JP2006332546A - 配線回路基板 - Google Patents

Abstract

【課題】 静電気の帯電を効率的に除去して、実装される電子部品の静電破壊を有効に防止しつつ、半導電性層に含まれる導電性粒子の脱離を防止して、配線回路基板の耐久性の向上を図ることのできる、配線回路基板を提供すること。
【解決手段】 金属支持基板２と、金属支持基板２の上に形成されたベース絶縁層３と、ベース絶縁層３の上に形成された導体パターン４と、導体パターン４を被覆するように、ベース絶縁層３の上に形成されたカバー絶縁層５とを備える回路付サスペンション基板１において、端子部６を除くカバー絶縁層５の上に、導電性粒子を含む半導電性層７を形成し、その半導電性層７の表面をプラズマ処理する。
【選択図】 図１

Description

本発明は、配線回路基板、詳しくは、電気機器や電子機器に装備される配線回路基板に関する。

フレキシブル配線回路基板や回路付サスペンション基板などの配線回路基板は、通常、ポリイミドからなるベース層と、そのベース層の上に形成された銅箔からなる導体回路と、ベース層の上および導体回路の上に形成されたポリイミドからなるカバー層とを備えており、電子部品を実装して、各種の電気機器や電子機器に搭載されている。
このような配線回路基板において、実装された電子部品の静電破壊を防止するために、カバー層の上に、導電ポリマー層を形成して、その導電ポリマー層によって静電気の帯電を除去することが提案されている（例えば、特許文献１参照）。

また、静電気防止特性を付与するために、ポリイミドフィルムに、導電性粒子を含有させることが知られている（例えば、特許文献２参照）。
特開２００４−１５８４８０号公報 特開平１０−７７４０６号公報

しかるに、配線回路基板において、例えば、カバー層の上に、導電性粒子を含有するポリイミドフィルムからなる半導電性層を形成すると、その半導電性層から、導電性粒子が脱離する可能性がある。
例えば、そのような配線回路基板が、ハードディスクドライブに搭載される回路付サスペンション基板である場合には、導電性粒子が脱離すると、ハードディスクドライブが破損するおそれがある。

本発明の目的は、静電気の帯電を効率的に除去して、実装される電子部品の静電破壊を有効に防止しつつ、半導電性層に含まれる導電性粒子の脱離を防止して、配線回路基板の耐久性の向上を図ることのできる、配線回路基板を提供することにある。

上記目的を達成するために、本発明の配線回路基板は、導体層と、前記導体層に隣接する絶縁層と、前記絶縁層が開口されることにより露出される導体層からなる端子部と、前記絶縁層に隣接し、導電性粒子を含み、その表面がプラズマ処理されている半導電性層とを備えていることを特徴としている。
また、本発明の配線回路基板では、前記半導電性層は、導電性粒子および樹脂を含み、前記導電性粒子が、前記導電性粒子および前記樹脂の総量１００重量部に対して１０〜５０重量部の割合で含まれていることが好適である。

また、本発明の配線回路基板では、前記導電性粒子が、カーボンブラックであることが好適である。

本発明の配線回路基板では、絶縁層に隣接して導電性粒子を含む半導電性層が設けられているので、その半導電性層によって、静電気の帯電を除去して、実装される電子部品の静電破壊を防止することができる。しかも、この配線回路基板では、半導電性層の表面がプラズマ処理されているので、そのプラズマ処理によって、半導電性層に含まれる導電性粒子の脱離を防止することができる。その結果、配線回路基板の耐久性の向上を図ることができる。

図１は、本発明の配線回路基板の一実施形態である回路付サスペンション基板を示す断面図である。
図１において、この回路付サスペンション基板１は、金属支持基板２と、金属支持基板２の上に形成されたベース絶縁層３と、ベース絶縁層３の上に形成された導体層としての導体パターン４と、導体パターン４を被覆するように、ベース絶縁層３の上に形成された絶縁層としてのカバー絶縁層５とを備えており、カバー絶縁層５が開口されることにより露出する導体パターン４が、端子部６とされている。

また、この回路付サスペンション基板１では、カバー絶縁層５の上に、半導電性層７が形成されており、その半導電性層７の表面が、プラズマ処理されている。
金属支持基板２は、例えば、ステンレス箔、４２アロイ箔、アルミニウム箔、銅−ベリリウム箔、りん青銅箔などからなる。金属支持基板２の厚みは、例えば、５〜１００μｍである。

ベース絶縁層３は、例えば、ポリイミド、ポリアミドイミド、アクリル、ポリエーテルニトリル、ポリエーテルスルホン、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリ塩化ビニルなどの合成樹脂からなる。好ましくは、ポリイミドからなる。ベース絶縁層３の厚みは、例えば、５〜５０μｍである。
導体パターン４は、例えば、銅箔、ニッケル箔、金箔、はんだ箔またはこれらの合金箔からなり、複数の配線からなる配線回路パターンとして形成されている。導体パターン４の厚みは、例えば、３〜５０μｍである。

カバー絶縁層５は、ベース絶縁層３と同様の合成樹脂からなり、その厚みは、例えば、３〜５０μｍである。
そして、この回路付サスペンション基板１には、磁気ヘッドや外部制御回路端子などの各種電子部品を実装するための端子部６が、カバー絶縁層５を開口させて、導体パターン４を露出させることによって、その導体パターン４の露出部分として形成されている。なお、端子部６の表面には、図示しないが、必要に応じて、金やニッケルからなるめっき層が形成されている。

なお、この回路付サスペンション基板１は、カバー絶縁層５の上に、半導電性層７が積層されている以外は、通常の回路付サスペンション基板と同様の構成を備えている。
すなわち、この回路付サスペンション基板１は、磁気ヘッドを実装および支持して、ハードディスクドライブに搭載されるものであって、端子部６には、磁気ヘッドや外部制御回路端子が実装され（なお、図１に示す端子部６には、磁気ヘッドまたは外部制御回路端子の一方が実装され、他方は、図示しない同様の端子部に実装される。）、導体パターン４は、磁気ヘッドに対するリード・ライト信号を、外部制御回路との間で送信できるように、磁気ヘッドと外部制御回路端子との間を接続するように、回路付サスペンション基板１の長手方向に沿って延びるように、形成されている。

半導電性層７は、導電性粒子が分散された樹脂からなり、後で詳述する半導電性層形成用樹脂組成物から形成されている。半導電性層７の厚みは、例えば、０．５〜５μｍ、好ましくは、０．５〜２μｍである。半導電性層７の厚みが、これより薄いと、均一な層が得られない場合があり、これより厚いと、乾燥が不十分となり、かつ、コストの上昇を生じる場合がある。

また、半導電性層７の表面抵抗値は、例えば、１０⁵〜１０¹¹Ω／□、好ましくは、１０⁶〜１０¹⁰Ω／□である。半導電性層７の表面抵抗値が、これより小さいと、実装された電子部品の誤動作を生じる場合があり、また、これより大きいと、静電気の帯電を有効に除去できない場合がある。
なお、表面抵抗値は、例えば、ＭＩＴＳＵＢＩＳＨＩ ＰＥＴＲＯＣＨＥＭＩＣＡＬ社製のＨｉｒｅｓｔａ ＩＰ ＭＣＰ−ＨＴ２６０（プローブ：ＨＲＳ）を用いて測定することができる。

また、半導電性層７は、端子部６の表面を除くカバー絶縁層５の表面に形成されている（但し、端子部６を囲むカバー絶縁層５の内周側面および端子部６の周縁部には、半導電性層７が形成されている。）。
また、この半導電性層７の表面（つまり、カバー絶縁層５と接触する裏面と反対側の表面）が、後で詳述するように、プラズマ処理されている。

このような回路付サスペンション基板１では、カバー絶縁層５の上に半導電性層７が形成されているので、その半導電性層７によって、静電気の帯電を除去して、実装される電子部品の静電破壊を防止することができる。しかも、この回路付サスペンション基板１では、半導電性層７の表面がプラズマ処理されているので、そのプラズマ処理によって、半導電性層７に含まれる導電性粒子の脱離を防止することができる。その結果、回路付サスペンション基板１の耐久性の向上を図ることができる。

図２は、カバー絶縁層５の上に、その表面がプラズマ処理されている半導電性層７を形成する方法を示す工程図である。
次に、図２を参照して、回路付サスペンション基板１の製造方法について、特に、その表面がプラズマ処理されている半導電性層７を形成する方法について、詳細に説明する。
この方法では、まず、図２（ａ）に示すように、金属支持基板２と、金属支持基板２の上に形成されたベース絶縁層３と、ベース絶縁層３の上に形成された導体パターン４と、導体パターン４を被覆するように、ベース絶縁層３の上に形成されたカバー絶縁層５とを備える回路付サスペンション基板１を形成（用意）する。

このような回路付サスペンション基板１は、上記したように、通常の回路付サスペンション基板の製造方法に従って形成することができる。
すなわち、例えば、まず、ステンレス箔からなる金属支持基板２を用意して、その金属支持基板２の上に、感光性ポリアミド酸（感光性ポリイミド前駆体）を含む溶液を塗布し、露光および現像することによりパターン化した後、これを加熱硬化させて、ポリイミドからなるベース絶縁層３を形成する。次いで、このベース絶縁層３の上に、アディティブ法やサブトラクティブ法などの公知のパターンニング法によって、導体パターン４を形成した後、ベース絶縁層３の上に、導体パターン４を被覆するように、感光性ポリアミド酸（感光性ポリイミド前駆体）を含む溶液を塗布し、露光および現像することによりパターン化した後、これを加熱硬化させて、ポリイミドからなるカバー絶縁層５を形成する。

また、端子部６は、カバー絶縁層５の形成時に、感光性ポリアミド酸を、導体パターン４における端子部６を形成する部分が露出されるように、パターン化することにより、形成する。
そして、この方法では、図２（ｂ）に示すように、端子部６の表面およびカバー絶縁層５の表面に、半導電性層７を形成する。

半導電性層７を形成するには、まず、半導電性層形成用樹脂組成物を、端子部６の表面およびカバー絶縁層５の表面に均一に塗布する。
半導電性層形成用樹脂組成物は、樹脂として、イミド樹脂またはイミド樹脂前駆体と、導電性粒子と、溶媒とを含有している。
イミド樹脂としては、例えば、ポリイミド、ポリエーテルイミド、ポリアミドイミドなどが挙げられる。これらは、市販品として入手でき、そのような市販品として、ポリイミドとして、例えば、ＰＩ−１１３、ＰＩ−１１７、ＰＩ−２１３Ｂ（以上、丸善石油化学社製）、リカコート−２０（新日本理化社製）が挙げられる。また、ポリエーテルイミドとして、ウルテム１０００、ウルテムＸＨ６０５０（以上、日本イージープラスチック社製）が挙げられる。また、ポリアミドイミドとして、例えば、ＨＲ１６ＮＮ、ＨＲ１１ＮＮ（東洋紡績社製）が挙げられる。

また、イミド樹脂前駆体としては、例えば、ポリアミック酸が挙げられる。ポリアミック酸は、通常、有機テトラカルボン酸二無水物とジアミンとを反応させることによって得ることができる。
有機テトラカルボン酸二無水物としては、例えば、ピロメリット酸二無水物、３，３'，４，４'−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、２，２−ビス（２，３−ジカルボキシフェニル）−１，１，１，３，３，３−ヘキサフルオロプロパン二無水物、２，２−ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）−１，１，１，３，３，３−ヘキサフルオロプロパン二無水物、３，３'，４，４'−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）エーテル二無水物、ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）スルホン酸二無水物などが挙げられる。また、これら有機テトラカルボン酸二無水物は、単独使用または２種以上併用することができる。

また、ジアミンとしては、例えば、ｍ−フェニレンジアミン、ｐ−フェニレンジアミン、３，４'−ジアミノジフェニルエーテル、４，４'−ジアミノジフェニルエーテル、４，４'−ジアミノジフェニルスルホン、３，３'−ジアミノジフェニルスルホン、２，２−ビス（４−アミノフェノキシフェニル）プロパン、２，２−ビス（４−アミノフェノキシフェニル）ヘキサフルオロプロパン、１，３−ビス（４−アミノフェノキシ）ベンゼン、１，４−ビス（４−アミノフェノキシ）ベンゼン、２，４−ジアミノトルエン、２，６−ジアミノトルエン、ジアミノジフェニルメタン、４，４'−ジアミノ−２，２−ジメチルビフェニル、２，２−ビス（トリフルオロメチル）−４，４'−ジアミノビフェニルなどが挙げられる。また、これらジアミンは、単独使用または２種以上併用することができる。

そして、ポリアミック酸は、これら有機テトラカルボン酸二無水物とジアミンとを、実質的に等モル比となるような割合で、適宜の有機溶媒、例えば、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシドなどの非プロトン性極性溶媒中で、通常、０〜９０℃で１〜２４時間反応させることよって、ポリアミック酸の溶液として得ることができる。なお、ポリアミック酸の重量平均分子量は、例えば、５０００〜２０００００程度、好ましくは、１００００〜１０００００程度である。

導電性粒子としては、例えば、カーボンブラック粒子、例えば、カーボンナノファイバー、例えば、酸化インジウムと酸化スズとの複合酸化物の粒子（ＩＴＯ粒子）、酸化スズと酸化リンとの複合酸化物の粒子（ＰＴＯ粒子）などの金属酸化物粒子が挙げられる。また、これら導電性粒子は、単独使用または２種以上併用することができる。好ましくは、カーボンブラックが挙げられる。

また、導電性粒子は、その平均粒子径が、例えば、１０ｎｍ〜１μｍ、好ましくは、１０ｎｍ〜４００ｎｍ、さらに好ましくは、１０ｎｍ〜１００ｎｍである。なお、導電性粒子がカーボンナノファイバーである場合には、例えば、その直径が１００〜２００ｎｍであり、その長さが、５〜２０μｍである。
平均粒子径（直径）がこれより小さいと、平均粒子径（直径）の調整が困難となる場合があり、また、これより大きいと、塗布に不向きとなる場合がある。

溶媒は、樹脂（イミド樹脂またはイミド樹脂前駆体）を溶解でき、導電性粒子を分散できれば、特に制限されないが、例えば、Ｎ−メチル−２ピロリドン（ＮＭＰ）、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシドなどの非プロトン性極性溶媒が挙げられる。また、これら溶媒は、単独使用または２種以上併用することができる。なお、樹脂として、ポリアミック酸が用いられる場合には、ポリアミック酸を溶解する反応溶媒を、そのまま溶媒として用いることができる。

そして、半導電性層形成用樹脂組成物は、樹脂（イミド樹脂またはイミド樹脂前駆体）、導電性粒子および溶媒を配合することによって、調製することができる。
導電性粒子の配合割合は、例えば、導電性粒子および樹脂（イミド樹脂またはイミド樹脂前駆体）の総量１００重量部に対して、導電性粒子が、例えば、１０〜５０重量部、好ましくは、２０〜４０重量部である。導電性粒子の配合割合が、これより少ないと、表面抵抗値が１０¹¹Ω／□より大きくなる場合がある。また、これより多いと、表面抵抗値が１０⁵Ω／□より小さくなる場合がある。また、溶媒は、樹脂および導電性粒子が、半導電性層形成用樹脂組成物に対して、５〜４０重量％（固形分濃度）、好ましくは、１０〜３０重量％（固形分濃度）となるように、配合する。固形分濃度がこれより小さいと、半導電性層形成用樹脂組成物の均一な塗布が困難となる場合がある。また、固形分濃度がこれより大きいと、溶媒に対する導電性粒子の分散性が不良となる場合がある。

また、半導電性層形成用樹脂組成物の調製は、特に制限されず、例えば、樹脂（イミド樹脂またはイミド樹脂前駆体）および導電性粒子を、溶媒に配合して、樹脂が溶媒に対して均一に溶解し、導電性粒子が溶媒に対して均一に分散するまで、攪拌混合する。また、予め樹脂を溶媒に溶解した樹脂溶液と、予め導電性粒子を溶媒に分散させた粒子分散液とを、混合することもできる。これによって、溶媒中において、樹脂が溶解され、導電性粒子が分散する半導電性層形成用樹脂組成物が調製される。

そして、このようにして得られた半導電性層形成用樹脂組成物を、端子部６の表面およびカバー絶縁層５の表面に均一に塗布するには、特に制限されず、例えば、ロールコート法、グラビアコート法、スピンコート法、バーコート法など公知の塗布方法が用いられる。
次いで、塗布された半導電性層形成用樹脂組成物を乾燥する。半導電性層形成用樹脂組成物の乾燥は、溶媒の種類によって適宜決定されるが、例えば、６０〜２５０℃、好ましくは、８０〜２００℃で、例えば、１〜３０分間、好ましくは、３〜１５分間加熱する。乾燥時間が、これより短いと、溶媒の除去が不十分となり、半導電性層７の表面抵抗値が大きく変化する場合がある。また、これより長いと、生産効率が低下する場合がある。

なお、半導電性層形成用樹脂組成物が、イミド樹脂前駆体を含有する場合には、乾燥後、そのイミド樹脂前駆体を、例えば、減圧下、２５０℃以上で加熱することにより、硬化（イミド化）させる。
次いで、この方法では、図２（ｃ）に示すように、半導電性層７の表面を、端子部６の表面に対応する部分を除いて、エッチングレジスト８で被覆する。エッチングレジスト８は、例えば、ドライフィルムフォトレジストを半導電性層７の表面に積層し、露光および現像する公知の方法により形成する。

その後、この方法では、図２（ｄ）に示すように、エッチングレジスト８から露出する端子部６の表面に形成されている半導電性層７をエッチングにより除去する。エッチングは、例えば、エッチング液として水酸化カリウム水溶液などのアルカリ水溶液を用いて、浸漬法またはスプレー法によって、ウエットエッチングする。
そして、この方法では、図２（ｅ）に示すように、エッチングレジスト８を、エッチングまたは剥離により除去する。

これによって、半導電性層７は、端子部６の表面を除くカバー絶縁層５の表面に形成される（但し、端子部６を囲むカバー絶縁層５の内周側面および端子部６の周縁部には、半導電性層７が形成される。）。
その後、図２（ｆ）に示すように、半導電性層７の表面をプラズマ処理する。
プラズマ処理では、例えば、導入ガスを封入した雰囲気下において、対向電極間に高周波プラズマを発生させる。導入ガスとしては、例えば、Ｈｅ、Ｎｅ、Ａｒ、Ｘｅ、Ｋｒ、Ｎ₂ 、Ｏ₂ 、ＣＦ₄ 、ＮＦ₃ などが用いられ、好ましくは、Ｏ₂、Ｎ₂ 、Ａｒが用いられる。これらの導入ガスは、適宜所定割合で混合して用いてもよく、また、そのガス圧（真空度）は、例えば、５〜５０Ｐａ、好ましくは、２０〜３０Ｐａである。また、ガス流量は、例えば、３０〜１０００ｍＬ／分、好ましくは、２００〜４００ｍＬ／分である。また、高周波プラズマを発生させる条件としては、その周波数が、例えば、０．０００３〜２４５０ＭＨｚ、好ましくは、１０〜１００ＭＨｚであり、処理電力が、例えば、１００〜１０００Ｗ／ｃｍ²、好ましくは、４００〜８５０Ｗ／ｃｍ²である。そして、半導電性層７が形成された回路付サスペンション基板１を、このような雰囲気条件下において、対向電極間に配置して、例えば、０．５〜５分、さらには、０．５〜３分間処理する。

このようなプラズマ処理によって、半導電性層７の表面に露出している導電性粒子が除去されるので、半導電性層７に含まれる導電性粒子の脱離を防止することができる。
なお、端子部６の表面には、必要に応じて、金やニッケルからなるめっき層が、電解めっきまたは無電解めっきにより形成される。
また、図２に示す回路付サスペンション基板１の製造方法では、半導電性層７をエッチングレジスト８で被覆して、エッチングレジスト８から露出する半導電性層７をエッチングして、エッチングレジスト８を剥離した後、半導電性層７の表面をプラズマ処理したが、半導電性層７の表面をプラズマ処理した後、半導電性層７をエッチングレジスト８で被覆して、エッチングレジスト８から露出する半導電性層７をエッチングして、エッチングレジスト８を剥離することもできる。

また、この回路付サスペンション基板１は、上記した半導電性層形成用樹脂組成物に、感光剤を含有させれば、図３に示すように、半導電性層７をエッチングせずとも、端子部６の表面を、半導電性層７から露出させることができる。
半導電性層形成用樹脂組成物に含有させる感光剤としては、例えば、４−ｏ−ニトロフェニル−３，５−ジメトキシカルボニル−２，６−ジメチル−１，４−ジヒドロピリジン（ニフェジピン）、４−ｏ−ニトロフェニル−３，５−ジメトキシカルボニル−２，６−ジメチル−１−メチル−４−ヒドロピリジン（Ｎ−メチル体）、４−ｏ−ニトロフェニル−３，５−ジアセチル−１，４−ジヒドロピリジン（アセチル体）などのジヒドロピリジン誘導体が挙げられる。また、これら感光剤は、単独使用または２種以上併用することができる。なお、感光剤は、例えば、ポリエチレングリコールなどの溶媒に溶解して、溶液として調製することもできる。

感光剤は、上記した樹脂（イミド樹脂またはイミド樹脂前駆体）、および、導電性粒子とともに、溶媒に配合する。感光剤の配合割合は、樹脂１００重量部に対して、例えば、０．１〜１００重量部、好ましくは、０．５〜７５重量部である。感光剤の樹脂に対する配合割合が、これより多くても少なくても、露光部と未露光部との適切な溶解速度差が得られず、パターンニングが困難な場合がある。なお、感光剤が配合される場合でも、溶媒は、樹脂、導電性粒子および感光剤が、半導電性層形成用樹脂組成物に対して、５〜３０重量％（固形分濃度）、好ましくは、５〜２０重量％（固形分濃度）となるように、配合する。

なお、感光剤を配合する場合には、上記した樹脂として、好ましくは、イミド樹脂前駆体が用いられる。
図３は、カバー絶縁層５の上に、その表面がプラズマ処理されている半導電性層７を形成する他の方法を示す工程図である。
次に、図３を参照して、回路付サスペンション基板１の他の製造方法について、特に、その表面がプラズマ処理されている半導電性層７を形成する他の方法について、詳細に説明する。

この方法では、まず、上記と同様に、図３（ａ）に示すように、金属支持基板２と、金属支持基板２の上に形成されたベース絶縁層３と、ベース絶縁層３の上に形成された導体パターン４と、導体パターン４を被覆するように、ベース絶縁層３の上に形成されたカバー絶縁層５とを備える回路付サスペンション基板１を形成（用意）する。
次いで、この方法では、図３（ｂ）に示すように、端子部６の表面およびカバー絶縁層５の表面に、感光剤を含む半導電性層形成用樹脂組成物（以下、感光性半導電性層形成用樹脂組成物という。）の半導電性皮膜９を形成する。半導電性皮膜９を形成するには、まず、感光性半導電性層形成用樹脂組成物を、端子部６の表面およびカバー絶縁層５の表面に、上記と同様の方法により、均一に塗布する。次いで、塗布された感光性半導電性層形成用樹脂組成物を、上記と同様に、乾燥する。

次いで、この方法では、図３（ｃ）に示すように、半導電性皮膜９を、フォトマスク１０を介して露光する。フォトマスク１０は、光を透過しない遮光部分１０ａと、光を透過する光透過部分１０ｂとを所定のパターンで備えており、ネガ画像でパターンニングする場合には、図３（ｃ）に示すように、半導電性層７を形成しない部分、すなわち、端子部６の表面（周縁部を除く。）には、遮光部分１０ａが対向し、それ以外の半導電性層７を形成する部分には、光透過部分１０ｂが対向するように、フォトマスク１０を配置して、露光する。

次いで、必要によりネガ画像を形成するために所定温度で加熱後、図３（ｄ）に示すように、半導電性皮膜９における遮光部分１０ａが対向していた未露光部分、すなわち、半導電性皮膜９における端子部６に対応する部分を、現像により除去する。現像は、例えば、現像液としてアルカリ水溶液などを用いて、浸漬法またはスプレー法などが用いられる。これによって、半導電性皮膜９が、端子部６を除くカバー絶縁層５の表面に、形成される。

なお、ポジ画像でパターンニングする場合には、上記した逆、すなわち、端子部６の表面（周縁部を除く。）には、光透過部分１０ｂが対向し、それ以外の半導電性層７を形成する部分には、遮光部分１０ａが対向するように、フォトマスク１０を配置して、露光した後、必要によりポジ画像を形成するために所定温度で加熱後、現像する。
その後、この方法では、図３（ｅ）に示すように、感光性半導電性層形成用樹脂組成物が、イミド樹脂前駆体を含有する場合には、半導電性皮膜９を、例えば、減圧下、２５０℃以上で加熱することにより、硬化（イミド化）させて、半導電性層７を形成する。

これによって、上記と同様に、半導電性層７が、端子部６の表面を除くカバー絶縁層５の表面に形成される（但し、端子部６を囲むカバー絶縁層５の内周側面および端子部６の周縁部には、半導電性層７が形成される。）。
その後、図３（ｆ）に示すように、上記と同様に、半導電性層７の表面をプラズマ処理する。このプラズマ処理によって、上記と同様に、半導電性層７の表面に露出している導電性粒子が除去されるので、半導電性層７に含まれる導電性粒子の脱離を防止することができる。

なお、端子部６の表面には、必要に応じて、金やニッケルからなるめっき層が、電解めっきまたは無電解めっきにより形成される。
また、上記の説明では、本発明の配線回路基板を、回路付サスペンション基板１を例示して説明したが、本発明の配線回路基板には、片面フレキシブル配線回路基板、両面フレキシブル配線回路基板、さらには、多層フレキシブル配線回路基板などが含まれる。例えば、図４に示すように、片面フレキシブル配線回路基板１１では、ベース絶縁層３、導体パターン４およびカバー絶縁層５が順次積層されており、カバー絶縁層５が開口されることにより、導体パターン４の露出部分が端子部６として形成されている。そして、その表面がプラズマ処理された半導電性層７が、端子部６の表面を除くカバー絶縁層５の表面に形成されている（但し、端子部６を囲むカバー絶縁層５の内周側面および端子部６の周縁部には、半導電性層７が形成されている。）。

なお、表面がプラズマ処理された半導電性層７は、その目的および用途により、ベース絶縁層３に形成してもよく、また、ベース絶縁層３およびカバー絶縁層５の両方に形成することもできる。
また、半導電性層７は、単一層で形成してもよく、また、多層で形成することもできる。半導電性層７を多層で形成する場合には、カバー絶縁層５から離間するに従って、各半導電性層７に含まれる導電性粒子の配合割合が少なくなるように、各半導電性層７を形成し、最外層（カバー絶縁層５から最も離間する層）の表面をプラズマ処理する。

以下に実施例を示し、本発明をさらに具体的に説明するが、本発明は、何ら実施例に限定されることはない。
製造例１（ポリアミック酸樹脂Ａの製造）
１Ｌのセパラブルフラスコに、ｐ−フェニレンジアミン２７．６ｇ（０．２５ｍｏｌ）と４，４’−ジアミノジフェニルエーテル９．０ｇ（０．０５ｍｏｌ）を入れ、Ｎ−メチル−２−ピロリドン（ＮＭＰ）７６７ｇを加えて攪拌し、ｐ−フェニレンジアミンと４，４’−ジアミノジフェニルエーテルを溶解させた。

これに、３，３’，４．４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物８８．３ｇ（０．３ｍｏｌ）を徐々に加え、３０℃以下の温度で２時間攪拌を続け、濃度１４重量％のポリアミック酸樹脂Ａの溶液を得た。なお、この溶液の３０℃での粘度は５００Ｐａ・ｓであった。
製造例２（感光性半導電性層形成用樹脂組成物Ａの調製）
合成例１で得られたポリアミック酸樹脂Ａの溶液に、感光剤（ニフェジピン３７．５ｇとアセチル体２５．０ｇ）を添加し、さらに、カーボンブラックの１０重量％ＮＭＰ分散液（デグサ社製、Ｓｐｅｃｉａｌ Ｂｌａｃｋ４）３７４．７ｇを添加し、攪拌して、カーボンブラックが均一に分散した感光性半導電性層形成用樹脂組成物Ａを得た。

実施例１
ステンレス箔からなる金属支持基板の上に、ポリイミドからなるベース絶縁層、銅箔からなる導体パターン、ポリイミドからなるカバー絶縁層が、順次積層されてなる回路付サスペンション基板を用意した（図３（ａ）参照）。なお、カバー絶縁層には、開口部が形成されており、その開口部から露出する導体パターンの露出部分が端子部とされている。

感光性半導電性層形成用樹脂組成物Ａを、上記の回路付サスペンション基板の端子部の表面およびカバー絶縁層の表面に、スピンコーターを用いて塗布し、９０℃で１５分加熱することにより、厚み４μｍの半導電性皮膜を形成した（図３（ｂ）参照）。
次いで、フォトマスクを介して、露光量７００ｍＪ／ｃｍ²にて、紫外線を露光し（図３（ｄ）参照）、１９０℃で１０分間露光後加熱した後、現像することにより、半導電性皮膜をネガ型画像でパターンニングした（図３（ｅ）参照）。

続いて、１．３３Ｐａに減圧した状態で、３８５℃で半導電性皮膜を加熱して、イミド化し、端子部の表面を除くカバー絶縁層の表面に半導電性層を形成した。
その後、半導電性層の表面を下記の条件でプラスマ処理することにより、その表面がプラズマ処理された半導電性層が形成されている回路付サスペンション基板を得た（図３（ｆ）参照）。
（プラズマ処理条件）
導入ガス：Ｏ₂
ガス圧（真空度）：２０Ｐａ
ガス流量：３００Ｌ／分
周波数：１３．５６ＭＨｚ、
処理電力：８１０Ｗ／ｃｍ²
処理時間：２分
なお、半導電性層のカーボンブラック含有率は３０重量％（すなわち、カーボンブラックおよびポリイミドの総量１００重量部に対してカーボンブラックが３０重量部）であり、半導電性層の初期の表面抵抗値は５．０×１０⁹Ω／□であった。

この実施例１の回路付サスペンション基板をハードディスクに搭載して長期使用したが、カーボンブラックの脱離はなく、耐久性に優れていることが確認された。

本発明の配線回路基板の一実施形態である回路付サスペンション基板を示す断面図である。 カバー絶縁層の上に、その表面がプラズマ処理されている半導電性層を形成する方法を示す工程図であって、（ａ）は、回路付サスペンション基板を形成（用意）する工程、（ｂ）は、端子部の表面およびカバー絶縁層の表面に、半導電性層を形成する工程、（ｃ）は、半導電性層の表面を、端子部の表面に対応する部分を除いてエッチングレジストで被覆する工程、（ｄ）は、エッチングレジストから露出する半導電性層を除去する工程、（ｅ）は、エッチングレジストを、除去する工程、（ｆ）は、半導電性層の表面をプラズマ処理する工程を示す。 カバー絶縁層の上に、その表面がプラズマ処理されている半導電性層を形成する他の方法を示す工程図であって、（ａ）は、回路付サスペンション基板を形成（用意）する工程、（ｂ）は、端子部の表面およびカバー絶縁層の表面に、半導電性皮膜を形成する工程、（ｃ）は、半導電性皮膜を、フォトマスクを介して露光する工程、（ｄ）は、半導電性皮膜における端子部に対応する部分を、現像により除去する工程、（ｅ）は、半導電性皮膜を、硬化させる工程、（ｆ）は、半導電性皮膜の表面をプラズマ処理する工程を示す。 本発明の配線回路基板の他の実施形態である片面フレキシブル配線回路基板を示す断面図である。

符号の説明

１ 回路付サスペンション基板
３ ベース絶縁層
４ 導体パターン
５ カバー絶縁層
７ 半導電性層

Claims (3)

1. 導体層と、前記導体層に隣接する絶縁層と、前記絶縁層が開口されることにより露出される導体層からなる端子部と、前記絶縁層に隣接し、導電性粒子を含み、その表面がプラズマ処理されている半導電性層とを備えていることを特徴とする、配線回路基板。
2. 前記半導電性層は、導電性粒子および樹脂を含み、前記導電性粒子が、前記導電性粒子および前記樹脂の総量１００重量部に対して１０〜５０重量部の割合で含まれていることを特徴とする、請求項１に記載の配線回路基板。
3. 前記導電性粒子が、カーボンブラックであることを特徴とする、請求項１または２に記載の配線回路基板。

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