JPH0570798A - 低表面張力硫酸組成物 - Google Patents
低表面張力硫酸組成物Info
- Publication number
- JPH0570798A JPH0570798A JP23492891A JP23492891A JPH0570798A JP H0570798 A JPH0570798 A JP H0570798A JP 23492891 A JP23492891 A JP 23492891A JP 23492891 A JP23492891 A JP 23492891A JP H0570798 A JPH0570798 A JP H0570798A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- sulfuric acid
- group
- surface tension
- acid composition
- low surface
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Detergent Compositions (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【構成】一般式Ｒ1−ＳＯ2−ＮＲ2−ＣＨ2−（ＣＨＯＲ
3）ｎ−ＣＨＯＣＯＲ4（Ａ） （式中、Ｒ1はフルオロアルキル基、Ｒ2は芳香族基で置
換されていてもよいアルキル基又はアルケニル基、Ｒ3
は水素原子又はＳＯ3Ｈ基、Ｒ4はアルキル、アルケニル
又は芳香族基を表わし、ｎは０又は１を表わす。）で示
されるフルオロアルキルスルフォンアミド化合物を配合
した硫酸組成物。 【効果】低表面張力の硫酸組成物が得られ、半導体製造
工程洗浄剤等に有用である。
3）ｎ−ＣＨＯＣＯＲ4（Ａ） （式中、Ｒ1はフルオロアルキル基、Ｒ2は芳香族基で置
換されていてもよいアルキル基又はアルケニル基、Ｒ3
は水素原子又はＳＯ3Ｈ基、Ｒ4はアルキル、アルケニル
又は芳香族基を表わし、ｎは０又は１を表わす。）で示
されるフルオロアルキルスルフォンアミド化合物を配合
した硫酸組成物。 【効果】低表面張力の硫酸組成物が得られ、半導体製造
工程洗浄剤等に有用である。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は特に半導体製造工程にて
洗浄剤として使用される硫酸組成物に関する。詳しく
は、本発明は特定のフッ素系界面活性剤を含有してなる
低表面張力硫酸組成物の改良に関するものである。
洗浄剤として使用される硫酸組成物に関する。詳しく
は、本発明は特定のフッ素系界面活性剤を含有してなる
低表面張力硫酸組成物の改良に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】集積回路等に代表される微細加工技術は
近年益々その加工精度を向上させており、ダイナミック
ランダムアクセスメモリー（ＤＲＡＭ）を例にとれば、
現在では、サブミクロンの加工技術が大量生産レベルの
技術として確立されている。微細加工技術においてはウ
エハー上に存在するパーティクルが加工精度に重大な影
響を与え、フォトリソグラィー等の各工程では硫酸等の
洗浄剤を用い、ウエハー上のパーティクルを除去して使
用するのが通例である。上記集積回路の集積度が向上す
るに伴いパターンの微細化、凹凸の複雑化等も相まって
洗浄工程に要求されるパーティクルの除去もより厳しい
要求がなされてきている。硫酸は半導体製造工程におい
て、シリコン基板の洗浄、レジスト膜の除去等に単独に
て、又は他の物質と混合にて使用されている。従来の高
純度硫酸を使用すると、表面張力が大きく濡れ性が悪い
ため、あるいは洗浄中に発生し、又は同伴される気泡が
消泡し難いために、洗浄剤が微細なパターン間内に浸透
し難く、洗浄が不十分になるなどの不都合があった。こ
れらの問題を解決するため、特定の界面活性剤を添加す
ることにより表面張力を低下させ濡れ性を向上させる方
法が提案されている（特開平２−２４０２８５）。しか
し、これらのものを使用して表面張力を低下させること
はできても消泡性が逆に悪化しており、未だ十分に満足
のいくものは得られていない現状にある。
近年益々その加工精度を向上させており、ダイナミック
ランダムアクセスメモリー（ＤＲＡＭ）を例にとれば、
現在では、サブミクロンの加工技術が大量生産レベルの
技術として確立されている。微細加工技術においてはウ
エハー上に存在するパーティクルが加工精度に重大な影
響を与え、フォトリソグラィー等の各工程では硫酸等の
洗浄剤を用い、ウエハー上のパーティクルを除去して使
用するのが通例である。上記集積回路の集積度が向上す
るに伴いパターンの微細化、凹凸の複雑化等も相まって
洗浄工程に要求されるパーティクルの除去もより厳しい
要求がなされてきている。硫酸は半導体製造工程におい
て、シリコン基板の洗浄、レジスト膜の除去等に単独に
て、又は他の物質と混合にて使用されている。従来の高
純度硫酸を使用すると、表面張力が大きく濡れ性が悪い
ため、あるいは洗浄中に発生し、又は同伴される気泡が
消泡し難いために、洗浄剤が微細なパターン間内に浸透
し難く、洗浄が不十分になるなどの不都合があった。こ
れらの問題を解決するため、特定の界面活性剤を添加す
ることにより表面張力を低下させ濡れ性を向上させる方
法が提案されている（特開平２−２４０２８５）。しか
し、これらのものを使用して表面張力を低下させること
はできても消泡性が逆に悪化しており、未だ十分に満足
のいくものは得られていない現状にある。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、前記
の背景に鑑み、既に提案されている硫酸組成物の特性を
改良し低表面張力にて濡れ性が良く且つ消泡性にも優れ
た硫酸組成物を提供することにある。
の背景に鑑み、既に提案されている硫酸組成物の特性を
改良し低表面張力にて濡れ性が良く且つ消泡性にも優れ
た硫酸組成物を提供することにある。
【０００４】
【課題を解決するための手段】このような問題点を解決
するために我々は種々検討を重ねた結果、特定のフッ素
系界面活性剤を用いれば上記目的を達成することができ
ることを見出し本発明を完成した。即ち、本発明の要旨
は 一般式（Ａ）
するために我々は種々検討を重ねた結果、特定のフッ素
系界面活性剤を用いれば上記目的を達成することができ
ることを見出し本発明を完成した。即ち、本発明の要旨
は 一般式（Ａ）
【０００５】
【化２】 Ｒ1−ＳＯ2−ＮＲ2−ＣＨ2−（ＣＨＯＲ3）ｎ−ＣＨＯＣＯＲ4 （Ａ）
【０００６】（式中、Ｒ1はフルオロアルキル基を、Ｒ2
は芳香族基で置換されていてもよいアルキル基、又はア
ルケニル基を、Ｒ3は水素原子又はＳＯ3Ｈを、Ｒ4はア
ルキル、アルケニル又は芳香族基を表わし、ｎは０又は
１を表わす。）で示されるフルオロアルキルスルフォン
アミド化合物よりなるフッ素系界面活性剤を硫酸に配合
した低表面張力硫酸組成物に存する。本発明を詳細に説
明するに、上式中、Ｒ1のフルオロアルキル基としては
通常炭素数３以上好ましくは炭素数５〜２０のアルキル
基のフッ素置換物が挙げられ、そのフッ素置換率は５０
％以上、好ましくは８０％以上である。Ｒ2で示される
芳香族基で置換されていてもよいアルキル基又はアルケ
ニル基としては炭素数１〜６好ましくは２〜５のアルキ
ル基、アルケニル基あるいは該アルキル基がフェニル基
で置換された基が挙げられる。Ｒ4としては通常、炭素
数１〜４のアルキル基又はアルケニル基或いはフェニル
基が挙げられる。またこれらのアルキル、アルケニルは
直鎖でも分岐鎖でもよい。
は芳香族基で置換されていてもよいアルキル基、又はア
ルケニル基を、Ｒ3は水素原子又はＳＯ3Ｈを、Ｒ4はア
ルキル、アルケニル又は芳香族基を表わし、ｎは０又は
１を表わす。）で示されるフルオロアルキルスルフォン
アミド化合物よりなるフッ素系界面活性剤を硫酸に配合
した低表面張力硫酸組成物に存する。本発明を詳細に説
明するに、上式中、Ｒ1のフルオロアルキル基としては
通常炭素数３以上好ましくは炭素数５〜２０のアルキル
基のフッ素置換物が挙げられ、そのフッ素置換率は５０
％以上、好ましくは８０％以上である。Ｒ2で示される
芳香族基で置換されていてもよいアルキル基又はアルケ
ニル基としては炭素数１〜６好ましくは２〜５のアルキ
ル基、アルケニル基あるいは該アルキル基がフェニル基
で置換された基が挙げられる。Ｒ4としては通常、炭素
数１〜４のアルキル基又はアルケニル基或いはフェニル
基が挙げられる。またこれらのアルキル、アルケニルは
直鎖でも分岐鎖でもよい。
【０００７】本発明の低表面張力硫酸組成物において
は、上記一般式に示されるフルオロアルキルスルフォン
アミド化合物を適当量添加し溶解させることを必須とす
るものであり、その添加量は、硫酸に対して０．００１
〜０．１重量％であり、より好ましい添加量は０．００
５〜０．０５重量％である。上記添加量より少なすぎる
と効果が十分でなく、又多すぎてもそれ以上の効果が得
られず意味がない。又、添加される硫酸（水溶液）はあ
まり薄すぎると洗浄効果が十分でないため、一般的には
６０重量％以上、好ましくは７０重量％以上のものが使
用される。本発明で用いられるフルオロアルキルスルフ
ォンアミド化合物は上記高濃度、及び／又は高温下の硫
酸中でも十分に安定であり、十分にその効果を発揮す
る。又、硫酸は過酸化水素水と混合にて洗浄用に供され
る場合があるが、本発明で用いられるフルオロアルキル
スルフォンアミド化合物はこのような強酸化性の雰囲気
にても安定であり、高温下でも十分にその効果を発揮す
る。
は、上記一般式に示されるフルオロアルキルスルフォン
アミド化合物を適当量添加し溶解させることを必須とす
るものであり、その添加量は、硫酸に対して０．００１
〜０．１重量％であり、より好ましい添加量は０．００
５〜０．０５重量％である。上記添加量より少なすぎる
と効果が十分でなく、又多すぎてもそれ以上の効果が得
られず意味がない。又、添加される硫酸（水溶液）はあ
まり薄すぎると洗浄効果が十分でないため、一般的には
６０重量％以上、好ましくは７０重量％以上のものが使
用される。本発明で用いられるフルオロアルキルスルフ
ォンアミド化合物は上記高濃度、及び／又は高温下の硫
酸中でも十分に安定であり、十分にその効果を発揮す
る。又、硫酸は過酸化水素水と混合にて洗浄用に供され
る場合があるが、本発明で用いられるフルオロアルキル
スルフォンアミド化合物はこのような強酸化性の雰囲気
にても安定であり、高温下でも十分にその効果を発揮す
る。
【０００８】
【実施例】次に具体例を挙げて本発明を更に詳しく説明
するが、本発明はその要旨を越えないかぎりは実施例に
よりなんら制限を受けるものではない。 （実施例−１〜７及び比較例−１〜２）８９重量％硫酸
に表１に示す一般式（Ａ）のフッ素系界面活性剤を添加
し２２℃における表面張力を測定した。表面張力はウィ
ルヘルミ法にて測定した。また、界面活性剤を用いない
硫酸（比較例−１）、及び特開平２−２４０２８５記載
の界面活性剤を用いた組成物（比較例−２）について、
同様に表面張力を測定した。表１に使用した界面活性
剤、添加量を、表２に実験結果をまとめて示す。
するが、本発明はその要旨を越えないかぎりは実施例に
よりなんら制限を受けるものではない。 （実施例−１〜７及び比較例−１〜２）８９重量％硫酸
に表１に示す一般式（Ａ）のフッ素系界面活性剤を添加
し２２℃における表面張力を測定した。表面張力はウィ
ルヘルミ法にて測定した。また、界面活性剤を用いない
硫酸（比較例−１）、及び特開平２−２４０２８５記載
の界面活性剤を用いた組成物（比較例−２）について、
同様に表面張力を測定した。表１に使用した界面活性
剤、添加量を、表２に実験結果をまとめて示す。
【０００９】
【表１】
【００１０】
【表２】
【００１１】（実施例−８〜９及び比較例−３〜４）実
施例−２及び比較例−２で用いた硫酸組成物と３０重量
％過酸化水素水とを４：１（容量比）にて混合した混合
組成物を表３に示した時間、加温保持した後、サンプリ
ングした組成物の２２℃における表面張力を測定した。
結果を表３に示す。
施例−２及び比較例−２で用いた硫酸組成物と３０重量
％過酸化水素水とを４：１（容量比）にて混合した混合
組成物を表３に示した時間、加温保持した後、サンプリ
ングした組成物の２２℃における表面張力を測定した。
結果を表３に示す。
【００１２】
【表３】
【００１３】
【発明の効果】本発明によれば、低表面張力にて消泡性
に優れ、且つ高酸化性雰囲気下、高温下でも安定な硫酸
組成物を提供でき、高集積回路の工業生産上利するとこ
ろ大である。
に優れ、且つ高酸化性雰囲気下、高温下でも安定な硫酸
組成物を提供でき、高集積回路の工業生産上利するとこ
ろ大である。
Claims (1)
- 【請求項１】 一般式（Ａ） 【化１】 Ｒ1−ＳＯ2−ＮＲ2−ＣＨ2−（ＣＨＯＲ3）ｎ−ＣＨＯＣＯＲ4 （Ａ） （式中、Ｒ1はフルオロアルキル基を、Ｒ2は芳香族基で
置換されていてもよいアルキル基又はアルケニル基を、
Ｒ3は水素原子又はＳＯ3Ｈを、Ｒ4はアルキル、アルケ
ニル又は芳香族基を表わし、ｎは０又は１を表わす。）
で示されるフルオロアルキルスルフォンアミド化合物よ
りなるフッ素系界面活性剤を硫酸に配合することを特徴
とする低表面張力硫酸組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23492891A JPH0570798A (ja) | 1991-09-13 | 1991-09-13 | 低表面張力硫酸組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23492891A JPH0570798A (ja) | 1991-09-13 | 1991-09-13 | 低表面張力硫酸組成物 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0570798A true JPH0570798A (ja) | 1993-03-23 |
Family
ID=16978479
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23492891A Pending JPH0570798A (ja) | 1991-09-13 | 1991-09-13 | 低表面張力硫酸組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0570798A (ja) |
-
1991
- 1991-09-13 JP JP23492891A patent/JPH0570798A/ja active Pending
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR960013146B1 (ko) | 마이크로 프로세싱용 표면처리 조성물 | |
| US7811978B2 (en) | Fluorinated sulfonamide surfactants for aqueous cleaning solutions | |
| TWI276682B (en) | Substrate surface cleaning liquid mediums and cleaning method | |
| JPS6039176A (ja) | エッチング剤組成物 | |
| JP3217116B2 (ja) | 低表面張力洗浄用組成物 | |
| JP2001003036A (ja) | 研磨用組成物および表面処理用組成物 | |
| TW403777B (en) | Wet-etching composition for semiconductors excellent in wettability | |
| JP3169024B2 (ja) | シリコンウエハーおよび半導体素子洗浄液 | |
| JP2894717B2 (ja) | 低表面張力硫酸組成物 | |
| JPS63274149A (ja) | 半導体処理剤 | |
| JPH07183288A (ja) | 半導体ウェーハ処理剤 | |
| JPH05275406A (ja) | 硫酸組成物 | |
| JPH0570798A (ja) | 低表面張力硫酸組成物 | |
| JP3261819B2 (ja) | 低表面張力硫酸組成物 | |
| JPH05238705A (ja) | 硫酸組成物 | |
| JP3353359B2 (ja) | 低表面張力硫酸組成物 | |
| JPH05275407A (ja) | 硫酸組成物 | |
| JP3064060B2 (ja) | 微粒子の含有量の少ない微細加工表面処理剤 | |
| JP2569574B2 (ja) | 半導体処理剤 | |
| JPH09286999A (ja) | シリコンウェハ洗浄用組成物 | |
| JPH04323300A (ja) | 低表面張力硫酸組成物 | |
| JPH04325599A (ja) | 低表面張力を有する硫酸組成物 | |
| JPH0433833B2 (ja) | ||
| JP2915167B2 (ja) | ホトレジスト用現像液 | |
| JP2001040389A (ja) | ウエハ洗浄液 |