JP2006502941A - 高級シリコンの製造、反応器、粒子再捕獲塔、およびそれらの使用 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】ソーラー等級のシリコンを過剰の水素の存在下で反応成分を下部がシリコンの融点以上の温度で保たれかつ上部が室温で保たれた反応チャンバー(1)中に導入する、シリコン前駆体、好ましくはトリクロロシランの熱分解により製造する。該方法は、導入する液体トリクロロシランの冷媒として機能する水素ガスを導入する外側パイプ(4)の内側に同軸に配置された供給パイプ(3)を通してトリクロロシランを導入することにより識別される。形成したシリコンを反応器(1)の下部で収集し、そして排出口(6)を通して除去する。過剰の水素および塩化水素は排出口(5)を通して取り出し、そして精製後、低級シリコンから純シリコンを製造する本質的な閉鎖系での反応成分として使用できる。排気ガス中のシリコン粒子は粒子再捕獲塔を使用して分離、融解および再循環する。
Description
本発明は、シリコン前駆体、特にトリクロロシランの水素での還元による純粋なソーラー等級のシリコンの製造、またそれと共に、該方法を行うための装置に関する。特に本発明は、低級シリコンからソーラー等級のシリコンを生成するための統合プロセスに関する。また本発明は、シリコン生成からの排気ガスからの粒子、特に気相からのシリコン粒子の分離、融解および再循環に関する。
トリクロロシランの還元による元素ケイ素の生成は従来技術で既知である。米国特許第4547258号明細書は、トリクロロシランと水素との混合物をシリコンの融点以上まで加熱した窒化ケイ素粒子を含有するカラム中に通過させることによる液状シリコンの生成を記載する。形成したシリコンは該カラムを通して流れ落ち、該カラムの下で溶融物として収集され、再結晶化によりさらに精製できる。トリクロロシランの還元により形成した塩化水素は該カラムの上部から除去する。
1.シリコン前駆体の早期分解および供給ラインの汚れ。
2.反応器中で形成した粒子での流出ラインのつまり。
3.汚染。
水素ガスを供給する外側の管と同軸に配置した管を通して反応器中にシリコン前駆体を導入することにより、シリコン前駆体、好ましくはトリクロロシランを水素で、本発明に従う反応器中で還元することにより、純シリコンを製造する。該反応器の下部をシリコンの融点、約1410℃で保ち、そして上部を室温で保つ。液状シリコンは以下の反応に従って生成される:
SiHCl3(g)+H2(g)=>Si(l)+3HCl(g)
図1は、本発明の方法で使用するための反応器の模式図を示す。
図2は、高級シリコンの製造のための統合系の模式図を示す。
図3Aは、排気ガス流出口上に粒子再捕獲塔および2次分解チャンバーを持つ1次分解チャンバーを示す。
図3Bは、側面および上面から見た粒子再捕獲塔の断面図を示す。
図3Cは、噴射系を示す。
図4は、何れの形態の転換もない場合(100%SiHCl3)の信号と比較した定常状態に到達した後の反応器内ガスの分析結果を示す。
図6A、6Bおよび6Cは、様々なH2:SiHCl3混合物を使用したときの反応器内ガスの分析結果を示す。
本方法の目的は、シリコン前駆体、例えばSiHCl3(g)を直接に液状シリコンに約1420℃で、大過剰の水素の存在下で、反応(1)に示すように分解することにより、ソーラー等級のシリコン(SOG、Solar Grade Silicon)を製造することにある。
SiHCl3(g)+H2(g)=>Si(l)+3HCl(g) (1)
図1は、本発明を行うための反応器の模式図を与える。反応器(1)は、水素ガスを導入する外側パイプ(4)と同軸に配置されたパイプ(3)からなる配管系(2)を含み、シリコン前駆体(例えば、液状トリクロロシラン)は同軸に配置したパイプ(3)を通して導入され、そして生じた塩化水素ガスおよび過剰の水素は排出口(5)を通して除去される。形成した生成物、即ち液状シリコンはオーバーフローパイプ(6)を通して流出する。該反応器の内側は、最新技術に従い、窒化ケイ素、炭化ケイ素または水晶のような不活性材料で構成され、それにより形成したシリコンの汚染を低下させる。以下の利点が、本発明の反応チャンバーの使用から得られる:
1.分解が、2次反応の転換率の増加を可能にする温度勾配内で起こる。
2.早期分解が以下により防止される:
a.気体を別個の管で導入する、
b.シリコン前駆体(例えば、トリクロロシラン)のための吸気管を冷却するために水素ガスが使用される、
c.キャピラリー管を通して液体としてシリコン前駆体を噴射し、それにより、A)該シリコン前駆体が該管の通過により気化することで、またB)該シリコン前駆体が気体管から流出するときに起こる顕著な圧力低下および膨張により、冷却効果を達成する、
d.ガスが溶融物の表面に向けて“叩き付ける”ような高い流出速度を有するので、溶融物の表面からの距離を増すことができ、従って、噴射管を温度が低い分解チャンバー中の高所に配置できる、
e.反応成分の予熱が不必要である。
3.排気ガスのための流出パイプが、粒子が形成される分解領域から可能な限り離れて位置し、そしてより低い流出温度が排気ガス系中への継続した分解を防止する。
4.液状シリコンの液位を排出パイプでの一定液位により調節する。
l(II)との間の反応により流動床反応器(III)中で製造される:
Si(s)+3HCl(g)=>SiHCl3(g)+H2(g) (3)
自由空間反応器中でのシランの分解は、排気ガスと共に該反応器外に運搬され得る微視的なシリコン粒子、または微細物の形成を導ける。本発明に従うと、粒子(例えば、シリコン粒子)を含む排気ガスは粒子再捕獲塔中に送られ、該粒子は、一部は粒子再捕獲塔の表面との衝突により、また一部は溶融シリコンの下降流との衝突により収集され、それにより該粒子は融解し、そして溶融シリコンのプールに流し戻される。
臨界厚に達したとき、該材料は下方に流れ始める。溶融材料の“雨”が、該材料が隔壁から隔壁に、また最も下の隔壁から溶融した下位に垂直に流れるときに形成される。この溶融材料の“雨”は該粒子の流れと反対の方向を有し、そして同様に衝突による粒子の捕獲に寄与する。
上記で示したように、1次反応:SiHCl3+H2=>Si+3HClからのあらゆる副生成物(例えば、SiCl2)がシリコンの融点未満の温度での2次反応によりシリコンに転換できるように、分解チャンバー中で温度勾配を確立することが望ましい。2次分解チャンバー(8)では、この温度勾配は、反応器の上部を冷却しつつ粒子再捕獲塔全体をシリコンの融点以上の温度で保つようにして確立される。結果として、2次分解チャンバーの低温部分での2次反応で形成されたシリコン粒子は、該チャンバーの底部での溶融物中に落下する。
1次および2次の分解チャンバーの双方共、液状シリコンの除去のための機構(図3A中の5)を備える。除去系は、反応チャンバーの内側で溶融シリコンを一定液位で保つように設計される。
本発明に従う反応器を使用した純シリコンの製造を以下に記載する。シリコンの製造のための原料としてトリクロロシランを使用したが、シラン、テトラクロロシラン、および他のハロゲン化シランのようなあらゆる他のシリコン前駆体を使用し得ることは明らかである。トリクロロシランは安価かつ製造が容易なので、トリクロロシランは純シリコンの製造のための好ましい原材料である。
SiCl2(g)+H2(g)=>Si(s)+2HCl(g)
2SiHCl3=>Si+SiCl4+2HCl
L/分の割合で導入した。導入される水素ガスからの可能な最小の冷却効果を示すために、可能な最小のH2:SiHCl3理論比を使用した。従ってこの実験の目的は、導入したトリクロロシランの可能な最大の転換率を達成することでない。
Claims (16)
- 下部が溶融シリコンのプールを保持し垂直に伸びる反応チャンバー中に水素ガスとシリコン前駆体とを別個に導入することによる過剰の水素の存在下での該シリコン前駆体の熱分解によってソーラー等級のシリコンを製造するに当り、
反応成分を該プールの表面に向けて導き、本質的に元素ケイ素および塩化水素の形成の間に反応させ、排気ガスおよび形成した副生成物をカラムの上部から取り出し、形成したシリコンを反応器の下部から取り出すところの製造方法であって、
液体の前記シリコン前駆体を、室温で、水素ガスのための供給パイプと同軸に配置されたパイプを通して導入し、ここで該水素ガスは導入した前記シリコン前駆体のための冷却媒体として機能すること、
前記反応器内で急激な温度勾配を保ち、前記反応成分を、前記シリコン前駆体と前記水素ガスとの急速な膨張により、高速で前記溶融シリコンの表面に導き、前記反応器の高温の下部で反応させること、
形成した塩化ケイ素は全て前記反応器の上部で過剰の水素と反応させて、固形シリコン粒子として落下させること
を特徴とする、方法。 - 前記シリコン前駆体は、トリクロロシラン、シラン、テトラクロロシラン、または他のハロゲン化シラン、好ましくはトリクロロシランであることを特徴とする、請求項1記載の方法。
- 前記反応器の下部をシリコンの融点、1410℃以上の温度で保ち、そして低温の上部を400℃未満の温度で保つことを特徴とする、請求項1または2に記載の方法。
- 前記反応器中の溶融シリコンの液位を、連続除去のための液位調節系により一定に保つことを特徴とする、請求項1、2または3に記載の方法。
- シリコン前駆体、好ましくはトリクロロシラン、および水素のための噴射系(2)、および未転換の水素、HClおよび副生成物のための排出口(5)を備え不活性ライニングを持つ長く伸びた容器(1)を含む、請求項1ないし4のうちの何れか1項に記載の方法を行うための反応器であって、
生成した液状シリコンのための液位調節排出系(6)を備えること、
供給のための前記系(2)は、水素ガスを導入するための外側パイプ(4)と、パイプ(4)と同軸に配置された液体のシリコン前駆体の導入のためのパイプ(3)とを含むこと、および
前記反応器の高さは、必要な急激な温度勾配を確立するために十分であること
を特徴とする、反応器。 - 前記反応器の下部での温度をシリコンの融点、1410℃以上の温度で保ち、そして低温の上部を400℃未満の温度で保つことを特徴とする、請求項5記載の反応器。
- 請求項5記載の反応器中に導入されるトリクロロシランの形成の間に低級シリコンを塩化水素ガスと反応させ、その後、未転換の水素と塩化水素を分離し、そして塩化水素ガスをさらなる低級シリコンの転換に使用し、そして該水素ガスをプロセスにおける反応成分として導入することにより、統合され本質的に閉鎖したプロセスで、ソーラー等級のシリコンを製造するための請求項1ないし4に記載の方法および請求項5ないし6に記載の反応器の使用。
- 反応器またはキルンからの排気ガス排出口に粒子再捕獲塔を設置することによる、排気ガ
スからの粒子の除去方法であって、
前記粒子再捕獲塔と前記反応器(キルン)の双方を前記粒子の融点以上の温度で保ち、それが前記粒子の捕獲および融解、並びに溶融材料への流し戻しを導くことを特徴とする、方法。 - 前記粒子再捕獲塔は、粒子を運搬する気相のための波型流れパターンを生じる交互に設けた隔壁を持つ流路を有することを特徴とする、請求項8記載の方法。
- 前記波形流れパターンにより、前記粒子を流路壁上および隔壁上の溶融相中に捕獲することを特徴とする、請求項8記載の方法。
- 前記隔壁の傾斜した上側により、前記溶融相を垂直下方に流すことを特徴とする、請求項8記載の方法。
- 開口部(13)が隔壁(11)と流路壁(10)との間に形成されるように設計され下方に傾斜した幾何形状(12)を持つ隔壁(11)を持つ流路(10)を含み、隔壁(11)を左右に交互に設けることを特徴とする、請求項8ないし12に記載の方法を行うための粒子再捕獲塔。
- 前記流路の断面は好ましくは矩形であることを特徴とする、請求項13記載の粒子再捕獲塔。
- 前記流路壁および前記隔壁を捕獲する粒子の融点以上の温度で保つことを特徴とする、請求項13または14に記載の粒子再捕獲塔。
- 前記粒子再捕獲塔を2次反応チャンバー中に設け、急激な温度勾配を該反応チャンバーの上部と該粒子再捕獲塔との間に保つことを特徴とする、請求項13、14または15に記載の粒子再捕獲塔。
- 請求項1ないし4に記載の方法び実施において、1次分解チャンバーからの排気ガスについての請求項13ないし16に記載の粒子再捕獲塔の使用。
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US20090289390A1 (en) * | 2008-05-23 | 2009-11-26 | Rec Silicon, Inc. | Direct silicon or reactive metal casting |
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Family Cites Families (13)
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---|---|---|---|---|
US3370402A (en) * | 1965-07-08 | 1968-02-27 | Kanagawa Prefecture | Method and apparatus for cleaning contaminated gas |
US4102764A (en) * | 1976-12-29 | 1978-07-25 | Westinghouse Electric Corp. | High purity silicon production by arc heater reduction of silicon intermediates |
US4176166A (en) * | 1977-05-25 | 1979-11-27 | John S. Pennish | Process for producing liquid silicon |
US4272488A (en) * | 1977-05-25 | 1981-06-09 | John S. Pennish | Apparatus for producing and casting liquid silicon |
US4343772A (en) * | 1980-02-29 | 1982-08-10 | Nasa | Thermal reactor |
US4668493A (en) * | 1982-06-22 | 1987-05-26 | Harry Levin | Process for making silicon |
US4547258A (en) * | 1982-12-22 | 1985-10-15 | Texas Instruments Incorporated | Deposition of silicon at temperatures above its melting point |
US4572841A (en) * | 1984-12-28 | 1986-02-25 | Rca Corporation | Low temperature method of deposition silicon dioxide |
US4992085A (en) * | 1990-01-08 | 1991-02-12 | The Babcock & Wilcox Company | Internal impact type particle separator |
US5340383A (en) * | 1993-11-12 | 1994-08-23 | Freeport-Mcmoran Inc. | Reduction of particulate sulfur emissions from liquid sulfur storage tanks |
AU770276C (en) * | 2000-05-11 | 2004-09-23 | Tokuyama Corporation | Polycrystalline silicon and process and apparatus for producing the same |
EP1394111B1 (en) * | 2001-06-06 | 2010-11-24 | Tokuyama Corporation | Method of manufacturing silicon |
KR101090895B1 (ko) * | 2003-05-09 | 2011-12-08 | 에이에스엠 아메리카, 인코포레이티드 | 화학적 비활성화를 통한 반응기 표면의 패시베이션 |
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