JP2006343747A - 液晶表示パネルと液晶表示パネルの製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】 プラスチック基板素材とガラス基板素材を含む液晶表示パネルの切断を効率的に行うことができる液晶表示パネルの製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明による液晶表示パネルの製造方法は、ガラス基板素材を含む第１基板と、プラスチック基板素材を含む第２基板とを互いに接合状態で設ける段階と；前記第１基板及び前記第２基板にレーザーを照射して、前記レーザーの照射経路に沿って前記第１基板と前記第２基板を切断する段階とを含むことを特徴とする。
【選択図】 図１

Description

本発明は、液晶表示パネルの製造方法に関するものである。

液晶表示装置は、薄膜トランジスターが形成されている第１基板と、第１基板に対向配置されている第２基板とからなり、これらの間に液晶層が位置している液晶表示パネルを含む。液晶表示パネルは非発光素子であるため、薄膜トランジスター基板の後面には光を照射するためのバックライトユニットが位置する。バックライトユニットから照射された光は液晶層の配列状態によって透過量が調節される。

液晶表示装置は、その他に、表示領域に画像を表示するために、薄膜トランジスター基板に形成されているゲート線とデータ線に駆動信号を印加する駆動回路を含む。駆動回路は、ゲート線にゲート信号を出力するゲート駆動チップ、データ線にデータを出力するデータ駆動チップ、そしてタイミングコントローラー（ｔｉｍｉｎｇ ｃｏｎｔｒｏｌｌｅｒ）、駆動電圧発生部などが形成されている印刷基板などを含む。

最近、液晶表示パネルの軽量化、薄型化のために、従来のガラス基板素材の代わりにプラスチック基板素材の適用が活発に行われている。プラスチック基板素材は高温工程を省略できる第２基板に多く適用されている。

しかし、第２基板にプラスチック基板素材を用いる場合、液晶表示パネルはプラスチック基板素材からなる第２基板とガラス基板素材からなる第１基板で形成されることとなる。そうすると、複数の性質が異なる基板素材から形成されるために、液晶表示パネルの切断工程が複雑になる問題がある。

従って、本発明の目的は、プラスチック基板素材とガラス基板素材を含む液晶表示パネルの切断を効率的に行うことができる液晶表示パネルの製造方法を提供することにある。

発明１は、ガラス基板素材、前記ガラス基板素材上に形成されている薄膜トランジスター、そして前記薄膜トランジスターの上部に形成されているカラーフィルターを含む第１基板と、プラスチック基板素材と、前記プラスチック基板素材の上部に形成されている共通電極とを含み、前記第１基板に対向配置されている第２基板と、記第１基板と前記第２基板との間に位置する液晶層と、を含むことを特徴とする液晶表示パネルを提供する。

第２基板にプラスチック素材を用いることで、液晶表示パネルの軽量化、薄型化を図ることができる。また、液晶表示パネルに柔軟性を与えることができる。
発明２は、発明１において、前記共通電極は、前記プラスチック基板素材に直接的に接していることを特徴とする、液晶表示パネルを提供する。
第２基板には、カラーフィルタ及びブラックマトリクスは形成されず、そのため第２基板に共通電極を直接的に形成することができる。

発明３は、発明１において、前記カラーフィルターは、互いに異なる色を有する少なくとも２個の部分層を含み、記薄膜トランジスターの上部には２個の前記部分層が重なっていることを特徴とする、液晶表示パネルを提供する。
薄膜トランジスタ上部でカラーフィルタを重畳させることで、光の漏洩を防止するブラックマトリクスとして機能させることができる。

発明４は、発明１において、前記カラーフィルターは、互いに異なる色を有する少なくとも３個の部分層を含み、前記薄膜トランジスターの上部には３個の前記部分層が重なっていることを特徴とする、液晶表示パネルを提供する。
薄膜トランジスタ上部でカラーフィルタを重畳させることで、光の漏洩を防止するブラックマトリクスとして機能させることができる。

発明５は、発明１において、前記カラーフィルターは、互いに異なる色を有する少なくとも３個２個の部分層を含み、記薄膜トランジスターの上部には３個２個の前記部分層が重なっていることを特徴とする、液晶表示パネルを提供する。
発明６は、発明１において、前記プラスチック基板素材の厚さは、前記ガラス基板素材の厚さより薄いことを特徴とする、液晶表示パネルを提供する。

プラスチック基板の厚みを薄くすることで、液晶表示パネルの軽量化、薄型化を図ることができる。
発明７は、発明１において、前記カラーフィルターの上部に位置する画素電極をさらに含み、前記画素電極は、前記カラーフィルターに形成された接触孔を通じて前記薄膜トランジスターに連結されていることを特徴とする、液晶表示パネルを提供する。

発明８は、ガラス基板素材を含む第１基板とプラスチック基板素材を含む第２基板とを互いに接合状態で設ける段階と；前記第１基板及び前記第２基板にレーザーを照射して、前記レーザーの照射経路に沿って前記第１基板と前記第２基板を切断する段階とを含む液晶表示パネルの製造方法を提供する。
レーザー光は、その照射位置を簡単に合わせることができるため、第１基板及び第２基板それぞれに照準を合わせて照射することが可能である。また、第１基板及び第２基板のそれぞれの材質に応じてその照射光の強さを調整することも可能である。よって、異なる材質の基板を有する液晶表示パネルであっても、レーザーを用いれば容易に切断することができる。

発明９は、発明８において、前記切断段階は前記第１基板及び／又は第２基板を冷却させる段階を含むのが好ましい。
第１基板又は第２基板を冷却することで、これらの基板は急激に冷却され収縮し、これによってレーザー照射された部分が切断される。
発明１０は、発明９において、前記冷却段階は前記第１基板及び／又は第２基板を２５℃以下の冷却プレートと接触させて行われるのが好ましい。

発明１１は、発明８において、前記レーザーは前記第２基板の上部から照射されるのが好ましい。
発明１２は、発明８において、前記レーザーは二酸化炭素をソースとして利用するのが好ましい。
発明１３は、発明８において、前記第１基板は前記第２基板を支持するためのダミーガラス基板であるのが好ましい。

第２基板のプラスチック素材であり柔軟性が良いため、工程時や移動時に取り扱いが難しい。よって、第２基板には、第２基板を支持するダミーガラス基板を設けるのが良いが、第１基板をダミーガラス基板として機能させても良い。これにより、第２基板の扱いを容易にし、また第２基板の強度を高め、切断により第２基板が破損するのを防止することができる。

発明１４は、発明８において、前記第１基板と前記第２基板はシーラントによって相互に接着されているのが好ましい。
発明１５は、発明１４において、前記シーラントの少なくとも一部は前記レーザーの照射によって切断されるのが好ましい。
発明１６は、発明１４において、前記第１基板と前記第２基板との間には液晶層が位置するのが好ましい。

発明１７は、発明８において、前記第１基板は、薄膜トランジスターと、前記薄膜トランジスター上に形成されているカラーフィルターとをさらに含むのが好ましい。
発明１８は、発明８において、前記第２基板は前記プラスチック基板素材と接している共通電極をさらに含むのが好ましい。
発明１９は、発明８において、前記プラスチック基板素材の厚さは前記ガラス基板素材の厚さより薄いのが好ましい。

発明２０は、プラスチック基板素材を含む上部基板と、ガラス基板素材を含み前記上部基板と重なるオーバーラップ領域と前記上部基板と重ならずパッドが設けられているパッド領域を有する下部基板とを互いに接合する段階と；前記パッド領域と出会わない前記オーバーラップ領域周縁の一部に沿って前記第１基板及び前記第２基板にレーザーを照射して、前記レーザーの照射経路に沿って前記第１基板と前記第２基板を切断する段階とを含む液晶表示パネルの製造方法によっても達成されることができる。

発明２１は、発明２０において、前記レーザーの照射時、前記上部基板はダミーガラス基板に接着されているのが好ましい。
第２基板のプラスチック素材であり柔軟性が良いため、工程時や移動時に取り扱いが難しい。よって、第２基板には、第２基板を支持するダミーガラス基板を設けるのが良い。これにより、第２基板の扱いを容易にし、また第２基板の強度を高め、切断により第２基板が破損するのを防止することができる。

発明２２は、発明２１において、前記レーザーは前記ダミーガラス基板の上部から照射されるのが好ましい。
発明２３は、発明２０において、前記パッド領域の周縁に沿ってレーザーを照射して、前記レーザーの照射経路に沿って前記下部基板を切断する段階をさらに含むのが好ましい。

発明２４は、発明２０において、前記パッド領域と出会う前記オーバーラップ領域の周縁に沿ってレーザーを照射して、前記レーザーの照射経路に沿って前記上部基板を切断する段階をさらに含むのが好ましい。

本発明によれば、プラスチック基板素材とガラス基板素材を含む液晶表示パネルの切断を効率的に行うことができる液晶表示パネルの製造方法が提供される。

以下、添付された図面を参照して本発明をより詳しく説明する。
いろいろな実施形態において同一な構成要素に対しては同一な参照番号を付与し、同一な構成要素については第１実施形態で代表的に説明し、他の実施形態では省略されることができる。
図１乃至図３を参照して本発明の第１実施形態によって製造された液晶表示パネルを説明する。図１は本発明の第１実施形態によって製造された液晶表示パネルの斜視図である。図２は図１のＩＩ−ＩＩ線による断面図、図３は図１のＩＩＩ−ＩＩＩ線による断面図である。

液晶表示パネル１は薄膜トランジスターＴが形成されている第１基板（または下部基板）１００、第１基板１００に対向配置されており、共通電極２２１が形成されている第２基板（または上部基板）２００、両基板１００、２００を付着させるシーラント３００、両基板１００、２００とシーラント３００とが形成する空間に位置する液晶層４００を含む。図１に示すように、第１基板１００と第２基板２００は長方形形状であり、第１基板１００が第２基板２００に比べて多少大きい。第１基板１００は、第２基板２００と重なるオーバーラップ領域と、第２基板２００と重ならないパッド領域とに分けられる。オーバーラップ領域には薄膜トランジスターＴとシーラント３００が形成されており、パッド領域には外部回路との連結のためのパッド１２３、１４４が形成されている。パッド領域は第１基板１００の４つの辺のうちの隣接した２つの辺に形成されている。

第１基板１００を説明すると以下の通りである。以下ではパッド１２３、１４４のうちのゲートパッド１２３を中心に説明し、これはデータパッド１４４においても同様である。
ガラス基板素材１１０上にゲート配線１２１、１２２、１２３が形成されている。ゲート配線１２１、１２２は横方向（図１中、Ｘ方向）に互いに平行に延在しているゲート線１２１と、ゲート線１２１に連結されている薄膜トランジスターのゲート電極１２２、ゲート線１２１の端部に設けられているゲートパッド１２３を含む。ゲートパッド１２３は外部回路との連結のためにライン幅が増加されている。

ガラス基板素材１１０及びゲート配線１２１、１２２、１２３の上には窒化ケイ素（ＳｉＮｘ）等からなるゲート絶縁膜１３１が形成されている。
ゲート電極１２２のゲート絶縁膜１３１の上部には非晶質シリコンなどの半導体からなる半導体層１３２が形成されており、半導体層１３２の上部にはシリサイドまたはｎ型不純物が高濃度でドーピングされているｎ＋水素化非晶質シリコンなどの物質からなる抵抗接触層１３３が形成されている。半導体層１３２はゲート電極１２２の上部に島のように形成されており、抵抗接触層１３３はゲート電極１２２を中心に２つの部分に分けられている。

抵抗接触層１３３及びゲート絶縁膜１３１の上にはデータ配線１４１、１４２、１４３、１４４が形成されている。データ配線１４１、１４２、１４３、１４４は、縦方向（図１中、Ｙ方向）に形成されてゲート線１２１と交差して画素を定義するデータ線１４１と、データ線１４１の分枝であり抵抗接触層１３３の上部まで延長されているソース電極１４２と、ソース電極１４２と分離されておりゲート電極１２２を中心にソース電極１４２の反対側に形成されているドレイン電極１４３と、データ線１４１の端部に形成されているデータパッド１４４とを含む。データパッド１４４は外部回路との連結のためにライン幅が増加されている。

データ配線１４１、１４２、１４３、１４４及びこれらが覆っていない半導体層１３２の上部には窒化ケイ素、ＰＥＣＶＤ方法によって蒸着されたａ−Ｓｉ：Ｃ：Ｏ膜又はａ−Ｓｉ：Ｏ：Ｆ膜及びアクリル系有機絶縁膜などからなる保護膜１５１が形成されている。保護膜１５１にはドレイン電極１４３を露出させる接触孔１８１とゲートパッド１２３を露出させる接触孔１８２が形成されている。ドレイン電極１４３を露出させるために、カラーフィルター１６１ａ、１６１ｂ、１６１ｃも接触孔１８１に対応するように除去されている。また、ゲートパッド１２３を露出させるために、ゲート絶縁膜１３１も接触孔１８２に対応するように除去されている。

保護膜１５１の上部にはカラーフィルター１６１ａ、１６１ｂ、１６１ｃが形成されている。カラーフィルター１６１ａ、１６１ｂ、１６１ｃはそれぞれ赤色、緑色及び青色又は青緑色、紫紅色及び黄色が繰り返して形成されている。薄膜トランジスターＴの上部には２つの色のカラーフィルター１６１ａ、１６１ｂ、１６１ｃが重ねられてブラックマトリックスの役割を果たし、そのために第２基板２００にはブラックマトリックスが形成されていない。

カラーフィルター１６１ａ、１６１ｂ、１６１ｃの上部にはＩＴＯ（ｉｎｄｉｕｍ ｔｉｎ ｏｘｉｄｅ）又はＩＺＯ（ｉｎｄｉｕｍ ｚｉｎｃ ｏｘｉｄｅ）等からなる透明電極１７１、１７２が形成されている。透明電極１７１、１７２は、接触孔１８１を通じてドレイン電極１４３と連結されている画素電極１７１と、接触孔１８２を通じてゲートパッド１２３を覆っている接触部材１７２とを含む。

第１基板１００に対向配置されている第２基板２００を説明すると以下の通りである。
第２基板２００は、プラスチック基板素材２１０、プラスチック基板素材２１０上に順次に形成されている共通電極２２１及び配向膜２３１を含む。
プラスチック基板素材２１０はポリカーボン（ｐｏｌｙｃａｒｂｏｎ）、ポリイミド（ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ）、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）、ポリアリレート（ＰＡＲ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）等からなることができる。

プラスチック基板素材２１０の厚さｄ２はガラス基板素材１１０の厚さｄ１より薄い。
例えば、ガラス基板素材１１０の厚さｄ１は約０．５ｍｍであり、プラスチック基板素材２１０の厚さｄ２は約０．２ｍｍ程度であることができる。プラスチック基板素材２１０の厚さを薄くすることによって液晶表示パネル１の全体の厚さと重量が減少する。プラスチック基板素材２１０によって液晶表示パネル１の柔軟性が増加する長所もある。

プラスチック基板素材２１０を使用する場合、工程温度がプラスチック基板素材２１０の熱的許容範囲である１５０〜２００℃内に維持しなければならない。
共通電極２２１はプラスチック基板素材２１０と直接接触しながらプラスチック基板素材２１０を実質的に全て覆っている。共通電極２２１はＩＴＯ（ｉｎｄｉｕｍ ｔｉｎ ｏｘｉｄｅ）またはＩＺＯ（ｉｎｄｉｕｍ ｚｉｎｃ ｏｘｉｄｅ）を１００℃以下でスパッタリングして形成することができる。

共通電極２２１上には配向膜２３１が形成されている。配向膜２３１は通常ポリイミド（ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ）からなっており、液晶分子を一定の方向に配列させることができるようにラビングされている。
両基板１００、２００の外郭にはシーラント３００が設けられている。シーラント３００は液晶表示パネル１の周縁に沿って形成されており、アクリル樹脂のような紫外線硬化樹脂を含んでいる。また、熱硬化性樹脂であるエポキシ樹脂、アミン系の硬化剤、アルミナパウダーのような充填剤（ｆｉｌｌｅｒ）、スペーサをさらに含むことができる。

液晶層４００は両基板１００、２００及びシーラント３００が形成する空間内に位置し、画素電極１７１と共通電極２２１の電圧差によって配列が変化する。
プラスチック基板素材２１０は、ガラス基板素材１１０に比べて、熱による変形率が大きい。従って、液晶表示パネル１の解像度が高くなると、両基板１００、２００の整列誤差による不良問題が深刻になる。しかし、本発明による液晶表示パネル１は第２基板２００にブラックマトリックスが形成されていないため、両基板１００、２００の接合時に整列誤差が発生しない。例えば、ブラックマトリクスが設けられていると、光を透過する領域は、光を遮断するブラックマトリクス領域により画素ごとに区切られることとなる。ここで、整列誤差が生じると、本来は光を透過すべき領域がブラックマトリクスにより覆われ、光が透過できなくなる場合がある。しかし、本願ではブラックマトリクスが設けられないため、例え整列誤差が生じても、ブラックマトリクスの位置ずれも発生せず、光がブラックマトリクスにより遮られることもない。

以下では本発明の実施形態による液晶表示パネルの製造方法を図４ａ乃至図４ｇを参照して説明する。
まず、図４ａのように、第１基板１００と第２基板２００を設ける。
第２基板２００はダミーガラス基板５００に支持されている。第２基板２００のプラスチック基板素材２１０は厚さが薄く柔軟性が良いため、工程時や移動時に取り扱いが難しい。そのため、ダミーガラス基板５００は第２基板２００と接着されて、第２基板２００の取り扱いを容易にする。また、ダミーガラス基板５００により、第２基板の強度を高め、切断により第２基板が破損するのを防止することができる。ダミーガラス基板５００の厚さｄ３はプラスチック基板素材２１０の厚さｄ２より大きく設計されることができる。

図示した第１基板１００及び第２基板２００はマザー基板であって、シーラント３００で互いに接合した後に切断して、複数の液晶表示パネル１を製造するようになる。実施形態では４個の液晶表示パネル１を製造することを例示した。
第１基板１００と第２基板２００の製造方法は公知の方法によるので、説明は省略する。第１基板１００には液晶表示パネル１に用いられる４つ領域が形成されており、それぞれはオーバーラップ領域とパッド領域とに分けられる。

第２基板２００にはオーバーラップ領域と同程度の大きさでシーラント３００がドローイングされている。シーラント３００を所望のラインに形成させる方法にはスクリーンマスク（ｓｃｒｅｅｎ ｍａｓｋ）法とディスペンス（ｄｉｓｐｅｎｓｅ）法がある。スクリーンマスク法の工程が便利なので幅広く使用されているが、マスクが配向膜と接触することにより不良が誘発される問題があり、基板の大きさが大きくなるに従って対応が難しくなるため、次第にディスペンス法が多く使用されている。シーラント３００内には液晶層４００が滴下（ｄｒｏｐｐｉｎｇ）方式で形成されている。

実施形態とは異なり、シーラント３００に液晶注入のための注入口が形成されても良い。この場合、液晶層４００は、それぞれの液晶表示パネル１に切断した後に、真空と窒素圧を利用したフィリング（ｆｉｌｌｉｎｇ）方式で注入される。
その後、図４ｂのように、第１基板１００上に第２基板２００を整列配置する。第１基板１００の辺Ａ１と第２基板２００の辺Ｃ１とが一致するようになり、図示していないが、第１基板１００のパッド領域側に位置しない、辺Ａ１に隣接する辺Ａ２は、第２基板２００の辺Ｃ２と一致するようになる。一方、第１基板１００のパッド領域側に位置し、かつ辺Ａ１に隣接する辺Ｂ１は第２基板２００の辺Ｄ１より外側に位置し、これは第１基板１００のパッド領域のためである。図示していないが、第１基板１００のパッド領域側に位置し、かつ辺Ｂ１に隣接する辺Ｂ２も第２基板２００の辺Ｄ２に比べて外側に位置する。

その後、図４ｃのように、紫外線を照射してシーラント３００を硬化する。これによって、両基板１００、２００は接合状態となる。
その次に、図４ｄのように、第１基板１００の辺Ａ１と第２基板２００の辺Ｃ１に同時にレーザーを照射する。レーザーはＮｄ：ＹＡＧレーザーや二酸化炭素をソース（source）として使用することができる。レーザーの照射による熱によって、プラスチック基板素材２１０が切断されながら辺Ｃ１に沿って第２基板２００が切断される。このようにプラスチック基板素材２１０はレーザーの熱によって切断されるが、ダミーガラス基板５００は直接切断されず、辺Ｃ１に沿って局部的に加熱される。一方、レーザーの照射によって第１基板１００のダミーガラス基板５００も辺Ａ１に沿って局部的に加熱される。ダミーガラス基板５００と第１基板１００の加熱された部分にはカッティングマークが生じることもある。

レーザーの照射後、即時、図４ｅのように、冷却プレート６００と第１基板１００とを接触させ、さらに冷却プレート６００とダミーガラス基板５００とを接触させる。なお、第１基板１００及びダミーガラス基板５００の両方に同時に冷却プレート６００を接触させても良い。冷却プレート６００は約２５℃以下に維持されており、金属板からなることができる。冷却プレート６００との接触によって局部的に加熱されたガラス基板素材１１０とダミーガラス基板５００は急激に収縮しながら切断される。

図示していないが、同一な方式で第１基板１００の辺Ａ２と第２基板２００の辺Ｃ２も切断する。
その後、図４ｆのように、レーザーを利用して第２基板２００の辺Ｄ１に沿って第２基板２００を切断する。レーザーの照射後、ダミーガラス基板５００は冷却プレート６００と接触するようになる。この過程でレーザーの焦点を調整して、第１基板１００にはレーザーが照射されないのが好ましい。図示していないが、同一な方式で第２基板２００の辺Ｄ２も切断する。

その後、図４ｇのように、レーザーを利用して第１基板１００の辺Ｂ１に沿って第１基板１００を切断する。レーザーの照射後、第１基板１００は冷却プレート５００と接触するようになる。この過程でレーザーの焦点を調整して、第２基板２００にはレーザーが照射されないのが好ましい。図示していないが、同一な方式で第１基板１００の辺Ｂ２も切断する。

これで切断過程が完成され、ダミーガラス基板５００を除去すると図４ｈ及び図１のような液晶表示パネル１が完成される。以上で説明した切断順序は限定されず、多様に変形することができる。
以下、本発明の第２乃至第４実施形態による液晶表示パネルの製造方法をそれぞれ図５乃至図７を参照して説明する。

図５の第２実施形態はシーラント３００も切断されるものを示す。シーラント５００もプラスチック基板素材２１０のようにレーザーの熱によって直接切断されることができる。
図６に示した第３実施形態はダミーガラス基板５００に接合されている第２基板２００を切断するものである。必要によって、第１基板１００との接合前に第２基板２００を切断することができ、第１実施形態のように第１基板１００とダミーガラス基板５００を同時に切断することができる。レーザーの照射後、ダミーガラス基板５００は冷却プレート５００と接触するようになる。

図７で示した第４実施形態で、第２基板２００はダミーガラス基板５００に付着されていない。第２基板２００の厚さｄ４が厚い場合、例えば０．７ｍｍ以上である場合、ダミーガラス基板５００を使用しないことがある。この場合、レーザーの照射後、第２基板２００の上部に冷却プレート６００を配置する必要がない。従って、第１基板１００と冷却プレート６００との接触を容易にするために、レーザーは第２基板２００の上部から照射されるのが好ましい。

以上のような本願を用いれば、プラスチック基板素材とガラス基板素材を含む液晶表示パネルの切断を効率的に行うことができる液晶表示パネルの製造方法が提供される。具体的に、レーザー光は、その照射位置を簡単に合わせることができるため、第１基板及び第２基板それぞれに照準を合わせて照射することが可能である。また、第１基板及び第２基板のそれぞれの材質に応じてその照射光の強さを調整することも可能である。よって、異なる材質の基板を有する液晶表示パネルであっても、レーザーを用いれば容易に切断することができる。

たとえ本発明のいくつかの実施形態が図示されて説明されたが、本発明の属する技術分野における通常の知識を有する当業者であれば、本発明の原則や精神から外れずに本実施形態を変形できることが分かる。本発明の範囲は添付された請求項とその均等物によって決められる。

本発明の第１実施形態によって製造された液晶表示パネルの斜視図である。 図１のＩＩ−ＩＩによる断面図である。 図１のＩＩＩ−ＩＩＩ線による断面図である。 本発明の第１実施形態による液晶表示パネルの製造方法を説明するための図面（１）である。 本発明の第１実施形態による液晶表示パネルの製造方法を説明するための図面（２）である。 本発明の第１実施形態による液晶表示パネルの製造方法を説明するための図面（３）である。 本発明の第１実施形態による液晶表示パネルの製造方法を説明するための図面（４）である。 本発明の第１実施形態による液晶表示パネルの製造方法を説明するための図面（５）である。 本発明の第１実施形態による液晶表示パネルの製造方法を説明するための図面（６）である。 本発明の第１実施形態による液晶表示パネルの製造方法を説明するための図面（７）である。 本発明の第１実施形態による液晶表示パネルの製造方法を説明するための図面（８）である。 本発明の第２実施形態による液晶表示パネルの製造方法を説明するための図面である。 本発明の第３実施形態による液晶表示パネルの製造方法を説明するための図面である。 本発明の第４実施形態による液晶表示パネルの製造方法を説明するための図面である。

符号の説明

１００ 第１基板
１１０ ガラス基板素材
１２１ ゲート線
１２２ ゲート電極
１２３ ゲートパッド
１３１ ゲート絶縁膜
１３２ 半導体層
１３３ 抵抗接触層
１４１ データ線
１４２ ソース電極
１４３ ドレイン電極
１４４ データパッド
１５１ 保護膜
１６１ａ、１６１ｂ、１６１ｃ カラーフィルター
１７１ 画素電極
１７２ 接触部材
１８１ ドレイン接触孔
１８２ パッド接触孔
２００ 第２基板
２１０ プラスチック基板素材
２２１ 共通電極
２３１ 配向膜
３００ シーラント
４００ 液晶層
５００ ダミーガラス基板
６００ 冷却プレート

Claims (24)

1. ガラス基板素材、前記ガラス基板素材上に形成されている薄膜トランジスター、そして前記薄膜トランジスターの上部に形成されているカラーフィルターを含む第１基板と、
   プラスチック基板素材と、前記プラスチック基板素材の上部に形成されている共通電極とを含み、前記第１基板に対向配置されている第２基板と、
   前記第１基板と前記第２基板との間に位置する液晶層と、を含むことを特徴とする液晶表示パネル。
2. 前記共通電極は、前記プラスチック基板素材に直接的に接していることを特徴とする、請求項１に記載の液晶表示パネル。
3. 前記カラーフィルターは、互いに異なる色を有する少なくとも２個の部分層を含み、
   前記薄膜トランジスターの上部には２個の前記部分層が重なっていることを特徴とする、請求項１に記載の液晶表示パネル。
4. 前記カラーフィルターは、互いに異なる色を有する少なくとも３個の部分層を含み、
   前記薄膜トランジスターの上部には３個の前記部分層が重なっていることを特徴とする、請求項１に記載の液晶表示パネル。
5. 前記カラーフィルターは、互いに異なる色を有する少なくとも２個の部分層を含み、
   前記薄膜トランジスターの上部には２個の前記部分層が重なっていることを特徴とする、請求項１に記載の液晶表示パネル。
6. 前記プラスチック基板素材の厚さは、前記ガラス基板素材の厚さより薄いことを特徴とする、請求項１に記載の液晶表示パネル。
7. 前記カラーフィルターの上部に位置する画素電極をさらに含み、
   前記画素電極は、前記カラーフィルターに形成された接触孔を通じて前記薄膜トランジスターに連結されていることを特徴とする、請求項１に記載の液晶表示パネル。
8. ガラス基板素材を含む第１基板とプラスチック基板素材を含む第２基板とを互いに接合状態で設ける段階と、
   前記第１基板及び前記第２基板にレーザーを照射して、前記レーザーの照射経路に沿って前記第１基板と前記第２基板を切断する段階と、を含むことを特徴とする液晶表示パネルの製造方法。
9. 前記切断段階は、前記第１基板及び／又は第２基板を冷却させる段階を含むことを特徴とする、請求項８に記載の液晶表示パネルの製造方法。
10. 前記冷却段階は、前記第１基板及び／又は第２基板を２５℃以下の冷却プレートと接触させて行われることを特徴とする、請求項９に記載の液晶表示パネルの製造方法。
11. 前記レーザーは、前記第２基板の上部から照射されることを特徴とする、請求項８に記載の液晶表示パネルの製造方法。
12. 前記レーザーは、二酸化炭素をソースとして利用することを特徴とする、請求項８に記載の液晶表示パネルの製造方法。
13. 前記第１基板は前記第２基板を支持するためのダミーガラス基板であることを特徴とする、請求項８に記載の液晶表示パネルの製造方法。
14. 前記第１基板と前記第２基板はシーラントによって相互に接着されていることを特徴とする、請求項８に記載の液晶表示パネルの製造方法。
15. 前記シーラントの少なくとも一部は前記レーザーの照射によって切断されることを特徴とする、請求項１４に記載の液晶表示パネルの製造方法。
16. 前記第１基板と前記第２基板との間には液晶層が位置することを特徴とする、請求項１４に記載の液晶表示パネルの製造方法。
17. 前記第１基板は薄膜トランジスターと、前記薄膜トランジスター上に形成されているカラーフィルターとをさらに含むことを特徴とする、請求項８に記載の液晶表示パネルの製造方法。
18. 前記第２基板は前記プラスチック基板素材と接している共通電極をさらに含むことを特徴とする、請求項８に記載の液晶表示パネルの製造方法。
19. 前記プラスチック基板素材の厚さは前記ガラス基板素材の厚さより薄いことを特徴とする、請求項８に記載の液晶表示パネルの製造方法。
20. プラスチック基板素材を含む上部基板と、ガラス基板素材を含み前記上部基板と重なるオーバーラップ領域と前記上部基板と重ならずパッドが設けられているパッド領域を有する下部基板とを互いに接合する段階と；
    前記パッド領域と出会わない前記オーバーラップ領域の周縁の一部に沿って前記第１基板及び前記第２基板にレーザーを照射して、前記レーザーの照射経路に沿って前記第１基板と前記第２基板を切断する段階と
    を含むことを特徴とする液晶表示パネルの製造方法。
21. 前記レーザーの照射時、前記上部基板はダミーガラス基板に接着されていることを特徴とする、請求項２０に記載の液晶表示パネルの製造方法。
22. 前記レーザーは前記ダミーガラス基板の上部から照射されることを特徴とする、請求項２１に記載の液晶表示パネルの製造方法。
23. 前記パッド領域の周縁に沿ってレーザーを照射して、前記レーザーの照射経路に沿って前記下部基板を切断する段階をさらに含むことを特徴とする、請求項２０に記載の液晶表示パネルの製造方法。
24. 前記パッド領域と出会う前記オーバーラップ領域の周縁に沿ってレーザーを照射して、前記レーザーの照射経路に沿って前記上部基板を切断する段階をさらに含むことを特徴とする、請求項２０に記載の液晶表示パネルの製造方法。

Images