JP2006323370A - 半導体装置、表示装置、及び電子機器 - Google Patents
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Images
Classifications
-
- Y02B20/343—
-
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Landscapes
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Control Of Indicators Other Than Cathode Ray Tubes (AREA)
- Control Of El Displays (AREA)
- Thin Film Transistor (AREA)
Abstract
【解決手段】ゲートがデータ線に接続され、第1端子が電源線に接続された第1のトランジスタと、ゲートが第1の走査線に接続され、第1端子が第1のトランジスタの第2端子に接続された第2のトランジスタと、第2のトランジスタの第2端子及び第2の走査線に接続されたメモリ回路と、第3のトランジスタと、第3のトランジスタの第1端子に接続された発光素子と、を有し、メモリ回路は、電源線から入力される第1の電位または第2の走査線から入力される第2の電位を保持し、第3のトランジスタのゲートに印加することで発光素子の発光を制御する構成とした。
【選択図】図1
Description
本実施例では本発明の半導体装置の具体的な画素構成とその動作原理について説明する。
本実施例は、実施例1における本発明の半導体装置が時間階調方式によって階調表現することについて説明する。
本発明の発光装置の上面図と回路図と断面構造について、図面を参照して説明する。より詳しくは、上面図と、回路図と、データトランジスタ、駆動用トランジスタ、発光素子を含む発光装置の断面構造について、図11、図12を用いて説明する。
本実施例では、表示装置の構成について図13を用いて説明する。
本実施例では、第2の電源線の電位補正し、環境温度の変化と経時劣化に起因した発光素子の電流値の変動による影響を抑制できることについて述べる。
本発明の半導体装置を具備する電子機器として、テレビ受像器、ビデオカメラ、デジタルカメラ、ゴーグル型ディスプレイ、ナビゲーションシステム、音響再生装置(カーオーディオコンポ等)、コンピュータ、ゲーム機器、携帯情報端末(モバイルコンピュータ、携帯電話、携帯型ゲーム機または電子書籍等)、記録媒体を備えた画像再生装置(具体的にはDigital Versatile Disc(DVD)等の記録媒体を再生し、その画像を表示しうるディスプレイを備えた装置)などが挙げられる。それらの電子機器の具体例を図15、図16、図17(A)〜図17(B)、図18(A)〜図18(B)、図19、図20(A)〜図20(E)に示す。
102 スイッチトランジスタ
103 メモリ回路
104 駆動トランジスタ
105 データ線
106 電源線
107 電源線
108 走査線
109 走査線
110 発光素子
111 対向電極
501 データトランジスタ
502 スイッチトランジスタ
503 選択トランジスタA
504 選択トランジスタB
505 保持トランジスタA
506 保持トランジスタB
507 保持トランジスタC
508 駆動トランジスタ
509 データ線
510 電源線
511 電源線
512 走査線
513 走査線
514 発光素子
515 対向電極
516 メモリ回路
1201 基板
1202 結晶性半導体膜
1203A 導電膜
1203B 導電膜
1204 絶縁膜
1205 絶縁膜
1206 層間絶縁膜
1207 導電膜
1208 絶縁膜
1209 画素電極
1210 電界発光層
1211 対向電極
1301 画素
1302 画素部
1303 データ線駆動回路
1304 走査線駆動回路
1305 走査線駆動回路
1306 FPC
1307 基板
1311 シフトレジスタ
1312 ラッチ回路
1313 ラッチ回路
1314 シフトレジスタ
1315 バッファ
1317 バッファ
1401 電源線
1402 発光素子
1403 駆動トランジスタ
1404 対向電極
1406 モニタ用電源線
1407 モニタ用電源線
1408 モニタ用電流源
1409 モニタ用発光素子
1410 サンプリング回路
1411 電源回路
1412 電源回路用電源線
2100 画素部
2101 選択トランジスタ
2102 駆動トランジスタ
2103 保持容量
2104 発光素子
2200 画素
2201 選択トランジスタ
2202 駆動トランジスタ
2203 保持容量
2204 発光素子
2205 走査線
2206 データ線
2207 電源線
2208 対向電極
5001 表示パネル
5002 画素部
5003 走査線駆動回路
5004 データ線駆動回路
5011 回路基板
5012 コントロール回路
5013 信号分割回路
5014 接続配線
5101 チューナ
5102 映像信号増幅回路
5103 映像信号処理回路
5105 音声信号増幅回路
5106 音声信号処理回路
5107 スピーカー
5108 制御回路
5109 入力部
5201 筐体
5202 表示画面
5203 スピーカー
5204 操作スイッチ
5210 充電器
5212 筐体
5213 表示部
5216 操作キー
5217 スピーカー部
5301 表示パネル
5302 プリント配線基板
5303 画素部
5304 走査線駆動回路
5305 走査線駆動回路
5306 データ線駆動回路
5307 コントローラ
5308 CPU
5309 メモリ
5310 電源回路
5311 音声処理回路
5312 送受信回路
5313 FPC
5314 I/F部
5315 アンテナ用ポート
5316 VRAM
5317 DRAM
5318 フラッシュメモリ
5320 制御信号生成回路
5321 デコーダ
5322 レジスタ
5323 演算回路
5324 RAM
5325 入力手段
5326 マイク
5327 スピーカー
5328 アンテナ
5330 ハウジング
5331 プリント基板
5332 スピーカー
5333 マイクロフォン
5334 送受信回路
5335 信号処理回路
5336 入力手段
5337 バッテリー
5339 筐体
5340 アンテナ
6001 筐体
6002 支持台
6003 表示部
6101 本体
6102 筐体
6103 表示部
6104 キーボード
6105 外部接続ポート
6106 ポインティングマウス
6201 本体
6202 表示部
6203 スイッチ
6204 操作キー
6205 赤外線ポート
6301 筐体
6302 表示部
6303 スピーカー部
6304 操作キー
6305 記録媒体挿入部
6401 本体
6402 筐体
6403 表示部A
6404 表示部B
6405 記録媒体(DVD等)読込部
6406 操作キー
6407 スピーカー部
Claims (17)
- ゲートがデータ線に接続され、第1端子が電源線に接続された第1のトランジスタと、
ゲートが第1の走査線に接続され、第1端子が前記第1のトランジスタの第2端子に接続された第2のトランジスタと、
前記第2のトランジスタの第2端子及び第2の走査線に接続されたメモリ回路と、
第3のトランジスタと、
前記第3のトランジスタの第1端子に接続された発光素子と、を有し、
前記メモリ回路は、前記電源線から入力される第1の電位または前記第2の走査線から入力される第2の電位を保持し、
前記第1の電位または前記第2の電位が前記第3のトランジスタのゲートに印加されることで、前記発光素子の発光を制御することを特徴とする半導体装置。 - ゲートがデータ線に接続され、第1端子が電源線に接続された第1のトランジスタと、
ゲートが第1の走査線に接続され、第1端子が前記第1のトランジスタの第2端子に接続された第2のトランジスタと、
前記第2のトランジスタの第2端子及び第2の走査線に接続されたメモリ回路と、
第3のトランジスタと、
前記メモリ回路は、前記電源線から入力される第1の電位または前記第2の走査線から入力される第2の電位を保持し、
前記第1の電位または前記第2の電位が前記第3のトランジスタのゲートに印加されることで、前記第3のトランジスタのオン、オフを制御することを特徴とする半導体装置。 - ゲートがデータ線に接続され、第1端子が第1の電源線に接続された第1のトランジスタと、
ゲートが第1の走査線に接続され、第1端子が前記第1のトランジスタの第2端子に接続された第2のトランジスタと、
前記第2のトランジスタの第2端子及び第2の走査線に接続されたメモリ回路と、
ゲートが前記メモリ回路に接続され、第1端子が第2の電源線に接続され、第2端子が発光素子に接続された第3のトランジスタと、を有し、
前記メモリ回路は、前記第1の電源線から入力される第1の電位または前記第2の走査線から入力される第2の電位を保持し、
前記第1の電位または前記第2の電位が前記第3のトランジスタのゲートに印加されることで、前記発光素子の発光を制御することを特徴とする半導体装置。 - ゲートがデータ線に接続され、第1端子が第1の電源線に接続された第1のトランジスタと、
ゲートが第1の走査線に接続され、第1端子が前記第1のトランジスタの第2端子に接続された第2のトランジスタと、
前記第2のトランジスタの第2端子及び第2の走査線に接続されたメモリ回路と、
ゲートが前記メモリ回路に接続され、第1端子が第2の電源線に接続された第3のトランジスタと、を有し、
前記メモリ回路は、前記第1の電源線から入力される第1の電位または前記第2の走査線から入力される第2の電位を保持し、
前記第1の電位または前記第2の電位が前記第3のトランジスタのゲートに印加されることで、前記第3のトランジスタのオン、オフを制御することを特徴とする半導体装置。 - ゲートがデータ線に接続され、第1端子が電源線に接続された第1のトランジスタと、
ゲートが第1の走査線に接続され、第1端子が前記第1のトランジスタの第2端子に接続された第2のトランジスタと、
前記第2のトランジスタの第2端子及び第2の走査線に接続されたメモリ回路と、
第3のトランジスタと、
前記第3のトランジスタの第1端子に接続された発光素子と、を有し、
前記メモリ回路は、前記電源線から前記第1のトランジスタ及び前記第2のトランジスタを介して入力される第1の電位または前記第2の走査線を第2の電位にすることで入力される第2の電位を保持する回路であり、
前記第1の電位または前記第2の電位が前記第3のトランジスタのゲートに印加されることで、前記発光素子の発光を制御することを特徴とする半導体装置。 - ゲートがデータ線に接続され、第1端子が電源線に接続された第1のトランジスタと、
ゲートが第1の走査線に接続され、第1端子が前記第1のトランジスタの第2端子に接続された第2のトランジスタと、
前記第2のトランジスタの第2端子及び第2の走査線に接続されたメモリ回路と、
第3のトランジスタと、を有し、
前記メモリ回路は、前記電源線から前記第1のトランジスタ及び前記第2のトランジスタを介して入力される第1の電位または前記第2の走査線を第2の電位にすることで入力される第2の電位を保持する回路であり、
前記第1の電位または前記第2の電位が前記第3のトランジスタのゲートに印加されることで、前記第3のトランジスタのオン、オフを制御することを特徴とする半導体装置。 - ゲートがデータ線に接続され、第1端子が第1の電源線に接続された第1のトランジスタと、
ゲートが第1の走査線に接続され、第1端子が前記第1のトランジスタの第2端子に接続された第2のトランジスタと、
前記第2のトランジスタの第2端子及び第2の走査線に接続されたメモリ回路と、
ゲートが前記メモリ回路に接続され、第1端子が第2の電源線に接続され、第2端子が発光素子に接続された第3のトランジスタと、を有し、
前記メモリ回路は、前記第1の電源線から前記第1のトランジスタ及び前記第2のトランジスタを介して入力される第1の電位または前記第2の走査線を第2の電位にすることで入力される第2の電位を保持する回路であり、
前記第1の電位または前記第2の電位が前記第3のトランジスタのゲートに印加されることで、前記発光素子の発光を制御することを特徴とする半導体装置。 - ゲートがデータ線に接続され、第1端子が第1の電源線に接続された第1のトランジスタと、
ゲートが第1の走査線に接続され、第1端子が前記第1のトランジスタの第2端子に接続された第2のトランジスタと、
前記第2のトランジスタの第2端子及び第2の走査線に接続されたメモリ回路と、
ゲートが前記メモリ回路に接続され、第1端子が第2の電源線に接続された第3のトランジスタと、を有し、
前記メモリ回路は、前記第1の電源線から前記第1のトランジスタ及び前記第2のトランジスタを介して入力される第1の電位または前記第2の走査線を第2の電位にすることで入力される第2の電位を保持する回路であり、
前記第1の電位または前記第2の電位が前記第3のトランジスタのゲートに印加されることで、前記第3のトランジスタのオン、オフを制御することを特徴とする半導体装置。 - ゲートがデータ線に接続され、第1端子が第1の電源線に接続された第1のNチャネル型トランジスタと、
ゲートが第1の走査線に接続され、第1端子が前記第1のトランジスタの第2端子に接続された第2のNチャネル型トランジスタと、
入力端子が前記第2のNチャネル型トランジスタの第2端子に接続されたインバータ回路と、
ゲートが前記インバータ回路の出力端子に接続され、第1端子が第2の走査線に接続された第3のNチャネル型トランジスタと、
ゲートが前記第1の走査線に接続され、第1端子が第2の電源線に接続された第1のPチャネル型トランジスタと、
ゲートが前記インバータ回路の出力端子に接続され、第1端子が前記第1のPチャネル型トランジスタの第2端子に接続され、第2端子が前記第3のNチャネル型トランジスタの第2端子に接続された第2のPチャネル型トランジスタと、
ゲートが前記第2のNチャネル型トランジスタの第2端子、前記インバータ回路の入力端子、前記第3のNチャネル型トランジスタの第2端子、及び前記第2のPチャネル型トランジスタの第2端子に接続され、第1端子が前記第2の電源線に接続され、第2端子が発光素子に接続された第3のPチャネル型トランジスタを有することを特徴とする半導体装置。 - ゲートがデータ線に接続され、第1端子が第1の電源線に接続された第1のNチャネル型トランジスタと、
ゲートが第1の走査線に接続され、第1端子が前記第1のトランジスタの第2端子に接続された第2のNチャネル型トランジスタと、
入力端子が前記第2のNチャネル型トランジスタの第2端子に接続されたインバータ回路と、
ゲートが前記インバータ回路の出力端子に接続され、第1端子が第2の走査線に接続された第3のNチャネル型トランジスタと、
ゲートが前記第1の走査線に接続され、第1端子が第2の電源線に接続された第1のPチャネル型トランジスタと、
ゲートが前記インバータ回路の出力端子に接続され、第1端子が前記第1のPチャネル型トランジスタの第2端子に接続され、第2端子が前記第3のNチャネル型トランジスタの第2端子に接続された第2のPチャネル型トランジスタと、
ゲートが前記第2のNチャネル型トランジスタの第2端子、前記インバータ回路の入力端子、前記第3のNチャネル型トランジスタの第2端子、及び前記第2のPチャネル型トランジスタの第2端子に接続され、第1端子が前記第2の電源線に接続された第3のPチャネル型トランジスタを有することを特徴とする半導体装置。 - 請求項1乃至8のいずれか一において、前記第1のトランジスタ及び前記第2のトランジスタは、Nチャネル型トランジスタであり、前記第3のトランジスタはPチャネル型トランジスタであることを特徴とする半導体装置。
- 請求項9または請求項10において、一方の電極が前記第3のPチャネル型トランジスタのゲートに接続され、他方の電極が前記第2の電源線に接続された容量素子を有することを特徴とする半導体装置。
- 請求項3、請求項4、請求項7乃至請求項10のいずれか一において、前記第1の電源線の電位は、前記第2の電源線の電位よりも低いことを特徴とする半導体装置。
- 請求項3、請求項4、請求項7乃至請求項10のいずれか一において、前記第2の電源線の電位は、前記データ線に入力される電位より高いことを特徴とする半導体装置。
- 請求項1乃至請求項14のいずれか一において、前記発光素子は、有機EL素子、無機EL素子または有機物及び無機物を含むEL素子であることを特徴とする半導体装置。
- 請求項1乃至請求項15に記載の半導体装置を具備する表示装置。
- 請求項16に記載の表示装置を具備する電子機器。
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