JP2006344863A - モードロックレーザ装置 - Google Patents

モードロックレーザ装置 Download PDF

Info

Publication number
JP2006344863A
JP2006344863A JP2005170539A JP2005170539A JP2006344863A JP 2006344863 A JP2006344863 A JP 2006344863A JP 2005170539 A JP2005170539 A JP 2005170539A JP 2005170539 A JP2005170539 A JP 2005170539A JP 2006344863 A JP2006344863 A JP 2006344863A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
face
mode
solid
laser medium
excitation light
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2005170539A
Other languages
English (en)
Other versions
JP4579062B2 (ja
Inventor
Shogo Yamazoe
昇吾 山添
Takashi Adachi
貴志 足立
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujifilm Holdings Corp
Original Assignee
Fujifilm Holdings Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Fujifilm Holdings Corp filed Critical Fujifilm Holdings Corp
Priority to JP2005170539A priority Critical patent/JP4579062B2/ja
Publication of JP2006344863A publication Critical patent/JP2006344863A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4579062B2 publication Critical patent/JP4579062B2/ja
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Landscapes

  • Lasers (AREA)

Abstract

【課題】 モードロックレーザ装置の出力効率を向上させると共に、低コスト化および小型化を可能とする。
【解決手段】 可飽和吸収体ミラーデバイス18および出力ミラー11により両端面が構成されてなる共振器10と、共振器10内に配置された固体レーザ媒質12と、固体レーザ媒質12に励起光Leを入射させる励起手段20と、共振器10内に配置され、励起光Leの入射により固体レーザ媒質12から発生した発振光Loが斜めに入射され、該発振光Loを反射する折り返しミラーとを備え、発振光Loが共振器10内で共振して出力ミラー11からパルスレーザLとして出力されるモードロックレーザ装置1において、共振器10内で共振する発振光L0が、固体レーザ媒質12の1つの端面12aから所定の入射軸に沿って入射され、該固体レーザ媒質12を透過して折り返しミラーにより反射されて固体レーザ媒質12を再度透過して端面12aから入射軸とは異なる出射軸に沿って出射されるように構成する。
【選択図】 図1

Description

本発明は、励起光源からの励起光により固体レーザ媒体から発振光を発生させ、モードロックさせることによりパルスレーザを出力するモードロックレーザ装置に関するものである。
従来、高速で繰り返される光パルス列を連続発生させる技術としては、半導体レーザ、ファイバレーザ、固体レーザなどを用いるものがある。これらのレーザを用いて高速の光パルス列を発生させるには、発振している多くの縦モードの位相を同期させるモード同期方式がとられる。モード同期方式には、共振器内に光変調器を挿入して損失変調をかける能動方式と、入射光強度に対して吸収係数が非線形に変化する可飽和吸収体を共振器内に挿入して受動的にモード同期をとる受動方式などがある。
可飽和吸収体を用いた受動方式のモードロックレーザ装置は、例えば、非特許文献1や特許文献1などに提案されている。
非特許文献1は、Yb:YAGを用いた超短パルスレーザに関するもので、共振器中に半導体可飽和ミラー(SESAM)により共振器の一端面が構成された装置であり、2つの凹面鏡間に固体レーザ媒質を配置して励起すると共に、さらにもう1つ凹面鏡を備えて、発振光をSESAM上に集光させる構成となっている。超短パルスを発生させる共振器において用いられるミラーは高密度パルスエネルギーに耐えうる特殊なコートを必要とするため、凹面鏡の単価は非常に高い。したがって、装置内に備えるべき凹面鏡が多くなるとコスト高になるという問題がある。
特許文献1は、繰り返し率の高い受動モード同期固体レーザに関するもので、レーザ媒質の端面を共振器ミラーとして用いた共振器(図1参照)や、レーザ媒質の端面を出力ミラーとすることで1つの主ビームを取り出す構成とした共振器(図2参照)などが記載されている。レーザ媒質の端面を共振器ミラーの端面とすることにより、非特許文献1の装置と比較して、凹面鏡を1つ減らした構成をとることができる。
特表2002−536823号公報 "Diode-pumped mode-locked Yb3+:Y2O3 ceramic laser"、オプティクスエクスプレス(OPTICS EXPRESS) 2003年11月3日、Vol.11,No.22 P.2911-2916
しかしながら、特許文献1記載のレーザ媒質の端面を共振器ミラーとして用い、出力ミラーからパルスレーザを出力する装置の場合、出力ミラーから異なる2つの方向へ向かうパルスレーザが出力されるため、効率が低下してしまうという問題がある。
また、特許文献1記載のレーザ媒質の端面を共振器ミラーとして用いると共に、該端面を出力側とした共振器の場合、励起手段とレーザ媒質の端面との間にダイクロイックミラーを配置する必要が生じることから装置の小型化(励起手段に備えられる集光レンズとレーザ媒体端面との間を数ミリすること)が困難になり、装置を収納する収納容器が大型化してしまうという問題がある。
本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであって、出力効率がよく、かつ低コスト化および小型化可能なモードロックレーザ装置を提供することを目的とする。
本発明のモードロックレーザ装置は、可飽和吸収体ミラーデバイスおよび出力ミラーにより両端面が構成されてなる共振器と、該共振器内に配置された固体レーザ媒質と、該固体レーザ媒質に励起光を入射させる励起手段と、前記共振器内に配置され、前記励起光の入射により前記固体レーザ媒質から発生した発振光が斜めに入射され、該発振光を斜めに反射する折り返しミラーとを備え、該折り返しミラーにより反射された発振光が前記共振器内で共振し、前記出力ミラーからパルスレーザとして出力されるモードロックレーザ装置において、
前記共振器内で共振する前記発振光が、前記固体レーザ媒質の1つの端面から所定の入射軸に沿って入射され、該固体レーザ媒質を透過して前記折り返しミラーにより反射されて前記固体レーザ媒質を再度透過して前記1つの端面から前記入射軸とは異なる出射軸に沿って出射されるように構成されていることを特徴とするものである。
前記固体レーザ媒質の前記1つの端面に前記発振光に対する反射防止コートが施されていることが望ましい。
また、前記固体レーザ媒質が前記1つの端面と対向する他の端面を有するものであり、該他の端面が前記発振光に対する全反射コートが施されて前記折り返しミラーとして機能するものであることが望ましい。
固体レーザ媒質の前記1つの端面に発振光に対する反射防止コートが施され、さらに該1つの端面と対向する他の端面を有し、該他の端面に前記発振光に対する全反射コートが施されている場合、該他の端面に前記励起光に対する反射防止コートが施されており、前記励起光が、前記固体レーザ媒質に対して前記他の端面からその励起光軸と前記入射軸もしくは出射軸と一致するように入射されることが好ましい。
さらには、前記1つの端面に前記励起光に対する全反射コートが施されており、前記他の端面から前記固体レーザ媒質に入射された励起光が前記1つの端面で反射されることが好ましく、この場合、前記発振光に対する全反射コートと、前記励起光に対する反射防止コートを、前記他の端面の異なる領域に施すものとし、前記他の端面の前記発振光に対する全反射コートが施された領域に前記励起光に対する全反射コートをさらに施し、前記励起光が、前記1つの端面と他の端面との間で複数回反射を繰り返す構成とすることもできる。
また、本発明のモードロックレーザ装置においては、前記1つの端面に前記発振光および励起光に対する反射防止コートが施されており、前記励起光が、前記固体レーザ媒質に対して前記1つの端面からその励起光軸を前記入射軸もしくは出射軸と一致するように入射されるようにすることもできる。
この場合、前記固体レーザ媒質が前記1つの端面と対向する他の端面を有するものであり、該他の端面が前記発振光に対する全反射コートが施されて前記折り返しミラーとして機能するものであることが望ましい。
さらには、前記他の端面に励起光に対する全反射コートが施されており、前記1つの端面から入射された励起光が前記他の端面で反射されることが望ましい。
本発明のモードロックレーザ装置においては、前記可飽和吸収体ミラーデバイスとしては、半導体可飽和吸収ミラーが好適である。
また、本発明のモードロックレーザ装置においては、前記共振器内に分散補償機能を有する素子を備えてもよい。分散補償機能を有する素子としては、チャープミラーやプリズムを用いることができる。
前記固体レーザ媒質は、励起光および発振光に対し活性な領域と不活性な領域とを有し、前記活性な領域が、前記入射軸および出射軸を含む領域に一致するように配置されているものとすることができる。この場合、固体レーザ媒質が多結晶であることが望ましい。
なお、前記励起手段は、1つの励起光源を備え1本の励起光を固体レーザ媒質に入射させるものであってもよいし、2つの励起光源を備え、該2つの励起光源から出力された2本の励起光のうち、一方を前記入射軸と一致する方向から、他方を前記出射軸と一致する方向から固体レーザ媒質に入射させるものであってもよい。さらに、複数の励起光源を備え、該複数の励起光源から出力された励起光を合波して前記固体レーザ媒質に入射させるものであってもよい。
本発明のモードロックレーザ装置は、共振器内で共振する発振光が、固体レーザ媒質の1つの端面から所定の入射軸に沿って入射され、該固体レーザ媒質を透過して折り返しミラーにより反射されて固体レーザ媒質を再度透過して1つの端面から入射軸とは異なる出射軸に沿って出射されるように構成されており、発振光の光路が固体レーザ媒質を折り返し通るので固体レーザ媒体の発振効率を向上させることができる。また、装置に備えるべきミラーを2つ以下に抑えることができるため、コストを抑制することができると共に、全体の構成を小型化することができる。また、出力ミラーから1つの主ビームを取り出すことができるため、出力効率がよい。
固体レーザ媒質の1つの端面に発振光に対する反射防止コートが施されていれば、発振光の反射が抑制されるため効率がよい。
固体レーザ媒質が1つの端面と対向する他の端面を有するものであり、該他の端面が発振光に対する全反射コートが施されて前記折り返しミラーとして機能するものであれば、ミラーの数を抑えることができるので低コスト化、小型化を促進できる。
励起光が、固体レーザ媒質に対してその励起光軸と、固体レーザ媒質への発振光の入射軸もしくは出射軸とを一致するように入射される構成とすれば、固体レーザ媒質の発振効率を向上させることができる。
共振器内に分散補償機能を有する素子を備えれば、パルス圧縮を行うことができ、超短パルスレーザを出力することができる。
固体レーザ媒質として、励起光および発振光に対し活性な領域と不活性な領域とを有し、活性な領域が発振光の入射軸および出射軸を含む領域に一致するように配置されたものを用いれば、より効率的な発振が可能となる。
また、励起手段が、複数の励起光源を備え、複数の励起光を固体レーザ媒質に入射させるものであれば、より高出力のパルスレーザを得ることができる。
以下、本発明の実施の形態について説明する。
図1は、本発明の第1の実施形態のモードロックレーザ装置1の概略構成を示すものである。モードロックレーザ装置1は、共振器10の一方の終端面に1030nmに対する反射率が98%である出力ミラー11、もう一方の終端面に可飽和吸収体ミラーデバイスである、吸収率が1%のSESAM(BATOP社製)18が配置された共振器構造を有する。
共振器10中に固体レーザ媒質としてレーザホスト媒質YAGにYb(イットリビウム)を20at%ドープした厚さ1mmのYb:YAG固体レーザ媒質12を備えている。Yb:YAG固体レーザ媒質12の1つの端面12aに発振光Loの中心波長1030nmから±20nmの広い範囲の波長に対する反射率が0.5%以下である反射防止コート(発振光ARコート)13が施されており、さらに該端面12aと対向する他の端面12bに発振光Loの中心波長1030nmから±20nmの広い範囲の波長に対する反射率が99.5%以上、かつ励起光Leの中心波長940nmから±10nmの広い範囲の波長に対する反射率が0.5%以下であるコート(発振光HR、励起光ARコート)14が施されている。この端面12bは、コート14が設けられたことにより、斜め方向から入射した発振光Loを折り返す、折り返しミラーとして機能する。出力ミラー11および凹面ミラー17としては、曲率半径が10cmのものを用いる。
本実施形態のモードロックレーザ装置1は、発振光Loを出力ミラー11により、ビームウェストが固体レーザ媒質12の端面12bにくるように集光し、さらにコート14が施された端面12bにより折り返し、この発振光Loを反射してSESAM18へ集光する凹面ミラー17をさらに備えた、Z型共振器構造を有するものである。
励起手段20は、励起光源であるシングルモードの半導体レーザ21と、セルフォックレンズ22とからなり、固体レーザ媒体12に対してコート14が施された端面12b側から2mm以内に配置されたセルフォックレンズ22により半導体レーザ21からの励起光Leを、モードマッチング効率が高くなるようにその励起光軸と共振器光軸15とを一致させてYb:YAG固体レーザ12へ入射する。
励起手段20の半導体レーザ21から励起光Leが出力され、励起光Leはセルフォックレンズ22により端面12bから固体レーザ媒質12に入射される。励起光Leの入射により固体レーザ媒質12は励起され、発振光Loを発生する。発振光Loは、共振器10の一方の端面を構成する出力ミラー11と、他方の端面を構成するSESAM18との間で共振する。共振器10の光路15は図中実線で示すように、出力ミラー11から固体レーザ媒質12の一つの端面12aを通過して固体レーザ媒質12の他の端面12bに至り、該他の端面12bで折り返され凹面ミラー17に至り、さらに凹面ミラー17で折り返されてSESAM18に至る。この光路15に沿って発振光Loが共振器10内で共振し、出力ミラー11からパルスレーザLが出力される。
上記構成のモードロックレーザ装置1においては、共振器長を60cmにすることで250MHzの高繰返し、平均出力50mW(励起光500mW)、パルス幅1.5ps(ピコ秒)のレーザビーム出力を得ることができる。
以下の実施形態においては、上記実施形態と異なる点を主として説明する。図面において、既述の部材と同一の部材には同一の符号を付して詳細な説明は省略する。
図2は、本発明の第2の実施形態のモードロックレーザ装置2の概略構成を示すものである。図2に示すモードロックレーザ装置2は、励起手段20が、2つの励起光源を備えている点で、第1の実施形態と異なる。励起手段20は、2つの半導体レーザ21と、それぞれの半導体レーザ21から出力された励起光Leを固体レーザ12に集光させるための2つのセルフォックレンズ22を備え、さらに2つの励起光Leを合波させるための合波手段23を備えている。合波は、波長合波であってもよいし、偏光合波であってもよい。合波手段23としては、例えば、偏光ビームスプリッタ等を用いることができる。
合波した励起光を固体レーザ媒体に入射させることにより、1つの励起光のみの場合と比較して高エネルギーの出力光を得ることができる。なお、3以上の励起光源を備え、3以上の励起光を合波させるようにしてもよい。
図3は、本発明の第3の実施形態のモードロックレーザ装置3の概略構成を示すものである。
本実施形態のモードロックレーザ装置3は、SESAM18への集光に凹面ミラー17に代えて集光レンズ19を備えたものであり、V字型の共振器構造10’を有するものである。このような構造にすることにより、凹面ミラーの数を減らすことができ、より低コスト化を図ることができる。なお、第2の実施形態のモードロックレーザ装置2と同様に励起手段20により2つ以上の励起光を合波し、レーザ媒質に入射させる構成としてもよい。
図4は、本発明の第4の実施形態のモードロックレーザ装置4の概略構成を示すものである。
本実施形態のモードロックレーザ装置4は、励起手段20が、2つの半導体レーザ21と2つのセルフォックレンズ22を備え、それぞれの半導体レーザ21から出射された励起光Leを固体レーザ媒質12に対して端面12b側から、共振器光軸15とそれぞれの励起光軸が一致するように2方向から入射するものであり、高出力のレーザビームLを得ることができる。
本装置4において、さらに2つ以上の励起光を合波させたものを2方向から入射する構成としてもよい。また、第3の実施形態のモードロックレーザ装置3と同様に凹面ミラー17を集光レンズ19に置き換えてもよい。
図5(A)は、本発明の第5の実施形態のモードロックレーザ装置5の概略構成を示すものであり、同図(B)は、その固体レーザ媒質12の近傍を拡大して示す拡大図である。
本実施形態のモードロックレーザ装置5においては、固体レーザ媒質12の両端面12a、12bに施されるコートが上記実施形態の装置と異なる。固体レーザ媒質12の一つの端面12aには、発振光Loの中心波長1030nmから±20nmの広い範囲の波長に対して0.5%以下の反射防止率を有し、かつ励起光Leの中心波長940nmから±10nmの広い範囲の波長に対して99.5%以上の全反射率を有するコート(発振光AR、励起光HRコート)31が施されており、他の端面12bには、発振光Loが集光する微小領域において発振光Loの中心波長1030nmから±20nmおよび励起光Leの中心波長940nmから±10nmの広い範囲の波長に対して99.5%以上の全反射率のコート(発振光および励起光HRコート)32が施され、他の領域では励起光Leの中心波長940nmから±10nmの広い範囲の波長に対して0.5%以下の反射率の反射防止コート(励起光ARコート)33が施されている。
固体レーザ媒質12に対し端面12b側から斜めに励起光Leを入射させ、コート31および32により共振器光軸15と励起光軸が一致するように励起光Leを多重反射させ、固体レーザ媒質12を励起するものである。図5(B)に示すように、励起光Leは、端面12bの励起光に対する反射防止コート33が施された部分から入射され、端面12aの励起光に対する全反射コート31により励起光ビームウェストが端面12bにくるように反射され、端面12bの励起光に対する全反射コート32によりさらに反射され、再び端面12aで反射されて、端面12bの励起光に対する反射防止コート33が施された、入射領域とは異なる領域から固体レーザ媒質12外部に出射される。励起光Leの固体レーザ媒質12内での多重反射させることにより、また多重反射時の光路を発振光Loの光路と一致させることにより、固体レーザ媒質12内において励起光Leと発振光Loの重なり領域を多くさせることができ、発振効率を向上させることができるため、高出力のレーザビームLを得ることができる。
なお、本実施形態のモードロックレーザ装置5においても、第2の実施形態のモードロックレーザ装置2の場合と同様に、2つ以上の励起光を合波させたものをレーザ媒質に入射させるようにしてもよい。また第3の実施形態のモードロックレーザ装置3の場合と同様に、凹面ミラー17を集光レンズ19に置き換えてもよい。さらに、第4の実施形態のモードロックレーザ装置4と同様に、異なる2方向から共振器光軸と励起光軸が一致するように励起光を入射するようにしてもよい。
なお、上記実施形態のモードロックレーザ装置において、固体レーザ媒質12を、Yb:YAG部41をノンドープのYAG42でダイレクトボンディングにより挟み込むことで励起光Leおよび発振光Loに対し活性な領域(Yb:YAG)41と不活性な領域(YAG)42を設けたコンポジットレーザ媒質40を使用してもよい。図6は、コンポジットレーザ媒質40の側面図(A)および正面図(B)を示すものである。なお、図6(A)は、図5に示すモードロックレーザ装置5の固体レーザ媒質12をコンポジットレーザ媒質40に置き換えた場合のコンポジットレーザ媒質40近傍の拡大図であり、同図(B)は、同図(A)の矢印B方向視の図である。
図6(A)に示すように、このコンポジットレーザ媒質40には、図5(B)に示した固体レーザ媒質12と同様に1つの端面40aには、発振光Loの中心波長1030nmから±20nmの広い範囲の波長に対して0.5%以下の反射防止率を有し、かつ励起光Leの中心波長940nmから±10nmの広い範囲の波長に対して99.5%以上の全反射率を有するコート31が施されており、他の端面40bには、発振光Loが集光する微小領域において発振光Loの中心波長1030nmから±20nmおよび励起光Leの中心波長940nmから±10nmの広い範囲の波長に対して99.5%以上の全反射率のコート32が施され、他の領域では励起光Leの中心波長940nmから±10nm広い範囲の波長に対して5%以下の反射率の反射防止コート33が施されている。なお、端面40bに施されている、発振光および励起光に対する全反射コート32は活性領域(Yb:YAG)に施されている。
このように、発振光光路近傍のみを活性領域(Yb:YAG)41としたコンポジットレーザ媒質40を用いることにより、媒質内における無駄な励起光の吸収を抑え効率よくレーザビームを得ることができる。
なお、不活性領域42にノンドープのYAGの代わりにサファイアを用いてもよい。サファイアを用いることにより、放熱効果を上げさらに効率よくレーザビームを得ることができる。
コンポジットレーザ媒質40は、単結晶YAGにYbをドープしたものと、Ybドープしていない単結晶YAGを張り合わせたものであってもよいが、セラミックYAGにYbをドープした活性領域およびドープしていない不活性領域を構成することで、単結晶YAGの張り合わせにより生じる接着剤や空気の層がないコンポジットレーザ媒質を得ることができ、より効率的なレーザビームを得ることができる。なお、セラミックを用いれば任意の形状およびドープ領域を容易に構成できる。
図7は、本発明の第6の実施形態のモードロックレーザ装置6の概略構成を示すものである。
本実施形態のモードロックレーザ装置6は、励起手段20の構成が既述の実施形態のものと異なる。発振光光路15上にダイクロイックミラー25を備え、このダイクロイックミラー25により半導体レーザ21から斜めに入射された励起光Leを共振器光軸と励起光軸とが一致するように折り返し、固体レーザ媒質12に入射する構成である。
半導体レーザ21から出射した励起光Leは、セルフォックレンズ22によりダイクロイックミラー25に入射され、ダイクロイックミラー25により固体レーザ媒質12の一つの端面12a側から固体レーザ媒質12に斜めに入射し、他の端面12b側へ通り貫ける。励起光Leにより固体レーザ媒質12から発振した発振光Loは、出力ミラー11およびSESAM18間で共振し、出力ミラー11からパルスレーザLが出力される。
なお、本実施形態のモードロックレーザ装置6においても、第2の実施形態のモードロックレーザ装置2の場合と同様に、2つ以上の励起光を合波させたものをレーザ媒質に入射させるようにしてもよい。また第3の実施形態のモードロックレーザ装置3の場合と同様に、凹面ミラー17を集光レンズ19に置き換えてもよい。さらに、端面12aに対して異なる2方向から共振器光軸と励起光軸が一致するように励起光を固体レーザ媒質12に入射するようにしてもよい。
図8は、本発明の第7の実施形態のモードロックレーザ装置7の概略構成を示すものである。
本実施形態のモードロックレーザ装置7は、第6の実施形態のモードロックレーザ装置6の構成と酷似しているが、固体レーザ媒質12の端面12bに施されるコートが上記実施形態のものと異なる。本実施形態においては、固体レーザ媒質12の端面12bに、発振光Loの中心波長1030nmから±20nmおよび励起光Leの中心波長940nmから±10nmの広い範囲の波長に対して99.5%以上の全反射率を有するコート(発振光および励起光HRコート)34が施されている。従って、ダイクロイックミラー25からの固体レーザ媒質12へ折り返されてきた励起光Leを端面12bのコート34でさらに折り返すことで励起光Leの吸収効率を上げ、固体レーザ媒質を効率よく発振させることができるため、高出力のレーザビームLを得ることができる。
なお、本実施形態のモードロックレーザ装置7においても、第2の実施形態のモードロックレーザ装置2の場合と同様に、2つ以上の励起光を合波させたものをレーザ媒質に入射させるようにしてもよい。また第3の実施形態のモードロックレーザ装置3の場合と同様に、凹面ミラー17を集光レンズ19に置き換えてもよい。さらに、端面12aに対して異なる2方向から共振器光軸と励起光軸が一致するように励起光を固体レーザ媒質12に入射するようにしてもよい。
図9は、本発明の第8の実施形態のモードロックレーザ装置8の概略構成を示すものである。
本実施形態のモードロック装置8は、第1の実施形態のモードロックレーザ装置1において、凹面ミラー17を分散補償機能を有する誘電体多層膜ミラーであるチャープミラー35に置き換えたものである。このチャープミラー35の作用によりパルス圧縮を行うことができ、800fs(フェムト秒)の超短パルスレーザLを出力することができる。
なお、第2および第4〜第7の実施形態のモードロックレーザ装置2および4〜7においても、凹面ミラー17をチャープミラー35に置き換えることにより、同様にパルス圧縮を行い超短パルスレーザを得ることができる。
また、分散補償機能を有する素子としては、プリズムを用いることもできる。プリズムを用いる場合、第1〜第7の実施形態のモードロックレーザ装置8において、例えば、出力ミラーと固体レーザ媒質間の共振器光路上にプリズムを配置すればよい。
上記各実施形態においては、固体レーザ媒質として、YbをドープしたYAGからなるものを挙げたが、本発明の固体レーザ媒質はYb:YAGに限るものではなく、いかなる固体レーザ媒質であっても適用可能である。特に、YbイオンをドープしたKYW、KGW、GdCOV4、Y2O3、SYS、GdCOBもしくはBOYSなどを用いればサブピコ秒のパルスレーザを得ることが可能である。
なお、既述の各実施形態においては、固体レーザ媒質の共振器側の端面と対向する側の端面を発振光を折り返す折り返しミラーとして用いるものとしているが、発振光を折り返すためのミラーを別個に設けた構成をとることもできる。しかしながら、既述の実施形態のように、固体レーザ媒質の端面をミラーとして用いることにより、部品数を減らすことができるため、小型化、低コスト化を図ることができ、また簡単な構成とすることができる。
第1の実施形態のモードロックレーザ装置の概略構成を示す図 第2の実施形態のモードロックレーザ装置の概略構成を示す図 第3の実施形態のモードロックレーザ装置の概略構成を示す図 第4の実施形態のモードロックレーザ装置の概略構成を示す図 (A)第5の実施形態のモードロックレーザ装置の概略構成を示す図および(B)固体レーザ媒質近傍の拡大図 (A)別の形態の固体レーザ媒質の側面図および(B)正面図 第6の実施形態のモードロックレーザ装置の概略構成を示す図 第7の実施形態のモードロックレーザ装置の概略構成を示す図 第8の実施形態のモードロックレーザ装置の概略構成を示す図
符号の説明
1〜8 モードロックレーザ装置
10、10’ 共振器
11 出力ミラー
12 固体レーザ媒質
12a、12b 端面
13、14 コート
15 共振器光路
17 凹面ミラー
18 SESAM
19 集光レンズ
20 励起手段
21 半導体レーザ
22 セルフォックレンズ
Le 励起光
Lo 発振光
L パルスレーザ

Claims (15)

  1. 可飽和吸収体ミラーデバイスおよび出力ミラーにより両端面が構成されてなる共振器と、該共振器内に配置された固体レーザ媒質と、該固体レーザ媒質に励起光を入射させる励起手段と、前記共振器内に配置され、前記励起光の入射により前記固体レーザ媒質から発生した発振光が斜めに入射され、該発振光を斜めに反射する折り返しミラーとを備え、該折り返しミラーにより反射された発振光が前記共振器内で共振し、前記出力ミラーからパルスレーザとして出力されるモードロックレーザ装置において、
    前記共振器内で共振する前記発振光が、前記固体レーザ媒質の1つの端面から所定の入射軸に沿って入射され、該固体レーザ媒質を透過して前記折り返しミラーにより反射されて前記固体レーザ媒質を再度透過して前記1つの端面から前記入射軸とは異なる出射軸に沿って出射されるように構成されていることを特徴とするモードロックレーザ装置。
  2. 前記固体レーザ媒質の前記1つの端面に前記発振光に対する反射防止コートが施されていることを特徴とする請求項1記載のモードロックレーザ装置。
  3. 前記固体レーザ媒質が前記1つの端面と対向する他の端面を有するものであり、該他の端面が前記発振光に対する全反射コートが施されて前記折り返しミラーとして機能するものであることを特徴とする請求項1または2記載のモードロックレーザ装置。
  4. 前記他の端面に前記励起光に対する反射防止コートが施されており、
    前記励起光が、前記固体レーザ媒質に対して前記他の端面からその励起光軸と前記入射軸もしくは出射軸と一致するように入射されることを特徴とする請求項3記載のモードロックレーザ装置。
  5. 前記1つの端面に前記励起光に対する全反射コートが施されており、
    前記他の端面から前記固体レーザ媒質に入射された励起光が前記1つの端面で反射されることを特徴とする請求項4記載のモードロックレーザ装置。
  6. 前記発振光に対する全反射コートと、前記励起光に対する反射防止コートが、前記他の端面の異なる領域に施されており、
    前記他の端面の前記発振光に対する全反射コートが施された領域に前記励起光に対する全反射コートがさらに施されており、
    前記励起光が、前記1つの端面と他の端面との間で複数回反射を繰り返すことを特徴とする請求項5記載のモードロックレーザ装置。
  7. 前記1つの端面に前記発振光および励起光に対する反射防止コートが施されており、
    前記励起光が、前記固体レーザ媒質に対して前記1つの端面からその励起光軸を前記入射軸もしくは出射軸と一致するように入射されることを特徴とする請求項1記載のモードロックレーザ装置。
  8. 前記固体レーザ媒質が前記1つの端面と対向する他の端面を有するものであり、該他の端面が前記発振光に対する全反射コートが施されて前記折り返しミラーとして機能するものであることを特徴とする請求項7項記載のモードロックレーザ装置。
  9. 前記他の端面に励起光に対する全反射コートが施されており、
    前記1つの端面から入射された励起光が前記他の端面で反射されることを特徴とする請求項8記載のモードロックレーザ装置。
  10. 前記可飽和吸収体ミラーデバイスが、半導体可飽和吸収ミラーであることを特徴とする請求項1から9いずれか1項記載のモードロックレーザ装置。
  11. 前記共振器内に分散補償機能を有する素子を備えたことを特徴とする請求項1から10いずれか1項記載のモードロックレーザ装置。
  12. 前記固体レーザ媒質が、励起光および発振光に対し活性な領域と不活性な領域とを有し、前記活性な領域が、前記入射軸および出射軸を含む領域に一致するように配置されていることを特徴とする請求項1から11いずれか1項記載のモードロックレーザ装置。
  13. 前記固体レーザ媒質が多結晶であることを特徴とする請求項12記載のモードロックレーザ装置。
  14. 前記励起手段が2つの励起光源を備え、該2つの励起光源から出力された2本の励起光のうち、一方を前記入射軸と一致する方向から、他方を前記出射軸と一致する方向から前記固体レーザ媒質に入射させることを特徴とする請求項1から13いずれか1項記載のモードロックレーザ装置。
  15. 前記励起手段が複数の励起光源を備え、該複数の励起光源から出力された励起光を合波して前記固体レーザ媒質に入射させることを特徴とする請求項1から14いずれか1項記載のモードロックレーザ装置。
JP2005170539A 2005-06-10 2005-06-10 モードロックレーザ装置 Expired - Fee Related JP4579062B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2005170539A JP4579062B2 (ja) 2005-06-10 2005-06-10 モードロックレーザ装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2005170539A JP4579062B2 (ja) 2005-06-10 2005-06-10 モードロックレーザ装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2006344863A true JP2006344863A (ja) 2006-12-21
JP4579062B2 JP4579062B2 (ja) 2010-11-10

Family

ID=37641579

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2005170539A Expired - Fee Related JP4579062B2 (ja) 2005-06-10 2005-06-10 モードロックレーザ装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP4579062B2 (ja)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009088138A (ja) * 2007-09-28 2009-04-23 Fujinon Corp 負分散ミラーおよび負分散ミラーを備えたモード同期固体レーザ装置
JP2009099951A (ja) * 2007-09-28 2009-05-07 Fujifilm Corp モード同期固体レーザ装置
JP2009099952A (ja) * 2007-09-28 2009-05-07 Fujifilm Corp モード同期固体レーザ装置
JP2011176315A (ja) * 2010-02-23 2011-09-08 Lpkf Laser & Electronics Ag レーザ装置
CN104348071A (zh) * 2013-08-05 2015-02-11 中国科学院物理研究所 克尔透镜锁模全固态激光器

Citations (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0430484A (ja) * 1990-05-25 1992-02-03 Topcon Corp 固体レーザ
JPH0555671A (ja) * 1991-08-26 1993-03-05 Nec Corp 半導体レーザ励起固体レーザ
JPH05286761A (ja) * 1992-04-10 1993-11-02 Kurosaki Refract Co Ltd 固体レーザ用多結晶透明yagセラミックスの製造方法
JPH09312430A (ja) * 1996-05-22 1997-12-02 Sadao Nakai ジグザグスラブ固体レーザ及び増幅器
JPH10294520A (ja) * 1997-04-21 1998-11-04 Nec Corp 固体レーザ装置
JPH114030A (ja) * 1997-06-12 1999-01-06 Nec Corp 励起型固体レーザ装置
JPH11289120A (ja) * 1998-02-25 1999-10-19 Dentek Lasersyst Prod Gmbh 極端に短い光パルスを発生するレ―ザ―システム
JP2001077449A (ja) * 1999-07-23 2001-03-23 Schneider Laser Technologies Ag モード同期固体レーザ
JP2002141585A (ja) * 2000-10-30 2002-05-17 Shibuya Kogyo Co Ltd 固体レーザ発振装置
JP2002536823A (ja) * 1999-02-01 2002-10-29 ギガテラ・アクチェンゲゼルシャフト 繰返し率の高い受動モード同期固体レーザ
JP2003502850A (ja) * 1999-06-14 2003-01-21 ロフィン−ジナール レーザー ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング 固体レーザ
JP2003152252A (ja) * 2001-11-09 2003-05-23 Nec Eng Ltd 光増幅素子
JP2004356479A (ja) * 2003-05-30 2004-12-16 Japan Science & Technology Agency レーザー装置

Patent Citations (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0430484A (ja) * 1990-05-25 1992-02-03 Topcon Corp 固体レーザ
JPH0555671A (ja) * 1991-08-26 1993-03-05 Nec Corp 半導体レーザ励起固体レーザ
JPH05286761A (ja) * 1992-04-10 1993-11-02 Kurosaki Refract Co Ltd 固体レーザ用多結晶透明yagセラミックスの製造方法
JPH09312430A (ja) * 1996-05-22 1997-12-02 Sadao Nakai ジグザグスラブ固体レーザ及び増幅器
JPH10294520A (ja) * 1997-04-21 1998-11-04 Nec Corp 固体レーザ装置
JPH114030A (ja) * 1997-06-12 1999-01-06 Nec Corp 励起型固体レーザ装置
JPH11289120A (ja) * 1998-02-25 1999-10-19 Dentek Lasersyst Prod Gmbh 極端に短い光パルスを発生するレ―ザ―システム
JP2002536823A (ja) * 1999-02-01 2002-10-29 ギガテラ・アクチェンゲゼルシャフト 繰返し率の高い受動モード同期固体レーザ
JP2003502850A (ja) * 1999-06-14 2003-01-21 ロフィン−ジナール レーザー ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング 固体レーザ
JP2001077449A (ja) * 1999-07-23 2001-03-23 Schneider Laser Technologies Ag モード同期固体レーザ
JP2002141585A (ja) * 2000-10-30 2002-05-17 Shibuya Kogyo Co Ltd 固体レーザ発振装置
JP2003152252A (ja) * 2001-11-09 2003-05-23 Nec Eng Ltd 光増幅素子
JP2004356479A (ja) * 2003-05-30 2004-12-16 Japan Science & Technology Agency レーザー装置

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009088138A (ja) * 2007-09-28 2009-04-23 Fujinon Corp 負分散ミラーおよび負分散ミラーを備えたモード同期固体レーザ装置
JP2009099951A (ja) * 2007-09-28 2009-05-07 Fujifilm Corp モード同期固体レーザ装置
JP2009099952A (ja) * 2007-09-28 2009-05-07 Fujifilm Corp モード同期固体レーザ装置
JP2011176315A (ja) * 2010-02-23 2011-09-08 Lpkf Laser & Electronics Ag レーザ装置
CN104348071A (zh) * 2013-08-05 2015-02-11 中国科学院物理研究所 克尔透镜锁模全固态激光器

Also Published As

Publication number Publication date
JP4579062B2 (ja) 2010-11-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP0783783B1 (en) Passively stabilized intracavity doubling laser
EP2901531B1 (en) Microchip laser with single solid etalon
JP5177969B2 (ja) 光増幅装置
JP2008028379A (ja) モードロックレーザ装置
EP0949730A2 (en) Short pulse laser system
JP2001502476A (ja) ピコ秒レーザ
US20110150013A1 (en) Resonant pumping of thin-disk laser with an optically pumped external-cavity surface-emitting semiconductor laser
EP2713457A2 (en) Optical amplifier and process
JP3989841B2 (ja) コンパクトな超高速レーザー
JP2008004882A (ja) レーザ装置および光増幅装置
JP4579062B2 (ja) モードロックレーザ装置
JP4231829B2 (ja) 内部共振器型和周波混合レーザ
US20090290606A1 (en) Mode-locked external-cavity surface-emitting semiconductor laser
US11201450B2 (en) Q-switched solid-state laser
JP2014135421A (ja) 固体レーザデバイス及びその製造方法
JP2008060317A (ja) モードロックレーザ装置
JP2020127000A (ja) 圧縮パルス幅を有する受動qスイッチ型固体レーザ
CN109346915B (zh) 一种基于内腔受激拉曼散射的单纵模固体激光器
JP2005039093A (ja) レーザ装置
JP2009010066A (ja) パルスレーザ発振器
JP2007281388A (ja) レーザ装置
JP2007129210A (ja) モードロックレーザ装置。
CN113872030A (zh) 一种266nm脉冲固体激光器
JP2010258198A (ja) モード同期固体レーザ装置
TWI358869B (ja)

Legal Events

Date Code Title Description
A711 Notification of change in applicant

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A712

Effective date: 20061209

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20080214

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20100513

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20100518

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20100712

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20100803

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20100825

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130903

Year of fee payment: 3

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 4579062

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees