 감압 상태에서 밸브는 상부 구획으로 열리고, 밸브 V1의 감압 상태에서 밸브는 하부 구획(5')으로 열린다 (도 5 참조). 가스는 당해 기술상태에서 장치 내로 도입된다.
밸브 V1 및 V2 둘 모두는 수동으로 작동되는 밸브 V3 위의 N2 압력 라인(53)에 연결되고 그것에 의해 스위치가 돌려질 수 있다. 이 경우에, 운반가스 및 적어도 하나의 유기금속의 혼합물은 구획(5') 내의 압력 하에서 공급되고, 따라서 서셉터(6) 상의 기판 및 운반가스와 적어도 하나의 V족 또는 VI족 화합물의 혼합물 사이에 가스 혼합물이 구획(4') 내에 공급된다. 도 1에서 분할 플레이트(1)는 대표적으로 도시되는 것이고, 도 1 및 도 3에서 도시되는 것과 같이 서셉터(6)까지 연장된다. 따라서, 서로 다른 가스 혼합물이 하나 및 동일한 구획(4' 및 5')에 동시에 결코 존재할 수 없다는 것이 확실하다. 이러한 종류의 개선으로 인하여 장치의 상부 및 하부 구획(4', 5') 내에 가스 혼합물의 확실한 그리고 동시에 자유자재의 공급이 가능하게 된다.
부품 목록:
3/2-웨이 밸브 (V1, V2) : 1/4 인치 VCR-FFF
3/2-웨이 밸브 (V3) 수동 조작, 패널이 내장된 밸브(보쉬) 0820 402 024 3/2 WV NG4 (1/8 인치)
스테인레스 스틸 파이프 8/8 인치 전자연마
뉴매틱 관 1/8 인치
층 화합물 유기금속 V족/VI족 화합물 운반가스
비소화알루미늄갈륨
((AlGa)As)		 TMAl (트리메틸알루미늄)
TEAl (트리에틸알루미늄)
TMGa (트리메틸갈륨)
TEGa (트리에틸갈륨)		 AsH3 (아르신),
TBAs (tert-부틸아르신)		 H2, N2, Ar
비소화갈륨 (GaAs) TMGa, TEGa AsH3, TBAs H2, N2, Ar
비소화알루미늄 (AlAs) TMAl, TEAl AsH3, TBAs H2, N2, Ar
비소화갈륨인듐 ((AlIn)As) TMGa, TEGa, TMIn AsH3, TBAs H2, N2, Ar
비소화알루미늄인듐 ((GaIn)As) TMAl, TEAl, TMIn AsH3, TBAs H2, N2, Ar
인화인듐 (InP) TMIn PH3, TBP H2, N2, Ar
인화알루미늄갈륨인듐
(AlGaInP)		 TMAl, TEAl, TMGa, TEGa,
TMIn (트리메틸인듐)		 PH3 (포스핀),
TBP (tert-부틸포스핀)		 H2, N2, Ar
인화갈륨인듐 ((GaIn)P) TMGa, TMGa, TMIn PH3, TBP H2, N2, Ar
인화알루미늄인듐 ((AlIn)P) TMAl, TEAl, TMIn PH3, TBP H2, N2, Ar
인화비소화갈륨인듐
((GaIn)(AsP))		 TMGa, TEGa, TMIn AsH3, TBAs,
PH3, TBP		 H2, N2, Ar
인화비소화알루미늄갈륨인듐
((AlGaIn)(AsP))		 TMAl, TEAl, TMGa, TEGa,
TMIn		 AsH3, TBAs,
PH3, TBP		 H2, N2, Ar
질화알루미늄 (AlN) TMAl, TEAl NH3 (암모니아) H2, N2, Ar
질화갈륨 (GaN) TMGa, TEGa NH3 H2, N2, Ar
질화인듐 (InN) TMIn NH3 H2, N2, Ar
질화알루미늄갈륨인듐
((AlGaIn)N)		 TMAl, TEAl, TEGa,
TEGa, TMIn		 NH3 H2, N2, Ar
질화갈륨인듐 ((GaIn)N) TMGa, TEGa, TMIn NH3 H2, N2, Ar
안티몬화갈륨 (GaSb) TMGa, TEGa TMSb (트리메틸안티몬), TESb (트리에틸안티몬) H2, N2, Ar
안티몬화알루미늄 (AlSb) TMAl, TEAl TMSb, TESb H2, N2, Ar
안티몬화인듐 (InSb) TMIn TMSb, TESb H2, N2, Ar
안티몬화알루미늄인듐
((AlIn)Sb)		 TMAl, TEAl, TMIn TMSb, TESb H2, N2, Ar
안티몬화갈륨인듐
((GaIn)Sb)		 TMGa, TEGa, TMIn TMSb, TESb H2, N2, Ar
안티몬화비소화갈륨
(Ga(AsSb))		 TMGa, TEGa AsH3, TBAs, TMSb, TESb H2, N2, Ar
안티몬화비소화알루미늄
(Al(AsSb))		 TMAl, TEAl AsH3, TBAs, TMSb, TESb H2, N2, Ar
안티몬화비소화인듐
(In(AsSb))		 TMIn AsH3, TBAs, TMSb, TESb H2, N2, Ar
안티몬화비소화갈륨인듐
((GaIn)(AsSb))		 TMGa, TEGa, TMIn AsH3, TBAs, TMSb, TESb H2, N2, Ar
안티몬화인화갈륨
(Ga(PSb))		 TMGa, TEGa PH3, TBP, TMSb, TESb H2, N2, Ar
안티몬화인화인듐
(In(PSb))		 TMIn PH3, TBP, TMSb, TESb H2, N2, Ar
안티몬화비소화인화인듐
(In(PAsSb))		 TMIn PH3, TBP, AsH3, TBAs, TMSb, TESb H2, N2, Ar
텔루르화카드뮴 (CdTe) DMCd (디메틸카드뮴) DETe (텔루르화디에틸),
DMTe (텔루르화디메틸),
DIPte (텔루르화디이소프로필)		 H2, N2, Ar
텔루르화수은 (HgTe) Hg (수은) DETe H2, N2, Ar
텔루르화카드뮴수은
((CdHg)Te)		 DMCd, Hg DETe H2, N2, Ar
황화아연 (ZnS) DMZn (디메틸아연),
DEZn (디에틸아연)		 H2S (황화수소),
DES (황화디에틸),
DTBS (황화디tert-부틸)		 H2, N2, Ar
셀렌화아연 (ZnSe) DMZn (디메틸아연),
DEZn (디에틸아연)		 DMSe (셀렌화디메틸),
DESe (셀렌화디에틸),
DIPSe (셀렌화디이소프로필), DTBSe (셀렌화디tert-부틸)		 H2, N2, Ar
티탄산바륨스트론튬
((BaSr)TiO3)		 Ba(thd)2, Sr(thd)2, (바륨/스트론튬테트라메틸-헵탄디오네이트),
Ba(hfa)2, Sr(hfa)2, (바륨/스트론튬헥사플루오로아세틸아세토네이트)
TIP (티탄테트라키스이소프로폭사이드),
TTB (티판테트라키스tert부톡사이드)		 O2 (산소),
O3 (오존),
N2O (아산화질소)		 N2, Ar
아연티탄산납
(Pb(ZrTi)O3)		 TEL (테트라에틸납), TBL (테트라페닐납)
Pb(thd)2 (납테트라에틸헵탄디오네이트)
ZTB (아연테트라키스tert부톡사이드),
ZIP (아연테트라키스이소프로폭사이드),
TIP, TTB		 O2 (산소),
O3 (오존),
N2O (아산화질소)
티탄산바륨
(BaTiO3)		 Ba(thd)2, Ba(hfa)2, TIP, TTB O2 (산소),
O3 (오존),
N2O (아산화질소)
티탄산납바륨
((PbBa)TiO3)		 TEL, TBL, Pb(thd)2, Ba(thd)2, Ba(hfa)2, TIP, TTB O2 (산소),
O3 (오존),
N2O (아산화질소)
아연티탄산납바륨
((PbBa)(ZrTi)O3)		 TEL, TBL, Pb(thd)2, Ba(thd)2, ZTB, ZIP, Ba(hfa)2, TIP, TTB O2 (산소),
O3 (오존),
N2O (아산화질소)
산화하프늄
(HfO2)		 Hf(NR1R2)4 (하프늄아미드) 예:
하프늄디메틸아미드, 하프늄디에틸아미드,
하프늄메틸에틸아미드;
Hf(OR)4 (하프늄알콕사이드) 예:
하프늄메톨사이드, 하프늄테트라부톡사이드; Hf(ONR2)4 (하프늄히드록시아미드) 예:
하프늄히드록시디에틸아미드;
Hf(OtBu)2(mmp)2 하프늄디tert부톡사이드-디(1-메톡시-2-메틸-2-프로판올레이트 및 Hf(mmp)4 하프늄 테트라-(1-메톡시-2-메틸-2-프로판올레이트)		 O2 (산소),
N2O (아산화질소)

Claims (17)

  1. 저장 용기로부터 MOCVD 장치 안으로 가스를 도입하기 위한 적어도 2개의 가스 입구 (4, 5) 및 2개의 구획 (4', 5')으로 유니트를 구획화하는 분할 플레이트 (1)를 구비하며, 가스 혼합물이 한 구획 (4')으로 도입되고, 다른 가스 혼합물이 나머지 한 구획 (5')으로 도입되는 화학 기상 증착용 MOCVD 장치로서,
    MOCVD 장치의 가스 입구 (4, 5)와 가스 저장 용기 사이의 가스 집합 라인 (51, 52)에 적어도 2개의 3-방향 밸브 (V1, V2)가 있고, 가스 입구 (4, 5)가 3-방향 밸브 (V1, V2)를 통해 가스 저장 용기까지 연결될 수 있고, 가스 혼합물에 따라서 밸브 (V1, V2)를 통해 MOCVD 장치의 가스 입구 (4, 5)가 전환될 수 있는 것을 특징으로 하는 MOCVD 장치.
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