JP5089072B2 - 半導体装置 - Google Patents
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Images
Classifications
-
- Y02B20/343—
-
- Y02B20/346—
Landscapes
- Thin Film Transistor (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Control Of Indicators Other Than Cathode Ray Tubes (AREA)
- Control Of El Displays (AREA)
Description
本実施例では本発明の半導体装置の具体的な画素構成とその動作原理について説明する。
本実施例は、実施例1における本発明の半導体装置が時間階調方式によって階調表現することについて説明する。
本発明の発光装置の上面図と回路図と断面構造について、図面を参照して説明する。より詳しくは、上面図と、回路図と、データトランジスタ、駆動用トランジスタ、発光素子を含む発光装置の断面構造について、図11、図12を用いて説明する。
本実施例では、表示装置の構成について図13を用いて説明する。
本実施例では、第2の電源線の電位補正し、環境温度の変化と経時劣化に起因した発光素子の電流値の変動による影響を抑制できることについて述べる。
本発明の半導体装置を具備する電子機器として、テレビ受像器、ビデオカメラ、デジタルカメラ、ゴーグル型ディスプレイ、ナビゲーションシステム、音響再生装置(カーオーディオコンポ等)、コンピュータ、ゲーム機器、携帯情報端末(モバイルコンピュータ、携帯電話、携帯型ゲーム機または電子書籍等)、記録媒体を備えた画像再生装置(具体的にはDigital Versatile Disc(DVD)等の記録媒体を再生し、その画像を表示しうるディスプレイを備えた装置)などが挙げられる。それらの電子機器の具体例を図15、図16、図17(A)〜図17(B)、図18(A)〜図18(B)、図19、図20(A)〜図20(E)に示す。
102 スイッチトランジスタ
103 メモリ回路
104 駆動トランジスタ
105 データ線
106 電源線
107 電源線
108 走査線
109 走査線
110 発光素子
111 対向電極
501 データトランジスタ
502 スイッチトランジスタ
503 選択トランジスタA
504 選択トランジスタB
505 保持トランジスタA
506 保持トランジスタB
507 保持トランジスタC
508 駆動トランジスタ
509 データ線
510 電源線
511 電源線
512 走査線
513 走査線
514 発光素子
515 対向電極
516 メモリ回路
1201 基板
1202 結晶性半導体膜
1203A 導電膜
1203B 導電膜
1204 絶縁膜
1205 絶縁膜
1206 層間絶縁膜
1207 導電膜
1208 絶縁膜
1209 画素電極
1210 電界発光層
1211 対向電極
1301 画素
1302 画素部
1303 データ線駆動回路
1304 走査線駆動回路
1305 走査線駆動回路
1306 FPC
1307 基板
1311 シフトレジスタ
1312 ラッチ回路
1313 ラッチ回路
1314 シフトレジスタ
1315 バッファ
1317 バッファ
1401 電源線
1402 発光素子
1403 駆動トランジスタ
1404 対向電極
1406 モニタ用電源線
1407 モニタ用電源線
1408 モニタ用電流源
1409 モニタ用発光素子
1410 サンプリング回路
1411 電源回路
1412 電源回路用電源線
2100 画素部
2101 選択トランジスタ
2102 駆動トランジスタ
2103 保持容量
2104 発光素子
2200 画素
2201 選択トランジスタ
2202 駆動トランジスタ
2203 保持容量
2204 発光素子
2205 走査線
2206 データ線
2207 電源線
2208 対向電極
5001 表示パネル
5002 画素部
5003 走査線駆動回路
5004 データ線駆動回路
5011 回路基板
5012 コントロール回路
5013 信号分割回路
5014 接続配線
5101 チューナ
5102 映像信号増幅回路
5103 映像信号処理回路
5105 音声信号増幅回路
5106 音声信号処理回路
5107 スピーカー
5108 制御回路
5109 入力部
5201 筐体
5202 表示画面
5203 スピーカー
5204 操作スイッチ
5210 充電器
5212 筐体
5213 表示部
5216 操作キー
5217 スピーカー部
5301 表示パネル
5302 プリント配線基板
5303 画素部
5304 走査線駆動回路
5305 走査線駆動回路
5306 データ線駆動回路
5307 コントローラ
5308 CPU
5309 メモリ
5310 電源回路
5311 音声処理回路
5312 送受信回路
5313 FPC
5314 I/F部
5315 アンテナ用ポート
5316 VRAM
5317 DRAM
5318 フラッシュメモリ
5320 制御信号生成回路
5321 デコーダ
5322 レジスタ
5323 演算回路
5324 RAM
5325 入力手段
5326 マイク
5327 スピーカー
5328 アンテナ
5330 ハウジング
5331 プリント基板
5332 スピーカー
5333 マイクロフォン
5334 送受信回路
5335 信号処理回路
5336 入力手段
5337 バッテリー
5339 筐体
5340 アンテナ
6001 筐体
6002 支持台
6003 表示部
6101 本体
6102 筐体
6103 表示部
6104 キーボード
6105 外部接続ポート
6106 ポインティングマウス
6201 本体
6202 表示部
6203 スイッチ
6204 操作キー
6205 赤外線ポート
6301 筐体
6302 表示部
6303 スピーカー部
6304 操作キー
6305 記録媒体挿入部
6401 本体
6402 筐体
6403 表示部A
6404 表示部B
6405 記録媒体(DVD等)読込部
6406 操作キー
6407 スピーカー部
Claims (2)
- 第1乃至第3のトランジスタと、インバータ及び第4乃至第6のトランジスタを含むメモリ回路と、発光素子と、第1乃至第5の配線とを有し、
前記第1のトランジスタ、前記第2のトランジスタ、及び前記第4のトランジスタは、同一の極性を有するトランジスタであり、
前記第3のトランジスタ、前記第5のトランジスタ、及び前記第6のトランジスタは、前記極性とは逆の極性を有するトランジスタであり、
前記第1のトランジスタのゲートは、前記第1の配線に電気的に接続され、
前記第1のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第2の配線に電気的に接続され、
前記第1のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第2のトランジスタのソース又はドレインの一方に電気的に接続され、
前記第2のトランジスタのゲートは、前記第3の配線に電気的に接続され、
前記第2のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第3のトランジスタのゲート、前記インバータの入力端子、前記第4のトランジスタのソース又はドレインの一方、及び前記第5のトランジスタのソース又はドレインの一方に電気的に接続され、
前記第3のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第4の配線に電気的に接続され、
前記第3のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記発光素子に電気的に接続され、
前記インバータの出力端子は、前記第4のトランジスタのゲート、及び前記第5のトランジスタのゲートに電気的に接続され、
前記第4のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第5の配線に電気的に接続され、
前記第5のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第6のトランジスタのソース又はドレインの一方に電気的に接続され、
前記第6のトランジスタのゲートは、前記第3の配線に電気的に接続され、
前記第6のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第4の配線に電気的に接続され、
前記発光素子が消灯状態となる信号を前記メモリ回路に入力するリセット期間と、前記発光素子の発光状態または消灯状態を選択する選択期間と、前記選択期間において選択された前記発光素子の発光状態または消灯状態を保持するサステイン期間とを用いて、前記発光素子の発光状態または消灯状態が制御される半導体装置であって、
前記リセット期間前において前記発光素子が発光状態であるとき、前記リセット期間において前記第5の配線及び前記第4のトランジスタを介して、前記第3のトランジスタのゲートに前記第3のトランジスタがオフとなる信号が入力されることにより、前記発光素子が消灯状態となり、
前記リセット期間前において前記発光素子が消灯状態であるとき、前記リセット期間において前記第4の配線、前記第6のトランジスタ、及び前記第5のトランジスタを介して、前記第3のトランジスタのゲートに前記第3のトランジスタがオフとなる信号が入力されることにより、前記発光素子が消灯状態となり、
前記選択期間において前記発光素子を発光状態とするとき、前記第2の配線、前記第1のトランジスタ、及び前記第2のトランジスタを介して、前記第3のトランジスタのゲートに前記第3のトランジスタがオンとなる信号が入力され、
前記選択期間において前記発光素子を消灯状態とするとき、前記第1の配線に前記第1のトランジスタがオフとなる信号が入力され、かつ、前記第3の配線を介して前記第6のトランジスタのゲートに前記第6のトランジスタがオフとなる信号が入力されることにより、前記第3のトランジスタのゲートは浮遊状態となり、
前記サステイン期間において前記発光素子を発光状態とするとき、前記第3の配線を介して前記第2のトランジスタのゲートに前記第2のトランジスタがオフとなる信号が入力され、前記第5の配線及び前記第4のトランジスタを介して前記第3のトランジスタのゲートに前記第3のトランジスタがオンとなる信号が入力されることにより、前記メモリ回路に前記第3のトランジスタがオンとなる信号が保持され、
前記サステイン期間において前記発光素子を消灯状態とするとき、前記第3の配線を介して前記第2のトランジスタのゲートに前記第2のトランジスタがオフとなる信号が入力され、前記第4の配線、前記第6のトランジスタ、及び前記第5のトランジスタを介して前記第3のトランジスタのゲートに前記第3のトランジスタがオフとなる信号が入力されることにより、前記メモリ回路に前記第3のトランジスタがオフとなる信号が保持されることを特徴とする半導体装置。 - 請求項1において、
前記第2の配線は、前記第1の配線及び前記第4の配線と平行に配置されていることを特徴とする半導体装置。
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