JP2006505866A - データ取得の方法と装置 - Google Patents
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Abstract
Description
20 コントローラ
22 クロック生成回路
24 偶数クロック領域レジスタ
25 偶数クロック領域レジスタ
26 奇数クロック領域レジスタ
27 奇数クロック領域レジスタ
70 DQS領域回路
72 t1遅延回路
74 エッジトリガーデータサンプラー
76 エッジトリガーデータサンプラー
90 DDR DRAMデバイス
92 伝搬遅延ブロック
94 伝搬遅延ブロック
96 伝搬遅延ブロック
200 システム
202 クロック源
204 マルチプレクサ(MUX)
210 入力サンプリング回路
212 データ修復回路
214 ビット遷移検出回路
216 データ抽出回路
216A 投票者回路
218 第1の回路素子
220 第2の回路素子
250 メモリコントローラ
252 メモリデバイス
254 クロック生成回路
256 分周器
302 XORゲート
304 マルチプレクサ
500 データ修復回路
504 フィルタ回路
600 フィルタ回路
602 Dフリップフロップ
604 Dフリップフロップ
606 XORゲート
608 マルチプレクサ(MUX)
610 Dフリップフロップ
700 データ修復回路
702 フィルタ回路
704 ビット遷移検出回路
706 データ抽出回路
800 データ修復回路
802 ビット遷移検出回路
804 データ抽出回路
900 処理
Claims (50)
- データ取得の方法であって、
複数の入力信号を受信するステップ;
上記複数の入力信号の各々に関し一連のオーバーサンプリングされた入力値を生成するステップ;
少なくとも1つの論理遷移をもつ上記一連のオーバーサンプリングされた入力値のうち1つを選択するステップ;
選択された上記一連のオーバーサンプリングされた入力値を使用してビット境界範囲を決定するステップ;および
上記ビット境界範囲を使用して、各々が上記複数の入力信号のうち1つに対応する複数のデータワードを決定するステップ
を含む方法。 - 上記受信するステップが、第1の電子回路からの複数の入力信号を、第2の電子回路から受信するステップを含む請求項1に記載の方法。
- 上記生成するステップが、上記第2の電子回路で上記一連のオーバーサンプリングされた入力値を生成するステップを含む請求項2に記載の方法。
- 上記第1の電子回路が第1の半導体チップ上に配置された請求項3に記載の方法。
- 上記第2の電子回路が第2の半導体チップ上に配置された請求項4に記載の方法。
- 上記第1の電子回路がメモリコントローラ上に配置された請求項3に記載の方法。
- 上記第1の電子回路がメモリデバイス上に配置された請求項6に記載の方法。
- 選択された上記一連のオーバーサンプリングされた入力値を使用してフィルタリングされた一連のオーバーサンプリングされた入力値を生成し;
上記フィルタリングされた一連のオーバーサンプリングされた入力値を使用してビット境界範囲を決定する
請求項4に記載の方法。 - 上記複数の入力信号がタイミング基準信号を含み、一連のオーバーサンプリングされた入力値を選択する上記ステップが、一連のオーバーサンプリングされた入力値を選択して上記ビット境界範囲を決定するステップを含む請求項1に記載の方法。
- 上記複数の入力信号がタイミング基準信号を含み、一連のオーバーサンプリングされた入力値を選択するステップが、上記タイミング基準信号に対応する一連のオーバーサンプリングされた入力値を選択するステップを含む請求項1に記載の方法。
- ビット境界範囲を決定するステップが、選択された上記一連のオーバーサンプリングされた入力値の中の少なくとも1つのビット遷移位置を決定するステップを含む請求項1に記載の方法。
- 選択された上記一連のオーバーサンプリングされた入力値が、既知の入力値の所定のパターンを含む請求項1に記載の方法。
- ビット境界範囲を決定する上記ステップが、出力データパターンが所定のパターンに一致するまで、ビット境界範囲値を調整するステップを含む請求項1に記載の方法。
- 上記メモリデバイスがダブルデータレート(DDR)メモリデバイスを含み、上記複数の入力信号の各々に対応する上記一連のオーバーサンプリングされた入力値からデータワードを決定する上記ステップが、上記複数の入力値の各々に関する偶数データワードおよび奇数データワードを決定するステップを含む請求項7に記載の方法。
- 上記複数のデータワードを出力するステップをさらに含む請求項1に記載の方法。
- 上記第2の電子回路が3信号レベルを使用する構成にされ、上記3信号レベルのうち1つが待機信号レベルであって、ビット境界範囲を決定する上記ステップが、
選択された上記オーバーサンプリングされた入力値の中で待機状態から非待機状態への信号遷移位置を決定するステップ;および
所定数のクロックサイクルを上記信号遷移位置に加えて、上記ビット境界範囲を決定するステップ
を含む請求項3に記載の方法。 - 上記データワードを決定する前に、上記複数の入力信号の少なくとも2つに対応する少なくとも一連のオーバーサンプリングされた入力値の中の第1の信号遷移位置を決定するステップ;
上記少なくとも一連のオーバーサンプリングされた入力値の中の第1の信号遷移位置が上記ビット境界範囲に関連する第1の信号遷移の前に発生するか否かを決定するステップ;および
上記第1の信号遷移の前に発生すると、上記少なくとも一連のオーバーサンプリングされた入力値に関連する上記信号遷移位置に基づいて、さらに上記ビット境界範囲に関連する上記第1の信号遷移に基づいて上記ビット境界範囲を調整するステップ
をさらに含む請求項1に記載の方法。 - データ取得の方法であって、
第1の電子回路から複数の入力データ信号を受信するステップ;
上記第1の電子回路から上記複数の入力データ信号に関連するタイミング基準信号を受信するステップ;
上記複数の入力データ信号の各々に関する一連のオーバーサンプリングされた入力データ値を生成するステップ;
上記タイミング基準信号に関する一連のオーバーサンプリングされたタイミング基準値を生成するステップ;
上記一連のオーバーサンプリングされたタイミング基準値の中の第1のビット遷移位置および第2のビット遷移位置を決定するステップ;
上記第1のビット遷移位置および上記第2のビット遷移位置を使用してビット境界範囲を決定するステップ;および
上記ビット境界範囲を使用して、上記複数の入力データ信号の各々に関し生成された各一連のオーバーサンプリングされた入力データ値から少なくとも1つのデータワードを決定するステップ
を含む方法。 - 第2の電子回路がダブルデータレート(DDR)メモリデバイスを含むメモリデバイスであって、上記各一連のオーバーサンプリングされた入力データ値から少なくとも1つのデータワードを決定するステップが、各一連のオーバーサンプリングされた入力データ値の偶数データワードおよび奇数データワードを決定するステップを含む請求項18に記載の方法。
- 第1のビット遷移位置および第2のビット遷移位置を決定する前に、上記一連のオーバーサンプリングされたタイミング基準値をフィルタリングして一連のフィルタリングされたオーバーサンプリングされたタイミング基準値を決定する請求項18に記載の方法。
- フィルタリングする上記ステップは、ビット遷移と考えられる第1のビットに続く第2のビットが上記第1のビットとは異なる信号値をもつと、ビット遷移位置を有効なビット遷移位置として破棄するステップを含む請求項20に記載の方法。
- 複数の上記オーバーサンプリングされた入力データ値および上記オーバーサンプリングされたタイミング基準値を格納するステップ;および
上記第1のビット遷移位置が端部のビット遷移位置か否かを決定するステップ;および
端部のビット遷移位置であると、上記オーバーサンプリングされたタイミング基準値を使用して第1のビット遷移位置を決定するステップ
をさらに含む請求項18に記載の方法。 - 第2の電子回路からデータを読み出す第1の電子回路であって、
第2の電子回路から複数の入力信号を受信し、上記複数の入力信号の各々に関する一連のオーバーサンプリングされた入力値を生成するために構成された第1の回路手段;
少なくとも一連のオーバーサンプリングされた入力値を使用してビット境界範囲を決定する第2の回路手段;および
上記第2の回路手段からビット境界範囲を受信し、各一連のオーバーサンプリングされた入力値の中の少なくとも1つのデータワードを決定し、上記ビット境界範囲を使用して少なくとも1つのデータワードを決定する第3の回路手段
を含む第1の電子回路。 - 上記第2の回路手段が、上記少なくとも一連のオーバーサンプリングされた入力値を選択し、選択された上記一連のオーバーサンプリングされた入力値の中の信号レベル遷移位置に基づいてビット境界範囲を決定するために構成された請求項23に記載の第1の電子回路。
- 選択された上記一連のオーバーサンプリングされた入力値をフィルタリングして、一連のフィルタリングされたオーバーサンプリングされた入力値を生成するため構成された第4の回路手段であって、第2の回路手段が上記一連のフィルタリングされたオーバーサンプリングされた入力値を使用して上記信号遷移位置を決定するために構成された第4の回路手段
をさらに含む請求項24に記載の第1の電子回路。 - 上記第4の回路手段が、無効なビット遷移位置をフィルタリングするためにさらに構成され、上記第4の回路手段が、ビット遷移と考えられるビットに続くビットが異なる信号レベルをもつならばそのビット遷移は無効であると考えるために構成された請求項25に記載の第1の電子回路。
- 上記複数の入力信号がタイミング基準信号を含み、上記第2の回路手段が、一連のオーバーサンプリングされたタイミング基準値の中の信号遷移位置に基づいて上記ビット境界範囲を決定するために構成された請求項23に記載の第1の回路手段。
- 上記第1の電子回路がメモリコントローラを含み、上記第2の電子回路がメモリデバイスを含む請求項23に記載の第1の電子回路。
- 上記メモリデバイスがダブルデータレートメモリデバイスを含む請求項28に記載の第1の電子回路。
- 上記複数の入力信号の各々に関する上記一連のオーバーサンプリングされた値の生成に使用されるクロック信号を生成するために構成されたクロック生成手段を第1の電子回路が含む請求項23に記載の第1の電子回路。
- 上記クロック信号が高速クロック信号を含み、上記第1の電子回路が、
上記クロック生成手段から高速クロック信号を受信し、整数で上記高速クロック信号を分割し、低速クロック信号を第2の電子回路へ提供するために構成された分周回路手段
をさらに含む請求項30に記載の第1の回路手段。 - 上記クロック生成手段が、上記複数の信号の各々に関し上記一連のオーバーサンプリングされた値の生成に使用される多相クロック信号を生成するために構成された請求項30に記載の第1の電子回路。
- 第2の電子回路がマルチランクメモリシステム内に第1のメモリデバイスを備える請求項23に記載の第1の電子回路。
- 第2の電子回路からデータを読み出す第1の電子回路であって、
上記第2の電子回路から複数の入力信号を受信するために構成され、上記複数の入力信号の各々に関する一連のオーバーサンプリングされた入力値を生成するために構成され、さらに、各一連のオーバーサンプリングされた入力値を出力するために構成された入力サンプリング回路;および
各上記一連のオーバーサンプリングされた入力値を受信するために構成されたデータ修復回路を備え、該データ修復回路が、
上記一連のオーバーサンプリングされた入力値のうち少なくとも1つを使用してビット境界範囲を決定するために構成され、上記ビット境界範囲が、選択された上記一連のオーバーサンプリングされた入力値の中の信号論理状態遷移位置に基づいて決定されるビット遷移検出回路;および
上記ビット遷移検出回路からビット境界範囲を受信するために構成され、さらに各一連のオーバーサンプリングされた入力値を受信するために構成され、さらに上記ビット境界範囲を使用して各一連のオーバーサンプリングされた入力値からデータワードを決定するために構成されたデータ抽出回路
を含む第1の電子回路。 - 高速クロック信号を生成し、上記高速クロック信号を使用して各一連のオーバーサンプリングされた入力値を生成する上記入力サンプリング回路へ、上記高速クロック信号を提供するために構成されたクロック生成回路であって、上記第2の電子回路に出力される第2のクロック信号を生成するために構成された分周器へ、上記高速クロック信号がさらに入力され、上記第2のクロック信号が上記高速クロック信号に比較して低速のクロック信号であるクロック生成回路
をさらに含む請求項34に記載の第1の電子回路。 - 多相クロック信号を生成し、上記多相クロック信号を使用して各一連のオーバーサンプリングされた入力値を生成する上記入力サンプリング回路へ、上記多相クロック信号を提供するために構成されたクロック生成回路であって、上記メモリデバイスへ出力される上記多相クロック信号から1クロック信号を選択するために構成されたマルチプレクサへ上記多相クロック信号がさらに入力されるクロック生成回路
をさらに含む請求項34に記載の第1の電子回路。 - 上記ビット遷移検出回路でビット境界範囲を決定する前に、上記少なくとも一連のオーバーサンプリングされた入力値をフィルタリングするために構成され、無効なビット遷移をフィルタリングするために構成され、ビット遷移と考えられるビットに続くビットが異なる信号レベルをもつと、無効なビット遷移を検出するために構成されるフィルタ回路
をさらに含む請求項34に記載の第1の電子回路。 - 上記複数の入力信号がタイミング基準信号を含み、上記ビット遷移検出回路が、上記タイミング基準信号に対応する一連のオーバーサンプリングタイミング基準値を使用して、上記ビット境界範囲を決定するために構成された請求項34に記載の第1の電子回路。
- 上記第2の電子回路がマルチランクメモリシステム内のダブルデータレートメモリデバイスを含み、上記第1の電子回路が上記ダブルデータレートメモリデバイスから受信する各入力データ信号に関する偶数データワードおよび奇数データワードを決定するために、投票者回路が構成される請求項34に記載の第1の電子回路。
- 上記データ抽出回路が投票者回路である請求項34に記載の第1の電子回路。
- 第2の電子回路から受信したデータを読み出す第1の電子回路であって、
上記第2の電子回路から受信した少なくとも1つの入力信号に基づいて生成される少なくとも一連のオーバーサンプリングされた入力値を受信するために構成され、さらに上記少なくとも一連のオーバーサンプリングされた入力値を使用して、さらに上記少なくとも1つのオーバーサンプリングされた入力値内の信号論理状態遷移位置に基づいて、ビット境界範囲を決定するために構成されたビット遷移検出回路;および
上記ビット遷移検出回路から上記ビット境界範囲を受信するために構成され、さらに上記少なくとも一連のオーバーサンプリングされた入力値を受信するために構成され、さらに上記ビット境界範囲を使用して、上記少なくとも一連のオーバーサンプリングされた入力値から少なくとも1つのデータワードを決定するために構成されたデータ抽出回路
を含む第1の電子回路。 - 上記少なくとも一連のオーバーサンプリングされた入力値が、一連のタイミング基準のオーバーサンプリングされた値および少なくとも1つのデータ信号に対応する少なくとも一連のオーバーサンプリングされたデータ値を含み、上記ビット遷移検出回路で選択された上記一連のオーバーサンプリングされた入力値が上記一連のタイミング基準のオーバーサンプリングされた値を含む請求項41に記載の第1の電子回路。
- 上記ビット遷移検出回路で選択された上記少なくとも一連のオーバーサンプリングされた入力値が、上記少なくとも一連のオーバーサンプリングされたデータ値に対応する請求項41に記載の第1の電子回路。
- ビット遷移検出回路でビット境界範囲を決定する前に上記少なくとも一連のオーバーサンプリングされた入力値をフィルタリングするために構成され、無効なビット遷移をフィルタリングするために構成されたフィルタ回路
をさらに含む請求項41に記載の第1の電子回路。 - さらに上記フィルタ回路が、上記少なくとも一連のオーバーサンプリングされた入力値をフィルタリングし、少なくとも一連のフィルタリングされたオーバーサンプリングされた入力値を上記ビット遷移回路へ供給するために構成され、上記ビット遷移回路は、上記少なくとも一連のフィルタリングされたオーバーサンプリングされた入力値を使用して上記ビット境界範囲を決定し、さらに上記フィルタ回路は、上記少なくとも一連のフィルタリングされたオーバーサンプリングされた入力値を上記データ抽出回路に供給するために構成され、次に上記データ抽出回路は、上記少なくとも一連のフィルタリングされたオーバーサンプリングされた入力値を使用して上記データワードを決定するために構成された請求項44に記載の第1の電子回路。
- 上記マルチランクメモリシステム内の上記メモリデバイスが、上記マルチランクメモリシステム内のダブルデータレートメモリデバイスを含み、上記データ抽出回路が、各一連のオーバーサンプリングされた入力値から偶数データワードおよび奇数データワードを決定するために構成された請求項41に記載の電子回路。
- 上記データ抽出回路が投票者回路である請求項41に記載の第1の電子回路。
- マルチランクメモリシステム内のデータ取得用メモリコントローラであって、
高速クロック信号を受信し、低速クロック信号を上記マルチランクメモリシステム内の複数のメモリデバイスに提供するために構成されたクロック分周回路;
上記マルチランクメモリシステム内の上記複数のメモリデバイスの1つから受信した複数の入力信号に基づいて生成される複数のオーバーサンプリングされた入力信号を受信するために構成され、少なくとも1つの上記複数のオーバーサンプリングされた入力信号を使用してビット境界範囲を決定し、上記ビット境界範囲を上記複数のオーバーサンプリングされた入力信号に適用して上記複数のオーバーサンプリングされた入力信号からデータワードを決定するために構成されたデータ修復回路
を備えるメモリコントローラ。 - 少なくとも1つの遷移をもち、コントローラが第2の電子回路から受信した複数のオーバーサンプリングされた入力信号からオーバーサンプリングされた入力信号を選択するステップ;
選択された上記オーバーサンプリングされた入力信号を使用してビット境界範囲を決定するステップ;および
上記ビット境界範囲を使用して上記複数のオーバーサンプリングされた入力信号から複数のデータワードを決定するステップ
を含む方法を実行する1組の命令でプログラムされた電子回路。 - コントローラが電子回路を含み、メモリデバイスが上記第2の電子回路を含み、上記コントローラがマルチランクメモリシステム内で使用され、上記メモリデバイスが上記マルチランクメモリシステム内の複数のメモリデバイスの1つである請求項49に記載のコントローラ。
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