JP2006313850A - 炭化珪素半導体装置およびその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 炭化珪素半導体装置10は、第1導電型の六方晶炭化珪素半導体基板1と、第1導電型の第1六方晶炭化珪素エピタキシャル層2と、第1導電型の第2六方晶炭化珪素エピタキシャル層3と、ショットキー金属層5と、オーミック金属層4とを備える。第2六方晶炭化珪素エピタキシャル層3は、第1六方晶炭化珪素エピタキシャル層2と同じ結晶構造を有し、かつ第1六方晶炭化珪素エピタキシャル層2よりも高い積層欠陥密度を有する。
【選択図】 図1
Description
(本発明例1)
図1に示す試験体を以下の方法にて作製した。まず、n型4H−SiC基板(比抵抗:0.02Ωcm、Si面(0001面)、8°off、積層欠陥密度:10cm-1)上に、以下の条件により第1n型4H−SiCエピタキシャル層(膜厚:7.4μm、不純物濃度:5×1015cm-3、積層欠陥密度:10cm-1)および第2n型4H−SiCエピタキシャル層(膜厚:0.1μm、不純物濃度:5×1015cm-3、積層欠陥密度:5000cm-1)をCVDエピタキシャル成長法により積層した。
(第1n型4H−SiCエピタキシャル層の成長条件)
温度 1500℃
雰囲気 水素:12slm、シラン:4sccm、プロパン:2.67sccm、窒素:0.001sccm
圧力 750Torr
(第2n型4H−SiCエピタキシャル層の成長条件)
温度 1350℃
雰囲気 水素:12slm、シラン:4sccm、プロパン:5.33sccm、窒素:0.015sccm
圧力 750Torr
エピタキシャル成長後、オーミック電極として、裏面にNiを蒸着し、その後Ar雰囲気中で1000度、2分間の熱アニールを実施した。裏面のオーミック電極を作製した後、第2n型4H−SiCエピタキシャル層上にNiを蒸着し、ショットキーダイオードを作製した。
図1に示す構造において、第2n型4H−SiCエピタキシャル層も、第1n型4H−SiCエピタキシャル層と同じ成長条件で成長し、その他の作製条件は同一として比較例も作製した。この場合、第2n型4H−SiCエピタキシャル層と便宜上記載しているが、第1n型4H−SiCエピタキシャル層と同じ成長条件で成長しているため、第2n型4H−SiCエピタキシャル層と第1n型4H−SiCエピタキシャル層の積層欠陥密度に差は無く、両者の間に明確な境界は存在しない。
図2に示す試験体を以下の方法により作製した。まず、n型4H−SiC基板(比抵抗:0.02Ωcm、Si面(0001面)、8°off、積層欠陥密度:10cm-1)上に、以下の条件により第1n型4H−SiCエピタキシャル層(膜厚:7.4μm、不純物濃度:5×1015cm-3、積層欠陥密度:10cm-1)、および第2n型4H−SiCエピタキシャル層(膜厚:0.1μm、不純物濃度:5×1015cm-3、積層欠陥密度:5000cm-1)をCVDエピタキシャル成長法により積層した。エピタキシャル成長条件は、本発明例1と同様である。エピタキシャル成長後、フォトリソグラフと、RIEエッチングを利用して、W1=1μm、W2=1μm、d=0.2μmとなるように、溝を形成した。溝形成後、オーミック電極として、裏面にNiを蒸着し、その後Ar雰囲気中で1000度、2分間の熱アニールを実施した。裏面のオーミック電極を作製した後、第2n型4H−SiCエピタキシャル層上にNiを蒸着し、ショットキーダイオードを作製した。
Claims (6)
- 主表面とその反対面の裏面とを有し、第1導電型の六方晶炭化珪素半導体基板と、
前記六方晶炭化珪素半導体基板の主表面上にエピタキシャル成長され、前記六方晶炭化珪素半導体基板よりも低い不純物濃度の第1導電型の第1六方晶炭化珪素エピタキシャル層と、
前記第1六方晶炭化珪素エピタキシャル層上にエピタキシャル成長され、かつ前記第1六方晶炭化珪素エピタキシャル層と同じ結晶構造を有し、かつ前記第1六方晶炭化珪素エピタキシャル層よりも高い積層欠陥密度を有する、第1導電型の第2六方晶炭化珪素エピタキシャル層と、
前記第2六方晶炭化珪素エピタキシャル層にショットキー接触されたショットキー金属層と、
前記六方晶炭化珪素半導体基板の裏面にオーミック接触されたオーミック金属層とを備えた、炭化珪素半導体装置。 - 前記第2六方晶炭化珪素エピタキシャル層を貫通して、前記第1六方晶炭化珪素エピタキシャル層に達する溝部が設けられ、前記ショットキー金属層は、前記第2六方晶炭化珪素エピタキシャル層にショットキー接触すると共に、前記溝部の底面に位置する前記第1六方晶炭化珪素エピタキシャル層にショットキー接触する、請求項1に記載の炭化珪素半導体装置。
- 前記溝部の端面および底面にショットキー接触する前記ショットキー金属層の仕事関数が、前記第2六方晶炭化珪素エピタキシャル層の上面にショットキー接触する前記ショットキー金属層の仕事関数よりも大きいことを特徴とする、請求項2に記載の炭化珪素半導体装置。
- 前記第1六方晶炭化珪素エピタキシャル層の主表面は、basal面に対してオフを有する面である、請求項1〜3のいずれかに記載の炭化珪素半導体装置。
- 第1導電型の六方晶炭化珪素半導体基板上にCVD法により、成長温度1500〜1700℃で、前記六方晶炭化珪素半導体基板よりも低い不純物濃度の第1導電型の第1六方晶炭化珪素エピタキシャル層をエピタキシャル成長する工程と、
前記第1六方晶炭化珪素エピタキシャル層に、CVD法により、成長温度1200℃〜1400℃の成長温度で、前記第1六方晶炭化珪素エピタキシャル層と同じ結晶構造を有する第1導電型の第2六方晶炭化珪素エピタキシャル層をホモエピタキシャル成長する工程とを備える、炭化珪素半導体装置の製造方法。 - 前記第2六方晶炭化珪素エピタキシャル層の成長工程のCVD法におけるSi系ガスとC系ガスの比率(C/Si比)を、前記第1六方晶炭化珪素エピタキシャル層の成長工程のCVD法におけるC/Si比よりも高くする、請求項5に記載の炭化珪素半導体装置の製造方法。
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