JP2006510203A - ワンタイム・プログラマブル・メモリ・デバイス - Google Patents
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Abstract
Description
Claims (10)
- 電圧供給ラインと接地との間に直列に接続されたMOS(金属酸化物半導体)選択トランジスタおよびMOSメモリ・トランジスタを備え、前記選択トランジスタのゲート、前記メモリ・トランジスタのゲート、および前記電圧供給ラインに電圧を加えるプログラミング手段をさらに備え、前記加えられた電圧が、前記メモリ・トランジスタを強制的にスナップバック・モードに入れ、結果として前記メモリ・トランジスタのドレイン接合を熱的に損傷させる電流を生じさせるワンタイム・プログラマブル・メモリ・デバイス。
- 前記プログラミング手段が、最初に所定の電圧を前記メモリ・トランジスタの前記ゲートに加え、それから、前記メモリ・トランジスタの前記ゲートに加えられた前記所定の電圧を、前記メモリ・トランジスタが前記スナップバック・モードに入るまで減少させていく、請求項1に記載のワンタイム・プログラマブル・メモリ・デバイス。
- 前記MOSトランジスタが、NMOS(Nチャネル金属酸化物半導体)トランジスタである、請求項1または2に記載のワンタイム・プログラマブル・メモリ・デバイス。
- 電圧供給と前記選択トランジスタの前記ゲートとの間、および電圧供給と前記メモリ・トランジスタの前記ゲートとの間に配列された少なくとも1つの抵抗−コンデンサ・ユニットをさらに備え、前記抵抗−コンデンサ・ユニットは、前記ワンタイム・プログラマブル・メモリ・デバイスの電源を投入してから早くても所定の時間後に前記選択トランジスタの前記ゲートおよび前記メモリ・トランジスタの前記ゲートに所定の電圧が加えられることを、保証するものである、前記請求項の一項に記載のワンタイム・プログラマブル・メモリ・デバイス。
- 前記プログラミング手段が、それの動作を起動するための設定手順を必要とし、この設定手順が、1つの所定の電圧レベルを前記プログラミング手段に加えることよりも多くのステップを備える、前記請求項の一項に記載のワンタイム・プログラマブル・メモリ・デバイス。
- 前記プログラミング手段が、前記メモリ・トランジスタのドレイン接合を熱的に損傷させること以外の動作のために前記電圧ラインに加えられる電圧よりも高いプログラミング電圧を、前記電圧供給ラインに加える、前記請求項の一項に記載のワンタイム・プログラマブル・メモリ・デバイス。
- 前記選択トランジスタの前記ゲートに高電圧を加え、前記メモリ・トランジスタの前記ゲートに低電圧を加え、前記電圧供給ラインに読出し電圧を加え、前記加えられた電圧で生じる前記トランジスタを流れる電流を検出し、前記検出された電流を所定の電流値と比較し、そして、前記検出された電流が前記所定の電流値を超えたことが決定された場合には、前記メモリ・トランジスタにプログラムが書き込まれているという表示を与える読出し手段をさらに備える、前記請求項の一項に記載のワンタイム・プログラマブル・メモリ・デバイス。
- 複数のメモリ・セルを備え、前記メモリ・セルの各々が、前記電圧供給ラインと接地との間に直列に接続されたそれぞれの選択トランジスタおよびそれぞれのメモリ・トランジスタを含み、前記プログラミング手段が、前記メモリ・トランジスタのうちのいずれか選ばれた1つを強制的にスナップバック・モードに入れ、結果としてそれぞれのメモリ・トランジスタのドレイン接合を熱的に損傷させる電流を生じさせる電圧を、前記メモリ・セルに加えるのに適している、前記請求項の一項に記載のワンタイム・プログラマブル・メモリ・デバイス。
- 請求項1から8の一項に記載のワンタイム・プログラマブル・メモリ・デバイスを備えるCMOS回路。
- ワンタイム・プログラマブル・メモリにプログラムを書き込む方法であって、前記メモリは電圧供給ラインと接地との間に直列に接続されたMOS(金属酸化物半導体)選択トランジスタおよびMOSメモリ・トランジスタを備えるものであり、前記選択トランジスタのゲート、前記メモリ・トランジスタのゲート、および前記電圧供給ラインに電圧を加えることを備え、前記加えられた電圧が、前記メモリ・トランジスタを強制的にスナップバック・モードに入れ、結果として前記メモリ・トランジスタのドレイン接合を熱的に損傷させる電流を生じさせる方法。
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Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8611129B2 (en) | 2011-02-21 | 2013-12-17 | Sony Corporation | Semiconductor device and operation method thereof |
WO2013190882A1 (ja) * | 2012-06-19 | 2013-12-27 | シャープ株式会社 | 金属酸化物トランジスタ |
WO2014061633A1 (ja) * | 2012-10-19 | 2014-04-24 | シャープ株式会社 | 不揮発性記憶装置 |
US8797782B2 (en) | 2011-02-21 | 2014-08-05 | Sony Corporation | Semiconductor device and operation method thereof |
TWI483347B (zh) * | 2012-04-27 | 2015-05-01 | Sony Corp | 記憶體器件,半導體單元及其操作方法,以及電子裝置 |
WO2015075985A1 (ja) * | 2013-11-25 | 2015-05-28 | シャープ株式会社 | 半導体装置およびその書き込み方法 |
US9478307B2 (en) | 2013-10-10 | 2016-10-25 | Sony Semiconductor Solutions Corporation | Memory device, writing method, and reading method |
US10355003B2 (en) | 2015-01-20 | 2019-07-16 | Sony Corporation | Anti-fuses memory cell and memory apparatus |
Families Citing this family (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR2836751A1 (fr) * | 2002-02-11 | 2003-09-05 | St Microelectronics Sa | Cellule memoire a programmation unique non destructrice |
FR2836752A1 (fr) * | 2002-02-11 | 2003-09-05 | St Microelectronics Sa | Cellule memoire a programmation unique |
JP4164492B2 (ja) * | 2002-07-08 | 2008-10-15 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | 記録担体上の集積回路のデータ保持 |
JP5073292B2 (ja) * | 2004-01-23 | 2012-11-14 | アギア システムズ インコーポレーテッド | ホット・キャリアでプログラムされるワン・タイム・プログラマブル(otp)メモリのための方法および装置 |
US8010927B2 (en) * | 2007-10-02 | 2011-08-30 | International Business Machines Corporation | Structure for a stacked power clamp having a BigFET gate pull-up circuit |
US8482952B2 (en) * | 2011-02-17 | 2013-07-09 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | One time programming bit cell |
CN104422873A (zh) * | 2013-08-20 | 2015-03-18 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 高压器件hci测试电路 |
TW201606779A (zh) * | 2014-08-05 | 2016-02-16 | 創傑科技股份有限公司 | 電子裝置及其電子熔絲 |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS60231355A (ja) * | 1984-04-27 | 1985-11-16 | Mitsubishi Electric Corp | 相補型半導体集積回路 |
JPH05266682A (ja) * | 1992-01-14 | 1993-10-15 | Micron Technol Inc | トランジスター・スナップ・バックによるアンチ・ヒューズ・プログラミング |
US5257225A (en) * | 1992-03-12 | 1993-10-26 | Micron Technology, Inc. | Method for programming programmable devices by utilizing single or multiple pulses varying in pulse width and amplitude |
JP2000106402A (ja) * | 1998-01-22 | 2000-04-11 | Citizen Watch Co Ltd | 半導体不揮発性記憶装置およびその書き込み方法 |
JP2000269437A (ja) * | 1999-03-18 | 2000-09-29 | Hyundai Electronics Ind Co Ltd | 静電放電保護回路 |
JP2002164513A (ja) * | 2000-11-28 | 2002-06-07 | Nippon Precision Circuits Inc | 半導体不揮発性メモリ装置及びその書込み方法 |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB9417264D0 (en) * | 1994-08-26 | 1994-10-19 | Inmos Ltd | Memory device |
US5834813A (en) * | 1996-05-23 | 1998-11-10 | Micron Technology, Inc. | Field-effect transistor for one-time programmable nonvolatile memory element |
JP3114620B2 (ja) * | 1996-05-30 | 2000-12-04 | 日本電気株式会社 | 半導体記憶装置 |
US5835402A (en) * | 1997-03-27 | 1998-11-10 | Xilinx, Inc. | Non-volatile storage for standard CMOS integrated circuits |
FR2762708B1 (fr) * | 1997-04-29 | 1999-06-04 | Sgs Thomson Microelectronics | Procede de commande d'une cellule memoire et memoire non volatile programmable une seule fois en technologie cmos |
US6298459B1 (en) * | 1997-07-18 | 2001-10-02 | Fujitsu Limited | Analog to digital converter with encoder circuit and testing method therefor |
US6034890A (en) * | 1998-01-22 | 2000-03-07 | Citizen Watch Co., Ltd. | Semiconductor nonvolatile memory device and method of writing thereto |
US6307423B1 (en) * | 2000-05-01 | 2001-10-23 | Xerox Corporation | Programmable circuit with preview function |
-
2003
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- 2003-12-03 DE DE60329781T patent/DE60329781D1/de not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS60231355A (ja) * | 1984-04-27 | 1985-11-16 | Mitsubishi Electric Corp | 相補型半導体集積回路 |
JPH05266682A (ja) * | 1992-01-14 | 1993-10-15 | Micron Technol Inc | トランジスター・スナップ・バックによるアンチ・ヒューズ・プログラミング |
US5257225A (en) * | 1992-03-12 | 1993-10-26 | Micron Technology, Inc. | Method for programming programmable devices by utilizing single or multiple pulses varying in pulse width and amplitude |
JP2000106402A (ja) * | 1998-01-22 | 2000-04-11 | Citizen Watch Co Ltd | 半導体不揮発性記憶装置およびその書き込み方法 |
JP2000269437A (ja) * | 1999-03-18 | 2000-09-29 | Hyundai Electronics Ind Co Ltd | 静電放電保護回路 |
JP2002164513A (ja) * | 2000-11-28 | 2002-06-07 | Nippon Precision Circuits Inc | 半導体不揮発性メモリ装置及びその書込み方法 |
Cited By (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8611129B2 (en) | 2011-02-21 | 2013-12-17 | Sony Corporation | Semiconductor device and operation method thereof |
US8797782B2 (en) | 2011-02-21 | 2014-08-05 | Sony Corporation | Semiconductor device and operation method thereof |
TWI483347B (zh) * | 2012-04-27 | 2015-05-01 | Sony Corp | 記憶體器件,半導體單元及其操作方法,以及電子裝置 |
WO2013190882A1 (ja) * | 2012-06-19 | 2013-12-27 | シャープ株式会社 | 金属酸化物トランジスタ |
WO2014061633A1 (ja) * | 2012-10-19 | 2014-04-24 | シャープ株式会社 | 不揮発性記憶装置 |
US9478307B2 (en) | 2013-10-10 | 2016-10-25 | Sony Semiconductor Solutions Corporation | Memory device, writing method, and reading method |
WO2015075985A1 (ja) * | 2013-11-25 | 2015-05-28 | シャープ株式会社 | 半導体装置およびその書き込み方法 |
JP6072297B2 (ja) * | 2013-11-25 | 2017-02-01 | シャープ株式会社 | 半導体装置およびその書き込み方法 |
JPWO2015075985A1 (ja) * | 2013-11-25 | 2017-03-16 | シャープ株式会社 | 半導体装置およびその書き込み方法 |
US10355003B2 (en) | 2015-01-20 | 2019-07-16 | Sony Corporation | Anti-fuses memory cell and memory apparatus |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
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