JP2002252341A

JP2002252341A - 固体撮像装置

Info

Publication number: JP2002252341A
Application number: JP2001047605A
Authority: JP
Inventors: Ryuji Kondo; 隆二近藤
Original assignee: Fujifilm Microdevices Co Ltd; Fuji Photo Film Co Ltd
Current assignee: Fujifilm Holdings Corp; Fujifilm Microdevices Co Ltd
Priority date: 2001-02-23
Filing date: 2001-02-23
Publication date: 2002-09-06

Abstract

(57)【要約】（修正有）【課題】垂直電荷転送チャネル等の非受光部への遮光
性を維持しつつ、導電性遮光膜と被遮光部、特に電荷転
送電極との間に形成される寄生容量を低減できる固体撮
像装置を提供する。【解決手段】基板１１と、基板の一表面側に行列状に
形成され受光面を有する多数個の光電変換素子１８と、
一表面側に形成され、受光面を開口するとともに、受光
面以外の領域に形成されている非受光面を覆い、かつ、
非受光面の一部に開口部を有する第１の導電性遮光膜３
１ａと、開口部の上方から開口部を覆う第２の導電性遮
光膜３１ｂと、を含む導電性遮光膜とを有する固体撮像
装置。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、固体撮像装置に関
するものであり、特に基板上に形成された多数個の光電
変換素子を有する固体撮像装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】一般的に、ＣＣＤ固体撮像装置において
は、半導体基板上に光電変換素子（フォトダイオード）
が行列状に形成されている。光電変換素子に蓄積された
電荷を転送するための垂直電荷転送路が一列の光電変換
素子に対して１本ずつ形成されている。

【０００３】図１０（Ａ）および図１０（Ｂ）は、一般
的な固体撮像装置の構造を示す図であり、図１０（Ａ）
は平面図、図１０（Ｂ）は図１０（Ａ）のＡ−Ａ'線に
沿う断面図である。

【０００４】図１０（Ａ）および図１０（Ｂ）に示すよ
うに、ｎ型半導体基板１０１上に、ｐ型半導体層１０３
が形成されている。ｐ型半導体層１０３に、ｎ型半導体
層１０５およびｎ型半導体層１０７が形成されている。
ｎ型半導体層１０５とｐ型半導体層１０３とによりｐ−
ｎ接合を有する光電変換素子（フォトダイオード）１０
８が形成される。ｎ型半導体層１０７は、光電変換素子
１０８に蓄積されている電荷を転送するための垂直電荷
転送チャネルを形成する。垂直電荷転送チャネル上に、
第１の絶縁膜１１０を介して１層目の多結晶シリコンに
より形成された第１の電荷転送電極１１５ａが形成され
ている。

【０００５】図１０（Ｂ）には示されていないが、同様
に２層目の多結晶シリコンにより第２の電荷転送電極１
１５ｂ（図１０（Ａ））が形成されている。第１の電荷
転送電極１１５ａと第２の電荷転送電極１１５ｂとが垂
直方向に交互に形成され、垂直電荷転送チャネルととも
に、垂直電荷転送路を形成している。垂直電荷転送路
は、光電変換素子１０８に蓄積されている電荷を転送す
る。

【０００６】第１および第２の電荷転送電極１１５ａ、
１１５ｂを覆って半導体基板上に第１の層間絶縁膜１１
１が形成されている。第１の層間絶縁膜１１１の上に、
個々の光電変換素子１０８の受光面に開口部１２１ａを
有する導電性遮光膜１２１が形成されている。導電性遮
光膜１２１は、垂直電荷転送路１０７などの非受光面上
を覆う。

【０００７】絶縁膜１１１および遮光膜１２１を覆うよ
うに第２の層間絶縁膜（平坦化膜）１１７が形成されて
いる。平坦化膜１１７の上にカラーフィルタ１２５およ
びマイクロレンズ１３１が形成されている。

【０００８】マイクロレンズ１３１により集光された光
は、開口部１２１ａを通り光電変換素子１０８内に入射
する。導電性遮光膜１２１は、光電変換素子以外の領域
における入射光の影響を低減する。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】図１０（Ｂ）に示すよ
うに、導電性遮光膜１２１とその下の半導体基板１０１
表面との間隔ｔ１および導電性遮光膜１２１と電荷転送
電極１１５との間の間隔ｔ２とは、いずれも、第１の層
間絶縁膜１１１の厚さにより決められる。すなわち、ほ
ぼ、ｔ１＝ｔ２の関係が成り立つ。

【００１０】ところで、垂直電荷転送路チャネルなどの
非受光面を遮光するという観点からみれば、ｔ１をなる
べく小さくすれば光は入りにくくなる。ところが、ｔ１
を小さくしすぎると導電性遮光膜１２１と電荷転送電極
１１５との間に形成される寄生容量が増大してしまう。
ｔ２もｔ１と同時に小さくなるためである。

【００１１】本発明は、垂直電荷転送チャネル等の非受
光部への遮光性を維持しつつ、導電性遮光膜と被遮光
部、特に電荷転送電極との間に形成される寄生容量を低
減できる固体撮像装置を提供することを目的とする。

【００１２】

【課題を解決するための手段】本発明の一観点によれ
ば、基板と、該基板の一表面に行列状に形成され、受光
面を有する多数個の光電変換素子と、前記一表面上に形
成され、前記受光面上を開口するとともに、前記受光面
以外の非受光面を覆い、かつ、前記非受光面の一部に開
口部を有する第１の導電性遮光膜と、前記開口部の上方
から前記開口部を覆う第２の導電性遮光膜と、を含む導
電性遮光膜とを有する固体撮像装置が提供される。

【００１３】第１の導電性遮光膜は下層に形成され受光
面を開口するとともに、非受光面の一部に開口部を有す
る。第２の導電性遮光膜は、第１の導電性遮光膜上にお
いて開口部を覆うように形成される。第１の導電性遮光
膜の位置により遮光性を向上させ、第２の導電性遮光膜
の位置により寄生容量を低減することができる。

【００１４】本発明の他の観点によれば、基板と、該基
板の一表面に行列状に形成され受光面を有する多数個の
光電変換素子と、前記一表面に形成され、前記受光面を
開口するとともに、前記受光面以外の非受光面を覆い、
かつ、前記非受光面の一部に開口部を有する第１の導電
性遮光膜と、前記開口部の上方の領域又は下方の領域の
うち少なくともいずれか一方を含む領域に形成された第
２の導電性遮光膜と、を含む導電性遮光膜と、前記開口
を囲む電流ループを多数形成するように前記第１導電性
遮光膜と前記第２の導電性遮光膜とを列方向又は行方向
に直列に接続する接続プラグを有する固体撮像装置が提
供される。

【００１５】上記の固体撮像装置によれば、前期電流ル
ープを形成する導電性遮光膜に電流を流すことにより、
光電変換素子に垂直な方向に磁場を形成できる。この磁
場により、各光電変換素子内に蓄積された電子を光電変
換素子内に閉じ込めておくことができる。

【００１６】

【発明の実施の形態】以下、図１から図３までを参照し
て、本発明の第１の実施の形態による固体撮像装置につ
いて説明する。

【００１７】図１は、デジタルスチルカメラなどの撮像
装置Ｘの機能ブロック図である。図１に示すように、撮
像装置Ｘは、固体撮像装置１と、駆動信号発生装置３
と、出力信号処理装置５と、記憶装置７と、表示装置９
とを備えている。

【００１８】駆動信号発生装置３は、固体撮像装置１を
駆動するための駆動信号を発生する。駆動信号として
は、例えば、固体撮像装置１内の水平ＣＣＤ駆動信号、
垂直ＣＣＤ駆動信号、出力アンプ駆動信号などの信号を
発生することができる。出力信号処理装置５は、固体撮
像装置１からの出力信号を処理する装置である。出力信
号処理装置５からの出力信号は、記憶カードなどの記憶
装置７に記憶されるとともに、液晶表示装置などの表示
装置９に表示させることもできる。

【００１９】図２は、固体撮像装置の概略的な平面図で
ある。固体撮像装置１は、行列状に配置された多数の光
電変換素子（フォトダイオード）１８と、垂直電荷転送
チャネル１７と、垂直電荷転送チャネル１７内の電荷を
転送するための電極に電圧を印加するための水平駆動部
１２と、水平電荷転送チャネル１４と、出力アンプ１６
とを含む。

【００２０】垂直電荷転送チャネル１７は、列方向に並
ぶ光電変換素子１８に近接し、１の光電変換素子列に対
して１本ずつ設けられている。垂直電荷転送チャネル１
７と光電変換素子１８との間に、光電変換素子１８内に
蓄積されている電荷を読み出すための読み出しゲート１
９が設けられている。水平駆動部１２は、垂直電荷転送
チャネル１７内の電荷を転送するための駆動信号を発生
する。水平電荷転送チャネル１４は、垂直電荷転送チャ
ネル１７から転送されてきた電荷を出力アンプ１６の方
向に転送する。出力アンプ１６は、水平電荷転送チャネ
ル内を転送されてきた電荷の信号を増幅して出力信号処
理装置５（図１）に出力する。

【００２１】図３（Ａ）は、図２のうち光電変換素子１
８を含む部分を拡大して示した平面図である。図３
（Ｂ）は、図３（Ａ）のＩＩＩｂ−ＩＩＩｂ'線に沿う
断面図である。

【００２２】図３（Ａ）および図３（Ｂ）に示すよう
に、ｎ型シリコン半導体基板１１上に、ｐ型半導体層１
３が形成されている。ｐ型半導体層１３に、ｎ型半導体
層１５およびｎ型半導体層１７が形成されている。ｎ型
半導体層１５の上面に受光面が、ｎ型半導体層１７の上
面を含む領域に非受光面が形成される。ｎ型半導体層１
５とｐ型半導体層１３とによりｐ−ｎ接合を有する光電
変換素子１８が形成される。ｎ型半導体層は、光電変換
素子１８に蓄積されている電荷を転送するための垂直電
荷転送チャネル１７を形成する。

【００２３】垂直電荷転送チャネル１７上に、例えば酸
化シリコンにより形成された第１の絶縁膜２０を介して
１層目の多結晶シリコン（１ポリ）により第１の電荷転
送電極２５ａが形成されている。図３（Ｂ）には示され
ていないが、同様に２層目の多結晶シリコン（２ポリ）
により第２の電荷転送電極２５ｂ（図３（Ａ））が形成
されている。第１の電荷転送電極２５ａと第２の電荷転
送電極２５ｂとが垂直電荷転送チャネル１７に沿って垂
直方向に交互に形成され、垂直電荷転送チャネル１７と
ともに、垂直電荷転送路を形成している。垂直電荷転送
路は、光電変換素子１８に蓄積されている電荷を転送す
る。

【００２４】第１および第２の電荷転送電極２５ａ、２
５ｂを覆って半導体基板１１上に、例えば酸化シリコン
により第１の層間絶縁膜２１が形成されている。第１の
層間絶縁膜２１の上に、個々の光電変換素子１８の受光
面に開口３２ａを有する第１の導電性遮光膜３１ａが形
成されている。第１の導電性遮光膜３１ａは、例えばタ
ングステン膜（Ｗ膜）により形成され、第１の電荷転送
電極２５ａ又は第２の電荷転送電極２５ｂ（図３
（Ａ））の上方に開口部３１ｃを有している。開口部３
１ｃは、垂直電荷転送チャネル１７ａに沿って形成され
ており、例えば、第１の電荷転送電極２５ａ又は第２の
電荷転送電極２５ｂの幅と同程度の幅を有している。

【００２５】第１の層間絶縁膜２１上に、第１の導電性
遮光膜３１ａを覆って、例えば酸化シリコンにより第２
の層間絶縁膜２７が形成されている。第２の層間絶縁膜
２７上に、開口部３１ｃを覆うように、例えばアルミニ
ウム層により第２の導電性遮光膜３１ｂが形成されてい
る。第２の導電性遮光膜３１ｂは、垂直電荷転送チャネ
ル１７ａに沿って形成されており、好ましくは、開口部
３１ｃよりも少し広い領域上に形成される。尚、第１の
導電性遮光膜３１ａと第２の導電性遮光膜３１ｂとは、
例えば、いずれかの箇所においてプラグ電極などにより
接続されていても良い。加えて、第１及び第２の導電性
遮光膜３１ａ及び３１ｂは、接地電位に落とされている
のが好ましい。

【００２６】第２の層間絶縁膜２７上に、第２の導電性
遮光膜３１ｂを覆うように第３の層間絶縁膜（平坦化
膜）３７が例えばＰＳＧ膜により形成されている。平坦
化膜３７の上にカラーフィルタ４５およびマイクロレン
ズ５１が例えばフォトレジスト膜により形成されてい
る。マイクロレンズ５１により集光された光は、光電変
換素子１８上の開口部３２ａを通り光電変換素子１８内
に入射する。

【００２７】第１の導電性遮光膜３１ａと第２の導電性
遮光膜３１ｂとにより、垂直電荷転送チャネル１７ａを
含む非受光面を遮光する導電性遮光膜３１を形成し、光
電変換素子以外の領域における入射光の影響を低減す
る。

【００２８】第１の導電性遮光膜３１ａとその下の半導
体基板１１表面との間隔ｔ３は、第１の層間絶縁膜２１
の厚さｔ３により決められる。一方、第２の導電性遮光
膜３１ｂと電荷転送電極２５ａとの間の間隔ｔ４は、第
１の層間絶縁膜２１の厚さｔ３と第２の層間絶縁膜２７
の厚さｔ５との和になる。すなわち、ｔ３＜ｔ４の関係
が成り立つ。第１の層間絶縁膜２１の厚さｔ３と第２の
層間絶縁膜２７の厚さｔ５とを、プロセスで許容される
範囲内において調整すれば、ｔ３とｔ４との関係を任意
に設定することができる。

【００２９】上記の固体撮像装置においては、垂直電荷
転送チャネルなどの被遮光部を遮光するという観点か
ら、光が入らないようにｔ３をなるべく小さくするとと
もに、ｔ４を厚くすることができ、導電性遮光膜３１と
電荷転送電極２５との間に形成される寄生容量の増大を
防止できる。

【００３０】本実施の形態による固体撮像装置において
は、第１の導電性遮光膜３１ａをタングステン膜によ
り、第２の導電性遮光膜を第１の導電性遮光膜３１ａと
は異なるアルミニウム膜により形成している。タングス
テン膜は、光の反射率が低く、フレアの影響が少ないの
で、ｔ３のギャップを有する部分における遮光という意
味では好ましい。一方、アルミニウム膜は電気抵抗が低
い。後述するように、導電性遮光膜に電流を流す場合に
は、アルミニウム膜の存在により電気抵抗を大幅に低減
することができる。もちろん、第１および第２の導電性
遮光膜を同じ材料で形成しても良い。

【００３１】尚、上記の実施の形態においては、導電性
遮光膜を、第１及び第２の２種類の導電性遮光膜により
形成したが、もちろん３種類以上の導電性遮光膜により
形成しても良い。

【００３２】例えば、図７、図８又は図９（Ａ）に示す
構造を有する固体撮像装置においては、行方向に隣接す
る画素（例えば、図７の画素Ｐ５１と画素Ｐ５２又は画
素Ｐ５３と画素Ｐ５４）において、隣接する第１の導電
性遮光膜（例えば図７では、画素Ｐ５１の第１の導電性
遮光膜３１ａと画素Ｐ５２の第１の導電性遮光膜３１ａ
と）が列方向に近接して形成されている。導電性遮光膜
を第１及び第２の２層で形成する場合には、画素Ｐ５１
の第１の導電性遮光膜３１ａと画素Ｐ５２の第１の導電
性遮光膜３１ａとが同じレベル（層間絶縁膜）上に形成
することになる。

【００３３】これに対して、画素Ｐ５１の導電性遮光膜
３１ａと画素Ｐ５２の導電性遮光膜３１ａとを異なるレ
ベル（例えば、画素Ｐ５１の導電性遮光膜３１ａを第１
層目に形成し、画素Ｐ５２の導電性遮光膜３１ａを第２
層目に形成する）にするとすれば、これらの２層の導電
性遮光膜を空間的に分離し、上から見た場合に一部重な
るように形成することもできる。このようにすれば、画
素Ｐ５１と画素Ｐ５２の間のスペースを短縮または一部
重複させることも可能となり、画素の高密度化が可能と
なる。尚、このような場合には、第２導電性遮光膜３１
ｂは、３層目に形成することができる。

【００３４】また、上記の実施の形態においては、ＣＣ
Ｄ固体撮像装置を例にして説明したが、ＭＯＳ型固体撮
像装置においても、非受光面に遮光膜を設けて入射光の
影響を低減することができる。非受光面には、例えばＣ
ＭＯＳトランジスタなどが設けられており、ＣＭＯＳト
ランジスタ間には配線が設けられている。このような配
線上又はＣＭＯＳトランジスタ上に前記受光エリアに開
口部を有した遮光膜を設ける場合にも、２層以上の遮光
膜により形成すると良い。１層目の導電性遮光膜は、受
光エリアに開口部を有しており、２層目の導電性遮光膜
は、１層目の遮光膜と重なる部分を有するとともに、上
記のＣＭＯＳトランジスタや配線上に形成する。遮光性
を向上させつつＣＭＯＳトランジスタ又は配線と導電性
遮光膜との間に形成される寄生容量を低減することがで
きる。

【００３５】次に、本発明の第２の実施の形態による固
体撮像装置について図４から図８までを参照して説明す
る。

【００３６】まず、本実施の形態による固体撮像装置の
動作原理について図４（Ａ）から図４（Ｄ）までを参照
して説明する。

【００３７】図４（Ａ）は、固体撮像装置の受光面およ
びその周辺部の構造を簡略化して示す斜視図である。図
４（Ｂ）は、図４（Ａ）のＩＶｂ−ＩＶｂ'線に沿う断
面図である。図４（Ｃ）および図４（Ｄ）は、図４
（Ａ）及び図４（Ｂ）に示す構造を真上からみた平面図
である。

【００３８】図４（Ａ）及び図４（Ｂ）に示すように、
半導体基板１１にｐ型半導体層１３とｎ型半導体層１５
とにより形成されるｐ−ｎ接合を有する光電変換素子１
８が形成されている。半導体基板１１上に、絶縁膜２１
が形成されている。絶縁膜２１の上に、光電変換素子１
８の受光面に開口部３２ａを有する導電性遮光膜３１が
形成されている。

【００３９】導電性遮光膜３１は、開口部３２ａに沿っ
て開口部の周りを囲むとともに、交差部Ｃにおいて、絶
縁膜を介してある所定距離だけ隔てて上下に重なる"ら
せん"状に形成されている。導電性遮光膜３１に電流Ｉ
を流すと、らせん構造によって受光面の開口３２ａの外
周に沿って電流ループが形成される。この電流ループに
電流が流されている間は、図４（Ａ）および図４（Ｂ）
に示されるように、光電変換素子１８内において、基板
表面に垂直な法線方向に強さＨの磁場が形成される。こ
の磁場の影響により、光電変換素子１８内に蓄積される
電荷（電子）は、ローレンツ力を受ける。

【００４０】図４（Ｃ）は導電性遮光膜３１に電流を流
していない場合（磁場が発生していない場合）の電荷
（電子）の動きを模式的に示した図であり、図４（Ｄ）
は、導電性遮光膜に電流を流した場合の電荷（電子）の
動きを模式的に示した図である。

【００４１】図４（Ｃ）に示すように、導電性遮光膜に
電流を流していない場合には、電荷は、濃度勾配に従っ
て拡散するか、或いは電界が存在する場合には、その電
界に従って動くことになる。図に示すように、電荷の動
きは決められていないため、場合によっては光電変換素
子内から外部に（例えば垂直電荷転送チャネルに向け
て）漏れる場合もある。

【００４２】一方、導電性遮光膜に電流を流した場合に
は、図４（Ｄ）に示すように、電流の流れに沿って（導
電性遮光膜に沿って）動く電荷は、光電変換素子内に留
まらせる方向に外力（いわゆるピンチ作用）を受けるた
め、光電変換素子内から外部に（例えば垂直電荷転送チ
ャネルに向けて）漏れる可能性が低減する。

【００４３】従って、導電性遮光膜に電流を流すと、ス
ミアの影響を低減することができるとともに、光電変換
素子の感度が向上する。

【００４４】尚、現状の固体撮像装置において、上記の
構造を形成した場合には、例えば数ｍＡ程度の電流を流
せば、上記のような電子の閉じ込め効果を得ることがで
きる。

【００４５】以下、上記の原理に基づく固体撮像装置に
関し、図５から図９までを参照して、第１から第６まで
の各実施例として説明する。

【００４６】（第１実施例）図５（Ａ）から図５（Ｃ）
までを参照して、第１実施例について説明する。図５
（Ａ）は、導電性遮光膜の基本構成を示す平面図であ
る。図５（Ｂ）は、図５（Ａ）のＶｂ−Ｖｂ'断面図で
あり、図５（Ｃ）は、図５（Ａ）に対応するより詳細な
平面構造を示す図である。

【００４７】図５（Ａ）に示す平面図には、４つの光電
変換素子を含む４つの画素Ｐ３１からＰ３４までが示さ
れている。第１の画素Ｐ３１においては、光電変換素子
の周りをほぼ一周する第１の導電性遮光膜３１ａが形成
されており、電流ループを形成している。第１の画素Ｐ
３１の左上隅に形成されている接続点５１ａにおいて第
１の導電性遮光膜３１ａと第２の導電性遮光膜３１ｂと
が接続されている。

【００４８】第１の画素Ｐ３１と列方向に隣接して第２
の画素Ｐ３２が形成されている。第２の導電性遮光膜３
１ｂが、接続点５１ａから列方向下方に延びて第２の画
素Ｐ３２の周りを約３／４周する。第２の画素の接続点
左上隅に形成されている接続点５１ｂにおいて第２の導
電性遮光膜３１ｂと第１の導電性遮光膜５１ａとが接続
されている。第１の導電性遮光膜３１ａは、接続点５１
ｂからさらに列方向下方に向けて延びている。これら第
１及び第２の導電性遮光膜３１ａ及び３１ｂは第２の画
素Ｐ３２の周りを約１と１／４周することになる。

【００４９】電流は、第１の導電性遮光膜３１ａの一端
にトランジスタを介して接続された電源Ｖｓと、他端の
接地点（ＧＮＤ）との間に流れる。電源は、例えば、垂
直駆動部の電源を利用すれば良い。

【００５０】第１の画素Ｐ３１の右隣に存在する第３の
画素Ｐ３３においては、第２の導電性遮光膜３１ｂが第
３の画素Ｐ３３の周りを約３／４周する。第３の画素Ｐ
３３の左上隅に形成されている接続点５１ｃにおいて第
２の導電性遮光膜３１ｂと第１の導電性遮光膜３１ａと
が接続されている。第１の導電性遮光膜３１ａは、接続
点５１ｃからさらに列方向下方に向けて延びている。第
３の画素の列方向の下方に、第４の画素Ｐ３４が形成さ
れている。接続点５１ｃから下方に延びた第１の導電性
遮光膜３１ａは、第４の画素Ｐ３４の上辺において右側
にターンし、第４の画素の周りをほぼ一周する。第４の
画素Ｐ３４の左上隅の接続点５１ｄにおいて、第１の導
電性遮光膜３１ａと第２の導電性遮光膜３１ｂとが接続
されている。第２の導電性遮光膜３１ｂは、さらに列方
向下方に延びる。これら第１及び第２の導電性遮光膜３
１ａ及び３１ｂは第４の画素Ｐ３４の周りを約１と１／
４周することになる。

【００５１】上記の構造においては、電流ループに流れ
る電流の回転方向は、列方向および行方向に関して隣接
する画素に対して、逆方向周りになっている。隣り合う
画素では、磁力線の向きが反対方向になる。隣接する画
素間において互いに近接している遮光性導電膜（配線）
に流れる電流の向きが常に同じ方向になる。

【００５２】固体撮像装置において通常用いられる色配
列であるベイア配列を用いた場合には、画素Ｐ３１とＰ
３４とがＧ（緑色）となり、Ｐ３２はＢ（青色）、Ｐ３
３はＲ（赤色）となる。同色のＧが逆方向になるため、
例えば電流の向きによりスミア量が多少変動したとして
も、Ｇに関してはキャンセルされるため、実際の画像に
与える影響を低減することができる。

【００５３】図５（Ｂ）は、具体的な固体撮像装置の平
面図であり、図５（Ｃ）は図５（Ｂ）のＶｂ−Ｖｂ'断
面図である。

【００５４】図５（Ｂ）及び図５（Ｃ）に示す構造は、
図３（Ａ）及び図３（Ｂ）に示す構造とほぼ同様であ
る。但し、行方向に隣接する画素Ｐ３１と画素Ｐ３３と
の導電性遮光膜の構造が異なっている。

【００５５】すなわち、図５（Ｂ）、（Ｃ）に示す構造
では、隣接する画素Ｐ３１とＰ３３とで、第１の導電性
遮光膜３１ａと第２の導電性遮光膜３１ｂとの形状が異
なっている。図５（Ａ）に示すように、本実施例による
固体撮像装置では、隣接する画素において電流の流れる
方向を逆にした。従って、画素Ｐ３１では、光電変換素
子１８の開口部３２ａの形状を規定するのは第１の導電
性遮光膜３１ａであるのに対して、画素Ｐ３３では、光
電変換素子１８の開口部３２ａの形状を規定するのは第
１の導電性遮光膜３１ａよりも上層の第２の導電性遮光
膜３１ｂである。

【００５６】この構造において、第１及び第２の導電性
遮光膜３１ａ、３１ｂは、共にタングステン（Ｗ）膜を
用いた。特に、開口部３２ａを画定する導電性遮光膜で
ある第２の導電性遮光膜３１ｂは、フレアを防止するた
めに反射率の低いタングステン膜を用いるのが好まし
い。

【００５７】尚、第１の導電性遮光膜３１ａと第２の導
電性遮光膜３１ｂとで異なる材料を用いても良い。例え
ば、第２の導電性遮光膜３１ｂをタングステン膜により
形成し、第１の導電性遮光膜３１ａをタングステンのケ
イ化物（ＷＳｉ）により形成しても良い。その他の金属
膜、半導体膜、合金膜やこれらの多層膜により形成して
も良い。

【００５８】図５（Ｃ）に示す右側の遮光膜の構造は、
第１の導電性遮光膜３１ａの開口の下方に、この開口を
下から塞ぐように第２の導電性遮光膜３１ｂが形成され
ている。

【００５９】尚、図５（Ｃ）に示す構造では、第１の実
施の形態による固体撮像装置と異なり、第２の導電性遮
光膜と第１の電荷転送電極２５ａとの間の絶縁膜の厚さ
は薄く、寄生容量を低減することはできない。

【００６０】尚、以下に説明する各実施例による固体撮
像装置においても、列方向に隣接する画素同士、行方向
に隣接する画素同士は、電流の流れる向きが逆になって
いる。

【００６１】（第２実施例）図６を参照して、第２実施
例について説明する。図６は、導電性遮光膜の基本構成
を示す平面図であり、図５（Ａ）に対応する図である。

【００６２】図６に示す平面図には、４つの光電変換素
子を含む４つの画素Ｐ４１からＰ４４までが示されてい
る。第１の画素Ｐ４１においては、光電変換素子の周り
をほぼ一周する第２の導電性遮光膜３１ｂが形成されて
おり、電流ループを形成している。第１の画素Ｐ４１の
左上隅に形成されている接続点６１ａにおいて第２の導
電性遮光膜３１ｂと第１の導電性遮光膜３１ａとが接続
されている。

【００６３】第１の画素Ｐ４１と列方向に隣接して第２
の画素Ｐ４２が形成されている。第１の導電性遮光膜３
１ａが、接続点６１ａから列方向下方に延びて第２の画
素Ｐ４２の周りを約１周する。第２の画素Ｐ４２の左上
隅に形成されている接続点６１ｂにおいて第１の導電性
遮光膜３１ａと第２の導電性遮光膜３１ｂとが接続され
ている。第２の導電性遮光膜３１ｂは、接続点６１ｂか
らさらに列方向下方に向けて延びている。

【００６４】第１の画素Ｐ４１の右隣に存在する第３の
画素Ｐ４３においては、第２の導電性遮光膜３１ｂが第
３の画素Ｐ４３の周りを約３／４周する。第３の画素Ｐ
４３の左上隅に形成されている接続点６１ｃにおいて第
２の導電性遮光膜３１ｂと第１の導電性遮光膜３１ａと
が接続されている。第１の導電性遮光膜３１ａは、接続
点６１ｃからさらに列方向下方に向けて延びている。こ
れら第１及び第２の導電性遮光膜３１ａ及び３１ｂは第
２の画素Ｐ３２の周りを約１と１／４周することにな
る。

【００６５】第３の画素Ｐ４３の列方向の下方に、第４
の画素Ｐ４４が形成されている。接続点６１ｃから下方
に延びた第１の導電性遮光膜３１ａは、第４の画素Ｐ４
４の上辺において右側にターンし、第４の画素Ｐ４４の
周りをほぼ一周する。第４の画素Ｐ４４の左上隅の接続
点６１ｄにおいて、第１の導電性遮光膜３１ａと第２の
導電性遮光膜３１ｂとが接続されている。第２の導電性
遮光膜３１ｂは、さらに列方向下方に延びる。

【００６６】上記の構造では、各列の導電性遮光膜の構
造が同じである。従って、電流ループに流れる電流の回
転方向を行方向に隣接する画素において逆方向にするた
めに、隣接する列ごとに電流を流す方向を変えている。
例えば、図に示すように、電源を取り付ける場所を列ご
とに上下させればよい。

【００６７】このようにすれば、固体撮像装置において
通常用いられる色配列であるベイア配列を用いた場合に
は、画素Ｐ４１とＰ４４とがＧ（緑色）となり、Ｐ４２
はＢ（青色）、Ｐ４３はＲ（赤色）となる。同色のＧは
同方向に電流が流れる。

【００６８】図６の構造では、Ｇ画素に関して、２つの
Ｇ画素の周囲を流れる電流の方向が同じになっている。
Ｇ画素の視感度は高い。従って、２つのＧ画素の電流の
流れる方向を同じにすると、換言すれば層構造や形状な
どを同じにしておけば、スミアに対する影響などを含む
固体撮像装置の種々の特性が揃うという利点がある。

【００６９】本実施例による固体撮像装置においては、
第１の導電性遮光膜３１ａと第２の導電性遮光膜３１ｂ
との配置が、行方向に全て同じで良いので、形成するパ
ターンは図５（Ａ）に示す構造と比べて単純になる。

【００７０】（第３実施例）図７に、第３実施例による
固体撮像装置の構造を示す。４つの光電変換素子を含む
４つの画素Ｐ５１からＰ５４までが示されている。第１
の画素Ｐ５１においては、その左上隅に形成されている
接続点７１ａにおいて第２の導電性遮光膜３１ｂと第１
の導電性遮光膜３１ａとが接続されている。第１の導電
性遮光膜３１ａは、光電変換素子の周りをほぼ一周し、
電流ループを形成している。第１の画素Ｐ５１の左上隅
には、接続点７１ｂも形成されており、接続点７１ｂに
おいて第１の導電性遮光膜３１ａと第２の導電性遮光膜
３１ｂとが接続されている。

【００７１】第１の画素Ｐ５１と列方向に隣接して第２
の画素Ｐ５２が形成されている。第２の導電性遮光膜３
１ｂが、接続点７１ｂから列方向下方に延びている。第
２の画素Ｐ５２の左上隅には、接続点７１ｃが形成され
ており、接続点７１ｃにおいて、第２の導電性遮光膜３
１ｂと第１の導電性遮光膜３１ａとが接続されている。
第１の導電性遮光膜３１ａは第２の画素Ｐ５２の周りを
ほぼ一周している。第２の画素Ｐ５２の左上隅には、接
続点７１ｄも形成されており、接続点７１ｄにおいて第
１の導電性遮光膜３１ａと第２の導電性遮光膜３１ｂと
が接続されている。第２の導電性遮光膜３１ｂは、列方
向下方に延びている。

【００７２】第１の画素Ｐ５１の右隣に存在する第３の
画素Ｐ５３においては、第２の導電性遮光膜３１ｂが第
３の画素Ｐ５３の周りを約１／４周する。第３の画素Ｐ
５３の左下隅に形成されている接続点７１ｅにおいて第
２の導電性遮光膜３１ｂと第１の導電性遮光膜３１ａと
が接続されている。第１の導電性遮光膜３１ａは、接続
点７１ｃから延びて第３の画素Ｐ５３の周りをほぼ３／
４周し、次いで、列方向下方に延びている。第３の画素
Ｐ５３の列方向の下方に、第４の画素Ｐ５４が形成され
ている。電源は、いずれも上側に形成されている。これ
ら第１及び第２の導電性遮光膜３１ａ及び３１ｂは第３
の画素Ｐ５３の周りを約１と１／４周することになる。

【００７３】第１の導電性遮光膜３１ａは、第４の画素
Ｐ５４をほぼ３／４周しており、第４の画素Ｐ５４の左
上隅に形成されている接続点７１ｆにおいて、第２の導
電性遮光膜３１ｂと接続している。第２の導電性遮光膜
３１ｂは、さらに列方向下方に延びる。これら第１及び
第２の導電性遮光膜３１ａ及び３１ｂは第４の画素Ｐ５
４の周りを約１と１／４周することになる。

【００７４】本実施例による固体撮像装置においては、
画素を回る遮光膜中を流れる電流の向きが列ごとに同じ
方向である。磁力線の方向も１列の画素中では同じにな
る。

【００７５】１つの画素に対して、第１又は第２の導電
性遮光膜のいずれか一方のみでも電流ループを形成でき
るので、導電性遮光膜のパターンを比較的単純にでき
る。（第４実施例）図８に、第４実施例による固体撮像装置
の構造を示す。４つの光電変素子を含む４つの画素Ｐ６
１からＰ６４までが示されている。第１の画素Ｐ６１に
おいては、第２の導電性遮光膜３１ｂがほぼ３／４周す
る。第１の画素Ｐ６１の右上隅に形成されている接続点
８１ａにおいて第２の導電性遮光膜３１ｂと第１の導電
性遮光膜３１ａとが接続されている。第１の導電性遮光
膜３１ａは、画素Ｐ６１の周りをほぼ３／４周し、電流
ループを形成する。これら第１及び第２の導電性遮光膜
３１ａ及び３１ｂは第１の画素Ｐ６１の周りを約１と１
／４周することになる。

【００７６】第１の画素Ｐ６１と列方向に隣接して第２
の画素Ｐ６２が形成されている。第１の導電性遮光膜３
１ａは、列方向に延びて第２の画素Ｐ６２の周りをほぼ
半周する。第２の画素Ｐ６２の右下隅に接続点８１ｂが
形成されており、接続点８１ｂにおいて、第１の導電性
遮光膜３１ａは第２の導電性遮光膜３１ｂと接続する。
第２の導電性遮光膜３１ｂは、第２の画素Ｐ６２の周り
をほぼ３／４周した後、列方向下方に延びる。これら第
１及び第２の導電性遮光膜３１ａ及び３１ｂは第２の画
素Ｐ６２の周りを約１と１／４周することになる。

【００７７】第１の画素Ｐ６１の右隣に存在する第３の
画素Ｐ６３においては、第１の導電性遮光膜３１ａが第
３の画素Ｐ５３の周りを約半周する。第３の画素Ｐ６３
の右下隅に形成されている接続点８１ｃにおいて第１の
導電性遮光膜３１ａと第２の導電性遮光膜３１ｂとが接
続されている。第２の導電性遮光膜３１ｂは、接続点８
１ｃから延びて第３の画素Ｐ６３の周りをほぼ３／４周
し、次いで、列方向下方に延びている。第３の画素Ｐ６
３の列方向の下方に、第４の画素Ｐ６４が形成されてい
る。これら第１及び第２の導電性遮光膜３１ａ及び３１
ｂは第３の画素Ｐ６３の周りを約１と１／４周すること
になる。

【００７８】第２の導電性遮光膜３１ｂは、第４の画素
Ｐ６４をほぼ３／４周しており、第４の画素Ｐ６４の右
上隅に形成されている接続点８１ｄにおいて、第１の導
電性遮光膜３１ａと接続している。第１の導電性遮光膜
３１ａは、さらに列方向下方に延びる。電源は、列ごと
に上下反対方向に設ける。これら第１及び第２の導電性
遮光膜３１ａ及び３１ｂは第４の画素Ｐ６４の周りを約
１と１／４周することになる。

【００７９】本実施例による固体撮像装置においては、
第３実施例による固体撮像装置と同様に、画素を回る遮
光膜中を流れる電流の向きが列ごとに同じ方向である。
磁力線の方向も１列の画素中では同じになる。

【００８０】この構造では、第１又は第２の導電性遮光
膜のいずれかのみで長い距離延びており、かつ接続点の
数も図７に示す構造よりも少ないため、構造が比較的単
純になるという利点がある。

【００８１】（第５実施例）図９（Ａ）に、第５実施例
による固体撮像装置の構造を示す。４つの光電変素子を
含む４つの画素Ｐ７１からＰ７４までが示されている。
第１の画素Ｐ７１においては、第１の導電性遮光膜３１
ａがほぼ半周する。第１の画素Ｐ７１の右下隅に形成さ
れている接続点９１ａにおいて第１の導電性遮光膜３１
ａと第２の導電性遮光膜３１ｂとが接続されている。第
２の導電性遮光膜３１ｂは、画素Ｐ７１の周りをほぼ半
周し、電流ループを形成した後、さらに下方に延びる。

【００８２】第１の画素Ｐ７１と列方向に隣接して第２
の画素Ｐ７２が形成されている。第２の導電性遮光膜３
１ｂは、第２の画素Ｐ７２の周りをほぼ３／４周する。
第２の画素Ｐ７２の右上隅に接続点９１ｂが形成されて
おり、接続点９１ｂにおいて、第２の導電性遮光膜３１
ｂは第１の導電性遮光膜３１ａと接続する。第１の導電
性遮光膜３１ａは、第２の画素Ｐ７２の周りをほぼ半周
した後、列方向下方に延びる。これら第１及び第２の導
電性遮光膜３１ａ及び３１ｂは第２の画素Ｐ７２の周り
を約１と１／４周することになる。

【００８３】第１の画素Ｐ７１の右隣に存在する第３の
画素Ｐ７３においては、第１の導電性遮光膜３１ａが第
３の画素Ｐ７３の周りを約半周する。第３の画素Ｐ７３
の右下隅に形成されている接続点９１ｃにおいて第１の
導電性遮光膜３１ａと第２の導電性遮光膜３１ｂとが接
続されている。第２の導電性遮光膜３１ｂは、接続点９
１ｃから延びて第３の画素Ｐ７３の周りをほぼ３／４周
し、次いで、列方向下方に延びている。これら第１及び
第２の導電性遮光膜３１ａ及び３１ｂは第３の画素Ｐ６
２の周りを約１と１／４周することになる。

【００８４】第３の画素Ｐ７３の列方向の下方に、第４
の画素Ｐ７４が形成されている。第２の導電性遮光膜３
１ｂは、第４の画素Ｐ７４をほぼ３／４周しており、第
４の画素Ｐ７４の右上隅に形成されている接続点９１ｄ
において、第１の導電性遮光膜３１ａと接続している。
第１の導電性遮光膜３１ａは、第４の画素Ｐ７４の周り
をほぼ半周し、さらに列方向下方に延びる。電源は、列
ごとに上下反対方向に設ける。これら第１及び第２の導
電性遮光膜３１ａ及び３１ｂは第４の画素Ｐ６４の周り
を約１と１／４周することになる。

【００８５】本実施例による固体撮像装置においては、
第４および第５実施例による固体撮像装置と同様に、各
列を構成する画素の周りを流れる電流の向きを同じにし
ている。

【００８６】導電性遮光膜のパターンがいずれの画素列
においても同じである上に、第１又は第２の導電性遮光
膜のいずれかのみで長く延びており、かつ接続点の数も
図７に示す第４実施例による固体撮像装置よりも少ない
ため、構造が簡単になる。（第６実施例）図９（Ｂ）に、第６実施例による固体撮
像装置の構造を示す。４つの光電変素子を含む４つの画
素Ｐ８１からＰ８４までが示されている。

【００８７】第１の画素Ｐ８１においては、第２の導電
性遮光膜３１ｂが画素の周りをほぼ半周する。第１の画
素Ｐ８１の右下隅に形成されている接続点９５ａにおい
て第２の導電性遮光膜３１ｂと第１の導電性遮光膜３１
ａとが接続されている。第１の導電性遮光膜３１ｂは、
画素Ｐ７１の周りをほぼ３／４周し、電流ループを形成
する。これら第１及び第２の導電性遮光膜３１ａ及び３
１ｂは第１の画素Ｐ８２の周りを約１と１／４周するこ
とになる。

【００８８】第１の画素Ｐ８１と列方向に隣接して第２
の画素Ｐ８２が形成されている。第１の導電性遮光膜３
１ａは、列方向に延びて第２の画素Ｐ８２の周りをほぼ
１周する。第２の画素Ｐ８２の右上隅に接続点９５ｂが
形成されており、接続点９５ｂにおいて、第１の導電性
遮光膜３１ａは第２の導電性遮光膜３１ｂと接続する。
第２の導電性遮光膜３１ｂは、列方向下方に延びる。こ
れら第１及び第２の導電性遮光膜３１ａ及び３１ｂは第
２の画素Ｐ８２の周りを約１と１／４周することにな
る。

【００８９】第１の画素Ｐ８１の右隣に存在する第３の
画素Ｐ８３においては、第２の導電性遮光膜３１ｂが第
３の画素Ｐ８３の周りを約半周する。第３の画素Ｐ８３
の右下隅に形成されている接続点９５ｃにおいて第２の
導電性遮光膜３１ｂと第１の導電性遮光膜３１ａとが接
続されている。第１の導電性遮光膜３１ａは、接続点９
５ｃから延びて第３の画素Ｐ７３の周りをほぼ３／４半
周し、次いで、列方向下方に延びている。第３の画素Ｐ
８３の列方向の下方に、第４の画素Ｐ８４が形成されて
いる。これら第１及び第２の導電性遮光膜３１ａ及び３
１ｂは第３の画素Ｐ８３の周りを約１と１／４周するこ
とになる。

【００９０】第１の導電性遮光膜３１ａは、第４の画素
Ｐ８４をほぼ１周しており、第４の画素Ｐ８４の左上隅
に形成されている接続点９５ｄにおいて、第２の導電性
遮光膜３１ｂと接続している。第２の導電性遮光膜３１
ｂは、さらに列方向下方に延びる。これら第１及び第２
の導電性遮光膜３１ａ及び３１ｂは第４の画素Ｐ８４の
周りを約１と１／４周することになる。

【００９１】本実施例による固体撮像装置においては、
第４から第６までの各実施例による固体撮像装置と同様
に、各列を構成する画素の周りを流れる電流の向きを同
じにしている。

【００９２】導電性遮光膜のパターンがいずれの画素列
においても同じである上に、第１又は第２の導電性遮光
膜のいずれかのみで長く延びているため、構造が簡単に
なる。

【００９３】以上、第２の実施の形態の第１から第６ま
での各実施例による固体撮像装置に関して説明したが、
本実施の形態による固体撮像装置においては、導電性遮
光膜に電流を流すことにより、電子を光電変換素子内に
閉じこめておくことができる。従って、光電変換素子
の感度が向上する。加えて、第１の実施の形態による固
体撮像装置と同様に、第１の導電性遮光膜と第２の導電
性遮光膜との構造と材料とを工夫することにより、スミ
アの影響を低減しつつ、寄生容量の低減による高速化が
可能となる。

【００９４】尚、本実施の形態において、下層の第１の
導電性遮光膜と上層の第２の導電性遮光膜とのいずれか
一方を用いて光電変換素子の受光面の開口を規定した。
光電変換素子の受光面を規定する一方の導電性遮光膜に
形成された開口部は、他方の導電性遮光膜により塞げば
よい。他方の導電性遮光膜は、一方の導電性遮光膜の上
方または下方のいずれかに形成すれば良い。一方の導電
性遮光膜と他方の導電性遮光膜とは、導電性遮光膜とは
金属プラグ等により接続されていても良いし、直接接触
させても良い。

【００９５】他方の導電性遮光膜が開口部を覆う状態と
しては、様々な状態が含まれる。例えば、他方の導電性
遮光膜が形成されている領域と開口部の領域とが完全に
一致していても良いし、一部でオーバラップしていても
良い。他方の導電性遮光膜の領域が開口部領域を完全に
包含していなくても、遮光機能が発揮されれば十分な場
合もある。例えば、請求項４において、「前記開口部の
上方の領域又は下方の領域のうち少なくともいずれか一
方を含む領域に形成された第２の（他方の）導電性遮光
膜」との記載は、上記のような様々な態様を含む広い表
現として解釈すべきである。

【００９６】第１および第２の実施の形態においては、
主にＣＣＤエリアセンサを例にして説明したが、これら
に限定されるものではない。また、導電性遮光膜を２層
で形成した例を示したが、３層以上で形成しても良い。
少なくとも遮光膜のうちの１層を他の配線層と共通に形
成しても良い。

【００９７】もちろん、ハニカムＣＣＤに適用すること
も可能である。尚、ハニカムＣＣＤとは、以下のような
構造を指す。

【００９８】偶数列を構成している光電変換素子の各々
は、奇数列を構成している光電変換素子に対し、各光電
変換素子列内での光電変換素子同士のピッチの約１／
２、列方向にずれている。同様に、偶数行を構成する光
電変換素子の各々は、奇数行を構成する光電変換素子に
対し、各光電変換素子行内での光電変換素子同士のピッ
チの約１／２、行方向にずれている。

【００９９】光電変換素子列の各々は、奇数行または偶
数行の光電変換素子のみを含んでいる。各光電変換素子
に蓄積された信号電荷を転送するために、複数本の垂直
転送ＣＣＤが形成されており、各垂直転送ＣＣＤは、蛇
行しつつ、所定方向に信号電荷を転送する。

【０１００】各垂直転送ＣＣＤは複数本の転送電極を含
んで構成され、これら複数本の転送電極はハニカム状に
配設されている。そして、複数本の転送電極をハニカム
状に配設することによって生じる六角形の隙間それぞれ
に、上記の光電変換素子の各々が平面視上位置してい
る。

【０１０１】本実施の形態による固体撮像装置の遮光膜
の構造は、例えば、ＣＣＤラインセンサのみならずＣＭ
ＯＳセンサにも適用できることは言うまでもない。ま
た、原色カラーフィルタを有する固体撮像装置のみでな
く、補色カラーフィルタを有する固体撮像装置にも適用
できる。

【０１０２】以上、実施の形態に沿って本発明を説明し
たが、本発明はこれらに制限されるものではない。その
他、種々の変更、改良、組み合わせ等が可能なことは当
業者には自明あろう。

【０１０３】

【発明の効果】スミアの減少および寄生容量の低減によ
る高速化が可能となる。

【図面の簡単な説明】

【図１】デジタルスチルカメラなどの撮像装置Ｘの機
能ブロック図である。

【図２】固体撮像装置の概略的な平面図である。

【図３】本発明の一実施の形態による固体撮像装置で
あり、図３（Ａ）は、図２のうち光電変換素子１８を含
む部分を拡大して示した平面図である。図３（Ｂ）は、
図３（Ａ）のＩＩＩｂ−ＩＩＩｂ'線断面図である。

【図４】図４（Ａ）は、固体撮像装置の受光部および
その周辺部の構造を簡略化して示す斜視図である。図４
（Ｂ）は、図４（Ａ）のＩＶｂ−ＩＶｂ'線断面図であ
る。図４（Ｃ）および図４（Ｄ）は、図４（Ａ）及び図
４（Ｂ）に示す構造を真上からみた平面図である。

【図５】本発明の第２の実施の形態の第１実施例によ
る固体撮像装置の構造を示す図であり、図５（Ａ）は、
導電性遮光膜の基本構成を示す平面図である。図５
（Ｂ）は、図５（Ａ）のＶｂ−Ｖｂ'断面図であり、図
５（Ｃ）は、図５（Ａ）に対応するより詳細な平面構造
を示す図である。

【図６】本発明の第２の実施の形態の第２実施例によ
る固体撮像装置における、導電性遮光膜の基本構成を示
す平面図であり、図５（Ａ）に対応する図である。

【図７】本発明の第２の実施の形態の第３実施例によ
る固体撮像装置の構造を示す。

【図８】本発明の第２の実施の形態の第４実施例によ
る固体撮像装置の構造を示す。

【図９】図９（Ａ）は、本発明の第２の実施の形態の
第５実施例による固体撮像装置の構造を示す平面図であ
り、図９（Ｂ）は、第６実施例による固体撮像装置の構
造を示す平面図である。

【図１０】一般的な固体撮像装置の構造を示す図であ
り、図１０（Ａ）は平面図、図１０（Ｂ）は図１０
（Ａ）Ａ−Ａ'線断面図である。

【符号の説明】

１固体撮像装置１２水平駆動部１１半導体基板１３ｐ型半導体層１４水平電荷転送チャネル１５ｎ型半導体層１６出力アンプ１７ｎ型半導体層１７ａ垂直電荷転送チャネル１８光電変換素子（フォトダイオード）２０第１の絶縁膜２５ａ第１の電荷転送電極２５ｂ第２の電荷転送電極２１第１の層間絶縁膜２７第２の層間絶縁膜３１ａ第１の導電性遮光膜３１ｂ第２の導電性遮光膜３１ｃ開口部

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続きＦターム(参考） 4M118 AA05 AA10 AB01 BA10 BA14 CA03 CB14 DA13 FA06 GB08 GB11 GB15 GB17 GC07 GC08 GC09 GC14 GD04 5C024 CX13 EX43 EX52 GX03 GY01 GY31 5F049 MA02 MB03 NA03 NA04 NB05 RA03 RA08 SZ10 TA13

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】基板と、該基板の一表面に行列状に形成
され、受光面を有する多数個の光電変換素子と、前記一表面上に形成され、前記受光面上を開口するとと
もに、前記受光面以外の非受光面を覆い、かつ、前記非
受光面の一部に開口部を有する第１の導電性遮光膜と、
前記開口部の上方から前記開口部を覆う第２の導電性遮
光膜と、を含む導電性遮光膜とを有する固体撮像装置。
【請求項２】さらに、前記光電変換素子に蓄積された
電荷を転送する電荷転送チャネルが、前記基板の一表面
に、前記開口部に沿うとともに、前記光電変換素子の列
にそれぞれ近接して１本ずつ形成されている請求項１に
記載の固体撮像装置。
【請求項３】さらに、前記第１導電性遮光膜と前記第
２の導電性遮光膜とを接続する導電性の接続プラグを有
する請求項１又は２に記載の固体撮像装置。
【請求項４】基板と、該基板の一表面に行列状に形成され受光面を有する多数
個の光電変換素子と、前記一表面に形成され、前記受光面を開口するととも
に、前記受光面以外の非受光面を覆い、かつ、前記非受
光面の一部に開口部を有する第１の導電性遮光膜と、前
記開口部の上方の領域又は下方の領域のうち少なくとも
いずれか一方を含む領域に形成された第２の導電性遮光
膜と、を含む導電性遮光膜と前記開口を囲む電流ループ
を多数形成するように前記第１導電性遮光膜と前記第２
の導電性遮光膜とを列方向又は行方向に直列に接続する
接続プラグを有する固体撮像装置。
【請求項５】前記電流ループが、行方向および列方向
に隣接する光電変換素子間で逆方向に電流が流れるよう
に形成されている請求項４に記載の固体撮像装置。