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Claims (16)
- 加熱すべき対象物を支持するためのグラファイトからなるプラットフォームであって、上下に比較的平坦な面を有する基板を備えるプラットフォーム、
プラットフォームに実質的に横断方向に延在するグラファイトからなるシャフト、
上記平坦面の少なくとも一方に設けられた第1のコーティングであって、B、Al、Si、Ga、耐火性硬質金属、遷移金属及びこれらの組合せからなる群から選択される元素の窒化物、炭化物、炭窒化物又は酸窒化物からなる群から選択される1種以上の材料からなる第1コーティング、
所定の幾何形状のパターン配列で第1コーティング上に設けられた熱分解グラファイトからなる第2のコーティング層であって、1以上の電極の形成に適合した2以上の別個の端部を有する第2コーティング層、及び
第1及び第2コーティング上に積層した誘電材料であって、B、Al、Si、Ga、耐火性硬質金属、遷移金属及びこれらの組合せからなる群から選択される元素の窒化物、炭化物、炭窒化物又は酸窒化物からなる群から選択される1種以上の材料からなるトップコーティング、を備え、
前記前記グラファイトシャフト及びグラファイトプラットフォームが単一の一体ボディをなすウェーハ加工装置。 - 当該装置が静電チャックであって、前記電極がチャック電極である、請求項1記載のウェーハ加工装置。
- 当該装置がヒータであって、前記電極が加熱素子電極である、請求項1記載のウェーハ加工装置。
- 前記グラファイトプラットフォームがディスク、プラテン及びシリンダのいずれかである、請求項1記載のウェーハ加工装置。
- 前記グラファイトシャフトがロッド及び中空コアのいずれかである、請求項1記載のウェーハ加工装置。
- 第2コーティングが、スパイラルパターン、サーペンタインパターン、螺旋パターン、ジグザグパターン、連続ラビリンスパターン、螺旋コイル状パターン、スワールパターン、不規則回旋状パターン及びこれらの組合せの1以上を有する電気流路の1以上に配置された熱分解グラファイトの細長い連続ストリップを形成するようにパターン化されている、請求項1記載のウェーハ加工装置。
- パターン形成された第2コーティングがプラットフォームの下面に形成される、請求項6記載のウェーハ加工装置。
- 熱分解グラファイトの第2コーティング層が、B、Al、Si、Ga、耐火性硬質金属、遷移金属及び希土金属、或いはこれらの複合体及び/又は組合せからなる群から選択される元素の少なくとも窒化物、炭化物、炭窒化物又は酸窒化物で封入される、請求項1記載のウェーハ加工装置。
- 熱分解グラファイトの第2コーティング層がAIN又は熱分解窒化ホウ素で封入される、請求項8記載のウェーハ加工装置。
- グラファイトシャフトがさらに、電極を外部電源に接続するための2以上の導電体を含む、請求項1記載のウェーハ加工装置。
- 2つの導電体が同軸であって、第1の導電体が第2の導電体内部に配置される、請求項10記載のウェーハ加工装置。
- 2つの導電体がグラファイトシャフトの両側に対称的に配置される、請求項10記載のウェーハ加工装置。
- シャフトが本質的に中実であって、2つの導電体がグラファイトシャフトの両側に対称的に配置されたコーティング層である、請求項12記載のウェーハ加工装置。
- シャフトが中空コアであって、2つの導電体がシャフト内に配置され、しかも2つの導電体が同軸である、請求項10記載のウェーハ加工装置。
- 2つの同軸導電体が共通の中心を有する、請求項14記載のウェーハ加工装置。
- 第1の導電体がグラファイトロッドの形態であり、第2の導電体が中空グラファイトロッドであり、第1及び第2の導電体がB、Al、Si、Ga、耐火性硬質金属、遷移金属及び希土金属、或いはこれらの複合体及び/又は組合せからなる群から選択される元素の少なくとも窒化物、炭化物、炭窒化物又は酸窒化物からなる群から選択される材料からなるコーティング層で分離される、請求項10記載のウェーハ加工装置。
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