JP2006332538A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 シリコン(半導体)基板1の上に下地絶縁膜10を形成する工程と、下地絶縁膜10の上に、下部電極11a、キャパシタ誘電体膜12a、及び上部電極13aを順に形成してなるキャパシタQを形成する工程と、キャパシタQを覆う第1層間絶縁膜15を形成する工程と、第1層間絶縁膜15の上に、シリコン基板1にバイアス電圧を印加しないプラズマCVD法により第1保護絶縁膜16を形成する工程と、を有することを特徴とする半導体装置の製造方法による。
【選択図】 図8
Description
図1〜図15は、本発明の第1実施形態に係る半導体装置の製造途中の断面図である。
本実施形態では、銅配線を形成するのに好適なダマシンプロセスに、バイアス電圧を印加しないプラズマCVDで形成した保護絶縁膜を適用する。
既述の第1、第2実施形態では、バイアス電圧を印加しないプラズマCVD法で形成された単層の酸化シリコン膜で保護絶縁膜を構成した。これに対し、本実施形態では、その保護絶縁膜とは別に水素拡散防止膜も形成し、水素に対するバリア性を高める
図22、図23は、本実施形態に係る半導体装置の製造途中の断面図である。
既述の第1実施形態では、図6〜図8で説明したように、HDPCVD法で第1層間絶縁膜15を形成し、その上面を平坦化した後で、第1層間絶縁膜15の上に第1保護絶縁膜16を形成した。
前記下地絶縁膜の上に、下部電極、キャパシタ誘電体膜、及び上部電極を順に形成してなるキャパシタを形成する工程と、
前記キャパシタを覆う第1層間絶縁膜を形成する工程と、
前記第1層間絶縁膜の上に、前記半導体基板にバイアス電圧を印加しないプラズマCVD法により第1保護絶縁膜を形成する工程と、
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
平坦化された後の前記第1層間絶縁膜の上に前記第1保護絶縁膜を形成することを特徴とする付記1に記載の半導体装置の製造方法。
前記第2ホールに第2導電性プラグを形成し、該第2導電性プラグと前記金属配線とを電気的に接続する工程とを有することを特徴とする付記14に記載の半導体装置の製造方法。
前記半導体基板にバイアス電圧を印加しないプラズマCVD法により、前記最終金属配線の上に第3保護絶縁膜を形成する工程とを有することを特徴とする付記13に記載の半導体装置の製造方法。
前記第3層間絶縁膜上に、前記半導体基板にバイアス電圧を印加しないプラズマCVD法で形成された第3保護絶縁膜を含む第4層間絶縁膜を形成する工程と、
前記第3絶縁膜に配線溝を形成する工程と、
前記配線溝に中間金属配線を形成する工程とを有することを特徴とする付記18に記載の半導体装置の製造方法。
Claims (5)
- 半導体基板の上に下地絶縁膜を形成する工程と、
前記下地絶縁膜の上に、下部電極、キャパシタ誘電体膜、及び上部電極を順に形成してなるキャパシタを形成する工程と、
前記キャパシタを覆う第1層間絶縁膜を形成する工程と、
前記第1層間絶縁膜の上に、前記半導体基板にバイアス電圧を印加しないプラズマCVD法により第1保護絶縁膜を形成する工程と、
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記第1層間絶縁膜を形成した後に、該第1層間絶縁膜の上面を平坦化する工程を有し、
平坦化された後の前記第1層間絶縁膜の上に前記第1保護絶縁膜を形成することを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記第1保護絶縁膜を形成する工程の後に、前記第1層間絶縁膜と前記第1保護絶縁膜とに第1ホールを形成する工程と、該第1ホールの中に第1導電性プラグを形成する工程とを有することを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記第1保護絶縁膜の上又は下に水素拡散防止膜を形成する工程を有することを特徴とする請求項3に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記第1保護絶縁膜を形成する工程の後に、該第1保護絶縁膜の上方に、前記半導体基板にバイアス電圧を印加しないプラズマCVD法により最終保護絶縁膜を形成する工程と、該最終保護絶縁膜の上に、パッシベーション膜として窒化シリコン膜を形成する工程とを有することを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の製造方法。
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