JP2006339385A - 光電変換装置およびそれを用いた光発電装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 光電変換装置1は、一方の電極31となる導電性基板上に、一導電型の粒状半導体10が粒状半導体10よりも不純物濃度が高い粒界接合層32を介した焼結体からなる多孔質半導体層24及び逆導電型の半導体層11が積層されており、半導体層11に他方の電極16が接続されている。これにより、粒状半導体10の粒界近傍の抵抗を低減することができ、高変換効率化を達成できる。また、多孔質半導体層24は多数の粒状半導体10が立体的に集合した多孔質体状となるため、入射光に対して隙間なく粒状半導体10を配設でき、光電変換に寄与する表面積が増大し、高変換効率の達成が可能となる。
【選択図】 図1
Description
10:粒状半導体
11:半導体層
16:他方の電極
19:基板
29:不純物層
30:接合層
31:一方の電極
32:粒界接合層
33:高濃度の一導電型の半導体層
Claims (6)
- 一方の電極となる導電性基板上に、一導電型を呈する粒状半導体が該粒状半導体よりも不純物濃度が高い粒界接合層を介して焼結した焼結体からなる多孔質半導体層および逆導電型を呈する半導体層が積層されているとともに、該半導体層に他方の電極が接続されていることを特徴とする光電変換装置。
- 前記半導体層は、その一部が前記多孔質半導体層の内部の隙間に入り込んでいることを特徴とする請求項1記載の光電変換装置。
- 前記粒界接合層は、前記粒状半導体よりも融点が低いことを特徴とする請求項1または請求項2記載の光電変換装置。
- 前記半導体層は、アモルファス半導体から成ることを特徴とする請求項1乃至請求項3のいずれかに記載の光電変換装置。
- 前記他方の電極上に導電性粒子から成る集電極が形成されているとともに、前記導電性粒子の平均粒径が前記粒状半導体の平均粒径よりも大きいことを特徴とする請求項1乃至請求項4のいずれかに記載の光電変換装置。
- 請求項1乃至請求項5のいずれかに記載の光電変換装置を発電手段として用い、該発電手段の発電電力を負荷へ供給するように成したことを特徴とする光発電装置。
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KR20110038027A (ko) * | 2008-06-09 | 2011-04-13 | 에스디에스유 리서치 파운데이션 | 3d로 제조된 전극 어레이를 구비한 유기 광전지 및 발광 다이오드 |
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JP2000091625A (ja) * | 1998-09-08 | 2000-03-31 | Digital Wave:Kk | 半導体装置製造用基板、その製造方法、及び、光電変換装置、その製造方法 |
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KR101633138B1 (ko) * | 2008-06-09 | 2016-06-23 | 에스디에스유 리서치 파운데이션 | 3d로 제조된 전극 어레이를 구비한 유기 광전지 및 발광 다이오드 |
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