JP2008004882A - レーザ装置および光増幅装置 - Google Patents

レーザ装置および光増幅装置 Download PDF

Info

Publication number
JP2008004882A
JP2008004882A JP2006175392A JP2006175392A JP2008004882A JP 2008004882 A JP2008004882 A JP 2008004882A JP 2006175392 A JP2006175392 A JP 2006175392A JP 2006175392 A JP2006175392 A JP 2006175392A JP 2008004882 A JP2008004882 A JP 2008004882A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
gain media
laser
solid gain
solid
fluorescence spectrum
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2006175392A
Other languages
English (en)
Other versions
JP5069875B2 (ja
Inventor
Takashi Adachi
貴志 足立
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujifilm Corp
Original Assignee
Fujifilm Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Fujifilm Corp filed Critical Fujifilm Corp
Priority to JP2006175392A priority Critical patent/JP5069875B2/ja
Priority to US11/764,271 priority patent/US7835416B2/en
Priority to EP07012094A priority patent/EP1879271A3/en
Publication of JP2008004882A publication Critical patent/JP2008004882A/ja
Priority to US12/191,330 priority patent/US7894129B2/en
Priority to US12/191,334 priority patent/US7894501B2/en
Application granted granted Critical
Publication of JP5069875B2 publication Critical patent/JP5069875B2/ja
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/05Construction or shape of optical resonators; Accommodation of active medium therein; Shape of active medium
    • H01S3/06Construction or shape of active medium
    • H01S3/07Construction or shape of active medium consisting of a plurality of parts, e.g. segments
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/10Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating
    • H01S3/11Mode locking; Q-switching; Other giant-pulse techniques, e.g. cavity dumping
    • H01S3/1106Mode locking
    • H01S3/1112Passive mode locking
    • H01S3/1115Passive mode locking using intracavity saturable absorbers
    • H01S3/1118Semiconductor saturable absorbers, e.g. semiconductor saturable absorber mirrors [SESAMs]; Solid-state saturable absorbers, e.g. carbon nanotube [CNT] based
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S2301/00Functional characteristics
    • H01S2301/04Gain spectral shaping, flattening
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S2301/00Functional characteristics
    • H01S2301/08Generation of pulses with special temporal shape or frequency spectrum
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/05Construction or shape of optical resonators; Accommodation of active medium therein; Shape of active medium
    • H01S3/06Construction or shape of active medium
    • H01S3/0602Crystal lasers or glass lasers
    • H01S3/0604Crystal lasers or glass lasers in the form of a plate or disc
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/09Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping
    • H01S3/091Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping using optical pumping
    • H01S3/094Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping using optical pumping by coherent light
    • H01S3/0941Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping using optical pumping by coherent light of a laser diode
    • H01S3/09415Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping using optical pumping by coherent light of a laser diode the pumping beam being parallel to the lasing mode of the pumped medium, e.g. end-pumping
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/14Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range characterised by the material used as the active medium
    • H01S3/16Solid materials
    • H01S3/1601Solid materials characterised by an active (lasing) ion
    • H01S3/1603Solid materials characterised by an active (lasing) ion rare earth
    • H01S3/1611Solid materials characterised by an active (lasing) ion rare earth neodymium
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/14Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range characterised by the material used as the active medium
    • H01S3/16Solid materials
    • H01S3/163Solid materials characterised by a crystal matrix
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/14Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range characterised by the material used as the active medium
    • H01S3/16Solid materials
    • H01S3/163Solid materials characterised by a crystal matrix
    • H01S3/1668Solid materials characterised by a crystal matrix scandate

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Nanotechnology (AREA)
  • Lasers (AREA)
  • Semiconductor Lasers (AREA)

Abstract

【課題】固体利得媒質を備えたレーザ装置において、広帯域な発振スペクトル帯域の発振を可能とする。
【解決手段】レーザ装置1において、共振器10と、該共振器10内に配置された互いに少なくとも一部が重なる蛍光スペクトル帯域を有する複数の固体利得媒質51,52,53と、該複数の固体利得媒質51,52,53を励起する励起手段2とを備え、複数の固体利得媒質51,52,53による全蛍光スペクトル幅を、固体利得媒質のそれぞれの蛍光スペクトル幅よりも大きくする。
【選択図】図1

Description

本発明は、レーザ装置および光増幅装置に関し、特には複数の固体利得媒質を備えたレーザ装置および光増幅装置に関するものである。
短パルスレーザ(モードロックレーザ)としては、発光波長帯域の広いレーザ媒質が好適である。発光波長帯域が広いレーザ媒質として、特に、固体レーザ媒質(固体利得媒質)では希土類イオンであるYb(イッテルビウム)イオンを添加した材料(非特許文献1)、Nd(ネオジム)イオンを添加したガラス(特許文献1)、またTi(チタン)等の遷移金属イオンを添加した材料(特許文献2)がよく知られている。また、ファイバレーザではEr(エルビウム)添加ファイバ(特許文献3)等がよく知られている。p(ピコ)秒からf(フェムト)秒クラスの短パルスレーザは、発光波長帯域が非常に広いレーザ媒質が必要となるため、前述の特許文献1から3、非特許文献1等に代表されるような限られた材料、つまり波長は赤外域に限られていた。また、1μm帯のレーザ発振には有利な4準位系のNdイオンは、母材としてYAG(Y3Al5O12)を用いた系においてよく知られているように、発光幅は狭く短パルスレーザには使用できず、発光幅を広くできる上述したガラス母材が主に使われる。しかし、ガラスは熱伝導率が小さいためにNdイオン添加ガラス固体レーザは高出力化には不向きという問題がある。
波長可変レーザとしては、半導体レーザや色素レーザ、Ti:サファイアレーザ、OPO(光パラメトリック発振器)などを用いた方式がそれぞれ提案されている。特に、半導体レーザを用いた波長可変レーザの開発は近年盛んであるが、発振領域が主に赤外〜近赤外の領域であって、可視領域においては青紫色領域以外は未だ実現されていない。また、Ti:サファイアレーザは、波長可変レーザとして良く用いられている一つであるが、発振波長は近赤外域に限られる。これら、赤外〜近赤外域発振のレーザであってもSHG(第二高調波)を利用すれば、可視域もカバーすることが可能であるが、高い効率、優れた安定性が実現されたものは皆無である。これに対して、色素レーザは、一つの色素を用いた場合の可変波長域は平均して50nm程度であるが、数種類の色素を利用することによって、紫外〜近赤外の波長域でレーザ発振をさせることが可能である。しかし、色素は劣化による問題が大きく、短波長域においては励起光源が高価となる欠点も有する。一方、OPOは、比較的広い可変波長域をカバーできるが、ビーム品質等のいくつかの問題を抱えている。従って、波長可変レーザとして現在提案されている方式にはいずれも一長一短があり、産業用への応用が困難なものとなっている。
特開平06-244486号公報 特表2003-500861号公報 特開平08-051246号公報 Optics Letter Vol.20,2402-2405,1995
以上のように、短パルスレーザにおいても波長可変レーザにおいても赤外〜可視域の広範囲に亘る発振スペクトル帯域の発振が可能で、かつ安定性の高い装置が求められている。なお、レーザ光を増幅する光増幅装置においても同様である。
本発明は、上記事情に鑑み、広帯域な発振スペクトル帯域の発振が可能なレーザ装置および広帯域なシード光波長に対して光増幅が可能な光増幅装置を提供することを目的とするものである。
本発明のレーザ装置は、共振器と、該共振器内に配置された互いに少なくとも一部が重なる蛍光スペクトル帯域を有する複数の固体利得媒質と、該複数の固体利得媒質を励起する励起手段とを備え、前記複数の固体利得媒質による全蛍光スペクトル幅が、前記固体利得媒質のそれぞれの蛍光スペクトル幅よりも大きいことを特徴とするものである。なお、複数の固体利得媒質の蛍光ピーク波長は互いに異なるものであることが望ましい。
ここで、蛍光スペクトル幅とは、蛍光スペクトル帯域におけるピーク波長の半値全幅をいうものであり、複数のピーク波長が存在する場合はそのうち最も広い半値全幅で定義するものとし、複数の固体利得媒質による全蛍光スペクトル幅とは、複数の固体利得媒質の蛍光スペクトル帯域が一部重なりあって形成される全蛍光スペクトル帯域におけるピーク波長の半値全幅をいうものであり、複数のピーク波長が存在する場合はそのうち発振させたい所望の波長範囲における半値全幅で定義するものとする。
励起手段は、複数の固体利得媒質を同時に励起できるものであれば、励起光を出力する励起光源を1つのみ備えたものであってもよいし、励起光源を複数備えていてもよい。
前記複数の固体利得媒質のそれぞれは、前記全蛍光スペクトル幅が所望の値となるように、蛍光ピークの数および波長が選択され、かつ配列されていることが望ましい。さらには、複数の固体利得媒質のそれぞれが、蛍光強度を調整されて配列されていることが望ましい。
またあるいは、前記励起手段は、前記全蛍光スペクトル幅が所望の値となるように、該励起手段から出力される励起光の波長、数、およびパワーが選択することができる。
前記複数の固体利得媒質は、一体化されていることが望ましい。ここで、一体化とは、互いの発振光入出射面が接触されている状態やモノリシック化されている状態をいうが、それぞれ個別に形成された固体利得媒質を接着剤等により接合して一体化されたものでもよいし、接着剤を使わずにオプティカルコンタクト等により接合して一体化されたものでもよい。また、多結晶体で作製され、それぞれの固体利得媒質を積層して焼結させて一体化作製されたものもよい。
複数の固体利得媒質が一体化されている場合、それぞれが多結晶体であることが望ましい。また、固体利得媒質が多結晶体である場合には、ガーネット型構造、C−希土類型構造、およびペロブスカイト型構造のうちいずれかの構造を有する母材に希土類イオンが添加されてなるものであることが望ましい。さらに、複数の固体利得媒質が、互いに同一の構造を有する母材に互いに同一の希土類イオンが添加されてなるものであることが望ましい。
本発明のレーザ装置は、モードロックレーザ装置として、あるいは波長可変レーザ装置として好適に用いることができる。
本発明のレーザ装置は、前記固体利得媒質からの発振光の波長を変換する少なくとも一つの波長変換素子を備え、波長変換光を出力光とするものとして用いることもできる。
本発明の光増幅装置は、互いに少なくとも一部が重なる蛍光スペクトル帯域を有する複数の固体利得媒質と、該複数の固体利得媒質を励起する励起手段とを備え、前記複数の固体利得媒質による全蛍光スペクトル幅が、前記固体利得媒質のそれぞれの蛍光スペクトル幅よりも大きいことを特徴とするものである。なお、複数の固体利得媒質の蛍光ピーク波長は互いに異なるものであることが望ましい。また、蛍光スペクトル幅および全蛍光スペクトル幅については、上述のレーザ装置の場合と同様に定義されるものとする。
ここでも、励起手段は、複数の固体利得媒質を同時に励起できるものであれば、励起光を出力する励起光源を1つのみ備えたものであってもよいし、励起光源を複数備えていてもよい。
前記複数の固体利得媒質のそれぞれは、前記全蛍光スペクトル帯域幅が所望の値となるように、蛍光ピークの数および波長が選択され、かつ配列されていることが望ましい。さらには、複数の固体利得媒質のそれぞれが、蛍光強度を調整されて配列されていることが望ましい。
前記励起手段は、前記全蛍光スペクトル帯域幅が所望の値となるように、該励起手段から出力される励起光の波長、数、およびパワーが選択することができる。
前記複数の固体利得媒質は、一体化されていることが望ましい。一体化は上述のレーザ装置の場合と同様に定義されるものとする。
複数の固体利得媒質が一体化されている場合、それぞれが多結晶体であることが望ましい。また、固体利得媒質が多結晶体である場合には、ガーネット型構造、C−希土類型構造、およびペロブスカイト型構造のうちいずれかの構造を有する母材に希土類イオンが添加されてなるものであることが望ましい。さらに、複数の固体利得媒質が、互いに同一の構造を有する母材に互いに同一の希土類イオンが添加されてなるものであることが望ましい。
本発明のレーザ装置は、共振器内に配置された互いに少なくとも一部が重なる蛍光スペクトル帯域を有する複数の固体利得媒質を備えており、この複数の固体利得媒質による全蛍光スペクトル幅が、固体利得媒質のそれぞれの蛍光スペクトル幅よりも大きいので、固体利得媒質の組み合わせにより、可視から赤外までの広い波長域をカバーすることができる。固体利得媒質は色素と比較して安定性が高くレーザ装置としても安定性の高いものとすることができる。
本発明の光増幅装置は、互いに少なくとも一部が重なる蛍光スペクトル帯域を有する複数の固体利得媒質を備えており、この複数の固体利得媒質による全蛍光スペクトル幅が、固体利得媒質のそれぞれの蛍光スペクトル幅よりも大きいので、固体利得媒質の組み合わせにより、可視から赤外までの広い波長域をカバーすることができる。
以下、図面を参照して本発明の実施の形態を詳細に説明する。
図1は、本発明の第1の実施形態のレーザ装置である。本レーザ装置1は、共振器10と、該共振器10内に配置された互いに少なくとも一部が重なる蛍光スペクトル帯域を有する複数の固体利得媒質51、52、53を備えたレーザ媒質群5と、該複数の固体利得媒質51、52、53を励起する励起手段2とを備えている。
励起手段2は、励起光であるレーザビームLを発する半導体レーザ11と、レーザビームL1を共振器内に導く集光光学系12とからなる。
共振器10は凹面ミラー4と半導体可飽和吸収ミラー(以下、SESAM:BATOP社製)7により構成されており、共振器10内には、さらに偏光制御手段としてのブリュースタ板6が配置されている。
レーザ媒質群5は、励起光であるレーザビームL1を受け固体レーザ光を発し、SESAM7によりモードロック動作し、凹面ミラー4からパルス光のレーザビームL2として出力される。出力されたレーザビームL2は、集光光学系12と凹面ミラー4との間に配置したダイクロイックミラー3から外部に取り出される。
レーザ媒質群5を構成する複数の固体利得媒質51、52、53は、全蛍光スペクトル幅が、固体利得媒質51、52、53のそれぞれの蛍光スペクトル幅よりも大きいことを特徴とするものであり、以下にその具体例を挙げる。
レーザ媒質群5は、それぞれNdイオンが添加されたガーネット系Lu3Ga5O12媒質51、Gd3Sc2Al3O12媒質52、Gd3Sc2Ga3O12媒質53が、レーザビームL1が入射する方向から順に配列されたものとして構成することができる。この場合、蛍光ピーク波長は、それぞれ1062.3nm、1059.9nm、1061.2nmであり、蛍光スペクトル幅は、それぞれ1.02nm、1.1nm、1.6nmである。レーザ媒質51〜53は、中央に配置されたレーザ媒質52の励起光吸収量が、前後のレーザ媒質51、53の励起光吸収量よりも大きくなるように、Nd濃度が全て1at%であり、厚みがそれぞれ0.3mm、0.5mm、0.5mmであり、約0.1mm間隔で配置されている。810nm帯のレーザ光で励起した場合(すなわちレーザビームL1が810nm帯のレーザ光である場合)、レーザ媒質52の蛍光強度は、レーザ媒質51、53の蛍光強度よりも高く、レーザ媒質群5の3つの固体利得媒質51〜53による1.06μm波長帯の蛍光ピーク波長がレーザ媒質52の蛍光ピーク波長1059.9nmとほぼ一致し、全蛍光スペクトル幅は、約3nmであり、個々のレーザ媒質の蛍光スペクトル幅1nm〜1.6nmよりも2〜3倍広い蛍光スペクトル幅が得られる。なお、このとき、固体利得媒質51〜53の両端面には、レーザビームL1、L2の両波長に対して良好に透過するコーティングが施されている。
集光光学系12は、f=8mmの非球面レンズ13、それぞれf=−7.7、f=70のシリンドリカルレンズ14、15およびf=60のアクロマティックレンズ16とから構成されている。半導体レーザから発せられるレーザビームL1は、集光光学系12により、Gd3Sc2Al3O12媒質52の中央に励起光ビームウエストがくるように入射される。なお、半導体レーザとしては、波長810nm帯の発光幅100μmのものを用い、集光光学系12により、中央に配置したGd3Sc2Al3O12媒質52中に50μm×140μmの励起光ビームウエストを形成することができる。
SESAM7としては、波長1040nmに対し0.7%の吸収率をもつものを用いる。凹面ミラー4としては、レーザビームL2に対し透過率が1%であり、曲率半径が50mmを用い、共振器長は空気中の長さで50mmとなるようにする。なお、本共振器構造により、SESAM7上に1/e2直径で90μmの発振光ビームウエストを形成することができる。レーザ媒質群5は、SESAM7からGd3Sc2Al3O12媒質52の中央が約15mmの位置となるように配置され、同位置で発振ビーム1/e2直径は約240μmとなる。
本レーザ装置においては、Ndを添加したガーネット系のレーザ媒質、例えばNd:YAGに比べて、発振波長帯域が広くなるので、短パルス化が実現可能である。
具体的には、本レーザ装置を用いた場合、2Wの励起パワーに対し、平均出力100mW、パルス幅3psec.、繰り返し周波数3GHzのパルス光を得ることができた。
本実施形態においては、3つの固体利得媒質を用いているが、3つに関わらずいくつでも良く、発振スペクトル幅を制御することで、パルス幅を自由に制御可能である。本実施例では、蛍光強度を調整するためにレーザ媒質の厚みを調整したが、添加されている希土類イオンの濃度を調整しても良い。また、希土類はNd以外にも他の全てが適用可能であり、Pr、Sm、Eu、Tb、Dy、Ho、Er等の希土類を用いれば、可視領域の短パルスレーザも可能である。
なお、上記実施形態においては、レーザ媒質群の各固体利得媒質が0.1mmの間隔で配置されているものとしたが、図2に示すレーザ媒質群5'の側面図のように、複数の固体利得媒質51、52、53は、互いの発振光入出射面が接触するように一体化されていてもよい。それぞれ個別に形成された固体利得媒質を接着剤等により接合して一体化されたものでもよいし、接着剤を使わずにオプティカルコンタクト等により接合して一体化されたものでもよい。特に多結晶体で作製され、それぞれの固体利得媒質を積層して焼結させて一体化作製されたものもよい。
ガーネット系の材料だけでは無く、異なる結晶構造の材料同士を配置しても良い。また多結晶体においては、ガーネット系以外にペロブスカイト型、C-希土類型の結晶構造のものが好ましい。さらに、レーザ媒質群を構成する複数の固体利得媒質は、互いに同一の構造を有する母材に互いに同一の希土類イオンが添加されてなるものであることが望ましい。同一の構造を有する母材、同一の希土類イオンが添加されている場合は、誘導放出断面積、蛍光寿命に大きな差が無く、閾値を合わせ易く、全レーザ媒質の発光を有効に利用できる。
本実施形態では、ファブリーペロー型の共振器構造の形態を説明したが、共振器構造としては、Z型構造、bowtie型等の如何なる構造形態でも良い。
また、上記実施形態のレーザ装置において、共振器内、または共振器の外に少なくとも一つの波長変換素子を配置し、波長変換光を取り出すよう構成することもできる。
本発明は、モードロックレーザ装置に限らず、波長制御素子を配置した波長可変レーザや光増幅装置としても有効に機能する。
図3は、本発明の第2の実施形態である波長可変レーザ装置20である。本波長可変レーザ装置20は、上述の第1の実施形態の場合と同一のレーザ媒質群5を備え、このレーザ媒質群5の1つの固体利得媒質端面(最も励起光入射側に配置された固体利得媒質51の励起光入射側の端面51a)と凹面出力ミラー22とで共振器25が構成されている。励起手段2は、第1の実施形態のものと同一である。
凹面出力ミラー22は、1060nmから1070nmの広い範囲の発振波長対し透過率が1%のものが用いられ、さらに、共振器25内に波長変調素子である複屈折フィルター26を備えている。この複屈折フィルター26を、共振器光軸に対しブリュースタ角傾けて配置することで、直線偏光で発振させることができる。
本波長可変レーザ装置20においては、複屈折フィルター26の作用により1062nm〜1066nmのレーザ光L2を得ることができる。
図3は、本発明の第3の実施形態である光増幅装置30である。本光増幅装置30は、第1の実施形態の場合と同一のレーザ媒質群5を用いた、固体レーザ増幅器である再生増幅器の構成例である。
別に用意したシードレーザとしてのNd:YVO4モード同期発振器40(中心波長1064nm)からの短パルスレーザ光(シード光)Lsを、図示しない回折格子対によりパルス幅を伸張する。その後、再生増幅器30に偏光子41から導入し、電気光学素子と四分の一波長板の組合せ42において、当初、電気光学素子に加える電圧を零とし、四分の一波長だけの位相差を与え、再生増幅器内に捕捉する。2パス目は、電気光学素子に四分の一波長だけの位相差を与え、補足された光子を共振器内に閉じ込める。電気光学素子に半波長電圧を加えるか電圧をオフにし、最終的に取り出す(詳細はKochner、Solid-State Laser Engineering(第4版、p.541)参照。)。
固体利得媒質群5は半導体レーザ32および光学系33からなる励起手段34により入力用凹面ミラー39から入射された励起光Leにより励起されており、シード光は凹面ミラー38および39を介して反射鏡36および37間を往復することで増幅される。最終的には、増幅されたパルスをパルス圧縮し圧縮されたパルス光Lpが反射鏡36から出力される。
上記実施形態においては、固体レーザ増幅器として再生増幅器を例に挙げて説明したが、本発明のレーザ増幅器は、再生増幅器にのみ限定されるものではなく、単一通過型あるいはダブルパス型や4パス型のいわゆるマルチパス型レーザ増幅器においても容易に適用可能である。
本発明の第1の実施形態のレーザ装置の概略構成を示す模式図 レーザ媒質群の他の例を示す図 本発明の第2の実施形態の波長可変レーザ装置の概略構成を示す模式図 本発明の第3の実施形態の光増幅器の概略構成を示す模式図
符号の説明
1 レーザ装置
2 励起手段
4 凹面ミラー
5、5’ レーザ媒質群
7 半導体可飽和吸収ミラー
10 共振器
11 半導体レーザ
12 集光光学系
20 波長可変レーザ装置
30 光増幅装置(再生増幅装置)
51、52、53 固体利得媒質

Claims (19)

  1. 共振器と、該共振器内に配置された互いに少なくとも一部が重なる蛍光スペクトル帯域を有する複数の固体利得媒質と、該複数の固体利得媒質を励起する励起手段とを備え、前記複数の固体利得媒質による全蛍光スペクトル幅が、前記固体利得媒質のそれぞれの蛍光スペクトル幅よりも大きいことを特徴とするレーザ装置。
  2. 前記複数の固体利得媒質のそれぞれが、前記全蛍光スペクトル幅が所望の値となるように、蛍光ピークの数および波長が選択され、かつ配列されていることを特徴とする請求項1記載のレーザ装置。
  3. 前記複数の固体利得媒質のそれぞれが、蛍光強度を調整されて配列されていることを特徴とする請求項2記載のレーザ装置。
  4. 前記励起手段が、前記全蛍光スペクトル幅が所望の値となるように、該励起手段から出力される励起光の波長、数、およびパワーが選択されてなるものであることを特徴とする請求項1から3いずれか1項記載のレーザ装置。
  5. 前記複数の固体利得媒質が、一体化されていることを特徴とする請求項1から4いずれか1項記載のレーザ装置。
  6. 前記複数の固体利得媒質がそれぞれ、多結晶体であることを特徴とする請求項5記載のレーザ装置。
  7. 前記複数の固体利得媒質がそれぞれ、ガーネット型構造、C−希土類型構造、およびペロブスカイト型構造のうちいずれかの構造を有する母材に希土類イオンが添加されてなるものであることを特徴とする請求項6記載のレーザ装置。
  8. 前記複数の固体利得媒質が、互いに同一の構造を有する母材に互いに同一の希土類イオンが添加されてなるものであることを特徴とする請求項7記載のレーザ装置。
  9. モードロックレーザ装置として用いられることを特徴とする請求項1から8いずれか1項記載のレーザ装置。
  10. 波長可変レーザ装置として用いられることを特徴とする請求項1から8いずれか1項記載のレーザ装置。
  11. 前記固体利得媒質からの発振光の波長を変換する少なくとも一つの波長変換素子を備え、波長変換光を出力光とするものであることを特徴とする請求項1から9いずれか1項記載のレーザ装置。
  12. 互いに少なくとも一部が重なる蛍光スペクトル帯域を有する複数の固体利得媒質と、該複数の固体利得媒質を励起する励起手段とを備え、前記複数の固体利得媒質による全蛍光スペクトル幅が、前記固体利得媒質のそれぞれの蛍光スペクトル幅よりも大きいことを特徴とする光増幅装置。
  13. 前記複数の固体利得媒質のそれぞれが、前記全蛍光スペクトル帯域幅が所望の値となるように、蛍光ピークの数および波長が選択され、かつ配列されていることを特徴とする請求項12記載の光増幅装置。
  14. 前記複数の固体利得媒質のそれぞれが、蛍光強度を調整されて配列されていることを特徴とする請求項13記載の光増幅装置。
  15. 前記励起手段が、前記全蛍光スペクトル帯域幅が所望の値となるように、該励起手段から出力される励起光の波長、数、およびパワーが選択されてなるものであることを特徴とする請求項12から14いずれか1項記載の光増幅装置。
  16. 前記複数の固体利得媒質が、一体化されていることを特徴とする請求項12から15いずれか1項記載の光増幅装置。
  17. 前記複数の固体利得媒質がそれぞれ、多結晶体であることを特徴とする請求項16記載の光増幅装置。
  18. 前記複数の固体利得媒質がそれぞれ、ガーネット型構造、C−希土類型構造、およびペロブスカイト型構造のうちいずれかの構造を有する母材に希土類イオンが添加されてなるものであることを特徴とする請求項17記載の光増幅装置。
  19. 前記複数の固体利得媒質が、互いに同一の構造を有する母材に互いに同一の希土類イオンが添加されてなるものであることを特徴とする請求項18記載の光増幅装置。
JP2006175392A 2006-06-26 2006-06-26 レーザ装置および光増幅装置 Expired - Fee Related JP5069875B2 (ja)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2006175392A JP5069875B2 (ja) 2006-06-26 2006-06-26 レーザ装置および光増幅装置
US11/764,271 US7835416B2 (en) 2006-06-26 2007-06-18 Laser device and optical amplifier
EP07012094A EP1879271A3 (en) 2006-06-26 2007-06-20 Laser device and optical amplifier
US12/191,330 US7894129B2 (en) 2006-06-26 2008-08-14 Laser device and optical amplifier
US12/191,334 US7894501B2 (en) 2006-06-26 2008-08-14 Laser device and optical amplifier

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2006175392A JP5069875B2 (ja) 2006-06-26 2006-06-26 レーザ装置および光増幅装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2008004882A true JP2008004882A (ja) 2008-01-10
JP5069875B2 JP5069875B2 (ja) 2012-11-07

Family

ID=38752486

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2006175392A Expired - Fee Related JP5069875B2 (ja) 2006-06-26 2006-06-26 レーザ装置および光増幅装置

Country Status (3)

Country Link
US (3) US7835416B2 (ja)
EP (1) EP1879271A3 (ja)
JP (1) JP5069875B2 (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2011016170A1 (ja) * 2009-08-03 2011-02-10 パナソニック株式会社 波長変換レーザ及び画像表示装置
KR101038853B1 (ko) 2008-04-18 2011-06-02 삼성엘이디 주식회사 레이저 시스템

Families Citing this family (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2895841B1 (fr) * 2006-01-04 2009-12-04 Oxxius Sa "dispositif laser a seuil reduit"
JP2008028379A (ja) * 2006-06-22 2008-02-07 Fujifilm Corp モードロックレーザ装置
JP2010080950A (ja) * 2008-08-29 2010-04-08 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 固体色素レーザ
US8494021B2 (en) 2008-08-29 2013-07-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Organic laser device
FR2937470B1 (fr) * 2008-10-16 2010-12-10 Fibercryst Systeme amplificateur optique pour laser impulsionnel a base d'un milieu a gain guidant et laser impulisionnel le comprenant
CN102251078B (zh) * 2011-05-27 2012-11-28 西安交通大学 激光混强场装置
DE102012000510A1 (de) * 2012-01-13 2013-07-18 Neolase Gmbh Nichtregenerativer optischer Verstärker
IL236339A0 (en) 2014-12-18 2015-04-30 Ocuwave Ltd laser system
CN105006735A (zh) * 2015-08-19 2015-10-28 天津大学 双晶体多通式飞秒激光放大系统
US20200079463A1 (en) 2018-09-07 2020-03-12 Trvstper, Inc. Dual sided suspension assembly for a cycle wheel
US11273887B2 (en) 2018-10-16 2022-03-15 Specialized Bicycle Components, Inc. Cycle suspension with travel indicator
KR102668461B1 (ko) * 2019-02-08 2024-05-24 재단법인대구경북과학기술원 레이저 장치 및 이에 적용되는 광 공진기의 제조방법
CN110021872B (zh) * 2019-05-21 2024-04-09 南京钻石激光科技有限公司 单个增益介质的多程光放大器
EP4322345A1 (en) * 2022-08-12 2024-02-14 Marvel Fusion GmbH High-energy high-power diode pumped broadband laser

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0690050A (ja) * 1992-09-08 1994-03-29 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> モード同期レーザ装置
US20060092993A1 (en) * 2004-11-01 2006-05-04 Chromaplex, Inc. High-power mode-locked laser device

Family Cites Families (34)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3626318A (en) * 1970-03-10 1971-12-07 American Optical Corp Tandem oscillator disc amplifier with trivalent neodymium input disc and trivalent neodymium plus ytterbium output discs
US3735280A (en) * 1971-08-11 1973-05-22 Bell Telephone Labor Inc White-light laser using dye coupling
US4233569A (en) * 1976-03-19 1980-11-11 General Electric Company High power laser with tuning and line narrowing capability
US4125816A (en) * 1977-02-18 1978-11-14 Owens-Illinois, Inc. Solid state laser having two output wavelengths
US4173738A (en) * 1977-02-18 1979-11-06 Owens-Illinois, Inc. Solid state laser amplifier having two output wavelengths
US4860301A (en) * 1984-06-14 1989-08-22 Peter Nicholson Multiple crystal pumping cavity laser with thermal and mechanical isolation
US4794346A (en) * 1984-11-21 1988-12-27 Bell Communications Research, Inc. Broadband semiconductor optical amplifier structure
US4680769A (en) * 1984-11-21 1987-07-14 Bell Communications Research, Inc. Broadband laser amplifier structure
US4956843A (en) * 1989-10-10 1990-09-11 Amoco Corporation Simultaneous generation of laser radiation at two different frequencies
US5172387A (en) * 1991-05-28 1992-12-15 Hughes Aircraft Company Single spectral line laser
US5243615A (en) * 1991-11-20 1993-09-07 Laserscope High-powered intracavity non-linear optic laser
JP3181663B2 (ja) * 1992-03-04 2001-07-03 富士通株式会社 1.3μm帯光増幅器
US5321711A (en) * 1992-08-17 1994-06-14 Alliedsignal Inc. Segmented solid state laser gain media with gradient doping level
US5289482A (en) * 1992-12-30 1994-02-22 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy Intracavity-pumped 2.1 μm Ho3+ :YAG laser
JPH06244486A (ja) 1993-01-26 1994-09-02 American Teleph & Telegr Co <Att> モードロックレーザ
US5689519A (en) 1993-12-20 1997-11-18 Imra America, Inc. Environmentally stable passively modelocked fiber laser pulse source
FI105514B (fi) 1994-09-12 2000-08-31 Nokia Mobile Phones Ltd Vastaanottomenetelmä ja vastaanotin
US5627849A (en) * 1996-03-01 1997-05-06 Baer; Thomas M. Low amplitude noise, intracavity doubled laser
JPH09266336A (ja) * 1996-03-27 1997-10-07 Mitsubishi Electric Corp 固体レーザ発振器及びこの固体レーザ発振器を用いた加工機械
US5956354A (en) * 1996-06-06 1999-09-21 The University Of Maryland Baltimore County Dual media laser with mode locking
JP3512051B2 (ja) * 1996-06-06 2004-03-29 ソニー株式会社 レーザ光発生装置
WO1998059399A1 (en) 1997-06-20 1998-12-30 Parkhurst Warren E Multi-media solid state laser
US5912912A (en) * 1997-09-05 1999-06-15 Coherent, Inc. Repetitively-pulsed solid-state laser having resonator including multiple different gain-media
US6229835B1 (en) * 1997-12-05 2001-05-08 Hitachi, Ltd. Compact solid-state laser and transmitter using the same
JP4094126B2 (ja) * 1998-07-09 2008-06-04 富士通株式会社 希土類ドープ光ファイバ及びそれを用いた光ファイバ増幅器
US6393035B1 (en) * 1999-02-01 2002-05-21 Gigatera Ag High-repetition rate passively mode-locked solid-state laser
JP2003500861A (ja) 1999-05-21 2003-01-07 ギガオプティクス・ゲーエムベーハー 受動モードロックフェムト秒レーザー
EP1210750B1 (en) * 1999-07-30 2006-05-03 The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University Method of amplifying optical signals using erbium-doped materials with extremely broad bandwidths
US6665320B1 (en) * 2001-01-29 2003-12-16 Lightwave Electronics Wideband tunable laser sources with multiple gain elements
US6924926B2 (en) * 2001-08-03 2005-08-02 Xtera Communications, Inc. Laser diode pump sources
US20030058904A1 (en) * 2001-09-24 2003-03-27 Gigatera Ag Pulse-generating laser
US7440171B2 (en) * 2002-10-31 2008-10-21 Finisar Corporation Staged amplifier for lower noise figure and higher saturation power
US7413847B2 (en) * 2004-02-09 2008-08-19 Raydiance, Inc. Semiconductor-type processing for solid-state lasers
US20070286247A1 (en) * 2006-06-12 2007-12-13 Pang H Yang Frequency-doubled laser resonator including two optically nonlinear crystals

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0690050A (ja) * 1992-09-08 1994-03-29 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> モード同期レーザ装置
US20060092993A1 (en) * 2004-11-01 2006-05-04 Chromaplex, Inc. High-power mode-locked laser device

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101038853B1 (ko) 2008-04-18 2011-06-02 삼성엘이디 주식회사 레이저 시스템
WO2011016170A1 (ja) * 2009-08-03 2011-02-10 パナソニック株式会社 波長変換レーザ及び画像表示装置
CN102124616A (zh) * 2009-08-03 2011-07-13 松下电器产业株式会社 波长转换激光器及图像显示装置
US8351108B2 (en) 2009-08-03 2013-01-08 Panasonic Corporation Wavelength conversion laser and image display device
CN102124616B (zh) * 2009-08-03 2013-08-21 松下电器产业株式会社 波长转换激光器及图像显示装置
JP5380461B2 (ja) * 2009-08-03 2014-01-08 パナソニック株式会社 波長変換レーザ及び画像表示装置

Also Published As

Publication number Publication date
US20070297481A1 (en) 2007-12-27
US20080316592A1 (en) 2008-12-25
US7835416B2 (en) 2010-11-16
JP5069875B2 (ja) 2012-11-07
US7894501B2 (en) 2011-02-22
US20080316593A1 (en) 2008-12-25
US7894129B2 (en) 2011-02-22
EP1879271A2 (en) 2008-01-16
EP1879271A3 (en) 2009-08-19

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5069875B2 (ja) レーザ装置および光増幅装置
US6373864B1 (en) Sub-nanosecond passively q-switched microchip laser system
US20110150013A1 (en) Resonant pumping of thin-disk laser with an optically pumped external-cavity surface-emitting semiconductor laser
JP2008028379A (ja) モードロックレーザ装置
US20090290606A1 (en) Mode-locked external-cavity surface-emitting semiconductor laser
JP4422720B2 (ja) アイセーフの固体レーザシステム
WO2015174388A1 (ja) 深紫外レーザ発生装置および光源装置
Grabtchikov et al. Stimulated Raman scattering in Nd: KGW laser with diode pumping
JP2020127000A (ja) 圧縮パルス幅を有する受動qスイッチ型固体レーザ
US11316319B2 (en) High-power, rare-earth-doped crystal amplifier based on ultra-low-quantum-defect pumping scheme Utilizing single or low-mode fiber lasers
Basiev et al. Colour centre lasers
US7046710B2 (en) Gain boost with synchronized multiple wavelength pumping in a solid-state laser
EP1845595A1 (en) Optically anisotropic solid state laser pumped with perpendicularly polarized pump light
US9590387B2 (en) Non-regenerative optical ultrashortpulse amplifier
JP4238530B2 (ja) レーザ光発生装置及びレーザ光発生方法
Liu et al. Influence of pump wavelength on the laser performance of Yb: KLu (WO4) 2 crystal
Heumann et al. An efficient all-solid-state Pr/sup 3+: LiYF/sub 4/laser in the visible spectral range
JP2008294145A (ja) レーザー増幅器、レーザー発振器、レーザー増幅方法およびレーザー発振方法
Pavel In-band pumping of Nd-based solid-state lasers
Zimer et al. High-power Nd: YAG-MISER
JP2022115742A (ja) 固体レーザ
Šulc et al. Lasing properties of new Nd 3+-doped tungstate, molybdate, and fluoride materials under selective optical pumping
Demesh et al. Q-switched Pr: YLF laser with Co: MALO_saturable absorber
Uemura et al. Passively stabilized Kerr-lens mode-locked diode-pumped Yb: YAG laser
Yamazoe et al. Ultra-compact (palm-top size) low-cost maintenance-free (> 3000 h) diode-pumped femtosecond (160 fs) solid state laser source for multiphoton microscopy

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20090217

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20120306

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20120427

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20120814

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20120820

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150824

Year of fee payment: 3

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees