JP2006520052A - 半導体回路の紫外線への露出を検出する方法及び装置 - Google Patents
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Abstract
Description
上述したように、紫外線検出回路200は、半導体回路100が紫外線に露出されたときにそれを検出し、その後、セキュリティ違反の指示を与える。一般に、以下に述べるように、紫外線検出回路200は、不揮発性メモリアレイの状態を使用して、半導体回路100が紫外線に露出されたかどうか検出する。本発明は、不揮発性メモリセルの特定の状態が分からず、即ちセルが変化したか不変であるか分からないことを認識する。本発明は、不揮発性メモリセルが変化したか不変であるかに関わらず、半導体回路100が紫外線に露出されたかどうか決定できる方法を提供する。
この場合も、各トランジスタのドレイン端子は、ビットライン入力blprg及びblerを経てアクセスされ、ゲート端子は、ワードライン入力wlprg及びwlerを経てアクセスされ、そしてソース端子は、ソースライン入力srcprg及びsrcerを経てアクセスされることに注意されたい。従って、ドライバ610は、プログラムモード中にワードラインへ1.5Vを通し、ドライバ620は、プログラムモード中にソースラインへ10Vを通し、ドライバ630は、消去モード中にワードラインへ12Vを通し、そしてドライバ640は、消去モードにおいてソースラインを接地へもっていく。
Claims (19)
- 1つ以上の命令を実行するためのプロセッサと、
メモリと、
半導体回路が紫外線に露出されたかどうか検出するための回路と、
を備えた半導体回路。 - 前記回路は、紫外線への前記露出の前記検出に応答して前記半導体回路の前記メモリのクリアを開始する、請求項1に記載の半導体回路。
- 前記回路は、紫外線への前記露出の前記検出に応答して前記半導体回路のディスエイブルを開始する、請求項1に記載の半導体回路。
- 前記回路は、不揮発性メモリアレイの状態を使用して、前記半導体回路が紫外線に露出されたかどうか検出する、請求項1に記載の半導体回路。
- 前記回路は、不揮発性メモリセルの専用小型アレイを含む、請求項1に記載の半導体回路。
- 不揮発性メモリセルの前記専用小型アレイは、プログラム及び消去に対応する少なくとも2つのアクティブなビットラインblprg及びblerを備え、その第1ビットラインblprgは、プログラム可能のみであり、そしてその第2ビットラインblerは、消去可能のみである、請求項5に記載の半導体回路。
- 不揮発性メモリの前記専用小型アレイの前記セルは、最初にほぼ同じ状態にあり、そして前記露出状態は、前記少なくとも2つのアクティブなビットラインblprg及びblerを感知することにより検出される、請求項6に記載の半導体回路。
- 前記半導体回路が紫外線に露出されたときにそれを検出するために、前記少なくとも2つのアクティブなビットラインblprg及びblerの1つにオフセット電流を付加する、請求項6に記載の半導体回路。
- 前記メモリは不揮発性メモリであり、そして前記回路は、前記不揮発性メモリアレイの専用領域を含む、請求項1に記載の半導体回路。
- 不揮発性メモリの前記専用小型アレイのセルは、前記半導体回路が露出されないときには中性状態にあり、そして前記半導体回路の露出状態は、前記セルにより生成される電流を評価することにより検出される、請求項6に記載の半導体回路。
- 更に、前記半導体回路が紫外線に露出されたかどうか検出するための前記回路を複数備えた、請求項1に記載の半導体回路。
- 前記半導体回路が紫外線に露出されたかどうか検出するための前記回路は、前記半導体回路に電力が付与されない状態で生じた紫外線への以前の露出を検出できる、請求項1に記載の半導体回路。
- 半導体回路のセキュリティ違反を検出するための方法において、
不揮発性メモリセルのアレイを使用して、前記半導体回路が紫外線に露出されたかどうか検出するステップと、
前記半導体回路が紫外線に露出された場合にセキュリティ手順を開始するステップと、
を備えた方法。 - 前記セキュリティ手順は、紫外線への前記露出の前記検出に応答して前記半導体回路のメモリをクリアする、請求項13に記載の方法。
- 前記セキュリティ手順は、紫外線への前記露出の前記検出に応答して前記半導体回路のディスエイブルを開始する、請求項13に記載の方法。
- 前記使用するステップは、更に、前記半導体回路が紫外線に露出されたかどうか指示するように回路を評価する段階を備えた、請求項13に記載の方法。
- 不揮発性メモリセルの前記アレイは前記半導体回路に埋設される、請求項13に記載の方法。
- 前記半導体回路が紫外線に露出されたかどうか検出する複数の回路を評価するステップを更に備えた、請求項13に記載の方法。
- 前記半導体回路に電力が付与されない状態で生じた紫外線への以前の露出を検出するステップを更に備えた、請求項13に記載の方法。
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Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63316439A (ja) * | 1987-06-19 | 1988-12-23 | Fuji Electric Co Ltd | プラズマ反応利用処理方法 |
JPS6491022A (en) * | 1987-08-31 | 1989-04-10 | Sgs Thomson Microelectronics | Light detection circuit |
JPH10142341A (ja) * | 1996-11-15 | 1998-05-29 | Hamamatsu Photonics Kk | 放射線検出器 |
JPH10303399A (ja) * | 1997-04-23 | 1998-11-13 | Nec Ic Microcomput Syst Ltd | 半導体装置 |
JP2002150252A (ja) * | 2000-09-20 | 2002-05-24 | Commiss Energ Atom | セキュリティ用集積回路電子デバイス |
JP2003532967A (ja) * | 2000-05-01 | 2003-11-05 | アドバンスド.テクノロジー.マテリアルス.インコーポレイテッド | 記憶セルの状態を検知する際のデータ依存電源雑音の低減 |
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---|---|---|---|---|
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Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63316439A (ja) * | 1987-06-19 | 1988-12-23 | Fuji Electric Co Ltd | プラズマ反応利用処理方法 |
JPS6491022A (en) * | 1987-08-31 | 1989-04-10 | Sgs Thomson Microelectronics | Light detection circuit |
JPH10142341A (ja) * | 1996-11-15 | 1998-05-29 | Hamamatsu Photonics Kk | 放射線検出器 |
JPH10303399A (ja) * | 1997-04-23 | 1998-11-13 | Nec Ic Microcomput Syst Ltd | 半導体装置 |
JP2003532967A (ja) * | 2000-05-01 | 2003-11-05 | アドバンスド.テクノロジー.マテリアルス.インコーポレイテッド | 記憶セルの状態を検知する際のデータ依存電源雑音の低減 |
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