JP2006331622A - 高酸素含有量の記録層を有する垂直磁気記録ディスク - Google Patents
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Abstract
【課題】CoPtCrグラニュラ合金から成る記録層を有する垂直磁気記録ディスクにおいて、記録層の核形成磁界Hnが約-1500 Oe以上（絶対値が1500以上）であり、保磁力Hcが約5000 Oe以上であり、かつ高SN比であることが望まれている。
【解決手段】グラニュラCoPtCr強磁性合金、及びCrの一種以上の酸化物及びSi, Ta, Ti, B, Nb, Hfのセグレガントから選ばれる一種以上により形成される一種以上の酸化物から成る粒間材料を含有する改良された記録層を備えた垂直磁気記録ディスクであって、記録層中に存在する酸素の量が約２２原子パーセントより多く、約３５原子パーセントより少ない。記録層中に存在する酸素量は、セグレガントの化学量論的酸化物の形成に必要な酸素量よりも実質的に多く、又、記録層中に存在する酸素の大部分は粒間材料中に存在する。
【選択図】図４
【解決手段】グラニュラCoPtCr強磁性合金、及びCrの一種以上の酸化物及びSi, Ta, Ti, B, Nb, Hfのセグレガントから選ばれる一種以上により形成される一種以上の酸化物から成る粒間材料を含有する改良された記録層を備えた垂直磁気記録ディスクであって、記録層中に存在する酸素の量が約２２原子パーセントより多く、約３５原子パーセントより少ない。記録層中に存在する酸素量は、セグレガントの化学量論的酸化物の形成に必要な酸素量よりも実質的に多く、又、記録層中に存在する酸素の大部分は粒間材料中に存在する。
【選択図】図４
Description
本発明は、垂直磁気記録媒体に係わり、特に磁気記録ハードディスクドライブにおいて用いられる垂直磁気記録層を有するディスクに関する。
記録ビットが記録層の垂直、即ち面外方向に蓄えられた垂直磁気記録媒体は、磁気記録ハードディスクドライブにおける高記録密度を達成するために有望な手段だと考えられている。垂直磁気記録装置の最も一般的な例としては図１に示すような単磁極書き込み型の記録ヘッドと二層媒体を用いたものが挙げられる。二層媒体は軟磁性、即ち保磁力の比較的小さな磁気透過性下地層（軟磁性下地層）上に設けられた垂直磁気データ記録層（記録層）を有し、軟磁性下地層は磁界において記録ヘッドの書き込み磁極からリターン磁極への磁束帰還路として機能する。このような装置はタイプ１垂直磁気記録とも呼ばれる。図１では、記録層が矢印にて示されるように垂直方向に記録された、即ち磁化された領域とそれに隣接した磁化方向が反対である領域とから成る例が示されている。磁化方向が反対である隣り合う領域間での磁化転移は再生素子、即ちヘッドにより記録ビットとして検知される。
図２は従来の垂直磁気記録ディスクの断面の概略図である。図２に示された従来の垂直磁気記録ディスクはハードディスク基板、軟磁性下地層を設けるための接着或いはオンセット層、軟磁性下地層、軟磁性下地層上に設けられ記録層を容易に設けるための下地層及び保護膜を含む。記録層に用いることのできる公知の材料としては例えばCoPtCr合金等のグラニュラ強磁性コバルト合金が挙げられる。グラニュラ強磁性コバルト合金の強磁性粒子は、六方最密(hcp)結晶構造を有し、成膜中に六方最密構造のc軸が層平面に垂直方向に揃った構造となる結果として面外、即ち垂直磁気異方性を有する。この六方最密結晶構造を有する記録層のエピタキシャル成長を引き起こすために、記録層が設けられている下地層も通常は六方最密材料により形成されている。下地層に用いられる六方最密材料としては例えばルテニウム（Ru）が挙げられる。単層から成る下地層が図２に示されているが、下地層は一層以上の六方最密構造を有する層、及び、軟磁性下地層と前記一層以上の六方最密構造を有する層との間に設けられたシード層を含んだ多層構造でもよい。尚、下地層は通常は、記録層と磁気透過性軟磁性下地層との間の磁気交換結合を妨げる交換ブレーク層として機能する。
垂直磁気記録媒体としては図３に示されるように記録層が反強磁性結合層の上部強磁性層として設けられているものも提案されている。反強磁性結合層は下地層上に設けられた下部強磁性層、下部強磁性層上に設けられた反強磁性カップリング層、及び、反強磁性カップリング層上に設けられた上部強磁性層（記録層）から成る。このような媒体においては特許文献１に開示されているように、上部、下部強磁性層は垂直磁気異方性を有するグラニュラコバルト合金から成る。反強磁性結合層は、図３に示されるように反強磁性結合層のそれぞれの磁化領域において上部、下部強磁性層間の反平行の磁化方向により、上部、下部強磁性層間での垂直反強磁性交換結合を引き起こしている。
例えば200ギガビット/平方インチを超える高記録密度を実現する高性能垂直磁気記録ディスクを得るためには、記録層の固有媒体ノイズが小さく（信号対雑音比（SN比）が高く）、約5000 Oe以上の保磁力Hc、約-1500 Oe以上（負の方に）の核形成磁界Hnを有する必要がある。核形成磁界Hnは反転磁界であり、磁化が飽和値（Ms）から減磁し始めるM-Hヒステリシス・ループの第二象限にあるのが好ましい。核形成磁界が大きいほど磁化を変化させるために大きな反転磁界が必要になるので残留磁性状態は安定になる。
グラニュラコバルト合金から成る記録層が、保磁力の高い媒体を得るため、かつ高固有媒体ノイズの原因となる粒間交換結合を減らすために、十分に単離された微粒子構造を持たなければならないことは広く知られており、金属酸化物を添加し粒界に堆積させることにより記録層における粒子分離を促進させるという試みが従来から成されている。例えば非特許文献１にはCoPtCr-SiO2複合ターゲットを用いたスパッタ蒸着によりSiO2をCoPtCrグラニュラ合金に加えた例が開示されており、それによれば記録層は約4000 Oeの保磁力Hcと約-700 Oeの核形成磁界Hnを有すると記されている。又、非特許文献２にはTa2O5をCoPtグラニュラ合金に加えた例が開示されており、それによると記録層がCoPtとTa2O5の複合ターゲットを用いたスパッタ蒸着により形成された場合、記録層は約3000 Oeの保磁力Hcを有し、スパッタ中に酸素ガスを導入しても保磁力Hcの増加はみられなかったと記されている。
上記の二つの文献においては、加えられた酸素の量は、化学量的な金属酸化物に必要とされる酸素量よりも多かったとは言えない。アルゴン/酸素（Ar/O2）ガス混合系においてCoPtCrグラニュラ合金に更に多くの酸素をCoPtCr-SiO2複合ターゲットを用いた反応性スパッタ蒸着により加えることによる効果は非特許文献３に記されている。この文献は記録層における最適量の酸素量である15原子パーセント(at.%)において保磁力Hcが約4000 Oeと最大になると教示している。Crのごく一部が酸化物となっているものの、記録層にSiO2が存在するかははっきりしない。酸素量が上記の最適量まで増えた場合、余剰の酸素は粒子中のCr、Coと酸化物を形成し、保磁力Hcが減少するが、酸素量が21 at.%では保磁力Hcが約1000 Oeまで減少し記録層として機能しなくなる。
CoPtCrグラニュラ合金から成る記録層を有する垂直磁気記録ディスクであって、当該記録層の核形成磁界Hnが約-1500 Oe以上（絶対値が1500以上）であり、当該記録層が十分に単離された微粒子構造を有することによりSN比が高く、保磁力Hcが約5000 Oeよりも大きい、垂直磁気記録ディスクが要望されている。
本発明は改良された記録層を有する垂直磁気記録ディスク、及び、当該ディスク、記録ヘッド、再生ヘッドを有する垂直磁気記録装置に関する。本発明の記録層は、Crの一種以上の酸化物及びSi、Ta、Ti、B、Nb、Hfのセグレガントから選ばれる一種以上により形成される一種以上の酸化物から成る粒間材料を有するグラニュラCoPtCr強磁性合金層であり、当該記録層中に存在する酸素量が約22原子パーセントよりも多く約35原子パーセントよりも少ないことを特徴とする。本発明の記録層中に存在する酸素量は、セグレガントの化学量論的酸化物の形成に必要な酸素量よりも実質的に多く、又、記録層中に存在する酸素の大部分は粒間材料に含まれている。単一のセグレガントのみが付加され、そのためCrの一種以上の酸化物以外で粒間材料に含まれる酸化物としてはSi、Ta、Ti、B、Nb、Hfから選ばれた元素一種類のみから形成される酸化物のみとなることが好ましい。そのような記録層はSN比が大きく、保磁力Hcが約5000 Oeよりも大きく、且つ、核形成磁界Hnが約-1500 Oeよりも大きい（負の方に大きい）。
本発明の本質や効果を理解するために、以下に図面を参照しながら本発明を詳細に説明する。
本発明の本質や効果を理解するために、以下に図面を参照しながら本発明を詳細に説明する。
本発明によれば、CoPtCrグラニュラ合金から成る記録層を有する垂直磁気記録ディスクであって、当該記録層の核形成磁界Hnが約-1500 Oe以上（絶対値が1500以上）であり、当該記録層が十分に単離された微粒子構造を有することによりSN比が高く、保磁力Hcが約5000 Oeよりも大きい、垂直磁気記録ディスクを提供することができる。
本発明の垂直磁気記録ディスクの一例を図４に示す。本発明の垂直磁気記録ディスクの構成は記録層の組成以外は図２に示された従来の垂直磁気記録ディスクの構成と似ていることがわかる。
図４に示されるように、本発明の垂直磁気記録ディスクを形成する種々の層がハードディスク基板上に形成されている。本発明の基板としては市販のガラス基板を用いることができるが、公知のアルミニウム合金の表面にNiP等の公知の表面被覆を施した基板を用いてもよく、或いは、シリコン、カナサイト、炭化ケイ素からなる基板を用いてもよい。軟磁性下地層は、基板上に配置されるが、直接基板上に設けてもよく、あるいは接着層即ちオンセット層上に直接設けてもよい。オンセット層を設けることにより軟磁性下地層を容易に形成することができる。オンセット層はAlTi合金やそれに類した材料により約20〜50オングストロームの厚さで形成することができる。軟磁性下地層は、軟磁性層aと軟磁性層b（図４参照）の間の反強磁性交換結合を仲立ちする反強磁性カップリング層として機能する中間層（Ru、Ir、Cr等）により隔てられた複数の軟磁性層(軟磁性層a、軟磁性層b)が積層されて形成される。このような軟磁性下地層は米国特許第6,686,070号明細書や米国特許第6,835,475号明細書に記載されている。尚、軟磁性下地層は単層構成であってもよく、又、軟磁性下地層はAｌやCoCr等の導電性膜のような非磁性膜により隔てられた複数の軟磁性層が積層化或いは多層化されて形成されてもよい。軟磁性下地層はCoNiFe、FeCoB、CoCuFe、NiFe、FeAlSi、FeTaN、FeN、FeTaC、CoTaZr、CoFeB、CoZrNb合金等の非晶質の磁気透過性材料により形成される。軟磁性下地層の厚さは、通常は約500〜4000オングストロームである。記録層上に設けられる保護膜は、非晶質のダイヤモンド状炭素或いは窒化ケイ素等の公知の保護膜材料により形成することができる。
図４に示されるように、本発明の垂直磁気記録ディスクを形成する種々の層がハードディスク基板上に形成されている。本発明の基板としては市販のガラス基板を用いることができるが、公知のアルミニウム合金の表面にNiP等の公知の表面被覆を施した基板を用いてもよく、或いは、シリコン、カナサイト、炭化ケイ素からなる基板を用いてもよい。軟磁性下地層は、基板上に配置されるが、直接基板上に設けてもよく、あるいは接着層即ちオンセット層上に直接設けてもよい。オンセット層を設けることにより軟磁性下地層を容易に形成することができる。オンセット層はAlTi合金やそれに類した材料により約20〜50オングストロームの厚さで形成することができる。軟磁性下地層は、軟磁性層aと軟磁性層b（図４参照）の間の反強磁性交換結合を仲立ちする反強磁性カップリング層として機能する中間層（Ru、Ir、Cr等）により隔てられた複数の軟磁性層(軟磁性層a、軟磁性層b)が積層されて形成される。このような軟磁性下地層は米国特許第6,686,070号明細書や米国特許第6,835,475号明細書に記載されている。尚、軟磁性下地層は単層構成であってもよく、又、軟磁性下地層はAｌやCoCr等の導電性膜のような非磁性膜により隔てられた複数の軟磁性層が積層化或いは多層化されて形成されてもよい。軟磁性下地層はCoNiFe、FeCoB、CoCuFe、NiFe、FeAlSi、FeTaN、FeN、FeTaC、CoTaZr、CoFeB、CoZrNb合金等の非晶質の磁気透過性材料により形成される。軟磁性下地層の厚さは、通常は約500〜4000オングストロームである。記録層上に設けられる保護膜は、非晶質のダイヤモンド状炭素或いは窒化ケイ素等の公知の保護膜材料により形成することができる。
軟磁性下地層の上に設けられる非磁性下地層は、グラニュラ記録層の六方最密結晶方位を制御するために、六方最密(hcp)結晶構造を有する非磁性金属或いは合金である。そのような下地層は、六方最密(hcp)グラニュラ記録層のエピタキシャル成長を助長し、c軸が層平面に実質的に垂直な方向に配向され、その結果、垂直磁気異方性を有することとなる。下地層の材料としてはルテニウム(Ru)がよく用いられるが、Ti、Re、Osから選ばれる金属やTi、Re、Ru、Osから選ばれる少なくとも一種の元素を含む合金等の他の材料も用いることができる。下地層の厚さは通常、約70〜220オングストロームである。下地層の材料としてルテニウムを用いた場合、下地層は、軟磁性下地層の上に例えばNiFeにより10〜20オングストロームの厚さに形成されたシード層の上に直接形成することができる。
記録層は、Crの一種以上の酸化物及びM(MはSi、Ta、Ti、B、Nb)セグレガント(segregant)から選ばれる一種以上により形成される一種以上の酸化物から成る粒間材料を有するグラニュラCoPtCr強磁性合金層である。ここで、記録層中に存在する酸素量は約22原子パーセントよりも多く約35原子パーセントよりも少ない。この酸素量は、化学量論において上記Mの一種以上の酸化物の形成に必要な酸素量よりも実質的に多く、かつ、記録層中に存在する酸素の大部分（70％超）は上記粒間材料に含まれている。前記粒間材料中の前記Mの一種以上の酸化物としてはSi、Ta、Ti、B、Nbから選ばれた元素一種類のみから形成される酸化物であることが好ましい。そのような記録層はSN比が大きく、保磁力Hcが約5000 Oeよりも大きく、且つ、核形成磁界Hnが約-1500 Oeよりも（負の方に）大きい。
種々の組成の記録層をアルゴン/酸素（Ar/O2）ガス混合系においてマルチターゲットスパッタ源であるUnaxis社のTriatronを用いた反応性スパッタリングにより形成した。スパッタ源は図５に示されているように三つの同心配置のターゲットを有し、それらのターゲットはそれぞれが独自の電源を有している。上記の種々の組成物を形成するために、内側のターゲットは前記Mの化学量論酸化物材料、M-O(SiO2、Ta2O5、TiO2、Nb2O3)或いは前記Mの単体（B）とした。中間のターゲットはCrPt合金（Cr52Pt48或いはCr56Pt44、下付き文字は原子パーセント(at.%)を表す）、外側のターゲットはCoとした。
前記のM-Oターゲットには酸素が存在するものの、高性能な磁気特性を有する記録層を形成するためには実質的にはそれ以上の酸素が必要である。そのような条件はアルゴン/酸素（Ar/O2）ガス混合系における酸素分圧を調整することにより達成される。図６は５種の異なる酸素分圧にて蒸着を行って得た５種の記録層（内側のM-OターゲットとしてTa2O5を使用）について測定した保磁力Hc及び核形成磁界Hnを示している。内側のM-O或いはMターゲットとして異なるものを用いて実験を行った場合それぞれで類似のカーブが得られるが、その代表的なものが図６に示されている。図６のそれぞれのカーブ上のデータポイントは最適な保磁力Hcと核形成磁界Hnを有する記録層を得ることのできる酸素分圧を表している。そのように最適化して得た記録層を有するディスクはラザフォード・バック・スキャッタリング（RBS）及び荷電粒子励起X線分析（PIXE）といった標準的な方法を用いて酸素量や組成を分析した。得られたデータは下記の表１に示される。
図６のような曲線は、保磁力Hcが約5500 Oeよりも大きく、且つ、核形成磁界Hnが約-2000 Oeよりも大きい記録層を得るための記録層中の酸素量の範囲を決定するためにも用いられた。いずれの場合においても、この範囲は約22〜35原子パーセントの間となった。記録層中の酸素量は前記の化学量論酸化物材料M-Oの形成に必要な酸素量よりも実質的に多く、又、Cr酸化物の大部分は粒子間に形成される。表１に示された記録層は標準的な方法である電子エネルギー損失分光法（EELS）によっても分析され、本質的にはCr、M、Oのみが粒界近くの粒間材料内に存在し、記録層中に存在する酸素の70％超は粒間材料内に存在するという結果が得られた。この高酸素量を考慮すると、このデータはCrの大部分が粒間材料中に酸化物として存在していることを実質的に確認していると言える。
表１に示された記録層に加えて、マルチターゲットスパッタ源における複数のターゲットそれぞれに対する電力を変化させ、Mセグレガントの量を変化させた複数のサンプルをさらに形成し、望ましい磁気特性を有した記録層を得ることのできるMセグレガント組成の範囲を特定した。そのような最適なセグレガントの範囲としては、Siが約2〜9原子パーセント、Taが約2〜5原子パーセント、Tiが約4〜10原子パーセント、Bが約3〜7原子パーセント、Nbが約2〜5原子パーセントとの結果が得られた。
マルチターゲットスパッタ源における内側のターゲットがM-O或いはM元素のみを含んでいたので、表１に示された記録層には一種のM単体のみが存在したこととなる。しかしながら、Si、Ta、Ti、B、Nbの一種以上の元素を用いて他の複合スパッタ源を作成し、記録層がＭセグレガントから選ばれる二種以上の元素を含有するようにすることにより、粒間材料にCrの一種以上の酸化物に加えてすべてのセグレガントの一種以上の酸化物を含有させることもよく知られている。
次に、M−セグレガントとしてハフニウム（Hf）を用いて、記録層を上記同様に反応性スパッタリングにより形成した。そのようにして得たHfを含有する記録層に関しては表１に示されるような詳細なデータは得られなかったが、Co-Pt-Cr-Hf-O記録層において実用上問題のない程度の記録性能が得られた。
以上の実験結果は図４に示されたような単層構成の記録層について実験したものであるが、本発明の組成の記録層は図３に示されるように反強磁性結合層を備えた垂直磁気記録ディスクにおける上部強磁性層として用いられてもよい。
以上のように、本発明を好ましい実施態様に即して詳細に記載したが、当業者であればこの発明の精神と範囲から逸脱しない範囲内で発明の形態や詳細を変更することが可能である。従って、本明細書に開示された発明は単なる実施例として理解し、本発明は添付の請求項に記載された範囲にのみ限定されると理解すべきものである。
Claims (26)
- 基板と、
前記基板上に形成された非磁性下地層と、
前記非磁性下地層上に形成され、垂直磁気異方性を有するCoPtCr強磁性合金の粒子と、Crの一種以上の酸化物及びSi、Ta、Ti、B、Nb及びHfから選ばれる一種以上により形成される一種以上の酸化物を含む粒間材料とを有する垂直磁気記録層と、を有し、
前記記録層中に存在する酸素の量が約２２原子パーセントより多く、かつ約３５原子パーセントより少ないことを特徴とする垂直磁気記録ディスク。 - 前記粒間材料は、Crの一種以上の酸化物及びSi、Ta、Ti、B及びNbから選ばれる一種の元素の一種以上の酸化物から実質的に成ることを特徴とする請求項１に記載の垂直磁気記録ディスク。
- 前記粒間材料は、Crの一種以上の酸化物及びSiの一種以上の酸化物から実質的に成り、前記記録層中に存在するSiの量が約２原子パーセントより多く、かつ約９原子パーセントより少ないことを特徴とする請求項１に記載の垂直磁気記録ディスク。
- 前記粒間材料は、Crの一種以上の酸化物及びTaの一種以上の酸化物から実質的に成り、前記記録層中に存在するTaの量が約２原子パーセントより多く、かつ約５原子パーセントより少ないことを特徴とする請求項１に記載の垂直磁気記録ディスク。
- 前記粒間材料は、Crの一種以上の酸化物及びTiの一種以上の酸化物から実質的に成り、前記記録層中に存在するTiの量が約４原子パーセントより多く、かつ約１０原子パーセントより少ないことを特徴とする請求項１に記載の垂直磁気記録ディスク。
- 前記粒間材料は、Crの一種以上の酸化物及びBの一種以上の酸化物から実質的に成り、前記記録層中に存在するBの量が約３原子パーセントより多く、かつ約７原子パーセントより少ないことを特徴とする請求項１に記載の垂直磁気記録ディスク。
- 前記粒間材料は、Crの一種以上の酸化物及びNbの一種以上の酸化物から実質的に成り、前記記録層中に存在するNbの量が約２原子パーセントより多く、約５原子パーセントより少ないことを特徴とする請求項１に記載の垂直磁気記録ディスク。
- 前記記録層中に存在する酸素の約７０パーセント以上が前記粒間材料中にあることを特徴とする請求項１に記載の垂直磁気記録ディスク。
- 前記記録層は、約5000 Oeより大きな保磁力Hcを有することを特徴とする請求項１に記載の垂直磁気記録ディスク。
- 前記記録層は、約1500 Oeより大きな核形成磁界Hnを有することを特徴とする請求項１に記載の垂直磁気記録ディスク。
- 前記垂直磁気記録層は反強磁性結合層の上部強磁性層であり、前記反強磁性結合層は下地層上に形成されたコバルト合金を含む下部強磁性層と、前記下部強磁性層上に形成された非磁性反強磁性カップリング層と、前記反強磁性カップリング層上に形成された前記上部強磁性層とを含むことを特徴とする請求項１に記載の垂直磁気記録ディスク。
- 前記反強磁性結合層に含まれる前記非磁性反強磁性カップリング層は、ルテニウム(Ru)、クロミウム(Cr)、ロジウム(Rh)、イリジウム(Ir)、銅(Cu)及びそれらの合金から選ばれる材料により形成されていることを特徴とする請求項１１に記載の垂直磁気記録ディスク。
- 前記下地層は、Ru、Ti、Re、Os並びにRu、Ti、Re及びOsの一種以上の合金から選ばれる材料により形成されてなることを特徴とする請求項１に記載の垂直磁気記録ディスク。
- 更に前記基板と前記下地層との間に磁気透過性材料から成る層を有することを特徴とする請求項１に記載の垂直磁気記録ディスク。
- 前記磁気透過性材料から成る層は、CoFe、CoNiFe、NiFe、FeCoB、CoCuFe、FeAlSi、FeTaN、FeN、FeTaC、CoTaZr及びCoZrNbの合金から選ばれる材料により形成されてなることを特徴とする請求項１４に記載の垂直磁気記録ディスク。
- 前記磁気透過性材料から成る層は、非磁性膜により分離された複数の磁気透過性膜の積層体であることを特徴とする請求項１４に記載の垂直磁気記録ディスク。
- 前記積層体における前記非磁性膜は、前記積層体中の前記磁気透過性膜同士の反強磁性結合を引き起こしていることを特徴とする請求項１６に記載の垂直磁気記録ディスク。
- 基板と、
前記基板上に形成された磁気透過性材料から成る層と、
前記磁気透過性材料から成る層上に設けられた、六方最密(hcp)結晶構造を有する非磁性下地層と、
前記下地層上に設けられたグラニュラ磁気記録層であって、グラニュラ磁気記録層に実質的に垂直に配向されたc軸を備えた六方最密(hcp)結晶構造を有するグラニュラ磁気記録層と、を有し
前記グラニュラ磁気記録層がCo、Pt、Cr、及び、Crの一種以上の酸化物及びSi、Ta、Ti、B、Nb及びHfから選ばれる元素の一種以上の酸化物を含有し、前記グラニュラ磁気記録層中に存在する酸素の量が約２２原子パーセントより多く、かつ約３５原子パーセントより少なく、前記グラニュラ磁気記録層が約5000 Oeより大きな保磁力Hc及び約1500 Oeより大きな核形成磁界Hnを有することを特徴とする垂直磁気記録ディスク。 - 前記Crの一種以上の酸化物及び前記Si、Ta、Ti、B、Nb及びHfから選ばれる元素の一種以上の酸化物が前記グラニュラ磁気記録層の粒子の間に主として存在することを特徴とする請求項１８記載の垂直磁気記録ディスク。
- 前記グラニュラ磁気記録層中に存在する酸素の約７０パーセント超が前記粒子の間に存在することを特徴とする請求項１９に記載の垂直磁気記録ディスク。
- 前記Si、Ta、Ti、B、Nb及びHfから選ばれる元素として選ばれた元素はSiであって、前記グラニュラ磁気記録層中に存在するSiの量が約２原子パーセントより多く、約９原子パーセントより少ないことを特徴とする請求項１８に記載の垂直磁気記録ディスク。
- 前記Si、Ta、Ti、B、Nb及びHfから選ばれる元素として選ばれた元素はTaであって、前記グラニュラ磁気記録層中に存在するTaの量が約２原子パーセントより多く、約５原子パーセントより少ないことを特徴とする請求項１８に記載の垂直磁気記録ディスク。
- 前記Si、Ta、Ti、B、Nb及びHfから選ばれる元素として選ばれた元素はTiであって、前記グラニュラ磁気記録層中に存在するTiの量が約４原子パーセントより多く、約１０原子パーセントより少ないことを特徴とする請求項１８に記載の垂直磁気記録ディスク。
- 前記Si、Ta、Ti、B、Nb及びHfから選ばれる元素として選ばれた元素はBであって、前記グラニュラ磁気記録層中に存在するBの量が約３原子パーセントより多く、約７原子パーセントより少ないことを特徴とする請求項１８に記載の垂直磁気記録ディスク。
- 前記Si、Ta、Ti、B、Nb及びHfから選ばれる元素として選ばれた元素はNbであって、記録層中に存在するNbの量が約２原子パーセントより多く、約５原子パーセントより少ないことを特徴とする請求項１８に記載の垂直磁気記録ディスク。
- 請求項１８に記載の垂直磁気記録ディスクと、
前記垂直磁気記録ディスクの前記グラニュラ磁気記録層中の複数領域を磁化するための記録ヘッドと、
前記磁化された領域間の遷移を検出するための再生ヘッドと、
を有することを特徴とする垂直磁気記録装置。
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