JP2006339300A - 太陽電池素子およびその製造方法 - Google Patents
太陽電池素子およびその製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2006339300A JP2006339300A JP2005160430A JP2005160430A JP2006339300A JP 2006339300 A JP2006339300 A JP 2006339300A JP 2005160430 A JP2005160430 A JP 2005160430A JP 2005160430 A JP2005160430 A JP 2005160430A JP 2006339300 A JP2006339300 A JP 2006339300A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor substrate
- film
- antireflection film
- solar cell
- cell element
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Landscapes
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
【解決手段】半導体基板1の一主面側に反射防止膜4を有して構成される太陽電池素子であって、半導体基板1及び反射防止膜4の間に、半導体基板1の主成分と反射防止膜4の主成分とを含有してなる密度遷移領域3を有する。
【選択図】図1
Description
2:拡散層
3:密度遷移領域
4:パッシベーション膜
5:表面電極
6:集電電極
7:出力取出電極
8:BSF層
9:酸化膜
10:カート
11:ロード室
12:反応室
13:アンロード室
14:搬送機構
15:リーク弁
16:仕切弁
17:ヒーター
18:電源
19:電極板
20:マスフローメーター
変色部:A
Claims (3)
- 半導体基板の一主面側に反射防止膜を有して構成される太陽電池素子であって、
前記半導体基板及び前記反射防止膜の間に、前記半導体基板の主成分と前記反射防止膜の主成分とを含有してなる密度遷移領域を有することを特徴とする太陽電池素子。 - 前記半導体基板の主成分はシリコンであり、且つ、前記反射防止膜の主成分は窒化シリコンであることを特徴とする請求項1記載の太陽電池素子。
- 半導体基板の表面を窒素プラズマ処理する工程と、
前記窒素プラズマ処理がされた半導体基板表面に、酸素を供給することなく、反射防止膜を形成する工程と、を有する太陽電池素子の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005160430A JP2006339300A (ja) | 2005-05-31 | 2005-05-31 | 太陽電池素子およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005160430A JP2006339300A (ja) | 2005-05-31 | 2005-05-31 | 太陽電池素子およびその製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006339300A true JP2006339300A (ja) | 2006-12-14 |
Family
ID=37559615
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005160430A Pending JP2006339300A (ja) | 2005-05-31 | 2005-05-31 | 太陽電池素子およびその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2006339300A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009021358A (ja) * | 2007-07-11 | 2009-01-29 | Sharp Corp | 光電変換素子の製造方法 |
JP2014110409A (ja) * | 2012-12-04 | 2014-06-12 | Mitsubishi Electric Corp | 太陽電池の製造方法 |
JP2015012171A (ja) * | 2013-06-28 | 2015-01-19 | 株式会社カネカ | 結晶シリコン系光電変換装置およびその製造方法 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH07235506A (ja) * | 1993-12-27 | 1995-09-05 | Toshiba Corp | 薄膜形成法 |
JPH088232A (ja) * | 1994-06-22 | 1996-01-12 | Sony Corp | プラズマ処理方法 |
JPH11102907A (ja) * | 1997-09-26 | 1999-04-13 | Sharp Corp | 半導体装置の製造方法および絶縁膜形成装置 |
JP2005129660A (ja) * | 2003-10-22 | 2005-05-19 | Kyocera Corp | 太陽電池素子とその形成方法 |
-
2005
- 2005-05-31 JP JP2005160430A patent/JP2006339300A/ja active Pending
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH07235506A (ja) * | 1993-12-27 | 1995-09-05 | Toshiba Corp | 薄膜形成法 |
JPH088232A (ja) * | 1994-06-22 | 1996-01-12 | Sony Corp | プラズマ処理方法 |
JPH11102907A (ja) * | 1997-09-26 | 1999-04-13 | Sharp Corp | 半導体装置の製造方法および絶縁膜形成装置 |
JP2005129660A (ja) * | 2003-10-22 | 2005-05-19 | Kyocera Corp | 太陽電池素子とその形成方法 |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009021358A (ja) * | 2007-07-11 | 2009-01-29 | Sharp Corp | 光電変換素子の製造方法 |
JP2014110409A (ja) * | 2012-12-04 | 2014-06-12 | Mitsubishi Electric Corp | 太陽電池の製造方法 |
JP2015012171A (ja) * | 2013-06-28 | 2015-01-19 | 株式会社カネカ | 結晶シリコン系光電変換装置およびその製造方法 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4953591B2 (ja) | 太陽電池素子 | |
KR101515255B1 (ko) | 보론과 인의 공동 확산을 사용한 결정 실리콘 태양 전지의 제조 방법 | |
US8119438B2 (en) | Method of manufacturing solar cell | |
US8198115B2 (en) | Solar cell, and method and apparatus for manufacturing the same | |
KR20110101141A (ko) | 2 단계 도핑에 의한 태양전지의 제조방법 | |
JP2007184571A (ja) | 炭化珪素半導体装置、炭化珪素半導体装置の製造方法、炭化珪素半導体装置中の遷移金属シリサイドと金属膜との接合体及び炭化珪素半導体装置中の遷移金属シリサイドと金属膜との接合体の製造方法 | |
FR2477773A1 (fr) | Procede de fabrication de circuits a semiconducteur | |
EP2181464A2 (en) | Solar cell having porous structure and method for fabrication thereof | |
US20110162709A1 (en) | Method for the treatment of substrates, substrate and treatment device for carrying out said method | |
US9508880B2 (en) | Method for processing a minute structure on a surface of the silicon substrate | |
US8222153B2 (en) | Textured single crystal | |
JP2006339300A (ja) | 太陽電池素子およびその製造方法 | |
JP2004172271A (ja) | 太陽電池の製造方法及び太陽電池 | |
JP6125114B2 (ja) | 太陽電池の製造方法 | |
JP2005159171A (ja) | 太陽電池素子およびその製造方法 | |
JP4716881B2 (ja) | 太陽電池の作製方法 | |
JP2010245568A (ja) | 太陽電池の製造方法 | |
JP2006344883A (ja) | 太陽電池の製造方法 | |
JP2959352B2 (ja) | 半導体ウエーハの製造方法及びsimsによる分析方法 | |
Abe et al. | Random texturing process for multicrystalline silicon solar cells using plasmaless dry etching | |
JP3208384B2 (ja) | 半導体素子の製造方法 | |
JP2005072388A (ja) | 太陽電池素子の製造方法 | |
US20200105963A1 (en) | Method for manufacturing high efficiency solar cell | |
JP2007027469A (ja) | 太陽電池素子の製造方法 | |
JP3898604B2 (ja) | 太陽電池の製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20080118 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100202 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20100202 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100402 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20101214 |