JP2006351927A - 半導体装置、回路基板及び電気接続箱 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】導電体3の上下面には、逃がし溝12が格子状のパターンで形成されている。逃がし溝12は、基材3Aの表面に形成されたメッキ層3Bの一部をレーザ等により除去することで形成される。接合時には、導電体3とろう材5との間に挟まれた外気や、ろう材5やメッキ層3Bから発生したガスが逃がし溝12を通じて逃がされる。また、絶縁板と放熱板の間で接合がなされる導電体、および放熱板に関しても上下面に同じ逃し溝が形成されている。
【選択図】 図2
Description
導電体における絶縁基板の接合面に逃がし溝が形成されているため、ろう材による接合時に気体が逃がし溝により逃がされる。これにより、ろう材中に残留する気泡を低減することができ、放熱性を向上させることができる。
導電体における半導体チップの接合面に逃がし溝が形成されているため、ろう材による接合時に気体が逃がし溝により逃がされる。これにより、ろう材中に残留する気泡を低減することができ、放熱性を向上させることができる。
放熱板における導電体の接合面に逃がし溝が形成されているため、ろう材による接合時に気体が逃がし溝により逃がされる。これにより、ろう材中に残留する気泡を低減することができ、放熱性を向上させることができる。
逃がし溝は、メッキ層の一部を除去することで形成されるため、簡易に形成することができる。
逃がし溝は、メッキ層を線状に除去することで形成されている。このため、逃がし溝を例えばレーザ等によって簡易に形成することができる。
逃がし溝は、メッキ層を格子状に除去することで形成されている。このため、逃がし溝を例えばレーザ等によって簡易に形成することができる。また、ろう材の流動を抑えることができる。
逃がし溝の底部が周辺部に比べてろう材の濡れ性が低くなっているため、接合時に逃がし溝がろう材で埋められにくくなる。従って、逃がし溝の通気性を確保することができる。
回路基板に実装される半導体装置においてろう材中に残留する気泡が低減されるため、信頼性を高めることができる。
以下、本発明の実施形態1を図1ないし図3によって説明する。
本実施形態のパワー半導体装置1は、自動車のバッテリーから各車載負荷へ電力を分配するために用いられる電気接続箱(図示せず)の一構成部品として用いられる。電気接続箱は、パワー半導体装置1が実装された回路基板をケース(図示せず)内に収容してなる。
本発明は上記記述及び図面によって説明した実施形態に限定されるものではなく、例えば次のような実施形態も本発明の技術的範囲に含まれ、さらに、下記以外にも要旨を逸脱しない範囲内で種々変更して実施することができる。
(1)上記実施形態では、逃がし溝を格子状のパターンで形成したものを示したが、逃がし溝の形状は適宜変更できる。例えば図5に示したものでは、導電体3の上面において線状の8本の逃がし溝12Aが半導体チップ7の接合領域(鎖線で示す)の中心から放射状に延びて形成されている。また、図6に示したものでは、導電体3の上面において8本の線状の逃がし溝12Bが半導体チップ7の接合領域の中央を除いた外周部に放射状に延びて形成されている。
(2)上記実施形態に例示した製造工程はあくまでも一例であって、適宜に変更可能である。
(3)メッキ層は、異なる成分を含む層が複数積層されたものであっても良い。この場合、逃がし溝を形成するために、メッキ層を形成する複数の層の全てを削っても良く、表面側の一部の層のみを削っても良い。
(4)逃がし溝は、導電体等のメッキ層を削って形成しても良く、あるいは導電体等の基材部分に形成しても良い。また、メッキ層を備えていない導電体等に、逃がし溝を形成しても良い。
2…絶縁基板
3,4…導電体
3A…基材
3B…メッキ層
5,6…銀ろう(ろう材)
7…半導体チップ
8,10…半田(ろう材)
9…放熱板
9A…基材
9B…メッキ層
12,13…逃がし溝
Claims (10)
- 絶縁基板に導電体がろう材を用いて接合された半導体装置であって、
前記導電体における前記絶縁基板の接合面には、接合時に気体を逃がすための逃がし溝が形成されていることを特徴とする半導体装置。 - 導電体に半導体チップがろう材を用いて接合された半導体装置であって、
前記導電体における前記半導体チップの接合面には、接合時に気体を逃がすための逃がし溝が形成されていることを特徴とする半導体装置。 - 導電体に放熱板がろう材を用いて接合された半導体装置であって、
前記放熱板における前記導電体の接合面には、接合時に気体を逃がすための逃がし溝が形成されていることを特徴とする半導体装置。 - 前記導電体は、基材の表面にメッキ層を設けてなり、前記逃がし溝は、前記メッキ層の一部を除去することで形成されていることを特徴とする請求項1または請求項2に記載の半導体装置。
- 前記放熱板は、基材の表面にメッキ層を設けてなり、前記逃がし溝は、前記メッキ層の一部を除去することで形成されていることを特徴とする請求項3に記載の半導体装置。
- 前記逃がし溝は、前記メッキ層が線状に除去されてなることを特徴とする請求項4または請求項5に記載の半導体装置。
- 前記逃がし溝は、前記メッキ層が格子状に除去されてなることを特徴とする請求項4または請求項5に記載の半導体装置。
- 前記逃がし溝の底部は、周辺部に比べて前記ろう材の濡れ性が低くされていることを特徴とする請求項1から請求項7のいずれかに記載の半導体装置。
- 請求項1から請求項8のいずれかに記載の半導体装置を実装した回路基板。
- 請求項9に記載の回路基板を備えた電気接続箱。
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JP2005177711A JP2006351927A (ja) | 2005-06-17 | 2005-06-17 | 半導体装置、回路基板及び電気接続箱 |
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2005
- 2005-06-17 JP JP2005177711A patent/JP2006351927A/ja active Pending
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