JP2006520278A - セラミック導体プレートを単体にするための破断デバイス - Google Patents

Abstract

セラミック導体プレート１８をその弱められたライン２０に沿って単体にするための破断デバイス２であり、互いに変位可能な支持プレート１０、１２、支持プレート１０、１２が破断ライン１４に沿って隣接しかつ本質的に平坦な支持表面１６を形成する初期位置から、支持プレート１０、１２が互いに対してある角度で配置される破断位置へ変位されることができる破断トラップ４、６、支持プレート１０、１２に対する破断動作のためにセラミック導体プレートを位置付けるように形成されるピンニングデバイス５２、８、を備え、ピンニングデバイス５２、８は、長手方向に対して狭く横断する細長い係合セクション５８、６０を備え、破断デバイス２は、位置付け要素４４を備え、位置付け要素４４は、弱められたライン２０を破断ラインに整列しかつ破断ラインの上方に連続して位置付けることができるように形成される。

Description

本発明は、セラミック導体プレート上の弱められたラインに沿ってセラミックプレートを単体にするための破断デバイスに関する。詳しくは、支持プレートを有する破断トラップを備え、破断トラップは、互いに対して変位可能であり、かつ支持プレートが破断ラインに沿って隣接しかつ本質的に平坦な支持表面を形成する初期位置から、支持プレートが互いに向かってある角度で配置される破断位置へ変位されることができ、破断デバイスは更に、支持プレートの破断動作のためにセラミックプレートを位置付ける又は固定するように形成されるピンニングデバイスを備える。

このような破断デバイスは、米国特許第５０６９１９５号で知られている。特に、この文献に記載される破断デバイスは、互いに対して変位可能である複数の支持プレートを備え、これら支持プレートは、複数の平行及び垂直な破断ラインに隣接し、かつ互いに接続される。例えば、ばねで負荷が加えられたプランジャのアレイが、１つのプランジャが各支持プレートに提供されるように、支持プレートの上方に設けられる。更に、比較的複雑な駆動デバイスが設けられ、この駆動デバイスを用いて、個々の支持プレートを、互いに対して変位させることができる。この破断デバイスの動作において、セラミック導体プレートは、破断トラップ上に位置付けられ、プランジャアレイは、各プランジャが所定の張力でセラミック導体プレートを押圧するように、下方に移動される。さらなる行程の間、個々の支持プレートは互いに対して移動され、プランジャは、セラミックプレートが破断ラインに沿って座屈させ、かつ、破断する。このとき、プランジャは、個々のハイブリッド回路を中心で押圧することがある。その場合、その上に配置された電子構成部品、又は、ハイブリッド回路全体を損傷する危険性がある。このようなプランジャを有するピンニングデバイスは、非常に望ましくない。
米国特許第５０６９１９５号明細書

そのような破断デバイスは、いわゆるハイブリッド回路を単体にするために使用される。これらは、特に高温の適用、例えば自動車のエンジン区画におけるモータ制御装置、又は電気モータのモータ制御装置において使用されるセラミック基板上の電子構築素子である。しばしば、導体経路及び／又は抵抗器が印刷によって表面に形成され、一方、電子構成部品は、ＭＤ方法によって形成されかつ溶接される。セラミック基板の表面に接合されて配置され、かつその後、樹脂を使用してシールされるだけの「オープン」電子構成部品又はプロセッサがしばしば使用される。このようなハイブリッド回路は感度が高い。したがって、プランジャにハイブリッド回路上のばねで加えられた初期張力を中心に加えることが、米国特許第５０６９１９５号の欠点である。個々の構成部品又は溶接接続を損傷する危険がある。米国特許第５０６９１９５号のさらなる欠点は、同一のサイズのハイブリッド回路のみしか破断できないことである。なぜなら、支持プレートサイズは、破断されることができるハイブリッド回路のグリッドパターンを画するからである。道具を再度調整することは、実際に不可能か又は非常な努力が必要となる。

実際には、セラミック導体プレートの９０％以上が、手で破断されている。原理的に、弱められたラインは、例えばダイヤモンドで描かれ、又は一般にレーザによって形成されかつ基板を貫通して延在しない穿孔によって描かれる。したがって、セラミックプレートのどの側に、弱められたラインが形成されたかに応じる好ましい破断方向が存在する。この好ましい方向は、以下において「破断方向」と呼ばれる。なぜ、これらセラミック導体プレートのほとんどが、いまだ手で単体にされかの理由は、このもろい材料の自動的な破断処置が、多すぎる浪費を生じるからである。なぜなら、単体にされるべきすべてのハイブリッド基板を有するセラミック導体プレートを完全に破壊することがあるからである。個々のハイブリッド回路は、通常、非常に高価であるので、そのような浪費を許容すべきではない。

一般に、２つの異なる欠陥が、セラミック材料を破断するときに生じる。これらの欠陥は、一方は「ワイルドブレーク」であり、他方は「クラムシェルブレーク」である。ワイルドブレークは、所定の弱められたラインとは無関係に基板のすべてにわたって延びて破断する。セラミック材料は、均一な材料ではないため、そのようなワイルドブレークが容易に生じる。クラムシェルブレークは、破断端部での薄片での剥がれ又は欠けである。ワイルドブレークが生じたハイブリッド回路は、使用できなくなることは明らかである。クラムシェルブレークは、即座の故障を導かないが、その動作寿命以前の長期の動作中の故障を導く。そのような欠陥のある破断を避けるために、破断されるべき弱められたラインに局所的に破断力を加え、ハイブリッド回路上にはどこにも破断力を加えないことが非常に望ましい。

発明者の知り得る知識によれば、独国実用新案出願第２９９１９９６１号及び独国特許出願第１０００７６４２号には、有意な範囲でセラミック導体プレートを単体にするために、実際に使用し得る数少ない破断デバイスの１つが記載されている。この破断デバイスは、例えばゴム材料で形成された弾力のある弾性の連続支持プレートを備える。セラミックプレートを確実に保持するために、それは、米国特許第５０６９１９５号のプランジャアレイの代わりに吸引デバイスを備え、その吸引デバイスは、複数の共通に制御された吸引開口の行を備え、吸引開口に、セラミック導体プレート上の単一のハイブリッド回路が設けられる。ロボットアームによって操作される破断ナイフが、破断されるべき弱められたライン上に配置され、その後下方へ移動される。それは、弱められたラインに対して押圧し、それを破断するまで、ゴム支持体に対してこの弱められたラインでセラミック導体プレートを押す。ゴム支持体に蓄積されたエネルギーは、急激に破断点で解放され、追加の力を課し、かつセラミック導体プレートにおけるこれらによって引き起こされる可能な破断をする。この方法において、セラミック導体プレートは破断され、第１の破断ステップにおいて直列に配置された、いくつかのハイブリッド回路の複数の長手方向行に回転される。これらの回路は、グリップされてさらなる単体にするステーションに移送されなければならず、単体にするステーションで、個別のハイブリッド回路を互いに分離するために、これらの行で互いに長手方向に変位される弱められたラインに沿って破断される。この第２の破断デバイスは、原理的に第１の破断デバイスと同じ方法で機能し、かつ応じて構成される。第１の破断デバイスから第２の破断デバイスへハイブリッド回路の行の移送において問題がある。行は、グリッパがグリップすることができるセラミックプレートの個々の断片間に間隔が無いので、それらの長手側からグリップされることができない。したがって、行は、それらの端部によってグリップされなければならない。しかしながら。破断イベントは、行に垂直なこれら破断デバイスでしばしば生じ、各行は、長手方向端部でグリップされかつ次の破断デバイスに移送されることができない。そのような不規則に処理された行は、例えば手によって沿って移動されなければならない。
独国実用新案出願第２９９１９９６１号明細書 独国特許出願第１０００７６４２号明細書

上記従来技術に記載された破断デバイスでは、所定のサイズのハイブリッド回路を比較的容易に単体にすることができる。また、発生する廃棄は許容可能な程度内である。この破断デバイスの欠点は、所定のハイブリッド回路サイズのために設計されることである。有意に異なる測定値を有するハイブリッド回路は、バルブ構成などはもはや適合しないので、特定の破断デバイスで破断されなければならない。したがって、他のハイブリッド回路フォーマットに対して改装することができない。更に、個々のハイブリッドデバイスが小さすぎる場合、例えばある方向に１５ｍｍより小さいときに問題がある。支持体の弾性の結果として、比較的大きな力が、弱められたラインに沿ってハイブリッド回路を破断するために印加されなければない。ハイブリッド回路がより小さくなると、弾性材料が、破断の後で初期位置に戻って移動するときに解放される力がより大きくなる。吸引力が、支持体に個別の行を保持するためにもはや十分ではなく、したがって個々のハイブリッド回路が、制御されない方法で破断されかつ支持表面にわたって分配されることがあることが生じ得る。

通常、従来のすべての破断デバイスは、一方向にだけ破断されることができ、すなわち、セラミックプレートは、セラミック導体プレート上に配置された電子構成部品に対して同一の方向に常に破断される。米国特許第５０６９１０５号においては、セラミック導体プレートの一部が下方へ曲げられて破断が実行される。一方、独国実用新案出願第２９９１９９６１号及び独国特許出願第１０００７６４２号においては、セラミック導体プレートの断片は、互いに対して上方に曲げられて破断が実行される。弱められたラインをセラミック導体プレートに形成する方法は、すでに述べられたが、通常、これらすべての弱められたラインが、清浄な破断を達成するために所定の方向に曲げられる必要がある。したがって、米国特許第５０６９１９５号における弱められたラインは、清浄な破断を達成するためにセラミック導体プレートの上方側に配置されなければならず、一方、独国実用新案出願第２９９１９９６１号及び独国特許出願第１０００７６４２号における弱められたラインは、セラミック導体プレートの後側に配置されなければならない。したがって、破断する方向が製造プロセスの終わりで実行されるべきである、セラミック導体プレートを装備する前に清浄でなければならない。

従来技術の上述された問題に照らして、本発明の目的は、異なるサイズのハイブリッド回路を、最小の廃棄で単体にすることができ、かつ破断力を破断ラインに沿ってだけセラミック導体プレートに伝達することができ、構成の容易な破断デバイスを提供することである。

本発明では、ピンニングデバイスが、好ましくは長手方向を横切って狭い係合の細長いセクションを備え、破断ラインに沿って隣接する２つの支持プレートを備える破断トラップ、及び、弱められたラインが、破断ラインに整列しかつ破断ラインの上方に連続して位置付けることができるように形成される位置付け手段を備える破断デバイスとし、これにより上述の従来タイプの破断デバイスでの問題を解決する。

本発明は、更にセラミック導体プレート上の弱められたラインに沿ってセラミック導体プレートを単体にするための破断デバイスに関し、破断デバイスは、互いに対して変位可能ないくつかの支持プレートを有する破断プレートを備え、破断プレートは、支持プレートが破断ラインに沿って隣接しかつ平坦な支持表面を形成する初期位置から、支持プレートが互いに対してある角度で配置される破断位置へ変位されることができ、破断トラップは、破断ラインに沿って隣接する２つの支持プレートを備え、破断デバイスは更に、
破断ライン上に配置されることができ、かつ破断ラインの方向に移動されることができる破断方向に配置される破断ナイフを備え、更に、
破断ナイフを移動するための駆動装置と、
連続して破断ラインに整列され、かつ、破断ライン上方に、セラミック導体プレートの弱められたラインを配置できるように設計された位置付け要素とを備え、
支持プレートは、破断ナイフの移動の途中の間に破断位置において、破断ラインを越えて下方に変位されるように弾性に配置される。

ピンニングデバイスの細長い係合セクションは、それが、個々のハイブリッド回路又はチップの縁部分に配置されることができ、及びその周りの必要な力を伝達できるように設計される。一般に、第１の構成部品まで各チップに、約０．５ｍｍ〜０．６ｍｍの縁部分が設けられる。位置付けし又は固定するためにチップのこの縁部分を使用することが、本発明の重要な特徴である。この目的のために、ピンニングデバイスは、細長い係合セクションを備え、この細長い係合セクションは、その長手方向に対して横切る方向に狭いものが好ましく、好ましくはナイフエッジのような形態を有する。係合セクションが、１．５ｍｍより狭く、特に１ｍｍより狭く、好ましくは０．１ｍｍ〜０．８ｍｍと狭く、最も好ましくは０．５ｍｍ〜０．７ｍｍと狭いものが特に好ましい。試験では、０．６ｍｍと狭い係合セクションが有用であることが証明されている。ピンニングデバイスの係合セクションの接触表面又は破断ナイフを、摩擦増大又は弾性材料を有するように、例えばそのような材料を有する層を設けることによって形成することが有用であり得る。弾性材料は、所定の角度に対するセラミック導体プレート上の不規則性を補償することができる。ゴムに類似する材料が、有用であることが証明されている。ピンニングデバイスは、例えばその長手方向上に分配されるいくつかの個別要素で形成されることができる。それは、例えばコーム状の形態を有することができる。

ピンニングデバイスは、セラミック導体プレートを位置付けるために、破断を生じさせる弱められたライン上に、又は同様に平行な弱められたライン又はチップ縁部上に位置付けられることができる。ピンニングデバイスは、支持プレートの移動に受動的に加わるように弾性的に設計されることができ、又はピンニングデバイスは、能動的に駆動されることができ、破断動作のために支持プレートを変位させる。能動駆動と弾性構造との組み合わせが提供されることもできる。

この構造のさらなる利点は、セラミック導体プレートが、一方向にだけ支持プレート上に正確に位置付けられることであり、例えば、セラミック導体プレートを、破断させる弱められたラインが破断トラップの破断ライン上に整列されるように位置付けられなければならないことである。したがって、位置付けの要素は、セラミック導体プレートの一端部に対して作用させることで十分であり、例えば、送り方向にセラミックプレートの完全な整列を確実にし、かつ弱められたラインの正確な位置を破断ライン上に接近させる十分に広い位置付け要素を提供するのに十分である。それによって、案内当接部上のセラミックプレートの傾斜又は側方の摩擦は妨げられ、位置付けの間の望ましくない破断をほぼ完全に妨ぐことができる。更に、位置付け要素は、例えば、任意の所望の距離にセラミック導体プレートを送り変位することができる。その結果、異なる位置に配位された弱められたラインを有するセラミック導体プレートを、１つの破断デバイスで単体することができる。異なるグリッドパターンに対する破断デバイスの完全な改装の必要がない。

ステップ状の位置付けのさらなる利点は、ワイルドブレークが発生するときでも、位置付けデバイスがそれぞれの断片を更に沿って移動させ、断片は、その後更に単体にされ、実際に欠陥のあるハイブリッド回路だけが分類されることである。

好ましくは、支持プレートは、破断ラインに隣接する破断ライン端部を備え、破断ライン端部が、破断位置で上方又は下方に選択的に移動されることができるように破断トラップを設計する。破断ライン端部を破断位置で上方へ変位させる間に、ピンニングデバイスの係合セクションは、破断ライン上に位置付けられることが、特に好ましい。これは、弱められたラインに正確な大きさの力を確実にする。ピンニングデバイスの２つの平行な係合セクションを、それぞれ破断ラインに隣接する破断ラインに、又は破断ラインに平行なセラミックプレートの次の縁部に配置するために、上方に破断位置に破断ライン端部の変位の間なら、それは好ましい。代わりに、位置付けデバイスでセラミック導体プレートを固定することも可能であり、それによって、位置付けデバイスの係合セクションは、例えば、弱められたラインに垂直に延びる弱められたラインに配置される。位置付けデバイスが、破断の間に支持プレートの表面に本質的に平行に移動できるように、位置付けデバイスを設計することは有用である。

支持プレートの変位は、例えば、ピンニングデバイスの係合セクションの移動とともに位置付けられる支持プレートの駆動装置によって、能動的に生じることができる。また、これに替えて、係合セクションは、支持プレートを弾性力に対して移動することができる。支持プレートを初期位置に戻す手段を提供することが有用である。前述の従来技術である独国実用新案出願第２９９１９９６１号及び独国特許出願第１０００７６４２号とは対照的に、破断位置への移動経路は、重要なパラメータではない。通常、支持プレートを、数十ミリメートルから数ミリメートルだけそれらの初期位置から変位することで十分である。破断点を越える変位は、セラミック導体プレートに悪影響を及ぼさない。したがって、前述の技術とは対照的に、極めて正確な調節は必要ではない。

下方又は上方に破断トラップの支持プレートの選択的な変位の可能性を有して、セラミック導体プレートを、弱められたラインが配置される側、すなわち構成部品の側又は後側とは無関係に、１つの破断デバイスで破断することが可能である。それぞれ前側及び後側に弱められたラインを備えるセラミック導体プレートを破断することさえ可能である。

「上方」又は「下方」に選択的に破断する可能性は、一方で信頼性良く破断することが可能ではない場合の問題にも関連する。そのような問題で、第１に一方向にセラミック導体プレートを曲げ又は破断し、かつ次に他の方向に個々のチップを信頼性良く単体にすることを実施するために有用であり得る。これは、一般に、破断ラインと平行であるセラミック導体プレートの弱められたライン／縁部セクションと係合するピンニングデバイスの両方の係合セクションによって達成されることができる。下方に破断又は曲げるために、２つの係合セクションの一方は、例えば、折り曲げ、次に破断サイト上に破断ナイフに類似する第２の係合セクションで移動し、セラミック導体プレートを下方へ破断し又は曲げることによって、取り除かれる。原理的に、上方又は下方のいずれかに最初に破断することが可能である。セラミック導体プレートの表面上の金属導体経路が、例えば個々のチップの縁部を越えて延在するときに、そのような問題が存在する。そのようなセラミック導体プレートを第１に下方に破断するとき（これは、弱められたラインの破断ラインであるため）、一般に個々のチップは、まだ導体経路によって接続される。以降に上方に曲げることは、引っ張り応力を導体経路に加え、導体経路を折りかつ最終的に弱められたラインに沿った単体にすることに導く。

好ましくは、ピンニングデバイスの係合セクションは、互いに対して変位可能である。平行な係合セクションを有するピンニングデバイスを用いて、これは、係合セクション間の距離の調節を可能にし、それによって、個々の破断ラインの距離の調節を可能にする。変位は、例えば手で行われることができるが、破断デバイスが、正しい距離に係合セクションを自動的に移動することができるように、自動的な変位が好ましい。

好ましくは、ピンニングデバイスは、破断ナイフを備え、破断ナイフは、破断ライン上に位置付けされ、かつ破断ラインの方向に破断ラインを越えて移動されることができるように、破断デバイスに接続され、支持プレートの破断端部が、破断ナイフの移動の工程の間に破断位置に下方に破断ラインを越えて変位されるように、弾性に配置される。ピンニングデバイスの１つ又は複数の係合セクションは、例えば破断ナイフとして設けられることができる。通常形成されるピンニングデバイスの係合セクションより薄い破断ナイフで係合縁部を形成することが有用であり得る。

支持プレートの破断ラインの端部が、上方又は下方に変位可能であり得ることを述べるときに、この記述は、相対的なものとして理解されるべきであり、特に支持プレートが、上方又は下方に破断ラインに対して旋回されることができる場合も含み、破断ライン端部は、本質的にそれらの位置を維持する。

好ましくは、破断トラップの支持プレートの破断ライン端部は、上方に変位されることができ、更に好ましくは、これら支持プレートは、上方への支持プレートの破断ライン端部の移動の間に、これらの間の間隔が増大し、動作の間にセラミックプレートの断片間の間隔が増大するように配置される。セラミック導体プレートを単体にする原理的な問題は、更に断片を移送することがある。なぜなら、個々の断片は、互いに隣接して非常に近く、グリッパ又は異なる手段で断片をグリップすることは実際には不可能である。本発明の破断デバイスにおいて、この問題は、一般に破断位置から初期位置の上方であるグリッピング位置へ、破断トラップの少なくとも１つの支持プレートを上方へ変位することによって解決される。この上方への移動によって、支持プレート間の距離、及び断片間の距離も、有意に増大される。距離が十分に大きいときに、グリッピングは、その後、断片の更に移送するために実行されることができる。本発明の破断トラップは、したがって４個の動作サイクルを有する。すなわち、（ｉ）支持表面が、初期値である。位置付け要素が、破断ライン上方にセラミック導体プレートを位置付ける。（ｉｉ）破断トラップは、破断位置に移動され、かつセラミック導体プレートは、弱められたラインに沿って破断される。（ｉｉｉ）破断トラップの少なくとも１つの支持プレートは、支持プレートの破断ライン端部間の距離が得られるように、初期位置上方に上げられる。（ｉｖ）破断トラップは、グリッピング位置にあり、セラミック導体プレートの破断された断片は、グリップされかつ移送されて離れ、支持プレートは、初期位置に戻される。

好ましくは、破断デバイスは、移送要素を備え、移送要素は、それが、セラミック導体プレートの断片間の拡大された間隔内に動作的に移動されることができ、その後、断片を離して移送するために変位されることができるように形成される。移送要素は、例えばスライダであることができ、スライダの下方縁部は、移送プレートの移送されるべき部分の縁部又は境界と動作的に接触される。好ましくは、位置付け要素は、同時に移送要素でもあり、特に好ましくは、ピンニングデバイスの係合セクションは、同時に位置付け要素及び移送要素として作用する。ピンニングデバイスは、例えば処理ロボットのアーム上に配置されることができる。そのような処理ロボットは、非常に正確に動作し、セラミックプレートを十分に正確に位置付けることができ、弱められたラインで正確にセラミック導体プレートを破断し、かつ断片の１つを離して移送するためにセラミック導体プレートの断片間のトリッピング位置に形成された間隔内にグリップ又は出ることを比較的容易にする。

好ましくは、結合デバイスは、支持プレートの動作と同期するように破断トラップと関連付けられる。破断トラップの効率は、破断トラップの両方の支持プレートが、破断位置に同じ距離を有するとき、すなわちそれらの移動が同期されるなら最良である。破断ナイフの経路が、本質的に破断トラップの両方の支持プレート間で鈍角の二等分線に沿うなら特に好ましい。

好ましくは、破断デバイスのための制御装置が提供され、制御装置は、破断トラップ、破断ナイフ、位置付け要素、及び／又は移送要素の移動、及び／又は破断方向（破断トラップを「下方」又は「上方」）を調節又は同期し、制御装置は。好ましくは入力インターフェースを備え、その入力インターフェースを介して、単体にされるべきセラミック導体プレートの測定値、及びその上に配置された弱められたラインの位置及び／又は距離を入力することができる。破断されるべきセラミック導体プレートは、一般に、セラミック導体プレート上に行及び列で配置された複数のハイブリッド回路を備える。しばしばセラミック導体プレートは、それでもなおセラミック導体プレートのすべての４つの側面に連続する側方縁部を備え、側方縁部は、前の製造プロセスのためのフレーム又は支持縁部として作用し、弱められたラインに沿った単一の断片への前の製造動作の間にセラミック導体プレートの分解を妨げる。そのようなセラミック導体プレートは、「グリッドル」と呼ばれる。そのようなグリッドルの一般的なサイズは、５．５インチ×７．５インチ、５インチ×７インチ、及び４インチ×６インチである。一般的に、同じサイズのハイブリッド回路が、そのようなグリッドル上に配置され、回路に応じて異なるサイズを有することができる。そのようなハイブリッド回路は、３０ｍｍ×２５ｍｍから１５ｍｍ×１５ｍｍ以下のサイズを有することができる。本発明によるデバイスを用いて、すべてのセラミック導体プレートは、それらのサイズ、縁部の存在、又は単一のハイブリッド回路のサイズに無関係に単体にされることができる。単に、個々の測定値を破断デバイスの制御装置に入力することが必要である。位置付け要素は、次に導体プレートを正しい位置に正しく位置付ける。例えば光学センサ又は検知デバイスなどのセンサを更に備えることができ、それらセンサは、導体プレートが、例えば弱められたラインが破断ラインの上で正しい位置にあるかどうかを決定する。このセラミック導体プレートが必要な測定値を有するなら、セラミック導体プレートの第１の破断の前に、それが決定されることができる検知デバイスを提供することが特に好ましい。これにより、例えば、製造プロセスの間に支持縁部で破断されたセラミック導体プレートが、ひどく破断されることを避けることができる。

好ましくは、位置付け要素によってセラミック導体プレートに伝達される衝撃を遅延する遅延手段が設けられる。一般に、支持プレートとセラミックプレートとの間の摩擦は比較的小さい。位置付け要素によって移動された導体プレートが、位置付け要素によって伝達された運動量のために小片を移動させることがある。いずれの場合でもこれを避けて、セラミック導体プレートの安全で正しい位置付けを確実にするために、遅延手段を提供することが好ましい。遅延手段は、例えば一組の吸引開口から構成されることができ、吸引開口は、例えば破断ラインに近接して配置され、吸引開口を介して空気が、ポンプによって吸引される。これら吸引開口を介する空気流は、過剰に複雑な制御装置が不要であるように、破断デバイスの動作の間に本質的に一定に維持されることができる。これら吸引開口は、それらが、支持体に対してセラミック導体プレートを引っ張り、かつ増大された摩擦を確実にする作用を有する。摩擦は、位置付け要素によるセラミック導体プレートの移送及び位置付けを可能にするようにまだ十分に低い。実際の位置付け箇所を越えるセラミック導体プレート上のさらなる移動が、信頼性良く妨げられるように、それは調節されることができる。

好ましくは、破断デバイスは、回転デバイスを備え、動作の間、処理されるべきセラミック導体プレート及び／又はその断片が支持プレートに垂直な軸の周りで回転されることができる。回転デバイスは、例えば、セラミック導体プレート又は断片がその上に押し付けられる回転プレートである。回転デバイスは、またセラミック導体プレート又は断片を上昇させ、それらを回転し、かつそれらを下げて設置するグリッパであることができる。これに替えて、破断ナイフをその垂直軸の周りで回転可能に形成し、この破断ナイフでセラミック導体プレート又は断片を回転することも想定される。回転の考えは、一般にいくつかのハイブリッド回路が、互いに隣接する列及び行に配置される事実に基づく。それによって、第１の破断動作は、個々の行に沿った分離だけを実行する。ハイブリッド回路は、まだ互いに１つの行で接続される。またこれらを分離するために、それらは、例えば回転され、かつ個々の行への分離のステップが実行されると同一の破断トラップで破断されることができる。例えば、セラミック導体プレートを破断トラップで個々の行に破断し、かつ回転テーブル上に本質的に互いに平行に行を押すことを想定することができる。例えば、すべての行が分離されかつ回転テーブル上に位置付けられるとき、例えば９０°だけ回転されることができ、角度に応じて、セラミック導体プレート上の行及び列の弱められたラインが配置され、次に、それによって行を個々のハイブリッド回路を単体にするように、破断トラップに個別に又はまとめて戻されることができる。

好ましくは、第２の破断トラップが設けられ、第２の破断トラップは、支持体の平面で見たその破断ラインが、第１の破断トラップの破断ラインに対してある角度で配置される破断デバイスでそのように配置される。一般に、この角度は９０°であり、すなわち弱められたラインが、セラミック導体プレート上に配置される角度である。個々のハイブリッド回路の単体とされた行は、次にそれらを側方に単に押すことによって、第１の破断トラップの破断ラインから移動されることができる。それらは、次に、同一又は異なる位置付けデバイスによって位置付けされることができ、ハイブリッド回路の行の弱められたラインが、第２の破断トラップの破断ライン上に連続的に位置付けされ、関連する破断ナイフによって分離される。更に、第２のトラップ上で互いに本質的に平行ないくつかの行／列、又は単体にされた行／列に配置し、それらをその周りでまとめて分離することが可能である。好ましくは、破断トラップは、本質的に互いに同一である。第２の破断トラップは、第１の破断トラップより狭く設計されることができる。ピンニングデバイス、及び／又は第２の破断トラップで対応する動作ステップのための第１の破断トラップの移送デバイスを使用することが有用であり得る。ピンニングデバイスの係合セクションで、すべての位置付け、破断、及び移送タスクを実行することが特に好ましいことがある。サイクル時間を増大するために、各破断トラップのための対応する手段を提供することも好ましいことがある。

本発明は、更に、セラミック導体プレートの弱められたラインに沿ってセラミック導体プレートを単体にする方法に関し、以下のステップを含む、すなわち、

（ａ）互いに対して変位可能である２つの支持プレートを有する破断トラップを提供するステップであって、破断トラップは、支持プレートが破断ラインに沿って隣接しかつ本質的に平坦な支持表面を形成する初期位置から、両方の支持プレートが互いにある角度で配置される破断位置へ変位されることができる、破断トラップを提供するステップと、
（ｂ）それに沿って破断が発生する弱められたラインが、本質的に破断ラインの上方にあるように、初期位置に支持プレート上でセラミック導体プレートを配置するステップと、
（ｃ）２つの細長い係合セクションが、それに沿って破断が発生する弱められたラインに隣接する２つの弱められたラインの領域内でセラミック導体プレート上にピンニング力を及ぼすように、セラミック導体プレート上に２つの細長い係合セクションを備えるピンニングデバイスを低下させるステップと、
（ｄ）破断トラップの支持プレートの破断ライン端部を破断位置へ上方に上昇させることによって、セラミック導体プレートを破断するステップと、
（ｅ）ピンニングデバイスを上昇させ、かつセラミック導体プレートの断片を放すステップと、
（ｆ）支持プレートを初期位置に戻すステップと、
（ｇ）それに沿って破断が発生するさらなる弱められたラインが、本質的に破断ラインの上方であるように、支持プレート上にセラミック導体プレートを配置するステップと、
（ｈ）セラミック導体プレートが、それに沿って破断が発生する弱められたラインに沿って破断されるまで、ステップ（ｃ）から（ｇ）を繰り返すステップとである。

本発明は、更にセラミック導体プレートの弱められたラインに沿ってセラミック導体プレートを単体にする代わりの方法に関し、以下のステップを含む。すなわち、

（ａ）互いに対して変位可能である２つの支持プレートを有する破断トラップを提供するステップであって、破断トラップは、支持プレートが破断ラインに沿って隣接しかつ本質的に平坦な支持表面を形成する初期位置から、２つの支持プレートが互いに対してある角度で配置される破断位置へ変位されることができる、破断トラップを提供するステップと、
（ｂ）それに沿って破断が発生する弱められたラインが、本質的に破断ラインの上方に配置されるように、初期位置に支持プレート上でセラミック導体プレートを配置するステップと、
（ｃ）弱められたラインに対してかつ支持プレートの所定の力に対して、弱められたラインと本質的に整列される破断ナイフを低下させ、それによって破断位置に支持プレートを下方に変位させることによって、セラミック導体プレートを破断するステップと、
（ｄ）破断ナイフを上昇させるステップと、
（ｅ）支持プレートを初期位置に戻すステップと、
（ｆ）それに沿って破断が発生するさらなる弱められたラインが、本質的に破断ラインの上方に配置されるように、支持プレート上にセラミック導体プレートを配置するステップと、
（ｇ）セラミック導体プレートが、それに沿って破断が発生する弱められたラインに沿って破断されるまで、ステップ（ｃ）から（ｆ）を繰り返すステップとである。

好ましくは、方法は、更にセラミック導体プレートの断片間のギャップを拡大するために、支持プレートを上方にグリッピング位置に変位するステップを含む。

好ましくは、方法は、更に断片間のギャップではさみ、かつ断片を離して移送するステップを更に含む。本明細書で使用されるように、「グリッピング」は、両側方からグリッパによってはさむことを必ずしも意味しないことに留意されたい。更に、この用語は、一側方から押す又は滑らせることも含むべきである。
好ましくは、支持プレートの移動は、同期して実行される。
本発明及び本発明の実施形態は、例に関して以下に記載される。

図１は、第１の破断トラップ４及び第２の破断トラップ６を備える、本発明による破断デバイス２を示す。更に、ロボットセル（図示せず）に接続されるピンニングデバイス５２を見ることができる。ピンニングデバイス５２は、好ましくは操作アームに接続される。そのような操作アームは、それらが届く範囲のすべての寸法方向に並進移動を実行することができる。それらは、所定の角度まで回転運動も実行することができる。そのようなロボットセルは、ロボットアームに接続されたツール、例えばピンニングデバイス５２を非常に正確に位置付けることができる。そのようなロボットセルのプログラミングは、適切なインターフェース／ポートにわたる従来のＰＣから実行されることができる。特にそのような適用に適しているロータセルは、統合されたＢｏｓｃｈ Ｓｃａｒａロボットを有する「ｂａｕｍａｎｎ−ｒｏ／ｂｏｘ」である。破断トラップ４は、破断ライン１４に沿って隣接し、かつ初期位置において本質的に平坦な支持表面を形成する、２つの支持プレート１０及び１２を備える。図１において、破断トラップ４は、破断位置で示され、両方の支持プレート１０及び１２は、破断ライン１４に隣接するそれらの破断ライン端部５４、５６で、上方に破断位置へ上昇される。支持プレート１０及び１２は、任意の材料で作られることができる。この材料が、磨耗に抵抗性があれば好ましい。なぜならセラミック導体プレートの材料は、非常に研磨性であるからである。支持プレート１０、１２の表面上でセラミック導体プレートの変位によって引き起こされるセラミック導体プレートの静電帯電を避けるために帯電防止材料であれば好ましい。静電帯電は、セラミック導体プレートの構成部品を損傷する危険性を増大する。適切な材料は、例えばスチール、特にグランドスチールであるが、所定のプラスチック材料も可能である。

図１及び図２において、セラミック導体プレート１８を見ることができる。セラミック導体プレート１８は、破断ライン１４と整列されかつ破断ライン１４上方に弱められたライン２０とともに位置付けられる。ピンニングデバイス５２は、この位置にセラミック導体プレート１８を固定する。特にピンニングデバイス５２は、下方に先細りになる細長い要素である２つの係合セクション５８、６０を備える。係合セクション５８、６０は、弱められたライン２０に運ばれ、又は、ハイブリッド回路の狭い縁部セクションで始まる。ピンニングデバイス５２の係合セクション５８、６０は、互いに対して変位可能に配置されることが更にわかる。特に、変位可能なねじデバイスによって、係合セクション５８、６０の位置を調節することができる駆動モータ６２、６４を用いることができる。駆動モータ６２、６４は、例えば、空間内の正確な所定の位置に各係合セクション５８、６０を移動できるようなアクチュエータとして設計される。

図３からは、結合デバイス、ならびに支持プレート１０、１２を移動するための駆動装置２８が見ることができる。

図１を参照して、駆動装置２８は、支持プレート１０、１２を上昇させ、それによってセラミック導体プレート１８を初期位置から破断位置へ上方に上昇させる。それによって、弱められたライン２０は破断ライン１４に沿って破断される。支持プレート１０及び１２の移動は、ピンニングデバイス５２の弾性力に対抗して生じる。理論的には、支持プレート１０及び１２が、係合セクション５８及び６０によって規定される旋回点の周りの移動の間に旋回できるように、支持プレート１０及び１２を配置することも可能であり、それによってピンニングデバイス５２の弾力のある弾性は、必ずしも必要ではない。

図２及び図３においては、破断デバイス２の代わりの実施形態が示される。個々の破断デバイス２の対応する要素は、同じ参照符号を有する。原理的に、１つの実施形態を参照して記載された特徴は、異なる実施形態で応じて設けられることができる。特に、この実施形態におけるピンニングデバイス５２は、本質的に図１の実施形態と同一に設計されることができる。この実施形態で示される破断ナイフ８は、ピンニングデバイス５２に対応し、又はそれらの一部に対応する。特に、破断ナイフ８は、ピンニングデバイスの係合セクション５８、６０の一方を形成することができる。ピンニングデバイス５２の第２の係合セクションは、次に好ましくは、破断ナイフ８又は影響されないなら他方の係合セクションが機能するように側方に移動される。代わりに、第２の破断デバイスは、取り除かれることができる。しかしながら、破断ナイフ８は、同様に自身でピンニングデバイス５２、８を形成することができる。

破断ナイフ８は、破断ライン１４に整列されかつ破断ライン１４の上方に位置付けられることが図２において見られることができる。

破断ナイフ８が下方へ低下されるとき、それは、セラミック導体プレート１８の弱められたライン２０に接し、破断位置に下方へ破断トラップ４の破断ライン１４に対してそれを押す。

図１及び図３において、破断トラップ４の破断位置が示され、支持プレート１０及び１２は、本質的に平坦な支持表面１６を形成しないが、互いに向かってある角度で配置される。

第１の破断トラップ４及び第２の破断トラップ６は、同一に形成される。本実施形態における第２の破断トラップ６は、第１の破断トラップに対して９０°の角度で配置され、すなわち２つの破断トラップの破断ライン１４は、９０°の角度を形成する。この角度は、一般に９０°であるセラミック導体プレート１８上の弱められたライン２０の角度によって決定される。特定の適用に関して、他の角度も理論的に想定されることができる。次に、第１の破断トラップに対する対応する角度で、第２の破断トラップを配置することが好ましい。第２の破断トラップ６で、セラミック導体プレート１８のハイブリッド回路のストリップ又は行だけが破断される必要があるので、この破断トラップは、第１の破断トラップ４より有意に狭い。しかしながら、第２の破断トラップ６が、第１の破断トラップ４とほぼ同じ幅、又は第１の破断トラップ４より広くことが好ましい状態もあり得る。

図３は、図２の破断デバイス２の側面図である。再び、破断ナイフ、第１の破断トラップ４、及び第２の破断トラップ６が見られることができる。更に、第１の破断トラップ４の支持プレート１０及び１２を見ることができる。支持プレート１０及び１２が、２２及び２４で旋回可能に搭載されることを見ることができる。第１及び第２の支持プレートは、互いに対して旋回点２２及び２４の周りで移動することができる。特に、図３において、第１の支持プレート１０及び第２の支持プレート１２は、破断ライン１４で下方に変位されることが見られることができる。特に図３において、それらは、破断位置に変位され、２つの支持プレート１０及び１２は、平坦な支持表面を形成しないが、互いに向かってある角度で配置される。初期位置と破断位置との間の比較的短い距離が十分である。なぜなら、破断ナイフ縁部の破断力は、破断ライン２０に直接伝達され、支持プレート１０及び１２の角度の比較的わずかな変更で破断が既に生じるからである。図２と図３とを比較すると、破断ナイフ８が、初期位置で破断ライン１４上に下方に移動されることができ、更に下方へ初期位置から破断ライン１４を越えて移動されることができることを、更に見ることができる。このさらなる移動の間、破断ナイフ８は、支持プレート１０及び１２の自由端部に対する弱められたラインの領域内のセラミック導体プレート１８を押圧し、これら自由端部を下方へ押す。支持プレート１０及び１２のこの移動を制御された方法で実行することで、移動が、抗力に対して弾性に生じるように、所定の抗力を提供する手段２６が設けられる。手段２６は、すべての種類の様々な原理にしたがって機能することができる。手段２６が、破断後に蓄積されたエネルギーを突然に解放しないように構成されるなら好ましい。むしろ、支持プレート１０、１２は、それらが再び能動的に移動されるまで破断位置に留まるべきか、又はそれらが、初期位置に徐々にだけ移動して戻るべきである。緩衝要素又は流体圧デバイスに結合されたばねを使用することができる。例えば、リニアサーボモータ又はリニアアクチュエータの形態の駆動装置２８を提供することが好ましく、一方では、所定の抗力に対して下方に移動されることができ、他方では、支持プレート１０、１２の駆動も実行することができる。そのような駆動モータのさらなる利点は、支持プレート１０、１２の正確な位置が、リニアサーボモータ２８によって常に決定されることができ、それによって空間における正確な位置付けが可能であることである。

これに関して、開始前に拡張可能な調節は必要ないので、従来技術に対する利点である、本発明による破断デバイス２における破断位置への破断トラップ４及び６の移動経路が重要ではないことに留意されたい。

図３においては、結合デバイス３０を更に見ることができる。結合デバイス３０を用いて、破断トラップ４の支持プレート１０、１２が、支持プレート１０、１２の移動と同期するために関連付けられる。特に、結合デバイスは、支持プレート１０、１２に関連付けられるピン３４、３６が案内されるガイドレール３２を備える。結合デバイス３０は、上方及び下方の移動の自由度だけを有し、傾斜又は旋回されることができないように接続される。これによって、支持プレート１０、１２の移動の同期化が確実にされる。結合デバイス３０は、例えば、駆動装置２８からそれぞれ支持プレート１０及び支持プレート１２へ延び、かつ両側の接合部でそれぞれ接続される２つのレバー接続部によって、異なる方法で機械的に実施されることもできる。支持プレート１０、１２の同期移動だけが可能となるように、互いにこれらを電気的に結合するそれら自体の駆動モータを、それぞれ支持プレート１０及び１２に提供することも可能である。

図３においては、既に破断されたセラミック導体プレート１８の断片３８を見ることができる。図２に示される位置から破断ナイフ８を上昇し、かつ支持プレート１０、１２を初期位置に戻した後で、左側の方向に図３の図示における断片３８を移動するには不十分である、セラミック導体プレート１８と断片３８との間の非常に狭い間隔だけが存在する。グリッパを提供することを想定することもでき、グリッパを用いて、断片３８は、その長さ状の端部でグリップされ、更に移送される。しかしながら、断片３８の長手方向に対して横切って突然の破断が生じることがあり、これは問題である。そのような追加の破断された断片３８は、問題なく移送することができず、そのような移送要素の構造で破断デバイスの動作を著しく損なう。そこで、支持プレート１０、１２の自由端部間の間隔、即ち、断片３８とセラミック導体プレート１８との間に間隔が形成されるように、支持プレート１０、１２の自由端部が初期位置より上方に上昇されることができるように駆動装置２８を設計することが好ましい。移送要素、例えば係合セグメント５８、６０、又は破断ナイフ８、又は異なる適した移送要素は、この間隔内に入ることができ、図３の図示における左側方向で長手側から断片３８を移動することができる。そこから断片３８は、さらなる処理を受けることができる。

図４は、本発明による破断デバイス２の上面図である。互いに向かって９０°で配置された第１の破断トラップ４及び第２の破断トラップ６を見ることができる。また、第１の破断トラップの支持プレート１０、１２及び破断ライン１４を見ることができる。更に、この形態において「グリッドル」とも呼ばれるセラミック導体プレート１８を明らかに見ることができる。グリッドルは、弱められたライン２０によってそれぞれ分離された個々のハイブリッド回路４０のいくつかの行及び列を一般に備える。多くの場合、支持縁部が、ハイブリッド回路４０の行及び列の周りに更に配置され、前の製造動作のためのグリッドル又はセラミック導体プレート１８に対する追加の安定性を与える。図４にはそのような支持縁部は示されていない。一般に支持縁部は、また破断ライン２０に配置されることができる。支持縁部は、本発明による破断デバイス２を用いて破断されて離されることもできる。ハイブリッド回路４０の統合は、個々の構成部品が、破縁部からただ０．４ｍｍから０．６ｍｍの距離として配置される限りその間に進められることに留意されたい。したがって、それぞれピンニングデバイス５２又は破断ナイフ８は、そのような方法で実施され、それが、ハイブリッド回路４０の２つの行間のこの非常に狭い領域内に信頼性良く入り、かつそれぞれその周りでセラミック導体プレート１８を破断し、又はその周りでセラミック導体プレートを固定するそのような正確な角度に移動されなければならない。セラミック導体プレート１８の位置付けは、したがって正確な角度で達成されなければならず、セラミック導体プレート１８の位置付け後の破断ライン２０の位置付けは、応じて正確な角度に画定可能でなければならない。遅延手段４２が設けられ、これは本実施形態において、破断ライン１４近くの支持プレート１０、１２の自由端部の領域における一組の吸引開口の形態で設けられる。セラミック導体プレートが遅延手段４２の領域に移動されるとすぐに、支持プレート１０、１２に対して所定の吸引力で吸引され、それによって遅延されるように、所定の空気量が本質的に連続して吸引される。部分的に、位置付けの間に移動によって伝達されるセラミック導体プレート１８の運動量を遅延するために、これは重要である。他方、セラミック導体プレート１８の位置付け後の位置が固定され、すなわち、破断デバイス２の動作の間に生じ、様々な手段によってシステムにもたらされる振動及び衝撃に対して固定される。遅延手段４２の吸引力は、好ましくは、所定量の空気が連続して吸引開口を介して吸引されるように調節される。また、セラミック導体プレート１８のための断片３８を移動するために、破断後に吸引デバイスをオフに切り替えることも可能である。

破断トラップ４上、破断トラップ６上のグリッドル又はセラミック導体プレート１８の位置付けは、以下のように機能する。グリッドル１８は、前の処理ステーションから、通常、破断トラップ４上に移動される。図４に示されるグリッドル１８のねじられた位置は、実際には生じない極端な位置である。グリッドル１８は、次に、破断トラップ４の支持プレート１０上、又は前の位置付け表面上にある。係合セクションにおいてグリッドル１８を有する細長い要素である位置付け要素４４は、グリッドル１８の長手方向に垂直に移動され、角4６で初期的にそれに接触する。さらなる移動の結果、グリッドル１８の全体の端部の境界４８に沿って位置付け要素４４がそれに隣接し整列する傾向のトルクが角４６に伝達される。前方の角５０のセクションが、遅延手段４２の領域にあるとき、すぐにこのセクションが遅延され、これによってトルクが増大し、かつグリッドル１８の整列が助長される。この方法において、第１の弱められたライン２０が破断ライン１４の上方に位置付けられるとすぐに、グリッドルが正確に位置付けられる。破断デバイス４２は、実際の破断のための位置にグリッドル１８を維持する。位置付け要素５４として破断ナイフ８を使用できることも好ましい。特に遅延手段４２が、そのような位置での位置付けを助長することができるなら、遅延手段４２を破断ライン１４から更に離して位置付けることができることも好ましい。

移送手段１０、１２上には、分配された複数の遅延手段４２を設けることができる。任意に、１つ又は複数の遅延手段４２を、上流側の位置付け表面に設けられることもできる。

複数のハイブリッド回路を有する分離されたストリップ又は断片３８は、移送要素又は破断ナイフ８によって、第２の破断トラップ６に対して左側に移送され、同じ方法で位置付けられ、破断される。次に、単体にされたハイブリッド回路は、されに処理され又はパッケージングされる。第２の破断トラップ６の代わりに、又は第２の破断トラップ６に加えて、調節デバイスを設けることができる。これは、例えば初期位置に第１の破断トラップ４の平坦な表面１６に隣接し、任意の角度、好ましくはこの表面の垂直中心線の周りで９０°で回転されることができる表面であり得る。それによって、図４に示される１つのグリッドル１８の４個の弱められたライン２０が互いに平行ではない場合でも、１つの破断トラップ４で破断することができる。

図１の表現、及び、図２から図４の表現は、必ずしも異なる実施形態ではないことに更に留意されたい。破断デバイス２の単一の実施形態は、セラミック導体プレート１８が、破断ラインがどのようにセラミック導体プレート上に配置され、及びどの方向がセラミック導体プレートの破断方向であるかに応じて、破断位置への上方の移動によって及び破断位置への下方の移動によって破断されることができるように構成されることもできる。位置付け手段は、移送ベルトの形態で薄い弾性のある例えばゴム状の位置付けマットとして設けられることができ、位置付け手段で、セラミック導体プレート１８は、破断トラップ及びピンニングデバイス５２、８に対して変位される。これは、支持体上のセラミック導体プレート１８の変位が、可能であれば避けられるべきであれば、特に好ましい。位置付けマットを破断トラップ及びピンニングデバイス５２、８に対して変位する代わりに、空間的に固定された位置付けマットに対して破断トラップ及びピンニングデバイス５２、８の両方を移動できることも好ましく、すなわち、破断トラップ４及びピンニングデバイス５２、８は、弱められたラインから弱められたラインへ、位置付けマット及びセラミック導体プレート１８に対して移動される。

本発明による破断デバイスの側面図である。 代わりの実施形態による本発明による破断デバイスの斜視図である。 図２の破断デバイスの側面図である。 破断デバイスの上面図である。

Claims (20)

1. セラミック導体プレート（１８）上の弱められたライン（２０）に沿ってセラミック導体プレート（１８）を単体にするための破断デバイス（２）であり、互いに対して変位可能な支持プレート（１０、１２）を有し、かつ前記支持プレート（１０、１２）が破断ライン（１４）に沿って隣接しかつ本質的に平坦な支持表面（１６）を形成する初期位置から、前記支持プレート（１０、１２）が互いに対してある角度で配置される破断位置へ変位されることができる破断トラップ（４、６）と、前記支持プレート（１０、１２）に対する破断動作のために前記セラミック導体プレート（１８）を位置付けるように形成されるピンニングデバイス（５２、８）とを備える、破断デバイス（２）であって、
   前記破断トラップ（４、６）は、破断ライン（１４）に沿って隣接する２つの支持プレート（１０、１２）を備え、
   前記ピンニングデバイス（５２、８）は、長手方向に対して狭く横断する細長い係合セクションを備え、
   前記破断デバイス（２）は、位置付け要素（４４）を備え、前記位置付け要素（４４）は、それが、前記弱められたライン（２０）を前記破断ライン（１４）に整列しかつ前記破断ライン（１４）の上方に連続して位置付けることができるように形成されることを特徴とする破断デバイス（２）。
2. 前記支持プレート（１０、１２）は、前記破断ライン（１４）に沿って隣接する破断ライン端部（５４、５６）を備え、前記破断トラップ（４、６）は、前記破断ライン端部（５４、５６）が、選択的に破断位置に上方へ又は破断位置へ下方に変位されることができることを特徴とする請求項１に記載の破断デバイス（２）。
3. 前記ピンニングデバイス（５２、８）の前記細長い係合セクション（５８、６０）は、本質的に前記破断ライン（１４）に平行に配置されることを特徴とする請求項１又は２に記載の破断デバイス（２）。
4. 前記ピンニングデバイス（５２、８）は、２つの平行な係合セクション（５８、６０）を備えることを特徴とする請求項１から３の一項に記載の破断デバイス（２）。
5. 前記係合セクション（５８、６０）は、互いに対して変位可能であることを特徴とする請求項４に記載の破断デバイス（２）。
6. 前記ピンニングデバイス（５２、８）は、破断ナイフ（８）を備え、前記破断ナイフ（８）は、それが、破断ライン（１４）の上方に位置付けられ、前記破断ライン（１４）の方向にかつ前記破断ライン（１４）を越えて移動することができるように、前記破断デバイス（２）に接続され、前記支持プレート（１０、１２）は、前記支持プレート（１０、１２）の前記破断ライン端部（５４、５６）が、前記破断ナイフ（８）の移動の途中の間に、前記破断ライン（１４）を越えて前記破断位置に下方へ変位されるように弾性に配置されることを特徴とする請求項１から５の一項に記載の破断デバイス（２）。
7. 前記破断トラップ（４、６）の前記支持プレート（１０、１２）の少なくとも１つの前記破断ライン端部（５４、５６）は、上方へ変位可能であり、前記支持プレート（１０、１２）は、前記破断ライン端部（５４、５６）の上方への移動の間に、前記セラミック導体プレート（１８）の断片が、つかむために露出されるように構成されることを特徴とする請求項１から６の一項に記載の破断デバイス（２）。
8. 更に移送要素を備え、前記移送要素は、それが、作動的に、前記セラミック導体プレート（１８）の断片（３８）に隣接して配置され、かつ前記断片（３８）を離れて移送するように変位されることができるように形成されることを特徴とする請求項７に記載の破断デバイス（２）。
9. 前記位置付け要素（４４）は、同時に前記移送要素であることを特徴とする請求項８に記載の破断デバイス（２）。
10. 更に結合デバイス（３０）を備え、前記結合デバイス（３０）は、前記支持プレート（１０、１２）の移動が同期されるように、前記破断トラップ（４、６）の前記支持プレート（１０、１２）に接続されることを特徴とする請求項１から９の一項に記載の破断デバイス（２）。
11. 前記破断トラップ（４、６）の前記移動を、前記破断デバイス（２）のさらなる要素（５２、８、４４）の移動に調和させ、かつ単体にされるべき前記セラミック導体プレート（１８）の測定値、及びその上に配置される弱められたライン（２０）の位置及び／又は距離、及び／又は前記破断方向が、それを介して入力されることができる入力インターフェースを備える制御装置が提供されることを特徴とする請求項１から１０の一項に記載の破断デバイス（２）。
12. 前記セラミック導体プレート（１８）のための遅延手段（４２）が設けられることを特徴とする請求項１から１１の一項に記載の破断デバイス（２）。
13. 作動的に、処理されるべき前記セラミック導体プレート（１８）及び／又はその断片（３８）が、前記支持プレート（１０、１２）に垂直である軸の周りを回転することができる回転デバイスが設けられることを特徴とする請求項１から１２の一項に記載の破断デバイス（２）。
14. 前記支持プレート（１０、１２）の平面内で見たその破断ライン（１４）が、第１の破断トラップ（４）の前記破断ラインに対してある角度で配置されるように、前記破断デバイス（２）に配置される第２の破断トラップ（６）が設けられることを特徴とする請求項１から１３の一項に記載の破断デバイス（２）。
15. セラミック導体プレート（１８）の弱められたライン（２０）に沿ってセラミック導体プレート（１８）を単体にする方法であって、
    （ａ）互いに対して変位可能である２つの支持プレート（１０、１２）を有する破断トラップ（４、６）を提供するステップであって、前記破断トラップ（４、６）は、前記支持プレート（１０、１２）が破断ライン（１４）に沿って隣接しかつ本質的に平坦な支持表面（１６）を形成する初期位置から、両方の支持プレート（１０、１２）が互いに向かってある角度で配置される破断位置へ変位されることができる、破断トラップ（４、６）を提供するステップと、
    （ｂ）それに沿って破断が発生する弱められたライン（２０）が、本質的に前記破断ライン（１４）の上方にあるように、前記初期位置に前記支持プレート（１０、１２）上でセラミック導体プレート（１８）を配置するステップと、
    （ｃ）２つの細長い係合セクション（５８、６０）が、それに沿って破断が発生する前記弱められたライン（２０）に隣接する２つの弱められたライン（２０）の領域内で前記セラミック導体プレート（１８）上にピンニング力を伝達するように、前記セラミック導体プレート（１８）上に２つの細長い係合セクション（５８、６０）を備えるピンニングデバイス（５２）を低下させるステップと、
    （ｄ）前記破断トラップ（４、６）の前記支持プレート（１０、１２）の前記破断ライン端部（５４、５６）を前記破断位置へ上方に上昇させることによって、前記セラミック導体プレート（１８）を破断するステップと、
    （ｅ）前記ピンニングデバイス（５２）を上昇させ、かつ前記セラミック導体プレート（１８）の前記断片（３８）を放すステップと、
    （ｆ）前記支持プレート（１０、１２）を前記初期位置に戻すステップと、
    （ｇ）それに沿って破断が発生するさらなる弱められたライン（２０）が、本質的に前記破断ライン（１４）の上方に配置されるように、前記支持プレート（１０、１２）上に前記セラミック導体プレート（１８）を配置するステップと、
    （ｈ）前記セラミック導体プレート（１８）が、それに沿って破断が発生する前記弱められたライン（２０）に沿って破断されるまで、ステップ（ｃ）から（ｇ）を繰り返すステップとを含む方法。
16. セラミック導体プレート（１８）の弱められたライン（２０）に沿ってセラミック導体プレート（１８）を単体にする方法であって、
    （ａ）互いに対して変位可能である２つの支持プレート（１０、１２）を有する破断トラップ（４、６）を提供するステップであって、前記破断トラップ（４、６）は、前記支持プレート（１０、１２）が破断ライン（１４）に沿って隣接しかつ本質的に平坦な支持表面（１６）を形成する初期位置から、２つの支持プレート（１０、１２）が互いに向かってある角度で配置される破断位置へ変位されることができる、破断トラップ（４、６）を提供するステップと、
    （ｂ）それに沿って破断が発生する弱められたライン（２０）が、本質的に前記破断ライン（１４）の上方にあるように、前記初期位置に前記支持プレート（１０、１２）上でセラミック導体プレート（１８）を配置するステップと、
    （ｃ）前記弱められたライン（２０）に対してかつ前記支持プレート（１０、１２）の所定の力に対して、前記弱められたライン（２０）と本質的に整列される破断ナイフ（５２、８）を低下させ、それによって前記破断位置に前記支持プレート（１０、１２）を下方に変位させることによって、前記セラミック導体プレート（１８）を破断するステップと、
    （ｄ）前記破断ナイフ（５２、８）を上昇させるステップと、
    （ｅ）前記支持プレート（１０、１２）を前記初期位置に戻すステップと、
    （ｆ）それに沿って破断が発生するさらなる弱められたラインが、本質的に前記破断ライン（１４）の上方に配置されるように、前記支持プレート（１０、１２）上に前記セラミック導体プレート（１８）を配置するステップと、
    （ｇ）前記セラミック導体プレート（１８）が、それに沿って破断が発生する前記弱められたライン（２０）に沿って破断されるまで、ステップ（ｃ）から（ｆ）を繰り返すステップとを含む方法。
17. セラミック導体プレート（１８）の前記断片（３８、１８）間のギャップを拡大するために、前記支持プレート（１０、１２）を上方にグリッピング位置に変位するステップを更に含む請求項１５又は１６に記載の方法。
18. 前記断片（３８、１８）間のギャップではさみ、かつ１つの断片（３８）を離して移送するステップを更に含む請求項１７に記載の方法。
19. 前記支持プレート（１０、１２）の移動は、同期して実施される請求項１５から１８の一項に記載の方法。
20. 位置付け後、前記セラミック導体プレート（１８）を遅延するステップを含む請求項１５から１９の一項に記載の方法。
    

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