JP2006324571A - 配線基板およびその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】 折り曲げや部品実装を行った場合でも導電性被膜の導電性低下を防ぐことができる配線基板およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 基板5上に配線層8が形成され、配線層8は、導電物およびバインダを含む第1導電性被膜6と、融着銀を含む第2導電性被膜7を備えている。第1導電性被膜6は可撓性を有するため、曲げ力によって第2導電性被膜7が破断した場合でも、第1導電性被膜6が破断するのを防ぐことができる。よって、可撓性基板5が折り曲げられた場合でも、配線層8の電気的接続を確保することができる。
【選択図】 図1
【解決手段】 基板5上に配線層8が形成され、配線層8は、導電物およびバインダを含む第1導電性被膜6と、融着銀を含む第2導電性被膜7を備えている。第1導電性被膜6は可撓性を有するため、曲げ力によって第2導電性被膜7が破断した場合でも、第1導電性被膜6が破断するのを防ぐことができる。よって、可撓性基板5が折り曲げられた場合でも、配線層8の電気的接続を確保することができる。
【選択図】 図1
Description
本発明は、フレキシブル配線基板などの配線基板およびその製造方法に関する。
配線基板としては、銀を含む導電性組成物からなる膜を加熱することによって得られた導電性被膜が、可撓性基板上に形成されたものがある(例えば、特許文献1を参照)。この導電性被膜では、銀粒子どうしの接続により高い導電性が得られる。
特開2003−308730号公報
しかしながら、上記配線基板では、銀粒子どうしの接続が弱いため、基板が折り曲げられると、導電性被膜からなる回路が断線してしまうことがあった。
また、この配線基板上に、NCP(No Conductive Paste)などを用いて部品を加圧し実装すると、この部品の加圧によって導電性被膜が破損し、接続が不安定になることがあった。
導電性被膜を形成するにあたって、導電性組成物を複数回にわたり塗布することによって、導電性被膜を厚く形成し、被膜の強度を高めることは可能であるが、充分な耐久性をもつ導電性被膜は得られていないのが現状である。
本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであって、導電性に優れ、しかも折り曲げや部品実装を行った場合でも安定した電気的接続が得られる導電性被膜を有する配線基板およびその製造方法を提供することを目的とする。
また、この配線基板上に、NCP(No Conductive Paste)などを用いて部品を加圧し実装すると、この部品の加圧によって導電性被膜が破損し、接続が不安定になることがあった。
導電性被膜を形成するにあたって、導電性組成物を複数回にわたり塗布することによって、導電性被膜を厚く形成し、被膜の強度を高めることは可能であるが、充分な耐久性をもつ導電性被膜は得られていないのが現状である。
本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであって、導電性に優れ、しかも折り曲げや部品実装を行った場合でも安定した電気的接続が得られる導電性被膜を有する配線基板およびその製造方法を提供することを目的とする。
本発明の請求項1に係る配線基板は、基板上に配線層が形成された配線基板において、前記配線層が、導電物およびバインダを含む第1導電性被膜と、融着銀を含む第2導電性被膜を備えていることを特徴とする。
本発明の請求項2に係る配線基板は、請求項1において、前記配線層が、第1導電性被膜と第2導電性被膜が交互に積層されていることを特徴とする。
本発明の請求項3に係る配線基板は、請求項1または2において、前記配線層の最表層に、前記第2導電性被膜が配されていることを特徴とする。
本発明の請求項4に係る配線基板は、請求項1〜3のうちいずれか1項において、前記第1導電性被膜の導電物が、金、銀、銅、ニッケル、スズ、亜鉛、カーボンのうち1または2以上からなることを特徴とする。
本発明の請求項5に係る配線基板は、請求項1〜4のうちいずれか1項において、前記第2導電性被膜の融着銀が、銀酸化物粒子と三級脂肪酸銀塩のいずれか一方または両方を加熱することにより得られたものであることを特徴とする。
本発明の請求項2に係る配線基板は、請求項1において、前記配線層が、第1導電性被膜と第2導電性被膜が交互に積層されていることを特徴とする。
本発明の請求項3に係る配線基板は、請求項1または2において、前記配線層の最表層に、前記第2導電性被膜が配されていることを特徴とする。
本発明の請求項4に係る配線基板は、請求項1〜3のうちいずれか1項において、前記第1導電性被膜の導電物が、金、銀、銅、ニッケル、スズ、亜鉛、カーボンのうち1または2以上からなることを特徴とする。
本発明の請求項5に係る配線基板は、請求項1〜4のうちいずれか1項において、前記第2導電性被膜の融着銀が、銀酸化物粒子と三級脂肪酸銀塩のいずれか一方または両方を加熱することにより得られたものであることを特徴とする。
本発明の請求項6に係る配線基板の製造方法は、基板上に、第1および第2の導電性被膜を有する配線層を備えた配線基板を製造する方法であって、導電物およびバインダを含む第1導電性被膜を形成する第1成膜工程と、銀酸化物粒子と三級脂肪酸銀塩のいずれか一方または両方を含む膜を加熱することによって、銀粒子の少なくとも一部が相互に融着された第2導電性被膜を形成する第2成膜工程とを含むことを特徴とする。
本発明の配線基板では、導電物およびバインダを含む第1導電性被膜は可撓性を有するため、外力が加えられた場合にその外力に追従して変形可能である。このため、曲げ力によって第2導電性被膜が破断した場合でも、第1導電性被膜は破断しない。
従って、基板が折り曲げられた場合でも、配線層の電気的接続を確保することができる。
また、配線基板上に部品を実装することによって第2導電性被膜が破損した場合でも、第1導電性被膜が破損することがないので、配線層の電気的接続を確保することができる。
さらには、本発明の配線基板は、融着銀を含む第2導電性被膜を有するので、配線層の導電性を高めることができる。
第2導電性被膜が破断した場合、破断部分では、電流は、導電性に劣る第1導電性被膜のみを通ることになるが、前記破断部分はごく短いため配線層の導電性はほとんど低下しない。従って、基板折り曲げや部品実装による配線層の導電性低下を防ぐことができる。
従って、基板が折り曲げられた場合でも、配線層の電気的接続を確保することができる。
また、配線基板上に部品を実装することによって第2導電性被膜が破損した場合でも、第1導電性被膜が破損することがないので、配線層の電気的接続を確保することができる。
さらには、本発明の配線基板は、融着銀を含む第2導電性被膜を有するので、配線層の導電性を高めることができる。
第2導電性被膜が破断した場合、破断部分では、電流は、導電性に劣る第1導電性被膜のみを通ることになるが、前記破断部分はごく短いため配線層の導電性はほとんど低下しない。従って、基板折り曲げや部品実装による配線層の導電性低下を防ぐことができる。
本発明の製造方法では、第1導電性被膜を形成する第1成膜工程と、銀酸化物粒子と三級脂肪酸銀塩のいずれか一方または両方を含む膜を加熱して銀粒子を相互に融着させた第2導電性被膜を形成する第2成膜工程とを有するので、複雑な工程を経ることなく、配線層を形成できる。従って、上記構成の配線基板を容易に製造できる。
図1は、本発明の配線基板の第1の例を示すものである。
配線基板1は、基材2に、接着剤層3を介してカバー部材4を積層し一体化したものである。
基材2は、可撓性基板5上に配線層8が設けられている。
可撓性基板5としては、ポリエチレンテレフタレート(PET)等のポリエステル、ポリイミドなどの樹脂からなるものを例示できる。
配線基板1は、基材2に、接着剤層3を介してカバー部材4を積層し一体化したものである。
基材2は、可撓性基板5上に配線層8が設けられている。
可撓性基板5としては、ポリエチレンテレフタレート(PET)等のポリエステル、ポリイミドなどの樹脂からなるものを例示できる。
配線層8は、第1導電性被膜6と、その上に形成された第2導電性被膜7とを備えており、例えば抵抗などの部品15と電気的接続が可能なように形成されている。
第1導電性被膜6は、導電物およびバインダを含むものである。
導電物としては、金、銀、銅、ニッケル、スズ、亜鉛、カーボンを使用すると、導電性を高めることができるため好適である。これらは単独で用いることもできるし、2以上を併用することもできる。
導電物の形状は、特に限定されないが、例えば粒子状、フレーク状、粉状、繊維状などとすることができる。導電物の平均粒径は、0.01〜100μmとするのが好ましい。
導電物は、少なくとも一部が互いに接触することによって導電性が確保される。
第1導電性被膜6は、導電物およびバインダを含むものである。
導電物としては、金、銀、銅、ニッケル、スズ、亜鉛、カーボンを使用すると、導電性を高めることができるため好適である。これらは単独で用いることもできるし、2以上を併用することもできる。
導電物の形状は、特に限定されないが、例えば粒子状、フレーク状、粉状、繊維状などとすることができる。導電物の平均粒径は、0.01〜100μmとするのが好ましい。
導電物は、少なくとも一部が互いに接触することによって導電性が確保される。
バインダとしては、アクリル樹脂、酢酸ビニル樹脂、エポキシ樹脂、ポリエステル樹脂などが挙げられる。これらは単独で用いることもできるし、これらのうち2以上の混合物を使用することもできる。
バインダの使用量は、導電物100重量部に対して1〜50重量部、好ましくは5〜30重量部が好適である。使用量がこの範囲より少ないと被膜の柔軟性が低下し、この範囲より多いと導電性が低下する。
バインダは、導電物間に充填され、第1導電性被膜6に可撓性を与える。
図示例では、第1導電性被膜6は、可撓性基板5上に直接形成されている。
バインダの使用量は、導電物100重量部に対して1〜50重量部、好ましくは5〜30重量部が好適である。使用量がこの範囲より少ないと被膜の柔軟性が低下し、この範囲より多いと導電性が低下する。
バインダは、導電物間に充填され、第1導電性被膜6に可撓性を与える。
図示例では、第1導電性被膜6は、可撓性基板5上に直接形成されている。
第2導電性被膜7は、銀粒子の少なくとも一部が相互に融着された構造を有する。このように、相互に融着された銀粒子を融着銀という。
図示例において、第2導電性被膜7は、配線層8の最表層に設けられている。
図示例において、第2導電性被膜7は、配線層8の最表層に設けられている。
カバー部材4は、可撓性を有する樹脂材料、例えばポリエチレンテレフタレート(PET)等のポリエステル、ポリイミドなどの樹脂からなるものを例示できる。カバー部材4には開口部14が形成されており、部品15が実装できるようになっている。
接着剤層3には、エポキシ樹脂などからなる接着剤が使用できる。
接着剤層3には、エポキシ樹脂などからなる接着剤が使用できる。
次に、配線基板1を製造する方法を説明する。
可撓性基板5上に、次のようにして第1導電性被膜6を形成する。
まず、上記導電物およびバインダを含む第1導電性組成物を調製する。第1導電性組成物としては、銀粒子とバインダとを含む銀ペーストが好ましい。第1導電性組成物は、上記導電物およびバインダのほかに、分散媒、硬化剤、触媒などを配合してもよい。
分散媒としては、エタノール、エタノール、プロパノール、テトラヒドロフラン、イソホロン、テルピネオール、トリエチレングリコールモノブチルエーテル、ブチルセロソルブアセテートなどの有機溶剤を用いてもよいし、水を用いてもよい。
可撓性基板5上に、次のようにして第1導電性被膜6を形成する。
まず、上記導電物およびバインダを含む第1導電性組成物を調製する。第1導電性組成物としては、銀粒子とバインダとを含む銀ペーストが好ましい。第1導電性組成物は、上記導電物およびバインダのほかに、分散媒、硬化剤、触媒などを配合してもよい。
分散媒としては、エタノール、エタノール、プロパノール、テトラヒドロフラン、イソホロン、テルピネオール、トリエチレングリコールモノブチルエーテル、ブチルセロソルブアセテートなどの有機溶剤を用いてもよいし、水を用いてもよい。
この第1導電性組成物を可撓性基板5上に塗布し、第1導電性組成物からなる膜を形成する。第1導電性被膜6は、所定の回路パターンをなすように形成することができる。第1導電性組成物の塗布には、スクリーン印刷などの印刷法を採用できる。
この第1導電性組成物からなる膜を乾燥させて第1導電性被膜6を得る。乾燥処理は、常温で行ってもよいし、高温(例えば100〜150℃)で行ってもよい。
このように、第1導電性被膜6を形成する工程を第1成膜工程という。
この第1導電性組成物からなる膜を乾燥させて第1導電性被膜6を得る。乾燥処理は、常温で行ってもよいし、高温(例えば100〜150℃)で行ってもよい。
このように、第1導電性被膜6を形成する工程を第1成膜工程という。
次いで、第1導電性被膜6上に、以下のようにして第2導電性被膜7を形成する。
銀酸化物粒子と三級脂肪酸銀塩のいずれか一方または両方を含む第2導電性組成物を調製する。
銀酸化物粒子は、加熱により還元されて単体の銀(金属銀)となる性質を有する。銀酸化物粒子は、酸化銀(I)、酸化銀(II)、酢酸銀、炭酸銀などからなるものが好ましい。これらは単独で使用してもよいし、2以上の混合物を使用することもできる。
銀酸化物粒子の平均粒径は、0.01〜10μmが好ましい。特に、平均粒径が0.5μm以下であると、分散媒に対する分散性を高めるとともに、加熱時の還元反応速度を高めることができる。
銀酸化物粒子は、銀化合物と他の化合物とを反応させる液相法によって製造できる。例えば酸化銀からなる銀酸化物粒子は、硝酸銀水溶液にアルカリ水溶液(水酸化ナトリウム水溶液など)を滴下する方法により製造できる。
銀酸化物粒子と三級脂肪酸銀塩のいずれか一方または両方を含む第2導電性組成物を調製する。
銀酸化物粒子は、加熱により還元されて単体の銀(金属銀)となる性質を有する。銀酸化物粒子は、酸化銀(I)、酸化銀(II)、酢酸銀、炭酸銀などからなるものが好ましい。これらは単独で使用してもよいし、2以上の混合物を使用することもできる。
銀酸化物粒子の平均粒径は、0.01〜10μmが好ましい。特に、平均粒径が0.5μm以下であると、分散媒に対する分散性を高めるとともに、加熱時の還元反応速度を高めることができる。
銀酸化物粒子は、銀化合物と他の化合物とを反応させる液相法によって製造できる。例えば酸化銀からなる銀酸化物粒子は、硝酸銀水溶液にアルカリ水溶液(水酸化ナトリウム水溶液など)を滴下する方法により製造できる。
三級脂肪酸銀塩は、総炭素数が5〜30、好ましくは10〜30の三級脂肪酸の銀塩である。三級脂肪酸銀塩の具体例としては、ピバリン酸銀、ネオヘプタン酸銀、ネオノナン酸銀、ネオデカン酸銀などが挙げられる。これらは単独で使用してもよいし、2以上を併用することもできる。
銀酸化物粒子と三級脂肪酸銀塩とを併用する場合には、これらの配合割合は、銀酸化物粒子の重量をAとし、三級脂肪酸銀塩の重量をBとしたときに、重量比率(A/B)が1/4〜3/1であることが好ましい。
銀酸化物粒子と三級脂肪酸銀塩とを併用する場合には、これらの配合割合は、銀酸化物粒子の重量をAとし、三級脂肪酸銀塩の重量をBとしたときに、重量比率(A/B)が1/4〜3/1であることが好ましい。
第2導電性組成物には、バインダを配合することもできる。
バインダとしては、多価フェノール化合物、フェノール樹脂、アルキッド樹脂、ポリエステル樹脂、エポキシ樹脂のうち1または2以上を使用することができる。
バインダの使用量は、銀化合物100重量部に対して0.2〜10重量部、好ましくは0.5〜5重量部が好適である。使用量がこの範囲より少ないと被膜の柔軟性が低下し、この範囲より多いと導電性が低下する。
バインダとしては、多価フェノール化合物、フェノール樹脂、アルキッド樹脂、ポリエステル樹脂、エポキシ樹脂のうち1または2以上を使用することができる。
バインダの使用量は、銀化合物100重量部に対して0.2〜10重量部、好ましくは0.5〜5重量部が好適である。使用量がこの範囲より少ないと被膜の柔軟性が低下し、この範囲より多いと導電性が低下する。
第2導電性組成物には、上記銀化合物(銀酸化物粒子および三級脂肪酸銀塩)を還元する還元剤を配合するのが好ましい。この還元剤としては、エチレングリコール、ジエチレングリコール、トリエチレングリコール、エチレングリコールジアセチレート、ホルマリン、ヒドラジン、アスコルビン酸、各種アルコールなどが使用できる。これらは単独で用いてもよいし、2以上を併用してもよい。
還元剤の使用量は、上記銀化合物1モルに対し20モル以下、好ましくは0.5〜10モルとするのが好ましい。
還元剤の使用量は、上記銀化合物1モルに対し20モル以下、好ましくは0.5〜10モルとするのが好ましい。
第2導電性組成物には、上記銀化合物(銀酸化物粒子および三級脂肪酸銀塩)を分散させる分散媒を配合するのが好ましい。
分散媒は、上記銀化合物と反応を起こさず、上記銀化合物を良好に分散するものであれば特に限定されない。分散媒としては、エタノール、エタノール、プロパノール、テトラヒドロフラン、イソホロン、テルピネオール、トリエチレングリコールモノブチルエーテル、ブチルセロソルブアセテートなどの有機溶剤を用いてもよいし、水を用いてもよい。
分散媒は、上記銀化合物と反応を起こさず、上記銀化合物を良好に分散するものであれば特に限定されない。分散媒としては、エタノール、エタノール、プロパノール、テトラヒドロフラン、イソホロン、テルピネオール、トリエチレングリコールモノブチルエーテル、ブチルセロソルブアセテートなどの有機溶剤を用いてもよいし、水を用いてもよい。
銀酸化物粒子を用いる場合には、セルロース誘導体を配合することもできる。セルロース誘導体の配合によって、第2導電性組成物の保存安定性を高めることができる。
セルロース誘導体は、銀酸化物粒子を均一に分散する分散安定剤、および銀酸化物粒子の還元剤としても機能する。セルロース誘導体は、所定温度未満では銀酸化物粒子を還元せず、加熱により所定温度以上となると還元作用を示す。
セルロース誘導体としては、例えば、セルロース(C6H10O5)nを変性したヒドロキシプロピルセルロース;セルロースを変性したエチルヒドロキシエチルセルロース;セルロースの水酸基の水素が部分的にエチル基によって置換されたエチルセルロースなどが挙げられる。
セルロース誘導体は、銀酸化物粒子1モルに対し1モル以上に相当する量を配合するのが好ましい。
セルロース誘導体は、銀酸化物粒子を均一に分散する分散安定剤、および銀酸化物粒子の還元剤としても機能する。セルロース誘導体は、所定温度未満では銀酸化物粒子を還元せず、加熱により所定温度以上となると還元作用を示す。
セルロース誘導体としては、例えば、セルロース(C6H10O5)nを変性したヒドロキシプロピルセルロース;セルロースを変性したエチルヒドロキシエチルセルロース;セルロースの水酸基の水素が部分的にエチル基によって置換されたエチルセルロースなどが挙げられる。
セルロース誘導体は、銀酸化物粒子1モルに対し1モル以上に相当する量を配合するのが好ましい。
上記第2導電性組成物を第1導電性被膜6上に塗布することによって、第2導電性組成物からなる膜を形成する。第2導電性組成物の塗布には、スクリーン印刷などの印刷法を採用できる。
この第2導電性組成物からなる膜を、加熱炉を用いて加熱処理する。加熱温度は、150℃以上とするのが好ましい。加熱温度をこの範囲とすることによって、導電性被膜の導電性を高めることができる。可撓性基板5の耐熱性およびコストの観点から、加熱温度は180℃以下が好ましい。
この第2導電性組成物からなる膜を、加熱炉を用いて加熱処理する。加熱温度は、150℃以上とするのが好ましい。加熱温度をこの範囲とすることによって、導電性被膜の導電性を高めることができる。可撓性基板5の耐熱性およびコストの観点から、加熱温度は180℃以下が好ましい。
加熱によって、第2導電性組成物中の銀酸化物粒子は還元され、銀粒子が生成する。三級脂肪酸銀塩は加熱により分解され、銀粒子が生成する。生成した銀粒子は、溶融や銀の析出により少なくとも一部が相互に融着し、融着銀を含む第2導電性被膜7が形成される。
このように、第2導電性組成物からなる膜を形成し加熱することによって、融着銀を含む第2導電性被膜7を形成する工程を第2成膜工程という。
このように、第2導電性組成物からなる膜を形成し加熱することによって、融着銀を含む第2導電性被膜7を形成する工程を第2成膜工程という。
次いで第2導電性被膜7上に、接着剤を介して、開口部14を有するカバー部材4を配置し、接着剤を硬化させる。これによって、図1に示す配線基板1が得られる。
なお、本発明の配線基板は、カバー部材および接着剤層がない構成も可能である。
なお、本発明の配線基板は、カバー部材および接着剤層がない構成も可能である。
配線基板1は、RF−ID方式(RF:Radio-frequency、ID:Identification)のアンテナ回路を有する配線基板に適用することができる。
上記配線基板1では、導電物およびバインダを含む第1導電性被膜6は、導電物がバインダにより結合した構造を有するため、導電物どうしの若干の相対移動が可能となることから、可撓性を有する。このため、第1導電性被膜6は、外力が加えられた場合にその外力に追従して変形可能であり、基板と配線との間の緩衝材、もしくは、配線自身の保護部材としても機能する。
このため、曲げ力によって第2導電性被膜7が破断しにくくなる。また、第2導電性被膜7が破断した場合であっても第1導電性被膜6が破断しないので、可撓性基板5が折り曲げられた場合でも、配線層8の電気的接続を確保することができる。
また、配線層8上に部品を実装することによって第2導電性被膜7が破損した場合でも、第1導電性被膜6が破損することがないので、配線層8の電気的接続を確保することができる。
さらには、融着銀を含む第2導電性被膜7を有するので、配線層8の導電性を高めることができる。
第2導電性被膜7が破断した場合、破断部分では、電流は、導電性に劣る第1導電性被膜6のみを通ることになるが、前記破断部分はごく短いため配線層8の導電性はほとんど低下しない。
従って、基板折り曲げや部品実装による配線層8の導電性低下を防ぐことができる。
このため、曲げ力によって第2導電性被膜7が破断しにくくなる。また、第2導電性被膜7が破断した場合であっても第1導電性被膜6が破断しないので、可撓性基板5が折り曲げられた場合でも、配線層8の電気的接続を確保することができる。
また、配線層8上に部品を実装することによって第2導電性被膜7が破損した場合でも、第1導電性被膜6が破損することがないので、配線層8の電気的接続を確保することができる。
さらには、融着銀を含む第2導電性被膜7を有するので、配線層8の導電性を高めることができる。
第2導電性被膜7が破断した場合、破断部分では、電流は、導電性に劣る第1導電性被膜6のみを通ることになるが、前記破断部分はごく短いため配線層8の導電性はほとんど低下しない。
従って、基板折り曲げや部品実装による配線層8の導電性低下を防ぐことができる。
配線基板1では、合成樹脂などからなる可撓性基板5に対して強固に接合する第1導電性被膜6が、可撓性基板5上に直接形成されているので、可撓性基板5と第1導電性被膜6との間にプライマ層を設ける必要がない。
従って、製造工程を簡略化し、製造コスト削減を図ることができる。
従って、製造工程を簡略化し、製造コスト削減を図ることができる。
一般に、特に高周波帯では、表皮効果により導電性被膜の表面に電流が集中する。
配線基板1では、導電性に優れた第2導電性被膜7が配線層8の最表層に設けられているため、特に高周波帯において優れた導電特性が得られる。
また、このような配線層8をアンテナ回路として用いた場合には損失が起こりにくく、アンテナ回路としての特性を向上させることができる。
配線基板1では、導電性に優れた第2導電性被膜7が配線層8の最表層に設けられているため、特に高周波帯において優れた導電特性が得られる。
また、このような配線層8をアンテナ回路として用いた場合には損失が起こりにくく、アンテナ回路としての特性を向上させることができる。
上記製造方法によれば、第1導電性被膜6を形成する第1成膜工程と、第2導電性組成物からなる膜を加熱し銀粒子を相互に融着させて第2導電性被膜7を形成する第2成膜工程とを有するので、複雑な工程を経ることなく、導電性被膜6、7を形成できる。
従って、上記構成の配線基板1を容易に製造できる。
従って、上記構成の配線基板1を容易に製造できる。
図2は、本発明の配線基板の第2の例を示すものである。
この配線基板11は、可撓性基板5上に、プライマ層13と配線層18が順次形成された構成の基材12を備えている。
配線層18は、第1導電性被膜6が第2導電性被膜7の上に設けられている点で図1に示す配線層8と異なる。
プライマ層13は、第2導電性被膜7の剥離を防止するためのもので、ポリエステル樹脂などからなる。
この配線基板11は、可撓性基板5上に、プライマ層13と配線層18が順次形成された構成の基材12を備えている。
配線層18は、第1導電性被膜6が第2導電性被膜7の上に設けられている点で図1に示す配線層8と異なる。
プライマ層13は、第2導電性被膜7の剥離を防止するためのもので、ポリエステル樹脂などからなる。
上記構成によれば、可撓性が高い第1導電性被膜6が第2導電性被膜7の上に設けられているので、導電性被膜6、7に大きな外力が加えられた場合に、下層側に位置する第2導電性被膜7を保護し、これが破損するのを防ぐことができる。
従って、接続の安定性を高めることができる。
従って、接続の安定性を高めることができる。
図3は、本発明の配線基板の第3の例を示すものである。
この配線基板21は、可撓性基板5上にプライマ層13と配線層28が順次形成された構成の基材22を備えている。
配線層28は、第1導電性被膜6上に、第2導電性被膜7と同様の構成を有する第3導電性被膜9が設けられている点で、図2に示す配線層18と異なる。
配線層28は、第3導電性被膜9が第2導電性被膜7と同様の構成であるため、第1導電性被膜と第2導電性被膜とが交互に設けられているということができる。
「第1導電性被膜と第2導電性被膜が交互に設けられている」とは、第1および第2の導電性被膜の数が合計で3以上であり、これら導電性被膜が交互に配置されていることをいう。
この配線基板21は、可撓性基板5上にプライマ層13と配線層28が順次形成された構成の基材22を備えている。
配線層28は、第1導電性被膜6上に、第2導電性被膜7と同様の構成を有する第3導電性被膜9が設けられている点で、図2に示す配線層18と異なる。
配線層28は、第3導電性被膜9が第2導電性被膜7と同様の構成であるため、第1導電性被膜と第2導電性被膜とが交互に設けられているということができる。
「第1導電性被膜と第2導電性被膜が交互に設けられている」とは、第1および第2の導電性被膜の数が合計で3以上であり、これら導電性被膜が交互に配置されていることをいう。
第1導電性被膜と第2導電性被膜とが交互に設けられた構成によれば、曲げ強度に優れた第1導電性被膜によって第2導電性被膜を保護することができ、配線層を、より破断しにくくすることができる。
図4は、本発明の配線基板の第4の例を示すものである。
配線基板31は、可撓性基板5上に配線層38が設けられた基材32を備えている。
配線層38は、第2導電性被膜7上に、第1導電性被膜6と同様の構成を有する第3導電性被膜10が設けられている点で、図1に示す配線層8と異なる。
配線基板31は、可撓性基板5上に配線層38が設けられた基材32を備えている。
配線層38は、第2導電性被膜7上に、第1導電性被膜6と同様の構成を有する第3導電性被膜10が設けられている点で、図1に示す配線層8と異なる。
[実施例1]
図1に示すように、PETからなる可撓性基板5(厚さ75μm)(東レ製:ルミラーS10)の上に、第1導電性組成物として、銀ペースト(藤倉化成製:FA−353)を、幅1mm、長さ103cmのテスト回路をなすように印刷し、常温で乾燥させて第1導電性被膜6(厚さ7μm)とした(第1成膜工程)。
第1導電性被膜6の上に、酸化銀と、ネオデカン酸銀とを含む第2導電性組成物(藤倉化成製:XA−9053)を印刷した。
得られた積層体を加熱処理(加熱温度175℃、加熱時間7分)することによって、第2導電性組成物を第2導電性被膜7(厚さ5μm)とし、基材2を得た(第2成膜工程)。
図1に示すように、PETからなる可撓性基板5(厚さ75μm)(東レ製:ルミラーS10)の上に、第1導電性組成物として、銀ペースト(藤倉化成製:FA−353)を、幅1mm、長さ103cmのテスト回路をなすように印刷し、常温で乾燥させて第1導電性被膜6(厚さ7μm)とした(第1成膜工程)。
第1導電性被膜6の上に、酸化銀と、ネオデカン酸銀とを含む第2導電性組成物(藤倉化成製:XA−9053)を印刷した。
得られた積層体を加熱処理(加熱温度175℃、加熱時間7分)することによって、第2導電性組成物を第2導電性被膜7(厚さ5μm)とし、基材2を得た(第2成膜工程)。
[実施例2]
図2に示すように、可撓性基板5上に、プライマペースト(藤倉化成製:XB−3028)を印刷し、プライマ層13とした。
次いで、第2導電性組成物(藤倉化成製:XA−9053)を、幅1mm、長さ103cmのテスト回路をなすように印刷した。この第2導電性組成物を、加熱処理(加熱温度175℃、加熱時間7分)により第2導電性被膜7(厚さ5μm)とした(第2成膜工程)。
第2導電性被膜7の上に、銀ペースト(藤倉化成製:FA−353)を印刷し、常温で乾燥させて第1導電性被膜6(厚さ8μm)とし(第1成膜工程)、基材12を得た。その他の条件は実施例1と同様とした。
図2に示すように、可撓性基板5上に、プライマペースト(藤倉化成製:XB−3028)を印刷し、プライマ層13とした。
次いで、第2導電性組成物(藤倉化成製:XA−9053)を、幅1mm、長さ103cmのテスト回路をなすように印刷した。この第2導電性組成物を、加熱処理(加熱温度175℃、加熱時間7分)により第2導電性被膜7(厚さ5μm)とした(第2成膜工程)。
第2導電性被膜7の上に、銀ペースト(藤倉化成製:FA−353)を印刷し、常温で乾燥させて第1導電性被膜6(厚さ8μm)とし(第1成膜工程)、基材12を得た。その他の条件は実施例1と同様とした。
[実施例3]
図3に示すように、第1導電性被膜6上に、第3導電性被膜9を形成すること以外は実施例2と同様にして基材22を得た。第3導電性被膜9は、第2導電性被膜7に準じて作製した。
図3に示すように、第1導電性被膜6上に、第3導電性被膜9を形成すること以外は実施例2と同様にして基材22を得た。第3導電性被膜9は、第2導電性被膜7に準じて作製した。
[実施例4]
図4に示すように、第2導電性被膜7上に、第3導電性被膜10を形成すること以外は実施例1と同様にして基材32を得た。第3導電性被膜10は、第1導電性被膜6に準じて作製した。
図4に示すように、第2導電性被膜7上に、第3導電性被膜10を形成すること以外は実施例1と同様にして基材32を得た。第3導電性被膜10は、第1導電性被膜6に準じて作製した。
[比較例1]
第1導電性被膜6を設けないこと以外は実施例1と同様にして基材を得た。
第1導電性被膜6を設けないこと以外は実施例1と同様にして基材を得た。
[比較例2]
可撓性基板5と第2導電性被膜7との間にプライマ層13を設けること以外は比較例1と同様にして基材を得た。
可撓性基板5と第2導電性被膜7との間にプライマ層13を設けること以外は比較例1と同様にして基材を得た。
[比較例3]
第2導電性被膜7を設けないこと以外は実施例1と同様にして基材を得た。
第2導電性被膜7を設けないこと以外は実施例1と同様にして基材を得た。
上記実施例および比較例で得られた各導電性被膜を走査型電子顕微鏡により観察した結果、第1導電性被膜6および第3導電性被膜10は、銀粒子が相互に接触する構造であったのに対し、第2導電性被膜7および第3導電性被膜9は、銀粒子の一部が相互に融着した構造であることが確認された。
実施例および比較例を次に示す試験に供し、導電性被膜の特性を調べた。
(1)チップ実装性
1608チップジャンパーチップを、実装材料(スリーボンド社製:TB3303C)(ACP:異方導電ペースト)を用いて配線層上に実装した。
サンプル数を100とし、すべてのサンプルで接続不良が発生しなかった場合を◎とし、接続不良発生数が1以上10以下であった場合を○とし、接続不良発生数が11以上であった場合を×とした。
(1)チップ実装性
1608チップジャンパーチップを、実装材料(スリーボンド社製:TB3303C)(ACP:異方導電ペースト)を用いて配線層上に実装した。
サンプル数を100とし、すべてのサンプルで接続不良が発生しなかった場合を◎とし、接続不良発生数が1以上10以下であった場合を○とし、接続不良発生数が11以上であった場合を×とした。
(2)耐折り曲げ性
基板の一部を上方(内曲げ)または下方(外曲げ)に折り曲げ、2つ折りにした状態で曲げ方向に5kgの荷重を加えた。折り曲げ部分の曲げ半径は約0mmとした。
折り曲げ部分を復元し、配線層の抵抗を測定した。
折り曲げ操作の前後で抵抗値が50%以上増加したものを断線と判定した。一回の折り曲げ操作で断線が起きたものを×とし、5〜9回の折り曲げ操作で断線が起きたものを○とし、10回の折り曲げ操作で断線が起こらなかったものを◎とした。
基板の一部を上方(内曲げ)または下方(外曲げ)に折り曲げ、2つ折りにした状態で曲げ方向に5kgの荷重を加えた。折り曲げ部分の曲げ半径は約0mmとした。
折り曲げ部分を復元し、配線層の抵抗を測定した。
折り曲げ操作の前後で抵抗値が50%以上増加したものを断線と判定した。一回の折り曲げ操作で断線が起きたものを×とし、5〜9回の折り曲げ操作で断線が起きたものを○とし、10回の折り曲げ操作で断線が起こらなかったものを◎とした。
表1より、実施例では、折り曲げや部品実装を行った場合でも導電性被膜の導電性低下を防ぐことができたことがわかる。
本発明は、フレキシブル配線基板、例えばメンブレン回路を有するメンブレン配線基板を備えた各種電子機器に適用できる。
特に、RF−ID方式(RF:Radio-frequency、ID:Identification)のアンテナ回路を有する配線基板に好適に適用することができる。
特に、RF−ID方式(RF:Radio-frequency、ID:Identification)のアンテナ回路を有する配線基板に好適に適用することができる。
1、11、21、31…配線基板、5…可撓性基板、6…第1導電性被膜、7…第2導電性被膜、8、18、28、38…配線層
Claims (6)
- 基板上に配線層が形成された配線基板において、
前記配線層は、導電物およびバインダを含む第1導電性被膜と、融着銀を含む第2導電性被膜を備えていることを特徴とする配線基板。 - 前記配線層は、第1導電性被膜と第2導電性被膜が交互に積層されていることを特徴とする請求項1に記載の配線基板。
- 前記配線層の最表層には、前記第2導電性被膜が配されていることを特徴とする請求項1または2に記載の配線基板。
- 前記第1導電性被膜の導電物は、金、銀、銅、ニッケル、スズ、亜鉛、カーボンのうち1または2以上からなることを特徴とする請求項1〜3のうちいずれか1項に記載の配線基板。
- 前記第2導電性被膜の融着銀は、銀酸化物粒子と三級脂肪酸銀塩のいずれか一方または両方を加熱することにより得られたものであることを特徴とする請求項1〜4のうちいずれか1項に記載の配線基板。
- 基板上に、第1および第2の導電性被膜を有する配線層を備えた配線基板を製造する方法であって、
導電物およびバインダを含む第1導電性被膜を形成する第1成膜工程と、
銀酸化物粒子と三級脂肪酸銀塩のいずれか一方または両方を含む膜を加熱することによって、銀粒子の少なくとも一部が相互に融着された第2導電性被膜を形成する第2成膜工程とを含むことを特徴とする配線基板の製造方法。
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---|---|---|---|---|
JP2008211150A (ja) * | 2007-02-28 | 2008-09-11 | Seiko Instruments Inc | 3次元構造体部品、及びその製造方法 |
CN105304390A (zh) * | 2015-11-04 | 2016-02-03 | 昆山兴协和光电科技有限公司 | Led饰条及其制作方法、应用其的背光模组和键盘 |
JP2018195611A (ja) * | 2017-05-12 | 2018-12-06 | イリソ電子工業株式会社 | 成形回路部品 |
CN109855063A (zh) * | 2019-03-11 | 2019-06-07 | 河南博美通电子科技有限公司 | 一种基于导电浆的无电阻柔性灯带电路结构及制备工艺 |
WO2021217418A1 (zh) * | 2020-04-28 | 2021-11-04 | 南昌欧菲显示科技有限公司 | 发光模组和ar眼镜 |
-
2005
- 2005-05-20 JP JP2005147924A patent/JP2006324571A/ja not_active Withdrawn
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