JP2006345413A - トランジスタ発振回路 - Google Patents
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Abstract
【課題】 発振用トランジスタ3のベースバイアス回路を改良して電源電圧の変動に対して発振周波数の変化を少くできるトランジスタ発振回路を提供する。
【解決手段】 エミッタがエミッタ負荷抵抗8を介して接地点に接続され、ベースと接地点間に共振回路2が接続され、コレクタが電源端子に接続された発振用トランジスタ3を有し、発振用トランジスタ3のベースとコレクタとの間及びベースとエミッタとの間にそれぞれベースバイアス抵抗9、10が接続され、発振用トランジスタ3のエミッタと交流的接地点の間にコンデンサ7が接続される。
【選択図】 図1
【解決手段】 エミッタがエミッタ負荷抵抗8を介して接地点に接続され、ベースと接地点間に共振回路2が接続され、コレクタが電源端子に接続された発振用トランジスタ3を有し、発振用トランジスタ3のベースとコレクタとの間及びベースとエミッタとの間にそれぞれベースバイアス抵抗9、10が接続され、発振用トランジスタ3のエミッタと交流的接地点の間にコンデンサ7が接続される。
【選択図】 図1
Description
本発明は、電源電圧の変動に対して発振周波数の変動を少なくした回路構成を有するトランジスタ発振回路に関する。
従来、高周波信号を発生するコルピッツ型トランジスタ発振回路としては、特開平08−213904号公報の第3図に記載されているようなトランジスタ発振回路が知られている。
図2は、かかる既知のトランジスタ発振回路を示す回路図であって、電圧制御発振回路を構成しているものである。
図2に示されるように、このトランジスタ発振回路は、共振回路接続端21aと発振信号出力端21bと電源接続端21cを有する発振回路部21と、出力端22aと制御端22bを有する共振回路22とからなっている。この場合、発振回路部21は、発振用トランジスタ23と、結合コンデンサ24、25と、帰還コンデンサ26、27と、エミッタ負荷抵抗28と、ベースバイアス抵抗29、30と、バイパスコンデンサ31とを備えている。共振回路22は、λ/4型誘電体共振器32と、バラクタダイオード33と、直流阻止コンデンサ34と、バッファインダクタ35とを備えている。
そして、発振回路部21において、発振用トランジスタ23は、エミッタが、エミッタ負荷抵抗28を通して接地点に、結合コンデンサ25を通して発振信号出力端21bに、帰還コンデンサ26を通してベースに、帰還コンデンサ27を通してコレクタにそれぞれ接続され、ベースが、結合コンデンサ24を通して共振回路接続端21aに、ベースバイアス抵抗29を通してコレクタに、ベースバイアス抵抗30を通して接地点にそれぞれ接続され、コレクタが、電源接続端21cに直接接続されるとともに、バイパスコンデンサ31を通して接地点に接続される。この場合、共振回路接続端21aは、共振回路22の出力端22aに接続され、発振信号出力端21bは、次続のバッファアンプ(図示なし)に接続され、電源接続端21cは、電源電圧Vccが供給される電源端子(記号なし)に接続される。
また、共振回路22において、λ/4型誘電体共振器32は、一端が出力端22aに接続され、他端が接地点に接続される。バラクタダイオード33は、アノードが接地点に接続され、カソードが、直流阻止コンデンサ34を通して出力端22aに接続され、同時にバッファインダクタ35を通して制御端22bに接続される。この場合、制御端22bは、周波数制御電圧Vfが供給される制御端子(記号なし)に接続される。
前記構成を有する発振回路部21は、コルピッツ型トランジスタ発振回路であって、発振用トランジスタ23のベース−エミッタ間に接続された帰還コンデンサ26、27と、高周波的にベース−コレクタ間に接続されている共振回路22によって発振周波数が設定され、発振用トランジスタ23のエミッタから導出された発振信号が結合コンデンサ25を通して発振信号出力端21bに供給される。
特開平08−213904号公報
前記既知のトランジスタ発振回路は、発振用トランジスタ23のベースバイアス抵抗29、30が電源接続端21cと接地点との間に直列接続され、その接続点に発生した分圧電圧がベースバイアス電圧Vbとして発振用トランジスタ23のベースに供給される。この場合、ベースバイアス電圧Vbは、電源接続端21cに加わる電源電圧をVcc、ベースバイアス抵抗29、30の各抵抗値をR1、R2とし、発振用トランジスタ23の電流増幅率が十分大きく、そのベース電流を無視できるとしたとき、
Vb=Vcc×{R2/(RI+R2)}によって設定される。
Vb=Vcc×{R2/(RI+R2)}によって設定される。
このとき、発振用トランジスタ23のコレクタ−ベース間電圧をVcb、コレクタ−エミッタ間電圧をVce、ベース−エミッタ間接合電圧を0.7Vとすれば、
Vcb=Vcc−Vb=Vcc×{R1/(Rl+R2)}
Vce=Vcb+0.7=Vcc×{R1/(RI+R2)}+0.7によって設定される。
Vcb=Vcc−Vb=Vcc×{R1/(Rl+R2)}
Vce=Vcb+0.7=Vcc×{R1/(RI+R2)}+0.7によって設定される。
上の設定式から判るように、電源電圧Vccが変化した場合、電源電圧Vccの変化に対応して発振用トランジスタ23のコレクタ−ベース間電圧Vcb及びコレクタ−エミッタ間電圧Vceがそれぞれ変化し、それらの変化に伴って発振用トランジスタ23のコレクタ−ペース間の内部容量及びコレクタ−エミッタ間の内部容量がそれぞれ変化し、発振用トランジスタ23の発振周波数が比較的大きな変化することになる。
本発明は、このような技術的背景に鑑みてなされたもので、その目的は、発振用トランジスタのベースバイアス回路を改良して電源電圧の変動に対して発振周波数の変化を少なくできるトランジスタ発振回路を提供することにある。
前記目的を達成するために、本発明によるトランジスタ発振回路は、エミッタがエミッタ負荷抵抗を介して接地点に接続され、ベースと接地点間に共振回路が接続され、コレクタが電源端子に接続された発振用トランジスタを有し、発振用トランジスタのベースとコレクタとの間及びベースとエミッタとの間にそれぞれベースバイアス抵抗が接続された構成手段を具備したものである。
以上のように、請求項1に記載のトランジスタ発振回路によれば、コレクタ接地形式で動作する発振用トランジスタのベースバイアス回路として、発振用トランジスタのコレクタ(電源端子)−ベース間及びベース−エミッタ間にそれぞれベースバイアス抵抗を接続した回路を用いるようにしたので、コレクタ(電源端子)−ベース間及びベース−接地点間にそれぞれベースバイアス抵抗を接続した通常のベースバイアス回路と比べれば、電源電圧の変動に伴う発振用トランジスタのコレクタ−ベース電圧Vcb及びコレクタ−エミッタ電圧Vceを変動が少なくなり、それによって発振用トランジスタのコレクタ−ペース間の内部容量値及びコレクタ−エミッタ間の内部容量値の変動が抑圧されので、電源電圧が変動しても、発振周波数の変動を少なくできるという効果がある。
また、請求項2に記載のトランジスタ発振回路によれば、前記発振用トランジスタのコレクタを高周波的に接地したので、電源電圧の変動に対して発振周波数の変動の少ないコレクタ接地型の発振回路を構成できる。
また、請求項2に記載のトランジスタ発振回路によれば、共振回路にはアノードが直流的に接地されたバラクタダイオードを設け、バラクタダイオードのカソードに制御電圧を印加したので、電源電圧の変動に対して発振周波数の変動の少ない電圧制御発振回路を構成できる。
以下、本発明の実施の形態を図面を参照して説明する。
図1は、本発明によるトランジスタ発振回路の実施の形態に係るもので、トランジスタ発振回路の回路構成を示す回路図である。
図1に示されるように、この実施の形態によるトランジスタ発振回路は、共振回路接続端1aと発振信号出力端1bと電源接続端1cを有する発振回路部1と、接続端2aと制御端2bを有する共振回路2とからなっている。この場合、発振回路部1は、発振用トランジスタ3と、結合コンデンサ4、5と、帰還コンデンサ6、7と、エミッタ負荷抵抗8と、ベースバイアス抵抗9、10と、バイパスコンデンサ11とを備えている。共振回路2は、共振用インダクタ素子12と、バラクタダイオード13と、直流阻止コンデンサ14と、バッファインダクタ15とを備えている。
そして、発振回路部1において、発振用トランジスタ3は、エミッタが、エミッタ負荷抵抗8を通して接地点に、結合コンデンサ5を通して発振信号出力端1bに、帰還コンデンサ6を通してベースに、帰還コンデンサ7を通して接地点(交流的接地点)にそれぞれ接続され、ベースが、結合コンデンサ4を通して共振回路接続端1aに、ベースバイアス抵抗9を通してコレクタに、ベースバイアス抵抗10を通してエミッタにそれぞれ接続され、コレクタが、電源接続端1cに直接接続されるとともに、バイパスコンデンサ11を通して接地点(交流的接地点)に接続される。この場合、共振回路接続端1aは、共振回路2の接続端2aに接続され、発振信号出力端1bは、次続回路、例えばバッファアンプ(図示なし)に接続され、電源接続端1cは、電源電圧Vccが供給される電源端子(記号なし)に接続される。
また、共振回路2において、共振用インダクタ素子12は、一端が出力端2aに接続され、他端が接地点に接続される。バラクタダイオード13は、アノードが接地点に接続され、カソードが、直流阻止コンデンサ14を通して出力端2aに接続され、同時にチョークインダクタ15を通して制御端2bに接続される。この場合、制御端2bは、周波数制御電圧Vfが供給される制御端子(記号なし)に接続される。
前記構成を有する発振回路は、発振用トランジスタ3のベース−エミッタ間及びエミッタ−コレクタ(交流的接地点)間にそれぞれ接続された帰還コンデンサ6、7とベース−コレクタ(交流的接地点)間に接続された共振回路2によってコルピッツ型トランジスタ発振回路が構成される。そして、このトランジスタ発振回路の発振周波数は、主として帰還用コンデンサ6、7と共振回路2の並列共振周波数によって設定される。共振用インダクタ素子12と並列に接続されるバラクタダイオード13に印加する周波数制御電圧Vfによって発振周波数が制御される。発振用トランジスタ3は発振信号をエミッタから導出し、導出された発振信号は結合コンデンサ5を通して発振信号出力端1bに供給される。
ここで、前記構成を有するこの実施の形態のトランジスタ発振回路において、発振用トランジスタ3の各電極間に発生するバイアス電圧の状態を考察する。
このトランジスタ発振回路において、発振用トランジスタ3のベースバイアス抵抗9、10は、電源接続端1c(発振用トランジスタ3のコレクタ)と発振用トランジスタ3のエミッタとの間に直列接続され、それらの抵抗9、10の接続点に発生した分圧電圧がベースバイアス電圧Vbとして発振用トランジスタ3のベースに供給される。
この場合、電源接続端1cに加わる電源電圧、すなわち発振用トランジスタ3のコレクタ電圧をVc、そのベース電圧をVb、そのエミッタ電圧をVeとし、ベースバイアス抵抗9、10の各抵抗値をR1、R2とし、発振用トランジスタ3の電流増幅率が十分大きく、そのベース電流を無視できるもの、すなわちベースバイアス抵抗9に流れる電流とベースバイアス抵抗10に流れる電流とが等しくなるものとし、発振用トランジスタ3のベース−エミッタ間接合電圧を0.7Vとすれば、下記の諸式が成立する。
(Vc−Vb)/Rl=(Vb−Ve)/R2・・・(1)
上記条件から、Ve=Vb−0.7であり、Vb−Ve=0.7になるので、(1)式を書き替えると、
(Vc−Vb)/Rl=(Vb−Ve)/R2=0.7/R2・・・(2)
(2)式から、コレクタ−ベース間電圧Vcb(=Vc−Vb)は、
Vcb=0.7×(Rl/R2)・・・(3)
となり、電源電圧Vcに依存しないことが判る。また、コレクタ−エミッタ間電圧Vceは、
Vce=0.7×(Rl/R2)+0.7・・・(4)
となり、同様に、電源電圧Vcに依存しないことが判る。
上記条件から、Ve=Vb−0.7であり、Vb−Ve=0.7になるので、(1)式を書き替えると、
(Vc−Vb)/Rl=(Vb−Ve)/R2=0.7/R2・・・(2)
(2)式から、コレクタ−ベース間電圧Vcb(=Vc−Vb)は、
Vcb=0.7×(Rl/R2)・・・(3)
となり、電源電圧Vcに依存しないことが判る。また、コレクタ−エミッタ間電圧Vceは、
Vce=0.7×(Rl/R2)+0.7・・・(4)
となり、同様に、電源電圧Vcに依存しないことが判る。
実際の回路においては、発振用トランジスタ3のベース電流の電流値を完全に無視することができず、また、電源電圧Vcの変動によってコレクタ電流(=エミッタ電流)も変動するので、多少のところ電源電圧Vcに依存する。この場合、ベースバイアス抵抗9、10の抵抗値R1、R2が小さいほど、発振用トランジスタ3の電流増幅率が大きければ大きいほど、ベース電流を無視することが可能なり、コレクタ−ベース間電圧Vcb及びコレクタ−エミッタ間電圧Vceの電源電圧Vcの依存性が低減する。
図3は、電源電圧(Vc)の変動に対して発振用トランジスタ3のコレクタ−ベース間電圧(Vcb)及びコレクタ−エミッタ間電圧(Vce)が変動する状態を示す特性図である。この場合、特性曲線Aは、本実施の形態に係るトランジスタ発振回路におけるコレクタ−ベース間電圧(Vcb)の変動状態を示すものであり、特性曲線Bは、本実施の形態に係るトランジスタ発振回路におけるコレクタ−エミッタ間電圧(Vce)の変動状態を示すものである。一方、特性曲線aは、既知のトランジスタ発振回路におけるコレクタ−ベース間電圧(Vcb)の変動状態を示すものであり、特性曲線bは、既知のトランジスタ発振回路におけるコレクタ−ベース間電圧(Vcb)の変動状態を示すものである。
図3に図示された特性図において、本実施の形態に係るトランジスタ発振回路は、ベースバイアス抵抗9の抵抗値Rlを2kΩ、ベースバイアス抵抗10の抵抗値R2を2.2kΩ、エミッタ負荷抵抗8の抵抗値を62Ωにそれぞれ選んだときの特性曲線A、Bである。また、既知のトランジスタ発振回路は、ベースバイアス抵抗29の抵抗値Rlを1.1kΩ、ベースバイアス抵抗30の抵抗値R2を2.35kΩ、エミッタ負荷抵抗28の抵抗値を62Ωにそれぞれ選んだときの特性曲線a、bである。
図3の特性曲線A、a及び特性曲線B、bによって示されるように、本実施の形態に係るトランジスタ発振回路と既知のトランジスタ発振回路とを比較した場合、本実施の形態に係るトランジスタ発振回路の方が、電源電圧(Vc)の変動に対して、コレクタ−ベース間電圧(Vcb)及びコレクタ−エミッタ間電圧(Vce)の変動が少なくなっていることから、本実施の形態に係るトランジスタ発振回路は、電源電圧が変動しても、発振用トランジスタ3のコレクタ−ベース間の内部容量及びコレクタ−エミッタ間の内部容量の変動が少なく、その結果、電源電圧変動に対する発振周波数の変動は、既知のトランジスタ発振回路に比べてかなり少なくなり、安定な動作を行うトランジスタ発振回路を実現することができる。
1 発振回路部
1a 共振回路接続端
1b 発振信号出力端
1c 電源接続端
2 共振回路
2a 接続端
2b 制御端
3 発振用トランジスタ
4、5 結合コンデンサ
6、7 帰還コンデンサ
8 エミッタ負荷抵抗
9、10 ベースバイアス抵抗
11 バイパスコンデンサ
12 共振用インダクタ素子
13 バラクタダイオード
14 直流阻止コンデンサ
5 チョークインダクタ
1a 共振回路接続端
1b 発振信号出力端
1c 電源接続端
2 共振回路
2a 接続端
2b 制御端
3 発振用トランジスタ
4、5 結合コンデンサ
6、7 帰還コンデンサ
8 エミッタ負荷抵抗
9、10 ベースバイアス抵抗
11 バイパスコンデンサ
12 共振用インダクタ素子
13 バラクタダイオード
14 直流阻止コンデンサ
5 チョークインダクタ
Claims (3)
- エミッタがエミッタ負荷抵抗を介して接地点に接続され、ベースと接地点間に共振回路が接続され、コレクタが電源端子に接続された発振用トランジスタを有し、前記発振用トランジスタのベースとコレクタとの間及びベースとエミッタとの間にそれぞれベースバイアス抵抗が接続されていることを特徴とするトランジスタ発振回路。
- 前記発振用トランジスタのコレクタを高周波的に接地したことを特徴とする請求項1に記載のトランジスタ発振回路。
- 前記共振回路には、アノードが直流的に接続されたバラクタダイオードを設け、前記バラクタダイオードのカソードに制御電圧を印加したことを特徴とする請求項1もしくは2に記載のトランジスタ発振回路。
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