JP2006330232A - リフトオフ用ポジ型フォトレジスト組成物 - Google Patents
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Abstract
【課題】 有機溶媒を使用することなくオゾン水によりレジスト剥離を容易に行うことができ、例えば半導体用基板や液晶用基板上に、リフトオフ法により加工性および信頼性の高い配線パターンを形成することを可能とするリフトオフ用ポジ型フォトレジスト組成物を提供する。
【解決手段】 主鎖が下記式(1)で表される構造を有し、かつポリスチレン換算重量平均分子量が2000〜10000の範囲にあるノボラック樹脂と、ノボラック樹脂をナフトキノンジアジド系感光剤により変性させたエステル化物であり、かつエステル化率が3〜10%の範囲にあるナフトキノンジアジド変性樹脂とを含有する、リフトオフ用ポジ型フォトレジスト組成物。
−(CH2−C6H4-x(OH)x−CH2−C6H3-y(OH)(CH3)y)z−・・・式(1)
上記式(1)中、xは2又は3、yは0、1、2又は3、zは1以上の整数を表す。
【選択図】 なし
【解決手段】 主鎖が下記式(1)で表される構造を有し、かつポリスチレン換算重量平均分子量が2000〜10000の範囲にあるノボラック樹脂と、ノボラック樹脂をナフトキノンジアジド系感光剤により変性させたエステル化物であり、かつエステル化率が3〜10%の範囲にあるナフトキノンジアジド変性樹脂とを含有する、リフトオフ用ポジ型フォトレジスト組成物。
−(CH2−C6H4-x(OH)x−CH2−C6H3-y(OH)(CH3)y)z−・・・式(1)
上記式(1)中、xは2又は3、yは0、1、2又は3、zは1以上の整数を表す。
【選択図】 なし
Description
本発明は、例えば半導体用基板や液晶用基板上に配線パターンを形成する際に用いられるリフトオフ用ポジ型フォトレジスト組成物に関し、より詳細には、リフトオフ法により加工性および信頼性の高い配線パターンを形成することを可能とするリフトオフ用ポジ型フォトレジスト組成物に関する。
従来より、半導体用基板や液晶用基板上にアルミニウム電極等の配線パターンを形成する際には、ドライエッチングやウエットエッチング等のエッチング処理が施されている。
下記非特許文献1には、基板の表面にエッチング処理を施し、配線パターンを形成する方法が示されている。非特許文献1では、スパッタリング又は蒸着により基板上に金属層を形成し、金属層上にレジスト膜をパターン状にさらに形成した後に、金属層上のレジスト膜の非形成部分にエッチング処理が施されている。しかる後、剥離液を用いてレジスト膜を剥離することにより、配線パターンが形成されている。
非特許文献1では、金属層が金やタンタル等からなる場合には、エッチングを効果的に行うことができず、配線パターンの形成が困難であった。
近年、金属層が金やタンタル等からなる場合にも配線パターンを容易に形成し得るように、配線パターンの形成にリフトオフ法が用いられてきている。
リフトオフ法では、基板上にレジスト膜をパターン状に形成し、レジスト膜の非形成部分及びレジスト膜上にスパッタリングまたは蒸着により金などからなる金属層をさらに形成する。しかる後、剥離液を用いてレジスト膜およびその上に形成されている金属層を剥離し、レジスト膜の非形成部分のみに金属層を残留させて、配線パターンが形成される。リフトオフ法では、レジスト膜の剥離とともにレジスト膜上に形成された金属層が基板から剥離するため、エッチングが困難な金やタンタル等の金属からなる配線パターンを容易に形成することができる。
しかしながら、リフトオフ法により配線パターンを形成する際に、一般的なポジ型のレジスト組成物が用いられた場合には、レジスト膜のエッジ角は通常90から100度程度となるため、スパッタリングまたは蒸着により金属層を形成する際に、レジスト膜の側面にも金属層が形成されがちであった。レジスト膜の側面に金属層が形成された場合には、剥離液によりレジスト膜が容易に剥離しないことがあり、配線パターンを形成することが困難であった。また、レジスト膜を剥離し得たとしても金属のバリが残留し、精度のよい配線パターンを形成することは困難であった。
そこで、レジスト膜の側面に金属層が形成された場合にもレジスト膜を容易に剥離し得るように、レジスト膜のエッジ部分を逆テーパー状の形状とすることが可能なネガ型のレジスト組成物が開発されている。
下記特許文献1には、オーバーハング状または逆テーパー状のレジスト膜を形成することが可能なネガ型感光性組成物が示されている。特許文献1に記載のネガ型感光性組成物は、(A)光線により露光、または露光と引き続く熱処理によって架橋する成分、(B)アルカリ可溶性樹脂、および(C)露光する光線を吸収する化合物を少なくとも1種含んでいる。このネガ型感光性組成物では、現像液としてアルカリ性水溶液が用いられる。
特開平5−165218号公報
VLSI製造技術、日経BP社、1989年、259頁
しかしながら、特許文献1に記載のネガ型感光性組成物はネガ型のレジスト組成物であるため、ポジ型のレジスト組成物よりも解像度に劣りがちであった。さらに、特許文献1に記載のネガ型感光性組成物では、露光後に架橋する性質を有するためレジスト膜自体の剥離性に劣ることがあった。
他方、ポジ型のレジスト組成物では、ネガ型のレジスト組成物よりも耐熱性に劣りがちであった。さらに、ポジ型のレジスト組成物を用いた場合には、現像条件が限定的となりがちであった。
また、レジスト膜を剥離する際には、従来、アセトン等の有機溶媒が用いられており、環境に対する負荷が大きかった。さらに、使用後のアセトンを再生し、再利用するには多大なエネルギーが必要であるため、アセトン等を用いずに容易に剥離することが可能なレジスト膜を構成し得るレジスト組成物が求められていた。
本発明の目的は、上述した従来技術の現状に鑑み、有機溶媒を使用することなくオゾン水によりレジスト剥離を容易に行うことができ、例えば半導体用基板や液晶用基板上に、リフトオフ法により加工性および信頼性の高い配線パターンを形成することを可能とするリフトオフ用ポジ型フォトレジスト組成物を提供することにある。
本発明は、ノボラック樹脂とナフトキノンジアジド変性樹脂とを含有し、ノボラック樹脂の主鎖が下記式(1)で表される構造を有し、かつノボラック樹脂のポリスチレン換算重量平均分子量が2000〜10000の範囲にあり、ナフトキノンジアジド変性樹脂は、主鎖が下記式(1)で表される構造を有し、かつポリスチレン換算重量平均分子量が2000〜10000の範囲にあるノボラック樹脂をナフトキノンジアジド系感光剤により変性させたエステル化物であり、ナフトキノンジアジド変性樹脂のエステル化率が3〜10%の範囲にあることを特徴とする。
−(CH2−C6H4-x(OH)x−CH2−C6H3-y(OH)(CH3)y)z−・・・式(1)
上述した式(1)中、xは2又は3、yは0、1、2又は3、zは1以上の整数を表す。
上述した式(1)中、xは2又は3、yは0、1、2又は3、zは1以上の整数を表す。
本発明のある特定の局面では、上述した式(1)中xが2であり、C6H4-x(OH)xで表されるベンゼン環において、2つの水酸基が互いにメタ位となるように結合されている。
本発明の他の特定の局面では、上述した式(1)中xが3であり、C6H4-x(OH)xで表されるベンゼン環において、3つの水酸基がベンゼン環の隣接する3つの炭素にそれぞれ結合されている。
本発明のさらに他の特定の局面では、上述した式(1)中yが0,1又は2であり、C6H3-y(OH)(CH3)yで表されるベンゼン環において、水酸基に対してパラ位となる位置に水素が結合されている。
本発明に係るリフトオフ用フォトレジスト組成物は、ノボラック樹脂とナフトキノンジアジド変性樹脂とを含有する。ノボラック樹脂は、主鎖が上述した式(1)で表される構造を有し、かつポリスチレン換算重量平均分子量が2000〜10000の範囲にある。ナフトキノンジアジド変性樹脂は、主鎖が上述した式(1)で表される構造を有し、かつポリスチレン換算重量平均分子量が2000〜10000の範囲にあるノボラック樹脂をナフトキノンジアジド系感光剤により変性させたエステル化物であり、ナフトキノンジアジド変性樹脂のエステル化率が3〜10%の範囲にある。よって、多くの水酸基を有するノボラック樹脂と、多くの水酸基を有するノボラック樹脂のエステル化物であるナフトキノンジアジド変性樹脂とを用いているため、環境負荷の小さいオゾン水を用いて、レジスト剥離を容易に行うことができる。さらに、本発明のレジスト組成物では、現像性、感度にも優れている。よって、本発明のレジスト組成物では、オゾン水によりレジスト剥離を容易に行うことができ、現像性、感度にも優れているため、レジスト組成物を用いて例えば半導体用基板や液晶用基板上に、加工性および信頼性の高い配線パターンを形成することができる。
上述した式(1)中xが2であり、C6H4-x(OH)xで表されるベンゼン環において、2つの水酸基が互いにメタ位となるように結合されている場合には、レジストパターンの形成に際して表面難溶化層を形成しやすく、リフトオフに好適な形状を構成しやすい。
上述した式(1)中xが3であり、C6H4-x(OH)xで表されるベンゼン環において、3つの水酸基がベンゼン環の隣接する3つの炭素にそれぞれ結合されている場合には、レジストパターンの形成に際して表面難溶化層を形成しやすく、リフトオフに好適な形状を構成しやすい。さらに、C6H4-x(OH)x骨格部分が非対称であるため、例えば1つの水酸基に対して他の2つの水酸基がメタ位となる位置にそれぞれ結合されているC6H4-x(OH)x骨格部分が対称である場合と異なり、無極性有機溶媒に対する溶解性が高い。
上述した式(1)中yが0,1又は2であり、C6H3-y(OH)(CH3)yで表されるベンゼン環において、水酸基に対してパラ位となる位置に水素が結合されている場合には、表面難溶化層をより一層形成しやすく、リフトオフに好適な形状をより一層構成しやすい。
以下、本発明の詳細を説明する。
本発明のリフトオフ用ポジ型フォトレジスト組成物はノボラック樹脂とナフトキノンジアジド変性樹脂とを含有する。
上記ノボラック樹脂は、主鎖が上述した式(1)で表される構造を有し、かつポリスチレン換算重量平均分子量が2000〜10000の範囲にある。
上記ノボラック樹脂は、従来より用いられているノボラック樹脂と比べて、水酸基の数が多くされている。オゾン溶解水によるノボラック樹脂の分解では、オゾンによりノボラック樹脂の酸化が進行する。水酸基の数が多いノボラック樹脂は、オゾンにより分解を受けやすい。よって、本発明のリフトオフ用ポジ型フォトレジスト組成物では、有機溶媒を用いなくても、オゾン水によりレジスト剥離を容易に行うことができる。他方、ネガ型のレジスト組成物ではそれ自体が架橋しており、溶媒による剥離が困難であり、また、環境負荷の低いオゾン水での剥離は困難である。
上述した式(1)中、C6H4-x(OH)xで表されるベンゼン環(以下ベンゼン環Aともいう)を構成するための原料としては、具体的には、カテコール(1,2−ジヒドロキシベンゼン)、レゾルシノール(1,3−ジヒドロキシベンゼン)、ヒドロキノン(1,4−ジヒドロキシベンゼン)、ピロガロール(1,2,3−トリヒドロキシベンゼン)、1,2,4−トリヒドロキシベンゼン、または1,3,5−トリヒドロキシベンゼンが挙げられる。これらは、単独で用いられてもよく、2種以上が併用されてもよい。
上述した式(1)中、C6H3-y(OH)(CH3)yで表されるベンゼン環(以下ベンゼン環Bともいう)を構成するための原料としては、フェノール、m−クレゾール、3,5−キシレノール、p−クレゾール、3,4−キシレノールが挙げられる。これらは、単独で用いられてもよく、2種以上が併用されてもよい。
ノボラック樹脂は、例えば上述したベンゼン環Bを構成する原料において、水酸基に対する2つのオルト位に定法によりメチロール基を結合させた後に、上述したベンゼン環Aを構成するための原料と交互共重合させて得ることができる。
上記ベンゼン環Aを構成するための原料として、レゾルシノールまたはピロガロールを用い、上記ベンゼン環Bを構成するための原料として、フェノール、m−クレゾールまたは3,5−キシレノールを用いてノボラック樹脂を構成すると、レジストパターンの形成に際して表面を難溶化層とすることができるため好ましい。
上述した式(1)中xが2であり、C6H4-x(OH)xで表されるベンゼン環において、2つの水酸基が互いにメタ位となるように結合されている、すなわち一方の水酸基に対して他方の水酸基がメタ位となるように結合されているノボラック樹脂は、上記ベンゼン環Aを構成するための原料として、レゾルシノール(1,3−ジヒドロキシベンゼン)を用いて得ることができる。このノボラック樹脂では、レジストパターンの形成に際して表面難溶化層を形成しやすく、リフトオフに好適な形状を構成し易くなる。
上述した式(1)中xが3であり、C6H4-x(OH)xで表されるベンゼン環において、3つの水酸基がベンゼン環の隣接する3つの炭素にそれぞれ結合されているノボラック樹脂は、上記ベンゼン環Aを構成するための原料として、ピロガロール(1,2,3−トリヒドロキシベンゼン)を用いて得ることができる。このノボラック樹脂では、レジストパターンの形成に際して表面難溶化層を形成しやすく、リフトオフに好適な形状を構成し易くなる。
上述した式(1)中yが0,1又は2であり、C6H3-y(OH)(CH3)yで表されるベンゼン環において、水酸基に対してパラ位となる位置に水素が結合されているノボラック樹脂は、上記ベンゼン環Bを構成するための原料として、フェノール、m−クレゾールまたは3,5−キシレノールを用いて得ることができる。このノボラック樹脂では、レジストパターンの形成に際して表面難溶化層をより一層形成しやすく、リフトオフに好適な形状をより一層構成し易くなる。
ノボラック樹脂を構成するに際して、上記ベンゼン環Aを構成するための原料と、上記ベンゼン環Bを構成するための原料との比は、モル比で1:0.5〜1:1が好ましく、1:0.65〜1:0.9がより好ましい。上記ベンゼン環Bを構成するための原料の割合が0.5より少ないと、ポリスチレン換算重量平均分子量が2000未満になることがあり、1より多いと、ポリスチレン換算重量平均分子量が10000を超えることがある。モル比が1:0.65〜1:0.9である場合には、ノボラック樹脂のポリスチレン換算重量平均分子量重量を2000〜10000の範囲とすることが容易である。
上記ノボラック樹脂のポリスチレン換算重量平均分子量は2000〜10000の範囲にある。ポリスチレン換算重量平均分子量が2000未満であると、解像度が低くなり、ポリスチレン換算重量平均分子量が10000を超えると、現像が困難になる。
上記ナフトキノンジアジド変性樹脂は上記ノボラック樹脂をナフトキノンジアジド系感光剤により変性させたエステル化物であり、そのエステル化率は3〜10%の範囲にある。エステル化率が3%より低いと、現像が困難なことがあり、10%より高いと感度が低くなることがある。
上記ナフトキノンジアジド変性樹脂としては、1,2−ベンゾキノンジアジド−4−スルホニル基、1,2−ナフトキノンジアジド−4−スルホニル基、1,2−ナフトキノンジアジド−5−スルホニル基、2,1−ナフトキノンジアジド−4−スルホニル基、2,1−ナフトキノンジアジド−5−スルホニル基、2,1−ナフトキノンジアジド−6−スルホニル基、2,1−ナフトキノンジアジド−7−スルホニル基、2,1−ナフトキノンジアジド−8−スルホニル基等を有するノボラック樹脂が挙げられる。ナフトキノンジアジド変性樹脂は、これらの基を単独で有していてもよく、2種以上を有していてもよい。これらの中で、特に1,2−ナフトキノンジアジド−4−スルホニル基、1,2−ナフトキノンジアジド−5−スルホニル基が好適である。
上記ナフトキノンジアジド変性樹脂として1,2−ナフトキノンジアジド−4−スルホニル基を有するノボラック樹脂を用いた場合には、レジスト組成物では、特に330から420nmの範囲の波長の紫外線の照射に対して高感度、高解像度となる。上記ナフトキノンジアジド変性樹脂として1,2−ナフトキノンジアジド−5−スルホニル基を有するノボラック樹脂を用いた場合には、レジスト組成物では、特に330から450nmの範囲の波長の紫外線の照射に対して高解像度のパターンプロファイルが得られる。
上記ナフトキノンジアジド変性樹脂は、上記ノボラック樹脂100重量部に対し、10〜25重量部の範囲で配合されることが好ましい。ナフトキノンジアジド変性樹脂が10重量部未満であると解像度が悪くなることがあり、25重量部より多いと感度が低下することがある。
上記エステル化率はエステル化前のノボラック樹脂の水酸基の水素がナフトキノンジアジドスルホニル基で置換される割合であり、この値が、フォトレジストとしての特性に影響を与える。なお、ノボラック樹脂のエステル化反応は、通常、ノボラック樹脂と所定量のナフトキノンジアジド系感光剤とを有機溶媒中、室温下で反応させることにより行われる。
ナフトキノンジアジド系感光剤としては、特に限定されないが、ナフトキノンジアジドスルホン酸クロライド、ナフトキノンジアジドスルホン酸と多価フェノールとのエステル、例えば、1,2−ナフトキノン−ジアジド−5−スルホン酸と2,3,4−トリヒドロキシベンゾフェノンとのエステルや1,2−ナフトキノン−ジアジド−5−スルホン酸と2,3,4,4′−テトラヒドロキシベンゾフェノンとのエステル等が挙げられる。
本発明は、上述した特定の原料から合成されたノボラック樹脂にナフトキノンジアジド系感光剤をエステル結合させたナフトキノンジアジド変性樹脂を感光性材料として使用するものである。
本発明のレジスト組成物は、ノボラック樹脂とナフトキノンジアジド変性樹脂とを含むが、ナフトキノンジアジド変性樹脂を構成する際に用いられるノボラック樹脂は、レジスト組成物に含まれるノボラック樹脂と同じノボラック樹脂であってもよいし、異なるノボラック樹脂であってもよい。また、ナフトキノンジアジド変性樹脂を構成するに際しては、本発明の効果を阻害しない範囲で他の材料が添加されてもよく、例えばエステル化反応しない感光剤が添加されてもよい。
本発明のレジスト組成物には、本発明の範囲内で2種以上のノボラック樹脂が含まれていてもよく、2種以上の上記ナフトキノンジアジド変性樹脂が含まれていてもよい。
本発明のレジスト組成物には、上記ノボラック樹脂及びナフトキノンジアジド変性樹脂を溶解させる溶剤が好ましくは添加される。溶剤としては、THF等が好適に用いられる。
なお、本発明のレジスト組成物では、ストリエーションの塗布不良を改善するため、ポリオキシエチレンエーテル類、フッ素系アルキルエステル等の界面活性剤が添加されていることが好ましい。界面活性剤は1重量%以下で添加されることがより好ましく、0.01重量%以下で添加されることがさらに好ましい。
本発明のレジスト組成物は、公知の方法に従って基板に塗布、露光、現像等の工程に使用される。基板としては、シリコンウエハー、液晶基板材料等が挙げられる。
基板にレジスト組成物を塗布するに際しては、例えば、先ずノボラック樹脂及びナフトキノンジアジド変性樹脂が合計5〜50重量%となるようにレジスト組成物を有機溶媒に溶解させる。しかる後、スピンコーターを用いて0.3〜5μm程度の膜厚となるようにレジスト組成物を基板に塗布する。スピンコートの回転数は500〜10000回転であることが好ましく、3000〜5000回転であることがより好ましい。レジスト組成物を溶解させる有機溶媒の沸点は、膜厚を均一とするために、100〜200℃の範囲にあることが好ましい。
レジスト組成物を塗布した後、基板をホットプレート上で加熱し、溶媒を除去する。しかる後、マスクを用いて露光し、基板上に所望のパターンを焼き付ける。露光に際しては、436nmであるg線、365nmであるi線、または330〜450nmの波長の光を照射することが好ましい。露光した後、基板は必要に応じて、90〜120℃程度で60〜120秒程度、通常PEB(ポストエクスポージャーベーク)と呼ばれる加熱処理が施される。しかる後、アルカリ水溶液等を用いて現像される。
上記アルカリ水溶液の具体例としては、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド等の第4級アンモニウム塩の水溶液が挙げられる。特に半導体工程では、アルカリ金属によるコンタミネーションを抑制するために、第4級アンモニウムのヒドロキシドが好適に用いられる。
以下、本発明の具体的な実施例及び比較例を挙げることにより、本発明をより詳細に説明する。
下記ノボラック樹脂のポリスチレン換算重量平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィーにより測定された値である。また、ナフトキノンジアジド変性樹脂のエステル化率は仕込量から算出した値である。
(ノボラック樹脂R1の合成)
レゾルシン(1,3−ジヒドロキシベンゼン)110g、2,6−(ビスヒドロキシメチル)−3,4−キシレノール128g、乳酸エチル1600g、p−トルエンスルホン酸0.64gをセパラブルフラスコに入れ、窒素フロー、加熱還流下、常温にて1時間撹拌した。しかる後、130℃にて1時間撹拌し、1時間かけて常温へと冷却した。次に、8リットルのイオン交換水を用いて再沈処理し、60℃にて減圧乾燥して溶媒を除去し、ノボラック樹脂R1を得た。得られたノボラック樹脂R1を、0.1重量%になるようにTHFに溶解させ、ポリスチレン換算重量平均分子量を測定したところ、3900であった。
レゾルシン(1,3−ジヒドロキシベンゼン)110g、2,6−(ビスヒドロキシメチル)−3,4−キシレノール128g、乳酸エチル1600g、p−トルエンスルホン酸0.64gをセパラブルフラスコに入れ、窒素フロー、加熱還流下、常温にて1時間撹拌した。しかる後、130℃にて1時間撹拌し、1時間かけて常温へと冷却した。次に、8リットルのイオン交換水を用いて再沈処理し、60℃にて減圧乾燥して溶媒を除去し、ノボラック樹脂R1を得た。得られたノボラック樹脂R1を、0.1重量%になるようにTHFに溶解させ、ポリスチレン換算重量平均分子量を測定したところ、3900であった。
(ノボラック樹脂R2の合成)
上記ノボラック樹脂R1の合成において、2,6−(ビスヒドロキシメチル)−3,4−キシレノールに替えて2,6−(ビスヒドロキシメチル)−3,5−キシレノールを用いたこと以外は同様にしてノボラック樹脂R2を得た。得られたノボラック樹脂R2のポリスチレン換算重量平均分子量は4100であった。
上記ノボラック樹脂R1の合成において、2,6−(ビスヒドロキシメチル)−3,4−キシレノールに替えて2,6−(ビスヒドロキシメチル)−3,5−キシレノールを用いたこと以外は同様にしてノボラック樹脂R2を得た。得られたノボラック樹脂R2のポリスチレン換算重量平均分子量は4100であった。
(ノボラック樹脂R3の合成)
上記ノボラック樹脂R1の合成において、レゾルシン(1,3−ジヒドロキシベンゼン)110gに替えてピロガロール(1,3,5−トリヒドロキシベンゼン)144gを用いたこと以外は同様にしてノボラック樹脂R5を得た。得られたノボラック樹脂R5のポリスチレン換算重量平均分子量は5500であった。
上記ノボラック樹脂R1の合成において、レゾルシン(1,3−ジヒドロキシベンゼン)110gに替えてピロガロール(1,3,5−トリヒドロキシベンゼン)144gを用いたこと以外は同様にしてノボラック樹脂R5を得た。得られたノボラック樹脂R5のポリスチレン換算重量平均分子量は5500であった。
(ノボラック樹脂R4の合成)
上記ノボラック樹脂R1の合成において、2,6−(ビスヒドロキシメチル)−3,4−キシレノールの配合量を128gから100gに変更したこと以外は同様にしてノボラック樹脂R3を得た。得られたノボラック樹脂R3のポリスチレン換算重量平均分子量は1900であった。
上記ノボラック樹脂R1の合成において、2,6−(ビスヒドロキシメチル)−3,4−キシレノールの配合量を128gから100gに変更したこと以外は同様にしてノボラック樹脂R3を得た。得られたノボラック樹脂R3のポリスチレン換算重量平均分子量は1900であった。
(ノボラック樹脂R5の合成)
上記ノボラック樹脂R1の合成において、2,6−(ビスヒドロキシメチル)−3,4−キシレノールの配合量を128gから167gに変更したこと以外は同様にしてノボラック樹脂R4を得た。得られたノボラック樹脂R4のポリスチレン換算重量平均分子量は11500であった。
上記ノボラック樹脂R1の合成において、2,6−(ビスヒドロキシメチル)−3,4−キシレノールの配合量を128gから167gに変更したこと以外は同様にしてノボラック樹脂R4を得た。得られたノボラック樹脂R4のポリスチレン換算重量平均分子量は11500であった。
(ノボラック樹脂R6の合成)
上記ノボラック樹脂R1の合成において、レゾルシン(1,3−ジヒドロキシベンゼン)に替えてp−クレゾールを用いたこと以外は同様にしてノボラック樹脂R6を得た。得られたノボラック樹脂R6のポリスチレン換算重量平均分子量は4800であった。
上記ノボラック樹脂R1の合成において、レゾルシン(1,3−ジヒドロキシベンゼン)に替えてp−クレゾールを用いたこと以外は同様にしてノボラック樹脂R6を得た。得られたノボラック樹脂R6のポリスチレン換算重量平均分子量は4800であった。
(ノボラック樹脂R7の合成)
上記ノボラック樹脂R1の合成において、レゾルシン(1,3−ジヒドロキシベンゼン)に替えて1,3,5−トリヒドロキシベンゼンを用いたこと以外は同様にしてノボラック樹脂R7を得ようと試みたが、1,3,5−トリヒドロキシベンゼンは所定量乳酸エチルに溶解できず、ノボラック樹脂R7は合成できなかった。
上記ノボラック樹脂R1の合成において、レゾルシン(1,3−ジヒドロキシベンゼン)に替えて1,3,5−トリヒドロキシベンゼンを用いたこと以外は同様にしてノボラック樹脂R7を得ようと試みたが、1,3,5−トリヒドロキシベンゼンは所定量乳酸エチルに溶解できず、ノボラック樹脂R7は合成できなかった。
(ナフトキノンジアジド変性樹脂S1の合成)
上記ノボラック樹脂R1を2.5gと、1,2−ナフトキノンジアジド−4−スルホニルクロライド0.625gと、THF20gとを遮光なすフラスコに入れ、窒素フロー、室温下にて3時間撹拌し、溶液を得た。次に、3時間かけてトリエチルアミンのTHF5%溶液5g(キノンジアジド当量×106%相当)を滴下し、1時間室温にて撹拌した。しかる後、40℃に昇温して1時間さらに撹拌した後、室温に冷却し、ナフトキノンジアジド変性樹脂S1の溶液を得た。ナフトキノンジアジド変性樹脂S1のエステル化率は3%であった。
上記ノボラック樹脂R1を2.5gと、1,2−ナフトキノンジアジド−4−スルホニルクロライド0.625gと、THF20gとを遮光なすフラスコに入れ、窒素フロー、室温下にて3時間撹拌し、溶液を得た。次に、3時間かけてトリエチルアミンのTHF5%溶液5g(キノンジアジド当量×106%相当)を滴下し、1時間室温にて撹拌した。しかる後、40℃に昇温して1時間さらに撹拌した後、室温に冷却し、ナフトキノンジアジド変性樹脂S1の溶液を得た。ナフトキノンジアジド変性樹脂S1のエステル化率は3%であった。
(ナフトキノンジアジド変性樹脂S2の合成)
上記ナフトキノンジアジドS1の合成において、1,2−ナフトキノンジアジド−4−スルホニルクロライドの配合量を1g(12.8%相当)、トリエチルアミンのTHF5%溶液の配合量を8gに変更したこと以外は同様にして、ナフトキノンジアジド変性樹脂S2の溶液を得た。ナフトキノンジアジド変性樹脂S2のエステル化率は12.8%であった。
上記ナフトキノンジアジドS1の合成において、1,2−ナフトキノンジアジド−4−スルホニルクロライドの配合量を1g(12.8%相当)、トリエチルアミンのTHF5%溶液の配合量を8gに変更したこと以外は同様にして、ナフトキノンジアジド変性樹脂S2の溶液を得た。ナフトキノンジアジド変性樹脂S2のエステル化率は12.8%であった。
(ナフトキノンジアジド変性樹脂S3の合成)
上記ナフトキノンジアジドS1の合成において、1,2−ナフトキノンジアジド−4−スルホニルクロライドの配合量を0.25g(2%相当)、トリエチルアミンのTHF5%溶液の配合量を2gに変更したこと以外は同様にして、ナフトキノンジアジド変性樹脂S3の溶液を得た。ナフトキノンジアジド変性樹脂S3のエステル化率は2%であった。
上記ナフトキノンジアジドS1の合成において、1,2−ナフトキノンジアジド−4−スルホニルクロライドの配合量を0.25g(2%相当)、トリエチルアミンのTHF5%溶液の配合量を2gに変更したこと以外は同様にして、ナフトキノンジアジド変性樹脂S3の溶液を得た。ナフトキノンジアジド変性樹脂S3のエステル化率は2%であった。
(実施例および比較例)
上記得られたノボラック樹脂R1〜R6のうち、ノボラック樹脂R1〜R3は、上述した式(1)で示される構造を有し、かつポリスチレン換算重量平均分子量が2000〜10000の範囲にある。
上記得られたノボラック樹脂R1〜R6のうち、ノボラック樹脂R1〜R3は、上述した式(1)で示される構造を有し、かつポリスチレン換算重量平均分子量が2000〜10000の範囲にある。
上記得られたナフトキノンジアジド変性樹脂S1〜S3のうち、ナフトキノンジアジド変性樹脂S1は、上記ノボラック樹脂R1のエステル化物であり、かつエステル化率が3〜10%の範囲にある。
上記ノボラック樹脂R1〜R6とナフトキノンジアジド変性樹脂S1〜S3とを、下記表1に示すように組合わせてリフトオフ用ポジ型フォトレジスト組成物を調製した。なお、ノボラック樹脂100重量部に対して、ナフトキノンジアジド変性樹脂は25重量部となるように配合した。
なお、レジスト組成物の基板への塗布、露光、現像は以下のようにした。
ノボラック樹脂とナフトキノンジアジド変性樹脂との樹脂成分が20重量%となるように、レジスト組成物を乳酸エチルに溶解させ、乳酸エチル溶液を作製した。
スピンコート回転数を3000回転とし、乾燥後の膜厚が1μmとなるように3インチシリコンウエハー上に乳酸エチル溶液を塗布した。その後、乳酸エチル溶液が塗布されたシリコンウエハーを120℃で1分間加熱し、溶媒を除去した。さらに、365nmのi線で露光した後、120℃で1分間さらに加熱し、ポストエクスポージャーベーク(PEB)した。
現像に際しては、0.476重量%のテトラメチルアンモニウムヒドロキシドの水溶液を用いてシリコンウエハーを1分間処理し、その後、純水で洗浄した。
リフトオフ用ポジ型フォトレジスト組成物について、現像性、オゾン分解性、リフトオフ形状、および感度について下記のようにしてそれぞれ評価した。
(現像性)
テトラメチルアンモニウムヒドロキシドの水溶液を用いて、露光部の抜けが1分以内になるようにし、露光部が全部抜けたときの非露光部の膜減り率を観察し、下記評価基準で評価した。
○:膜減り率が3%以下
×:膜減り率が3%より大きい
テトラメチルアンモニウムヒドロキシドの水溶液を用いて、露光部の抜けが1分以内になるようにし、露光部が全部抜けたときの非露光部の膜減り率を観察し、下記評価基準で評価した。
○:膜減り率が3%以下
×:膜減り率が3%より大きい
(オゾン分解性)
100ppmのオゾン水を用いて剥離速度を測定し、下記評価基準で評価した。
○:500nm/分以上
×:500nm/分より遅い
100ppmのオゾン水を用いて剥離速度を測定し、下記評価基準で評価した。
○:500nm/分以上
×:500nm/分より遅い
(リフトオフ形状)
レジスト膜の端部において、レジスト膜と基板面とのなす内角の角度を観察し、下記評価基準で評価した。
○:75度より小さい
×:75度以上
レジスト膜の端部において、レジスト膜と基板面とのなす内角の角度を観察し、下記評価基準で評価した。
○:75度より小さい
×:75度以上
(感度)
必要露光量を測定し、下記評価基準で評価した。
○:250mJ/cm2以下
×:250mJ/cm2より多い
必要露光量を測定し、下記評価基準で評価した。
○:250mJ/cm2以下
×:250mJ/cm2より多い
結果を表1に示す。
(評価結果)
比較例1のレジスト組成物では、ノボラック樹脂の分子量が小さすぎるため、非露光部の溶解を抑止できず、現像できなかった。
比較例1のレジスト組成物では、ノボラック樹脂の分子量が小さすぎるため、非露光部の溶解を抑止できず、現像できなかった。
比較例2のレジスト組成物では、ノボラック樹脂の分子量が大きすぎるため、感度が悪かった。また、ノボラック樹脂の分子量が大きいため、通常に使われるレジストとしての性能が上がり、リフトオフ形状についてはTトップ形状となり難かった。
比較例3のレジスト組成物では、ノボラック樹脂の上記ベンゼン環Aにおける水酸基が1つであるため、オゾン分解性に劣っていた。
比較例4のレジスト組成物では、ナフトキノンジアジド変性樹脂のエステル化率が高すぎるため、感度が悪かった。また、エステル化率が高すぎるため、通常に使われるレジストとしての性能が上がり、リフトオフ形状についてはTトップ形状となり難かった。
比較例5のレジスト組成物では、ナフトキノンジアジド変性樹脂のエステル化率が低すぎるため、非露光部と露光部との溶解度に差がなく、現像できなかった。
Claims (4)
- ノボラック樹脂とナフトキノンジアジド変性樹脂とを含有し、
前記ノボラック樹脂の主鎖が下記式(1)で表される構造を有し、かつ前記ノボラック樹脂のポリスチレン換算重量平均分子量が2000〜10000の範囲にあり、
前記ナフトキノンジアジド変性樹脂は、主鎖が下記式(1)で表される構造を有し、かつポリスチレン換算重量平均分子量が2000〜10000の範囲にあるノボラック樹脂をナフトキノンジアジド系感光剤により変性させたエステル化物であり、前記ナフトキノンジアジド変性樹脂のエステル化率が3〜10%の範囲にあることを特徴とする、リフトオフ用ポジ型フォトレジスト組成物。
−(CH2−C6H4-x(OH)x−CH2−C6H3-y(OH)(CH3)y)z−・・・式(1)
上記式(1)中、xは2又は3、yは0、1、2又は3、zは1以上の整数を表す。 - 前記式(1)中xが2であり、C6H4-x(OH)xで表されるベンゼン環において、2つの水酸基が互いにメタ位となるように結合されている、請求項1に記載のリフトオフ用ポジ型フォトレジスト組成物。
- 前記式(1)中xが3であり、C6H4-x(OH)xで表されるベンゼン環において、3つの水酸基がベンゼン環の隣接する3つの炭素にそれぞれ結合されている、請求項1に記載のリフトオフ用ポジ型フォトレジスト組成物。
- 前記式(1)中yが0,1又は2であり、C6H3-y(OH)(CH3)yで表されるベンゼン環において、水酸基に対してパラ位となる位置に水素が結合されている、請求項1〜3のいずれか1項に記載のリフトオフ用ポジ型フォトレジスト組成物。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005151986A JP2006330232A (ja) | 2005-05-25 | 2005-05-25 | リフトオフ用ポジ型フォトレジスト組成物 |
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---|---|---|---|---|
JP2007304591A (ja) * | 2006-05-08 | 2007-11-22 | Dongjin Semichem Co Ltd | フォトレジスト組成物 |
JP2009222733A (ja) * | 2008-01-25 | 2009-10-01 | Rohm & Haas Electronic Materials Llc | ノボラック樹脂ブレンドを含むフォトレジスト |
-
2005
- 2005-05-25 JP JP2005151986A patent/JP2006330232A/ja active Pending
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