JP2006344916A - 固体撮像装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 入射光量に応じて電荷を発生するフォトダイオード(1)と、電荷を一時的に保持するフローティングディフュージョン部(3)と、前記フォトダイオードから前記フローティングディフュージョン部に電荷を転送する電荷転送トランジスタ(2)と、前記フローティングディフュージョン部に一時的に保持された電荷を外部に読み出す読み出し回路(5〜8)と、を有する画素を有する固体撮像装置であって、前記電荷転送トランジスタのゲート電極(304)の、前記光電変換部側の側壁上を覆って配置された遮光部材(427a、427b)とを有する。
【選択図】 図6
Description
本発明は上記問題点を鑑みてなされたものであり、MOS型固体撮像装置のフローティングディフュージョン部の遮光性を向上することを目的とする。
次に、上記構成を有する撮像装置などで用いられる、第1の実施形態にかかる固体撮像装置の各画素の詳細構成について説明する。
図5は、図4のAA’断面を示す図である。なお、上述した図13と同様の構成には同じ参照番号を付し、ここでは説明を省略する。
図6は本発明の第2の実施形態におけるMOS型固体撮像装置の画素断面の一例を示す図である。なお、図6において、上記第1の実施形態で説明した図5と同様の構成については同じ参照番号を付し、説明を省略する。
図7は本発明の第3の実施形態におけるMOS型固体撮像装置の画素断面の一例を示す図である。なお、図7において、上記第1の実施形態で説明した図5と同様の構成については同じ参照番号を付し、説明を省略する。
図8は本発明の第4の実施形態におけるMOS型固体撮像装置の画素断面の一例を示す図である。なお、図8において、上記第1の実施形態で説明した図5と同様の構成については同じ参照番号を付し、説明を省略する。
図10は本発明の第5の実施形態におけるMOS型固体撮像装置の画素断面の一例を示す図である。なお、図10において、上記第1の実施形態で説明した図5と同様の構成については同じ参照番号を付し、説明を省略する。
Claims (10)
- 入射光量に応じて電荷を発生する光電変換部と、
電荷を一時的に保持するフローティングディフュージョン部と、
前記光電変換部から前記フローティングディフュージョン部に電荷を転送する電荷転送トランジスタと、
前記フローティングディフュージョン部に一時的に保持された電荷を外部に読み出す読み出し回路と、
を有する画素を有する固体撮像装置であって、
前記電荷転送トランジスタのゲート電極の、前記光電変換部側の側壁上を覆って配置された遮光部材を有することを特徴とする固体撮像装置。 - 前記遮光部材の前記ゲート電極の前記フローティングディフュージョン側の側壁上に配置された一部は除去されていることを特徴とする請求項1に記載の固体撮像装置。
- 前記遮光部材は、前記電荷転送トランジスタのゲート電極側面から前記光電変換部の上に延在していることを特徴とする請求項1に記載の固体撮像装置。
- 前記遮光部材は、複数の金属層を有することを特徴とする請求項1乃至3のいずれかに記載の固体撮像装置。
- 前記複数の金属層のうち、前記ゲート電極側に配された金属層は、バリアメタルにより構成されていることを特徴とする請求項4に記載の固体撮像装置。
- 前記遮光部材と前記ゲート電極は、電気的に接続されていることを特徴とする請求項1乃至5のいずれかに記載の固体撮像装置。
- 前記遮光部材と前記ゲート電極とを、薄い絶縁膜で隔てたことを特徴とする請求項4乃至6のいずれかに記載の固体撮像装置。
- 前記絶縁膜に、前記遮光部材と前記ゲート電極とを電気的に接続するコンタクトホールを設けたことを特徴とする請求項7に記載の固体撮像装置。
- 前記コンタクトホールを電荷転送トランジスタのアクティブ領域外の上に開口したことを特徴とする請求項8に記載の固体撮像装置。
- 前記フローティングディフュージョン部から直接電極を引き出した構成を有することを特徴とする請求項1乃至9のいずれかに記載の固体撮像装置。
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