JP2006514706A5 - - Google Patents
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Description
本発明の範囲と精神を逸脱することなく、本発明の様々な修正と変更ができることは当業者には明らかである。本発明は、ここで述べる例証的な実施態様および実施例によって不当に制限されず、このような実施例および実施態様は例としてのみ提示され、発明の範囲は以下に述べる請求の範囲によってのみ制限されるものとする。
本発明とそれに関わる発明の実施態様に関して列挙する。
［第１の態様］
ａ）ｉ）式、
（式中、各Ｒ f は独立して、環式または非環式であり、Ｎ、Ｏ、およびＳよりなる群から選択される連鎖された（「鎖中」）または末端の、ヘテロ原子を含有するかまたは含有しない、１〜１２個の炭素原子を含んで成る過フッ素化されたアルキル基であり、あらゆる２個のＲ f 基は連結してペルフルオロアルキレン含有環を形成しても良い。）によって表される少なくとも１重量％の少なくとも１つのビス（ペルフルオロアルカンスルホニル）イミド酸、および
ｉｉ）溶剤
を含んで成る組成物を提供するステップと、
ｂ）少なくとも１つの銅配線および／またはフィルムを有する少なくとも１つの表面を含んで成る基材を提供するステップと、
ｃ）基材表面と組成物とを互いに接触させて境界面を形成するステップと、
ｄ）力を加えて境界面における銅溶解を促進するステップと
を含んで成る、銅配線および／またはフィルムを研磨する方法。
［第２の態様］
前記組成物がｉｉｉ）１つ以上の添加剤をさらに含んで成る、第１の態様の方法。
［第３の態様］
１つ以上の添加剤が、研磨材粒子、その他の酸、酸化剤、エッチング剤、腐蝕防止剤、キレート剤、電解質、界面活性剤、光沢剤、および均展材よりなる群から選択される、第２の態様の方法。
［第４の態様］
前記溶剤が水である、第１の態様の方法。
［第５の態様］
Ｒ f 1 およびＲ f 2 が独立して１〜４個の炭素原子を含んで成る、第１の態様の方法。
［第６の態様］
前記ビス（ペルフルオロアルカンスルホニル）イミドが、
よりなる群から選択される、第１の態様の方法。
［第７の態様］
イミド酸が組成物の少なくとも約３０重量％の濃度で存在する、第１の態様の方法。
［第８の態様］
イミド酸が組成物の少なくとも約５０重量％の濃度で存在する、第１の態様の方法。
［第９の態様］
イミド酸が組成物の約７０重量％の濃度で存在する、第１の態様の方法。
［第１０の態様］
ａ）ｉ）式、
（式中、各Ｒ f は独立して、環式または非環式であり、Ｎ、Ｏ、およびＳよりなる群から選択される連鎖されたまたは末端の、ヘテロ原子を含有するかまたは含有しない、１〜８個の炭素原子を含んで成る過フッ素化されたアルキル基であり、あらゆる２個のＲ f 基は連結してペルフルオロアルキレン含有環を形成しても良い。）によって表される少なくとも１つのトリス（ペルフルオロアルカンスルホニル）メチド酸、および
ｉｉ）溶剤
を含んで成る組成物を提供するステップと、
ｂ）少なくとも１つの銅配線および／またはフィルムを有する少なくとも１つの表面を含んで成る基材を提供するステップと、
ｃ）基材表面と組成物とを互いに接触させて境界面を形成するステップと、
ｄ）力を加えて境界面における銅溶解を促進するステップと
を含んで成る、銅配線および／またはフィルムを研磨する方法。
［第１１の態様］
前記組成物がｉｉｉ）１つ以上の添加剤をさらに含んで成る、第１０の態様の方法。
［第１２の態様］
１つ以上の添加剤が、研磨材粒子、その他の酸、酸化剤、エッチング剤、腐蝕防止剤、キレート剤、電解質、界面活性剤、光沢剤、および均展材よりなる群から選択される、第１１の態様の方法。
［第１３の態様］
前記溶剤が水である、第１０の態様の方法。
［第１４の態様］
Ｒ f 1 、 Ｒ f 2 、およびＲ f 3 が、独立して１〜４個の炭素原子を含んで成る、第１０の態様の方法。
［第１５の態様］
前記トリス（ペルフルオロアルカンスルホニル）メチドが、
よりなる群から選択される、第１０の態様の方法。
［第１６の態様］
メチド酸が少なくとも組成物の１重量％の濃度で存在する、第１０の態様の方法。
［第１７の態様］
メチド酸が少なくとも組成物の約３０重量％の濃度で存在する、第１０の態様の方法。
［第１８の態様］
メチド酸が組成物の少なくとも約５０重量％の濃度で存在する、第１０の態様の方法。
［第１９の態様］
メチド酸が組成物の約７０重量％以下の濃度で存在する、第１０の態様の方法。
［第２０の態様］
ａ）ｉ）式、
（式中、各Ｒ f は独立して、環式または非環式であり、Ｎ、Ｏ、およびＳよりなる群から選択される連鎖されたまたは末端の、ヘテロ原子を含有するかまたは含有しない、１〜１２個の炭素原子を含んで成る過フッ素化されたアルキル基であり、あらゆる２個のＲ f 基は連結してペルフルオロアルキレン含有環を形成しても良い。）によって表される少なくとも１重量％の少なくとも１つのビス（ペルフルオロアルカンスルホニル）イミド酸、および
ｉｉ）溶剤
を含んで成る組成物を提供するステップと、
ｂ）表面に少なくとも１つの望まれない物質を有する、少なくとも１つの銅配線および／またはフィルムを有する少なくとも１つの表面を含んで成る基材を提供するステップと、
ｃ）基材表面と組成物とを互いに接触させて境界面を形成するステップと、
ｄ）望まれない表面物質を除去させるステップと
を含んで成る、銅配線および／またはフィルムを浄化する方法。
［第２１の態様］
前記組成物がｉｉｉ）１つ以上の添加剤をさらに含んで成る、第２０の態様の方法。
［第２２の態様］
１つ以上の添加剤が、研磨材粒子、その他の酸、酸化剤、エッチング剤、腐蝕防止剤、キレート剤、電解質、界面活性剤、光沢剤、および均展材よりなる群から選択される、第２１の態様の方法。
［第２３の態様］
前記溶剤が水である、第２０の態様の方法。
［第２４の態様］
Ｒ f 1 およびＲ f 2 が独立して１〜４個の炭素原子を含んで成る、第２０の態様の方法。
［第２５の態様］
前記ビス（ペルフルオロアルカンスルホニル）イミドが、
よりなる群から選択される、第２０の態様の方法。
［第２６の態様］
イミド酸が少なくとも組成物の約３０重量％の濃度で存在する、第２０の態様の方法。
［第２７の態様］
イミド酸が少なくとも組成物の約５０重量％の濃度で存在する、第２０の態様の方法。
［第２８の態様］
ｄ）力を加えて境界面における銅溶解を促進するステップをさらに含んで成る、第２０の態様の方法。
［第２９の態様］
前記力が、機械的、電気化学的、またはそれらの組合せである、第２８の態様の方法。
［第３０の態様］
ａ）ｉ）式、
（式中、各Ｒ f は独立して、環式または非環式であり、Ｎ、Ｏ、およびＳよりなる群から選択される連鎖されたまたは末端の、ヘテロ原子を含有するかまたは含有しない、１〜８個の炭素原子を含んで成る過フッ素化されたアルキル基であり、あらゆる２個のＲ f 基は連結してペルフルオロアルキレン含有環を形成しても良い。）によって表される少なくとも１つのトリス（ペルフルオロアルカンスルホニル）メチド酸、および
ｉｉ）溶剤
を含んで成る組成物を提供するステップと、
ｂ）表面に少なくとも１つの望まれない物質を有する、少なくとも１つの銅配線および／またはフィルムを有する少なくとも１つの表面を含んで成る基材を提供するステップと、
ｃ）基材表面と組成物とを互いに接触させて境界面を形成するステップと、
ｄ）望まれない表面物質を除去させるステップと
を含んで成る、銅配線および／またはフィルムを浄化する方法。
［第３１の態様］
前記組成物がｉｉｉ）１つ以上の添加剤をさらに含んで成る、第３０の態様の方法。
［第３２の態様］
１つ以上の添加剤が、研磨材粒子、その他の酸、酸化剤、エッチング剤、腐蝕防止剤、キレート剤、電解質、界面活性剤、光沢剤、および均展材よりなる群から選択される、第３１の態様の方法。
［第３３の態様］
前記溶剤が水である、第３０の態様の方法。
［第３４の態様］
Ｒ f 1 、 Ｒ f 2 、およびＲ f 3 が独立して、１〜４個の炭素原子を含んで成る、第３０の態様の方法。
［第３５の態様］
前記トリス（ペルフルオロアルカンスルホニル）メチドが、
よりなる群から選択される、第３０の態様の方法。
［第３６の態様］
メチド酸が少なくとも組成物の１重量％の濃度で存在する、第３０の態様の方法。
［第３７の態様］
メチド酸が少なくとも組成物の約３０重量％の濃度で存在する、第３０の態様の方法。
［第３８の態様］
メチド酸が少なくとも組成物の約５０重量％の濃度で存在する、第３０の態様の方法。
［第３９の態様］
メチド酸が組成物の約７０重量％以下の濃度で存在する、第３０の態様の方法。
［第４０の態様］
ｄ）力を加えて境界面における銅溶解を促進するステップをさらに含んで成る、第３０の態様の方法。
［第４１の態様］
前記力が機械的、電気化学的、またはそれらの組合せである、第４０の態様の方法。
［第４２の態様］
ｉ）式、
（式中、各Ｒ f は独立して、環式または非環式であり、Ｎ、Ｏ、およびＳよりなる群から選択される連鎖されたまたは末端の、ヘテロ原子を含有するかまたは含有しない、１〜１２個の炭素原子を含んで成る過フッ素化されたアルキル基であり、あらゆる２個のＲ f 基は連結してペルフルオロアルキレン含有環を形成しても良い。）で表される少なくとも１重量％の少なくとも１つのビス（ペルフルオロアルカンスルホニル）イミド酸、
ｉｉ）溶剤、および
ｉｉｉ）銅塩
を含んで成る組成物を提供するステップと、
ｂ）伝導性基材を提供するステップと、
ｃ）伝導性基材と組成物とを互いに接触させるステップと、
ｄ）電気化学電位および力を加えて銅沈着および銅研磨を促進するステップと
を含んで成る、電気化学機械的沈着法。
［第４３の態様］
前記組成物がｉｖ）１つ以上の添加剤をさらに含んで成る、第４２の態様の方法。
［第４４の態様］
１つ以上の添加剤が、研磨材粒子、その他の酸、酸化剤、エッチング剤、腐蝕防止剤、キレート剤、電解質、界面活性剤、光沢剤、および均展材よりなる群から選択される、第４３の態様の方法。
［第４５の態様］
Ｒ f 1 およびＲ f 2 が１〜１２個の炭素原子を独立して含んで成る、第４２の態様の方法。
［第４６の態様］
前記ビス（ペルフルオロアルカンスルホニル）イミドが、
よりなる群から選択される、第４２の態様の方法。
［第４７の態様］
イミド酸が少なくとも組成物の約３０重量％の濃度で存在する、第４２の態様の方法。
［第４８の態様］
ａ）式、
（式中、各Ｒ f は独立して、環式または非環式であり、Ｎ、Ｏ、およびＳよりなる群から選択される連鎖されたまたは末端の、ヘテロ原子を含有するかまたは含有しない、１〜８個の炭素原子を含んで成る過フッ素化されたアルキル基であり、あらゆる２個のＲ f 基は連結してペルフルオロアルキレン含有環を形成しても良い。）で表される少なくとも１つのトリス（ペルフルオロアルカンスルホニル）メチド酸、
ｉｉ）溶剤、および
ｉｉｉ）銅塩
を含んで成る組成物を提供するステップと、
ｂ）伝導性基材を提供するステップと、
ｃ）伝導性基材と組成物とを互いに接触させるステップと、
ｄ）電気化学電位および力を加えて銅沈着および銅研磨を促進するステップと
を含んで成る、電気化学機械的沈着法。
［第４９の態様］
前記組成物がｖ）１つ以上の添加剤をさらに含んで成る、第４８の態様の方法。
［第５０の態様］
前記１つ以上の添加剤が、研磨材粒子、その他の酸、酸化剤、エッチング剤、腐蝕防止剤、キレート剤、電解質、界面活性剤、光沢剤、および均展材よりなる群から選択される、第４９の態様の方法。
［第５１の態様］
Ｒ f 1 、Ｒ f 2 、およびＲ f 3 が独立して、１〜４個の炭素原子を含んで成る、第４８の態様の方法。
［第５２の態様］
前記トリス（ペルフルオロアルカンスルホニル）メチドが、
よりなる群から選択される、第４８の態様の方法。
［第５３の態様］
メチド酸が少なくとも１重量％の濃度で存在する、第４８の態様の方法。
［第５４の態様］
メチド酸が少なくとも組成物の約３０重量％の濃度で存在する、第４８の態様の方法。
［第５５の態様］
ａ）式、
（式中、各Ｒ f は独立して、環式または非環式であり、Ｎ、Ｏ、およびＳよりなる群から選択される連鎖されたまたは末端の、ヘテロ原子を含有するかまたは含有しない、１〜１２個の炭素原子を含んで成る過フッ素化されたアルキル基であり、あらゆる２個のＲ f 基は連結してペルフルオロアルキレン含有環を形成しても良い。）で表される少なくとも１重量％の少なくとも１つのビス（ペルフルオロアルカンスルホニル）イミド酸、
ａ）溶剤、および
ｂ）酸化剤
を含んで成る組成物。
［第５６の態様］
前記酸化剤がＨＮＯ 3 、Ｈ 2 Ｏ 2 、Ｆｅ（ＮＯ 3 ） 3、 Ｏ 3 、およびそれらの混合物よりなる群から選択される、第５５の態様の組成物。
［第５７の態様］
ａ）式、
（式中、各Ｒ f は、独立して、環式または非環式であり、Ｎ、Ｏ、およびＳよりなる群から選択される連鎖されたまたは末端の、ヘテロ原子を含有するかまたは含有しない、１〜８個の炭素原子を含んで成る過フッ素化されたアルキル基であり、あらゆる２個のＲ f 基は連結してペルフルオロアルキレン含有環を形成しても良い。）で表される少なくとも１つのトリス（ペルフルオロアルカンスルホニル）メチド酸、
ｂ）溶剤、および
ｃ）酸化剤
を含んで成る組成物。
［第５８の態様］
前記酸化剤がＨＮＯ 3 、Ｈ 2 Ｏ 2 、Ｆｅ（ＮＯ 3 ） 3、 Ｏ 3 、およびそれらの混合物よりなる群から選択される、第５７の態様の組成物。
本発明とそれに関わる発明の実施態様に関して列挙する。
［第１の態様］
ａ）ｉ）式、
ｉｉ）溶剤
を含んで成る組成物を提供するステップと、
ｂ）少なくとも１つの銅配線および／またはフィルムを有する少なくとも１つの表面を含んで成る基材を提供するステップと、
ｃ）基材表面と組成物とを互いに接触させて境界面を形成するステップと、
ｄ）力を加えて境界面における銅溶解を促進するステップと
を含んで成る、銅配線および／またはフィルムを研磨する方法。
［第２の態様］
前記組成物がｉｉｉ）１つ以上の添加剤をさらに含んで成る、第１の態様の方法。
［第３の態様］
１つ以上の添加剤が、研磨材粒子、その他の酸、酸化剤、エッチング剤、腐蝕防止剤、キレート剤、電解質、界面活性剤、光沢剤、および均展材よりなる群から選択される、第２の態様の方法。
［第４の態様］
前記溶剤が水である、第１の態様の方法。
［第５の態様］
Ｒ f 1 およびＲ f 2 が独立して１〜４個の炭素原子を含んで成る、第１の態様の方法。
［第６の態様］
前記ビス（ペルフルオロアルカンスルホニル）イミドが、
［第７の態様］
イミド酸が組成物の少なくとも約３０重量％の濃度で存在する、第１の態様の方法。
［第８の態様］
イミド酸が組成物の少なくとも約５０重量％の濃度で存在する、第１の態様の方法。
［第９の態様］
イミド酸が組成物の約７０重量％の濃度で存在する、第１の態様の方法。
［第１０の態様］
ａ）ｉ）式、
ｉｉ）溶剤
を含んで成る組成物を提供するステップと、
ｂ）少なくとも１つの銅配線および／またはフィルムを有する少なくとも１つの表面を含んで成る基材を提供するステップと、
ｃ）基材表面と組成物とを互いに接触させて境界面を形成するステップと、
ｄ）力を加えて境界面における銅溶解を促進するステップと
を含んで成る、銅配線および／またはフィルムを研磨する方法。
［第１１の態様］
前記組成物がｉｉｉ）１つ以上の添加剤をさらに含んで成る、第１０の態様の方法。
［第１２の態様］
１つ以上の添加剤が、研磨材粒子、その他の酸、酸化剤、エッチング剤、腐蝕防止剤、キレート剤、電解質、界面活性剤、光沢剤、および均展材よりなる群から選択される、第１１の態様の方法。
［第１３の態様］
前記溶剤が水である、第１０の態様の方法。
［第１４の態様］
Ｒ f 1 、 Ｒ f 2 、およびＲ f 3 が、独立して１〜４個の炭素原子を含んで成る、第１０の態様の方法。
［第１５の態様］
前記トリス（ペルフルオロアルカンスルホニル）メチドが、
［第１６の態様］
メチド酸が少なくとも組成物の１重量％の濃度で存在する、第１０の態様の方法。
［第１７の態様］
メチド酸が少なくとも組成物の約３０重量％の濃度で存在する、第１０の態様の方法。
［第１８の態様］
メチド酸が組成物の少なくとも約５０重量％の濃度で存在する、第１０の態様の方法。
［第１９の態様］
メチド酸が組成物の約７０重量％以下の濃度で存在する、第１０の態様の方法。
［第２０の態様］
ａ）ｉ）式、
ｉｉ）溶剤
を含んで成る組成物を提供するステップと、
ｂ）表面に少なくとも１つの望まれない物質を有する、少なくとも１つの銅配線および／またはフィルムを有する少なくとも１つの表面を含んで成る基材を提供するステップと、
ｃ）基材表面と組成物とを互いに接触させて境界面を形成するステップと、
ｄ）望まれない表面物質を除去させるステップと
を含んで成る、銅配線および／またはフィルムを浄化する方法。
［第２１の態様］
前記組成物がｉｉｉ）１つ以上の添加剤をさらに含んで成る、第２０の態様の方法。
［第２２の態様］
１つ以上の添加剤が、研磨材粒子、その他の酸、酸化剤、エッチング剤、腐蝕防止剤、キレート剤、電解質、界面活性剤、光沢剤、および均展材よりなる群から選択される、第２１の態様の方法。
［第２３の態様］
前記溶剤が水である、第２０の態様の方法。
［第２４の態様］
Ｒ f 1 およびＲ f 2 が独立して１〜４個の炭素原子を含んで成る、第２０の態様の方法。
［第２５の態様］
前記ビス（ペルフルオロアルカンスルホニル）イミドが、
［第２６の態様］
イミド酸が少なくとも組成物の約３０重量％の濃度で存在する、第２０の態様の方法。
［第２７の態様］
イミド酸が少なくとも組成物の約５０重量％の濃度で存在する、第２０の態様の方法。
［第２８の態様］
ｄ）力を加えて境界面における銅溶解を促進するステップをさらに含んで成る、第２０の態様の方法。
［第２９の態様］
前記力が、機械的、電気化学的、またはそれらの組合せである、第２８の態様の方法。
［第３０の態様］
ａ）ｉ）式、
ｉｉ）溶剤
を含んで成る組成物を提供するステップと、
ｂ）表面に少なくとも１つの望まれない物質を有する、少なくとも１つの銅配線および／またはフィルムを有する少なくとも１つの表面を含んで成る基材を提供するステップと、
ｃ）基材表面と組成物とを互いに接触させて境界面を形成するステップと、
ｄ）望まれない表面物質を除去させるステップと
を含んで成る、銅配線および／またはフィルムを浄化する方法。
［第３１の態様］
前記組成物がｉｉｉ）１つ以上の添加剤をさらに含んで成る、第３０の態様の方法。
［第３２の態様］
１つ以上の添加剤が、研磨材粒子、その他の酸、酸化剤、エッチング剤、腐蝕防止剤、キレート剤、電解質、界面活性剤、光沢剤、および均展材よりなる群から選択される、第３１の態様の方法。
［第３３の態様］
前記溶剤が水である、第３０の態様の方法。
［第３４の態様］
Ｒ f 1 、 Ｒ f 2 、およびＲ f 3 が独立して、１〜４個の炭素原子を含んで成る、第３０の態様の方法。
［第３５の態様］
前記トリス（ペルフルオロアルカンスルホニル）メチドが、
［第３６の態様］
メチド酸が少なくとも組成物の１重量％の濃度で存在する、第３０の態様の方法。
［第３７の態様］
メチド酸が少なくとも組成物の約３０重量％の濃度で存在する、第３０の態様の方法。
［第３８の態様］
メチド酸が少なくとも組成物の約５０重量％の濃度で存在する、第３０の態様の方法。
［第３９の態様］
メチド酸が組成物の約７０重量％以下の濃度で存在する、第３０の態様の方法。
［第４０の態様］
ｄ）力を加えて境界面における銅溶解を促進するステップをさらに含んで成る、第３０の態様の方法。
［第４１の態様］
前記力が機械的、電気化学的、またはそれらの組合せである、第４０の態様の方法。
［第４２の態様］
ｉ）式、
ｉｉ）溶剤、および
ｉｉｉ）銅塩
を含んで成る組成物を提供するステップと、
ｂ）伝導性基材を提供するステップと、
ｃ）伝導性基材と組成物とを互いに接触させるステップと、
ｄ）電気化学電位および力を加えて銅沈着および銅研磨を促進するステップと
を含んで成る、電気化学機械的沈着法。
［第４３の態様］
前記組成物がｉｖ）１つ以上の添加剤をさらに含んで成る、第４２の態様の方法。
［第４４の態様］
１つ以上の添加剤が、研磨材粒子、その他の酸、酸化剤、エッチング剤、腐蝕防止剤、キレート剤、電解質、界面活性剤、光沢剤、および均展材よりなる群から選択される、第４３の態様の方法。
［第４５の態様］
Ｒ f 1 およびＲ f 2 が１〜１２個の炭素原子を独立して含んで成る、第４２の態様の方法。
［第４６の態様］
前記ビス（ペルフルオロアルカンスルホニル）イミドが、
［第４７の態様］
イミド酸が少なくとも組成物の約３０重量％の濃度で存在する、第４２の態様の方法。
［第４８の態様］
ａ）式、
ｉｉ）溶剤、および
ｉｉｉ）銅塩
を含んで成る組成物を提供するステップと、
ｂ）伝導性基材を提供するステップと、
ｃ）伝導性基材と組成物とを互いに接触させるステップと、
ｄ）電気化学電位および力を加えて銅沈着および銅研磨を促進するステップと
を含んで成る、電気化学機械的沈着法。
［第４９の態様］
前記組成物がｖ）１つ以上の添加剤をさらに含んで成る、第４８の態様の方法。
［第５０の態様］
前記１つ以上の添加剤が、研磨材粒子、その他の酸、酸化剤、エッチング剤、腐蝕防止剤、キレート剤、電解質、界面活性剤、光沢剤、および均展材よりなる群から選択される、第４９の態様の方法。
［第５１の態様］
Ｒ f 1 、Ｒ f 2 、およびＲ f 3 が独立して、１〜４個の炭素原子を含んで成る、第４８の態様の方法。
［第５２の態様］
前記トリス（ペルフルオロアルカンスルホニル）メチドが、
［第５３の態様］
メチド酸が少なくとも１重量％の濃度で存在する、第４８の態様の方法。
［第５４の態様］
メチド酸が少なくとも組成物の約３０重量％の濃度で存在する、第４８の態様の方法。
［第５５の態様］
ａ）式、
ａ）溶剤、および
ｂ）酸化剤
を含んで成る組成物。
［第５６の態様］
前記酸化剤がＨＮＯ 3 、Ｈ 2 Ｏ 2 、Ｆｅ（ＮＯ 3 ） 3、 Ｏ 3 、およびそれらの混合物よりなる群から選択される、第５５の態様の組成物。
［第５７の態様］
ａ）式、
ｂ）溶剤、および
ｃ）酸化剤
を含んで成る組成物。
［第５８の態様］
前記酸化剤がＨＮＯ 3 、Ｈ 2 Ｏ 2 、Ｆｅ（ＮＯ 3 ） 3、 Ｏ 3 、およびそれらの混合物よりなる群から選択される、第５７の態様の組成物。
Claims (5)
- ａ）ｉ）少なくとも１重量％の、（１）次式、
または
（２）次式、
ｉｉ）溶剤
を含んで成る組成物を提供するステップと、
ｂ）少なくとも１つの銅配線および／またはフィルムを有する少なくとも１つの表面を含んで成る基材を提供するステップと、
ｃ）基材表面と組成物とを互いに接触させて境界面を形成するステップと、
ｄ）力を加えて境界面における銅溶解を促進するステップと
を含んで成る、銅配線および／またはフィルムを研磨する方法。 - ａ）ｉ）少なくとも１重量％の、（１）次式、
または
（２）次式、
ｉｉ）溶剤
を含んで成る組成物を提供するステップと、
ｂ）表面に少なくとも１つの望まれない物質を有する、少なくとも１つの銅配線および／またはフィルムを有する少なくとも１つの表面を含んで成る基材を提供するステップと、
ｃ）基材表面と組成物とを互いに接触させて境界面を形成するステップと、
ｄ）望まれない表面物質を除去させるステップと
を含んで成る、銅配線および／またはフィルムを浄化する方法。 - ａ）ｉ）少なくとも１重量％の、（１）次式、
または
（２）次式、
ｉｉ）溶剤、および
ｉｉｉ）銅塩
を含んで成る組成物を提供するステップと、
ｂ）伝導性基材を提供するステップと、
ｃ）伝導性基材と組成物とを互いに接触させるステップと、
ｄ）電気化学電位および力を加えて銅沈着および銅研磨を促進するステップと
を含んで成る、電気化学機械的沈着法。 - ｉ）少なくとも１重量％の、（１）次式、
または
（２）次式、
ｉｉ）溶剤、および
ｉｉｉ）酸化剤
を含んで成る組成物。 - 前記酸化剤がＨＮＯ3、Ｈ2Ｏ2、Ｆｅ（ＮＯ3）3、Ｏ3、およびそれらの混合物よりなる群から選択される、請求項４に記載の組成物。
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| US6245663B1 (en) * | 1998-09-30 | 2001-06-12 | Conexant Systems, Inc. | IC interconnect structures and methods for making same |
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