JP2006351790A - 半導体チップの製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】半導体ウエーハ10の表面からストリートに沿って所定の深さの分割溝103を形成する分割溝形成工程と、半導体ウエーハの表面に保護部材3を貼着する保護部材貼着工程と、半導体ウエーハの裏面を研削して裏面に分割溝を表出させる分割溝表出工程と、半導体ウエーハの裏面に接着フィルムを装着する接着フィルム装着工程と、接着フィルムの表面に保護膜6を被覆する保護膜形成工程と、保護膜側から分割溝に沿ってレーザー光線を照射し、接着フィルムを分割溝に沿って破断する接着フィルム破断工程とを含む。
【選択図】図8
Description
また、先ダイシングによって個々の半導体チップに分割された半導体ウエーハの裏面にダイボンディング用の接着フィルムを装着し、接着フィルム側から分割溝に沿ってレーザー光線を照射して接着フィルムを分割溝に沿って溶断すると、レーザー光線の照射によって発生する飛沫が接着フィルムの上面に付着し、半導体チップをダイボンディングする際にボンディング不良を引き起こすという問題がある。
半導体ウエーハの表面から該ストリートに沿って所定の深さの分割溝を形成する分割溝形成工程と、
該分割溝が形成された半導体ウエーハの表面に保護部材を貼着する保護部材貼着工程と、
半導体ウエーハの裏面を研削して該裏面に該分割溝を表出させ個々の半導体チップに分離する分割溝表出工程と、
個々の半導体チップに分離された半導体ウエーハの裏面に該接着フィルムを装着する接着フィルム装着工程と、
半導体ウエーハの裏面に装着された該接着フィルムの表面に保護膜を被覆する保護膜形成工程と、
半導体ウエーハの裏面に装着された該接着フィルムに該保護膜側から該分割溝に沿ってレーザー光線を照射し、該接着フィルムを該分割溝に沿って破断する接着フィルム破断工程と、
半導体ウエーハの裏面に装着された該接着フィルムの表面に被覆されている該保護膜を剥離する保護膜剥離工程と、
該保護膜が剥離された半導体ウエーハの該接着フィルム側を環状のフレームに装着された支持テープに貼着する支持テープ貼着工程と、
該接着フィルムが貼着された半導体チップを該支持テープからピックアップするピックアップ工程と、を含む、
ことを特徴とする半導体チップの製造方法が提供される。
半導体ウエーハの表面から該ストリートに沿って所定の深さの分割溝を形成する分割溝形成工程と、
該分割溝が形成された半導体ウエーハの表面に保護部材を貼着する保護部材貼着工程と、
半導体ウエーハの裏面を研削して該裏面に該分割溝を表出させ個々の半導体チップに分離する分割溝表出工程と、
個々の半導体チップに分離された半導体ウエーハの裏面に該接着フィルムを装着する接着フィルム装着工程と、
半導体ウエーハの裏面に装着された該接着フィルムの表面に保護膜を被覆する保護膜形成工程と、
半導体ウエーハの裏面に装着された該接着フィルムに該保護膜側から該分割溝に沿ってレーザー光線を照射し、該接着フィルムおよび該保護膜を該分割溝に沿って破断する接着フィルム破断工程と、
半導体ウエーハの該保護膜側を環状のフレームに装着された支持テープに貼着する支持テープ貼着工程と、
該接着フィルムが装着された半導体チップを該支持テープに貼着された該保護膜からピックアップするピックアップ工程と、を含む、
ことを特徴とする半導体チップの製造方法が提供される。
接着フィルム破断工程は、先ず上記保護膜形成工程が実施された半導体ウエーハ10の保護部材3側をチャックテーブル71に載置し吸引保持する。従って、半導体ウエーハ10の裏面10bに貼着された接着フィルム5の表面に貼着された保護膜6は、上側となる。
レーザー光線の種類 ;固体レーザー(YVO4レーザー、YAGレーザー)
波長 ;355nm
発振方法 ;パルス発振
パルス幅 ;12ns
集光スポット径 ;φ9.2μm
繰り返し周波数 :50kHz
平均出力 ;2W
加工送り速度 ;500mm/秒
上述したように環状のフレーム8に装着された伸長可能な支持テープ80の上面に支持された複数個の半導体チップ100(裏面に装着された接着フィルム5a側が支持テープ80の表面に貼着されている)は、図12および図13の(a)に示すように環状のフレーム8が円筒状のベース91の載置面911上に載置され、クランプ94によってベース91に固定される。次に、図13の(b)に示すように上記支持テープ80における複数個の半導体チップ100が存在する領域801を支持した拡張手段92の拡張部材921を図示しない昇降手段によって図13(a)の基準位置から上方の図13の(b)に示す拡張位置まで移動する。この結果、伸長可能な支持テープ80は拡張されるので、支持テープ80と半導体チップ100に装着されている接着フィルム5aとの間にズレが生じ密着性が低下するため、接着フィルム5aを装着した半導体チップ100が支持テープ80から容易に離脱できる状態となるとともに、個々の半導体チップ100および該半導体チップ100に装着された接着フィルム5a間には隙間は形成される。
この実施形態においては、図15の(a)および(b)に示すように上記接着フィルム装着工程において半導体ウエーハ10の裏面10(a)に装着する接着フィルム5が保護膜としての保護テープ600の表面に敷設されている接着フィルム付き保護テープを用いる。このような接着フィルム付きの保護テープは、例えば厚さが95μmのポリオレフィンシートの表面に厚さが25μmのポリイミド系樹脂からなる接着フィルムが敷設されており、株式会社リンテック社製の接着フィルム付きの保護テープテープ(LE5000)を用いることができる。このような接着フィルム付きの保護テープを用いることにより、上述した接着フィルム装着工程と保護膜形成工程が同時に実施される。図15の(a)および(b)に示すように保護テープ600の表面に敷設された接着フィルム5を半導体ウエーハ10の裏面10bに装着したならば、上述した接着フィルム破断工程を実施する。この接着フィルム破断工程においては、上記第1に実施形態と同様に接着フィルム5は保護テープ600を透過したレーザー光線のエネルギーにより分割溝103に沿って破断されるが、保護テープ600は破断されない。なお、接着フィルム破断工程においては、個々に分離された半導体ウエーハ10の裏面10bに貼着された接着フィルム5が敷設されている保護テープ600を通してレーザー光線を照射するので、レーザー光線によって溶融されたデブリが飛散しても保護テープ600に付着し接着フィルム5に付着することはない。接着フィルム破断工程を実施したならば、保護テープ600を接着フィルム5を残して剥離する保護テープ剥離工程を実施する。そして、上述した支持テープ貼着工程およびピックアップ工程を実施する。
第3の実施形態においても、分割溝形成工程、分割溝表出工程、接着フィルム装着工程は上述した第1の実施形態と同様に実施する。
分割溝形成工程、分割溝表出工程、接着フィルム装着工程を実施したならば、半導体ウエーハ10の裏面に貼着された接着フィルム5の表面に保護膜を形成する保護膜形成工程を実施する。第3の実施形態における保護膜形成工程は、図16の(a)に示すようにスピンナーコーティング装置11によって実施する。即ち、裏面に接着フィルム5が貼着された半導体ウエーハ10の保護部材3側をスピンナーテーブル111の上面に載置し、スピンナーテーブル111上に半導体ウエーハ10を吸引保持する。そして、樹脂供給ノズル112からポリビニールアルコール等の液状樹脂12を所定量半導体ウエーハ10の裏面に装着された接着フィルム5の中心部に滴下し、スピンナーテーブル111を所定速度で回転することにより、図16の(b)に示すように接着フィルム5の表面に保護膜120が形成される。このようにして接着フィルム5の表面に被覆された保護膜120は、経時的に硬化する。
21:切削装置のチャックテーブル
22:切削ブレード
23:切削手段
3:保護部材
4:研削装置
41:研削装置のチャックテーブル
42研削砥石:
43:研削手段
5:接着フィルム
50:破断線
6:保護膜
7:レーザー加工装置
71:レーザー加工装置のチャックテーブル
72:レーザー光線照射手段
722:集光器
73:撮像手段
8:環状のフレーム
80:支持テープ
9:ピックアップ装置
90:ピックアップコレット
91:円筒状のベース
92:拡張手段
93:拡張手段
10:半導体ウエーハ
100:半導体チップ
101:ストリート
102:デバイス
103:分割溝
11:スピンナーコーティング装置
111:スピンナーテーブル
112:樹脂供給ノズル
Claims (3)
- 表面に複数のストリートが格子状に形成されているとともに該複数のストリートによって区画された複数の領域にデバイスが形成された半導体ウエーハを個々の半導体チップに分割し、該個々の半導体チップの裏面にダイボンディング用の接着フィルムを装着する半導体チップの製造方法であって、
半導体ウエーハの表面から該ストリートに沿って所定の深さの分割溝を形成する分割溝形成工程と、
該分割溝が形成された半導体ウエーハの表面に保護部材を貼着する保護部材貼着工程と、
半導体ウエーハの裏面を研削して該裏面に該分割溝を表出させ個々の半導体チップに分離する分割溝表出工程と、
個々の半導体チップに分離された半導体ウエーハの裏面に該接着フィルムを装着する接着フィルム装着工程と、
半導体ウエーハの裏面に装着された該接着フィルムの表面に保護膜を被覆する保護膜形成工程と、
半導体ウエーハの裏面に装着された該接着フィルムに該保護膜側から該分割溝に沿ってレーザー光線を照射し、該接着フィルムを該分割溝に沿って破断する接着フィルム破断工程と、
半導体ウエーハの裏面に装着された該接着フィルムの表面に被覆されている該保護膜を剥離する保護膜剥離工程と、
該保護膜が剥離された半導体ウエーハの該接着フィルム側を環状のフレームに装着された支持テープに貼着する支持テープ貼着工程と、
該接着フィルムが貼着された半導体チップを該支持テープからピックアップするピックアップ工程と、を含む、
ことを特徴とする半導体チップの製造方法。 - 該接着フィルムは該保護膜の表面に敷設されており、該接着フィルム装着工程と該保護膜形成工程が同時に実施される、請求項1記載の半導体チップの製造方法。
- 表面に複数のストリートが格子状に形成されているとともに該複数のストリートによって区画された複数の領域にデバイスが形成された半導体ウエーハを個々の半導体チップに分割し、該個々の半導体チップの裏面にダイボンディング用の接着フィルムを装着する半導体チップの製造方法であって、
半導体ウエーハの表面から該ストリートに沿って所定の深さの分割溝を形成する分割溝形成工程と、
該分割溝が形成された半導体ウエーハの表面に保護部材を貼着する保護部材貼着工程と、
半導体ウエーハの裏面を研削して該裏面に該分割溝を表出させ個々の半導体チップに分離する分割溝表出工程と、
個々の半導体チップに分離された半導体ウエーハの裏面に該接着フィルムを装着する接着フィルム装着工程と、
半導体ウエーハの裏面に装着された該接着フィルムの表面に保護膜を被覆する保護膜形成工程と、
半導体ウエーハの裏面に装着された該接着フィルムに該保護膜側から該分割溝に沿ってレーザー光線を照射し、該接着フィルムおよび該保護膜を該分割溝に沿って破断する接着フィルム破断工程と、
半導体ウエーハの該保護膜側を環状のフレームに装着された支持テープに貼着する支持テープ貼着工程と、
該接着フィルムが装着された半導体チップを該支持テープに貼着された該保護膜からピックアップするピックアップ工程と、を含む、
ことを特徴とする半導体チップの製造方法。
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